第一部分84b在圖8a中不可見，因?yàn)樗挥诘诙糠?5a后面；第二三角形橫截面部分83的第一部分84a和第二部分85b的磁化方向與第一三角形橫截面部分82的第一部分84a (不可見)和第二部分85b的磁化方向正交。
[0094]第一 MEMS管芯31a定位在第一三角形橫截面部分82的表面上，并且第二 MEMS管芯31b定位在第二三角形橫截面部分82的表面上。第一 MEMS管芯31a和第二 MEMS管芯31b位于定義V形開口 81的相應(yīng)相對(duì)表面86a、86b上，使得MEMS管芯31a、3Ib基本上彼此面對(duì)，并且使得它們彼此進(jìn)行光通信。
[0095]提供在第一 MEMS管芯31的MEMS鏡面上的激勵(lì)線圈將浸沒在由第一三角形橫截面部分82提供的磁場(chǎng)“B”中，并且提供在第二 MEMS管芯31b的MEMS鏡面上的激勵(lì)線圈將浸沒在由第二三角形橫截面部分83提供的磁場(chǎng)“B”中。
[0096]第一 MEMS管芯31a配置成具有關(guān)于第一振蕩軸(未不出)振蕩的MEMS鏡面，并且第二 MEMS管芯31b配置成具有關(guān)于第二振蕩軸(未示出)振蕩的MEMS鏡面。第一 MEMS管芯31a和第二 MEMS管芯31b在磁體32上定向，使得第一和第二振蕩軸彼此正交。因而，第一 MEMS管芯3Ia和第二 MEMS管芯3Ib可用于在操作期間在兩個(gè)維度即垂直和水平掃描光。
[0097]將理解到，一般而言，裝置30、40、50、60、70、80可包括任何數(shù)量的MEMS管芯31。每一個(gè)MEMS管芯31都可與磁體32協(xié)作，使得在每一個(gè)MEMS管芯31的MEMS鏡面上提供的激勵(lì)線圈浸沒在由磁體32提供的磁場(chǎng)“B”中。每一個(gè)MEMS管芯31可具有在圖1b和圖2中示出的MEMS管芯31的其中一些或所有特征。優(yōu)選地，磁體32將配置成具有多個(gè)表面，并且多個(gè)MEMS管芯31中的每個(gè)都將與不同表面協(xié)作。例如，磁體32可配置成具有矩形橫截面，使得它具有至少三個(gè)表面，并且三個(gè)MEMS管芯31之一可與相應(yīng)表面協(xié)作。類似地，磁體32可配置成包括六個(gè)表面，例如，可配置成具有六邊形橫截面，或者任何數(shù)量的表面；MEMS管芯可提供在每個(gè)表面上。
[0098]圖Sb提供了根據(jù)本發(fā)明另外實(shí)施例的裝置88的側(cè)視圖。在此實(shí)施例中，單個(gè)多極磁體32包括各向同性材料。
[0099]磁體32配置成包括具有第一磁化方向的第一部分33和具有第二磁化方向的第二部分34。有利地，由于磁體32包括各向同性材料，因此第一部分33和第二部分34可配置成具有任何磁化方向。不像在圖1中示出的裝置30，裝置88的第一部分33和第二部分34中的磁化方向處于不同于水平和垂直的方向；而是，第一磁化方向是西北方向，并且第二磁化方向處于西南方向。換句話說，第一和第二磁化方向處于與磁體32的第二表面36基本上成45°的方向。這將使MEMS管芯31能夠在與提供在MEMS管芯31的MEMS鏡面上的激勵(lì)線圈垂直的期望方位經(jīng)歷更強(qiáng)磁場(chǎng)/磁通量“B”。激勵(lì)線圈優(yōu)選布置成與MEMS鏡面的轉(zhuǎn)動(dòng)軸平行。
[0100]圖9a和9b提供了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的裝置90a、90b的側(cè)視圖。裝置90a、90b可包含先前實(shí)施例的任何特征，例如，在圖4和圖5等中示出的鐵磁材料43。
[0101]每一個(gè)裝置90a、90b配置成具有U形橫截面。在每個(gè)裝置90a、90b中，單個(gè)多極磁體32配置成包括具有第一磁化方向的第一部分91、具有第二磁化方向的第二部分92、具有第三磁化方向的第三部分93、具有第四磁化方向的第四部分94以及具有等于第一磁化方向的磁化方向的第五部分95。
[0102]在圖9a和9b中示出的裝置90a、90b基本上相同，除了裝置90a包括各向異性材料，而裝置90b包括各向同性材料。
[0103]因?yàn)檠b置90b包括各向同性材料，在第一部分91和第三部分93中提供的第一磁化方向和第三磁化方向分別配置成與磁體32的第二表面36成45°。而在裝置90a中，在第一部分91和第三部分93中提供的第一磁化方向和第三磁化方向分別配置成與磁體32的第二表面36成直角。
[0104]圖1Oa和1b提供了根據(jù)本發(fā)明另外實(shí)施例的裝置100a、100b的側(cè)視圖。
[0105]裝置100a、100b分別具有與如圖9a和9b中所示的裝置90a、90b相同的特征，并且相似特征被給予了相同附圖標(biāo)記。
[0106]在每一個(gè)裝置100a、100b中，單個(gè)多極磁體32的第一部分和第五部分進(jìn)一步包括凸緣101a、101b。凸緣101a、1lb將幫助進(jìn)一步減小從裝置100a、10b泄露的磁通量/磁場(chǎng)“B”的量。
[0107]在每一個(gè)裝置90a、90b和100a、100b中，MEMS管芯31位于在單個(gè)多極磁體32中定義的凹處105中。當(dāng)MEMS管芯31布置在凹處105中時(shí)，MEMS管芯31將由磁體32部分包圍。此類布置將增大MEMS管芯31將經(jīng)歷的磁場(chǎng)/磁通量“B”的量，并且還提供了彼此更平行并在密度上更勻質(zhì)的磁場(chǎng)線。
[0108]圖11提供了根據(jù)本發(fā)明另外實(shí)施例的裝置110的側(cè)視圖。裝置110具有圖9中示出的裝置90a、90b的許多相同特征，并且相似特征被給予了相同附圖標(biāo)記。
[0109]在裝置110中，MEMS管芯31布置成使得它支撐在單個(gè)多極磁體32的第一表面35上。如果入射在MEMS管芯31上的光將以某一角度靠近裝置110，則此類配置是有用的；因?yàn)槿绻鸐EMS管芯31位于凹處105中，則入射光可能另外受磁體32的第四部分94和第五部分95的阻擋。如圖11所圖示的，當(dāng)MEMS鏡面4振蕩時(shí)，凹處105將容納MEMS管芯31的MEMS鏡面4的一部分，從而，相比MEMS管芯31位于凹處105內(nèi)的情況下(這是裝置90a、90b和100a、10b中的情況)，MEMS鏡面4將免于經(jīng)受更大振蕩。在裝置90a、90b和100a、100b中，MEMS管芯31上的MEMS鏡面4的振蕩幅度將受磁體32的約束；盡管可選，但裝置90a、90b和100a、100b中的磁體32可被提供有位于MEMS管芯31下面的附加凹處，以使MEMS鏡面4能夠經(jīng)受更大振蕩，甚至當(dāng)MEMS管芯31位于凹處105中時(shí)。
[0110]圖12a提供了根據(jù)本發(fā)明另外實(shí)施例的裝置120的底表面的平面圖。圖12b提供了沿圖12a的截面A-A’得到的裝置120的橫截面視圖。裝置120具有與圖3中示出的裝置30相同的許多特征，并且相似特征被給予了相同附圖標(biāo)記。
[0111]參考圖12a和12b ;在裝置120中，MEMS管芯31的MEMS鏡面4包括第一反射表面122a和第二反射表面122b。第一反射表面122a和第二反射表面122b定義MEMS鏡面4的相對(duì)表面。
[0112]單個(gè)多極磁體32進(jìn)一步包括孔徑123，其鄰近MEMS鏡面4?？讖?23允許光125通過磁體32，并由MEMS鏡面4的第二表面122b接收。因而，可使用MEMS鏡面121的兩個(gè)相對(duì)表面122a、122b反射光125。
[0113]圖13a提供了根據(jù)本發(fā)明另外實(shí)施例的在裝置中使用的單個(gè)多極磁體32的平面圖。將理解到，包括圖1b的MEMS管芯的特征的MEMS管芯31將布置成與磁體32協(xié)作，如圖13a中所示，這在圖13b中示出。
[0114]磁體32配置成包括具有第一磁化方向的第一部分131、具有第二磁化方向的第二部分132、具有等于第一磁化方向的磁化方向的第三部分133以及具有等于第二磁化方向的磁化方向的第四部分134。在圖13和圖14中，磁化方向由箭頭和箭尾指示，箭頭指示出頁面的方向，而箭尾指示入頁面的方向。
[0115]在這個(gè)具體示例中，第一部分131配置成具有C形橫斷面，并且第四部分134配置成具有反C形橫斷面。第二部分132由第一部分131部分包圍。第三部分133由第四部分134部分包圍。將理解到，第一部分131、第二部分132、第三部分133和第四部分134可包括任何其它形狀；例如，第一部分131、第二部分132、第三部分133和第四部分134備選地可配置成具有矩形橫斷面，或者包含具有或者沒有切割邊的方形橫斷面。
[0116]第一界面135將存在于第一部分131與第二部分132之間。第二界面136將存在于第三部分133與第四部分134之間。盡管如所示的對(duì)接，但應(yīng)該記住，部分131、132、133、134由單個(gè)磁體定義，并且界面僅簡(jiǎn)單地由相應(yīng)部分之間的接合處定義。
[0117]第一部分131、第二部分132、第三部分133和第四部分134尺寸定成使得第一界面135和第二界面136鄰近在MEMS管芯31上提供的第一激勵(lì)線圈5 (這可在圖13b中看到)。優(yōu)選地，部分131、132、133、134尺寸定成使得第一界面135和第二界面136鄰近在MEMS管芯31的MEMS鏡面4上提供的第一激勵(lì)線圈5的整個(gè)長(zhǎng)度。在這個(gè)實(shí)施例中，由磁體32生成的磁場(chǎng)“B”將有助于減少M(fèi)EMS鏡面4的不想要的振動(dòng)模式。
[0118]圖