或多個溝道定義。
[0067]磁體可配置成包括位于第六部分與磁體中心部分之間界面處的縮減厚度的區(qū)域，中心部分包括磁體的第一、第二、第三和第四部分。例如，磁體可配置成包括位于第六部分與磁體中心部分之間界面處的溝道，中心部分包括磁體的第一、第二、第三和第四部分。
[0068]磁體可配置成包括位于第七部分與磁體中心部分之間界面處的縮減厚度的區(qū)域，中心部分包括磁體的第一、第二、第三和第四部分。例如，磁體可配置成包括位于第七部分與磁體中心部分之間界面處的溝道，中心部分包括磁體的第一、第二、第三和第四部分。
【附圖說明】
[0069]在僅作為示例給出并且通過附圖圖示的實施例的描述的幫助下將更好地理解本發(fā)明，附圖中:
圖1a和Ib分別提供了從現(xiàn)有技術已知的MEMS微鏡面裝置的側(cè)視圖和平面圖；
圖2提供了從現(xiàn)有技術已知的另一 MEMS管芯的平面圖，其可用在圖1的裝置中；
圖3提供了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的裝置的側(cè)視圖；
圖4提供了根據(jù)本發(fā)明另外實施例的裝置的側(cè)視圖；
圖5提供了根據(jù)本發(fā)明另外實施例的裝置的側(cè)視圖；
圖6提供了根據(jù)本發(fā)明另外實施例的裝置的側(cè)視圖；
圖7a、7b、7c提供了根據(jù)本發(fā)明另外實施例的裝置的側(cè)視圖，并且具體地說圖示了磁體可具有的不同的可能形狀；
圖8a提供了根據(jù)本發(fā)明另外實施例的裝置的側(cè)視圖；
圖8b提供了根據(jù)本發(fā)明另外實施例的裝置的側(cè)視圖；
圖9a和9b提供了根據(jù)本發(fā)明另外實施例的裝置的側(cè)視圖；
圖1Oa和1b提供了根據(jù)本發(fā)明另外實施例的裝置的側(cè)視圖；
圖11提供了根據(jù)本發(fā)明另外實施例的裝置的側(cè)視圖；
圖12a提供了根據(jù)本發(fā)明另外實施例的裝置的底側(cè)的平面圖，并且圖12b提供了圖12a的沿A-A’的橫截面視圖；
圖13a提供了根據(jù)本發(fā)明另外實施例的在裝置中使用的磁體的平面圖；圖13b提供了使用在圖13a中示出的磁體的裝置的橫截面視圖；
圖14提供了根據(jù)本發(fā)明另外實施例的在裝置中使用的磁體的平面圖； 圖15提供了根據(jù)本發(fā)明另外實施例的裝置的側(cè)視圖。
【具體實施方式】
[0070]圖3提供了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的裝置30的側(cè)視圖。裝置30包括MEMS管芯31和單個多極磁體32。MEMS管芯31與單個多極磁體32協(xié)作，使得提供在MEMS管芯31的MEMS鏡面上的激勵線圈(未示出)浸沒在由磁體32提供的磁場“B”中。
[0071]MEMS管芯31可包括圖1b和圖2中示出的MEMS管芯10、20的其中一些或所有特征。MEMS管芯31在其第一支架和第二支架(未示出)連接到磁體32。
[0072]MEMS管芯31布置成與磁體32的第一表面35協(xié)作。磁體32包括與第一表面35相對的第二表面36。磁體32配置成使得第一表面35和第二表面36彼此平行。MEMS管芯32還包括第一表面37、第二表面38。MEMS管芯的第一表面37與磁體32的第一表面35協(xié)作。MEMS管芯的第二表面38與第一表面37相對。MEMS管芯配置成使得MEMS管芯31的第一表面37和第二表面38彼此平行。
[0073]提供在裝置I中的單個磁體32是多極磁體32。磁體32配置成具有第一部分33和第二部分34，第一部分33具有第一磁化方向，第二部分34具有第二磁化方向。磁化方向由提供在每個部分33、34中的箭頭指示。第一磁化方向與第二磁化方向相反。
[0074]在本申請中，磁化方向是磁通量/磁場的方向。將理解到，磁化方向由磁極定位定義，例如，對于具有第一部分33和第二部分34 (第一部分33具有第一磁化方向，第二部分34具有第二磁化方向)的磁體32，則第一部分33必須包括北磁極和南磁極(未示出)，并且第二部分34必須包括北磁極和南磁極(未示出)。圖3中示出的裝置30的磁體32因此包括至少四個磁極:兩個北磁極和兩個南磁極；一個磁極對將位于第一部分33中，并且第二磁極對將位于第二部分34中。對于與第二部分的磁化方向相反的第一部分的磁化方向，第一部分中磁極的布置可與第二部分中磁極的布置相反。
[0075]磁體32配置成具有矩形橫截面，并且可包括各向同性材料或各向異性材料。在圖3中圖示的具體示例中，磁體32包括各向異性材料。如果磁體32包括各向異性材料，則磁體32的第一部分33、第二部分34可配置成僅具有兩個可能磁化方向之一。有利地，如果磁體32將包括各向同性材料，則磁體32的第一部分33和第二部分34可能被提供有任何磁化方向。
[0076]有利的是，當裝置30使用單個磁體32時，制造裝置30不需要連接多個磁化磁體以形成磁體組件，或者打磨磁組件中的多個磁化磁體以確保組件中的每個磁體都具有相等尺寸。
[0077]圖4提供了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的投影裝置40的側(cè)視圖。裝置40具有圖3中示出的裝置I的許多相同特征，并且相似特征被給予了相同附圖標記。
[0078]裝置40進一步包括鐵磁材料43，其布置成圍繞單個多極磁體的周圍41以便減少從裝置40泄露的磁場“B”的量。在裝置40中，鐵磁材料43布置成圍繞磁體32的整個周圍41。
[0079]在使用期間，鐵磁材料43將引導磁通量/磁場“B”，其否則將從裝置40的側(cè)面45、46泄露，回到磁體32。這具有MEMS管芯31將暴露于更強磁通量/磁場“B”的優(yōu)點。更進一步說，當裝置40用于各種應用時，諸如當裝置40用在電子裝置(例如投影裝置)中時，位于裝置40附近的其它部件將經(jīng)歷較小磁通量/磁場“B”。
[0080]圖5提供了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的投影裝置50的側(cè)視圖。裝置50具有圖4中示出的裝置40的許多相同特征，并且相似特征被給予了相同附圖標記。
[0081 ] 裝置50進一步包括鐵磁材料43，其布置成圍繞單個多極磁體32的周圍41和MEMS管芯31的周圍51，以便減少從裝置50泄露的磁通量/磁場“B”的量。
[0082]鐵磁材料43配置成延伸到MEMS管芯31的第二表面38之上。有利地，這將確保MEMS管芯31區(qū)中(從而還在MEMS鏡面區(qū)中，以及第一和/或第二激勵線圈)的磁通量/磁場"b"將在力勻質(zhì)性方面和分布方面更均勻。
[0083]圖6提供了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的裝置60的側(cè)視圖。裝置60具有圖3中示出的裝置30的許多相同特征，并且相似特征被給予了相同附圖標記。
[0084]裝置60包括MEMS管芯31和單個多極磁體32，其包括削邊62a、62b。有利地，削邊62a、62b將減小裝置60的大小和體積。例如，裝置60可沿其削邊62a、62b中的至少一個固定到表面；削邊62a、62b將減小MEMS管芯31上的表面與鏡面之間的距離，從而提供更緊湊的裝置60。
[0085]削邊62a、62b被削成與由磁體32的第二表面36定義的平面39成45°角。
[0086]裝置60可沿其削邊62a、62b中的至少一個錨定；裝置60例如在掃描或投影裝置中可使用涂敷到削邊62a、62b的膠水(或某種其它適合的連接部件)沿其削邊62a、62b中的至少一個銷定。
[0087]將理解到，在此說明書中提到的每一個裝置都可用于各種應用；例如，裝置可形成投影裝置的一部分。
[0088]圖7a、7b、7c示出了在圖3-6中示出的任何裝置30、40、50、60中使用的單個多極磁體32的其它可能形狀。
[0089]圖7a示出了包括斜切邊71a、71b的單個多極磁體32。斜切邊71a、71b被斜切與由磁體32的第二表面36定義的平面39成45°角β。
[0090]圖7b示出了包括單個斜切邊75的單個多極磁體32。MEMS管芯31在此實施例中布置成與單個斜切邊75協(xié)作。應該理解，MEMS管芯31可布置成與磁體32的任何表面協(xié)作。
[0091]圖7c示出單個多極磁體32可配置成具有矩形橫截面。第一 MEMS管芯31a提供在磁體32的第一表面76上，并且第二 MEMS管芯31b提供在磁體32的第二表面78上，使得提供在第一 MEMS管芯31a和第二 MEMS管芯31b中每個的MEMS鏡面上的激勵線圈浸沒在由磁體32提供的磁場“B”中。
[0092]圖8a提供了根據(jù)本發(fā)明另外實施例的裝置80的側(cè)視圖。裝置80具有先前實施例的裝置30、40、50、60的許多相同特征，并且相似特征被給予了相同附圖標記。
[0093]在裝置80中，單個多極磁體32配置成包含具有V形開口 81的矩形橫截面。磁體32從而有效地配置成包括第一三角形橫截面部分82和第二三角形橫截面部分83。每個三角形橫截面部分82、83包括具有第一磁化方向的第一部分84a、84b (未不出)和具有第二磁化方向的第二部分85a、85b ;第一磁化方向與第二磁化方向相反。應該指出，第一三角形橫截面部分82的