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本發(fā)明涉及一種用于形成圍繞至少一個槽口的多層結構的方法。本發(fā)明也涉及一種具有多層結構的裝置。、在us,,b中描述了一種用于在單晶硅晶片中形成被硅膜覆蓋的空穴的工藝。在實施該傳統(tǒng)工藝時，首先在硅晶片中蝕刻大量溝槽，使得從硅晶片結構化出大量柱狀結構。隨后通過硅層的外延沉積將溝槽封閉。之后在氫氣...

本發(fā)明涉及半導體制造，尤其涉及一種半導體結構的形成方法。、在半導體器件中，通常需要形成貫穿襯底和襯底上的功能層的通孔，以實現(xiàn)相應的功能，例如，半導體過濾篩、硅通孔(through?silicon?via，tsv)結構等。半導體過濾篩為微機電系統(tǒng)中的一種部件。半導體過濾篩中需要形成貫穿襯底以...

本申請涉及開關器件，尤其涉及一種開關器件以及制備方法、電子設備。、射頻移相器、可調濾波器、可切換射頻衰減器、可重構天線等電子元器件中通常包括開關器件。微機電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system，簡稱mems)是在微電子技術基礎上發(fā)展起來的多學科交叉的新型傳感...

本發(fā)明屬于半導體集成電路制造，特別是涉及一種晶圓級轉移結構及其轉移方法。、微機電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system,mems)通過機電敏感結構與執(zhí)行結構、處理電路等的系統(tǒng)級集成，實現(xiàn)集信息傳感、處理、存儲、傳輸甚至執(zhí)行等功能的系統(tǒng)級芯片，是一種超越摩爾的技...

本申請涉及微機電，具體涉及一種封裝結構。、微機電系統(tǒng)(mems，micro-electro-mechanical?system)，也叫做微電子機械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機械等，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。微機電系統(tǒng)是集微傳感器、微執(zhí)行器、微機械結構、微電源微能源、信號處理和控制電路、高性...

本發(fā)明屬于微納光學，具體涉及一種曲面基底微納米結構的高精度制備方法。、曲面基底微納米結構器件，如：用于高光譜成像的凸面閃耀光柵、用于新型光學成像系統(tǒng)的仿生復眼結構（曲面基底微透鏡陣列）、用于電磁屏蔽的曲面網(wǎng)格狀線柵等，相比傳統(tǒng)的平面基底微納米結構器件，具有更多的設計自由度和更優(yōu)秀的光電性能...

本發(fā)明屬于mems傳感器，特別涉及電容式傳感器的制作，具體是一種采用hf氣體穿透種子層來制備電容式傳感器的方法。、mems（微機電系統(tǒng)）繼承了集成電路的先進制造工藝，相較于傳統(tǒng)傳感器，具有微型化、低成本、高效能和可大批量生產(chǎn)等優(yōu)勢，并且產(chǎn)能和良品率都很高。、基于mems技術的電容式傳感器的...

本發(fā)明涉及微納米定位，具體涉及一種六自由度大行程柔性微納米末端定位平臺。、隨著納米技術、生物技術、信息技術和先進制造技術的飛速發(fā)展，六自由度微納米末端定位平臺在精密工程領域發(fā)揮著越來越重要的作用，廣泛應用芯片制造于光學、生物醫(yī)學、納米光刻、超精密加工、掃描探針檢測和微納操作等諸多領域。如在...

本發(fā)明涉及mems(micro-electro-mechanical?system，微機電系統(tǒng))器件領域，尤其涉及一種具有兩個獨立空腔的mems裝置及其制造方法。、、mems電容式加速度計以其尺寸小，低成本，性能優(yōu)良，廣泛應用于消費電子，物聯(lián)網(wǎng)，以及工業(yè)測量領域。消費電子競...

本發(fā)明涉及微機械電子，具體涉及一種集成式mems真空度芯片制備方法。、mems器件諸如陀螺儀、加速計、紅外探測器等器件，此類器件必須進行真空封裝才能保證器件性能。通常真空封裝電子器件要求的真空度在?-pa-pa以上，真空封裝電子器件的真空壽命是器件重要的參數(shù)指標。由于器件工作時間年限長、環(huán)...

本發(fā)明系關于一種慣性傳感器之制作方法，且特別關于一種互補性氧化金屬半導體慣性傳感器之制作方法。、互補性氧化金屬半導體(cmos)已廣泛用于集成電路(i?c)的制造，特別是在高階智能型手機芯片及影像感測芯片(ci?s)。由于大量的研究人力和投入，集成電路的發(fā)展和創(chuàng)新取得了突飛猛進的發(fā)展，顯著...

本申請屬于刻蝕工藝，更具體地，涉及一種不同槽寬實現(xiàn)同步等速率刻蝕方法及其掩膜獲取方法。、在mems(micro?electro-mechanical?system)器件制造過程中，往往需要在同一結構層中加工同一深度但寬度不同的槽來實現(xiàn)其各自的功能。但是通?？涛g掩膜設計下，不同寬度的槽因為負...

本發(fā)明涉及微機電，具體涉及一種快速制造微納米溝道的方法以及制備微納米脊的方法。、納米制造技術可以以高精度制造納米尺度的結構，而納米結構和器件由于具有優(yōu)異的物理性能和獨特的結構特征，在光學器件、超材料、納流體和生物醫(yī)學等領域有著廣泛的應用。因此，納米制造技術對于滿足各種應用的迫切需求非常重要...

本公開涉及一種包括可移動質量塊和止動件機構的微機電(mems)裝置。、慣性微機電(mems)裝置，特別是例如陀螺儀和加速計，使其操作基于通過撓曲件(彈簧)而耦合(couple)到支撐體(諸如例如半導體材料的框架或基底)的質量塊，撓曲件(彈簧)允許質量塊沿著一個或多個方向振蕩，以便檢測物理量...

本發(fā)明涉及mems微執(zhí)行器，特別涉及一種基于磁致伸縮的lsf型mems執(zhí)行器及其制備方法。、隨著科學技術的迅速發(fā)展，mems技術倍受重視，微執(zhí)行器作為mems技術的一個重要分支，是許多微電子機械系統(tǒng)中的重要組成部分。微執(zhí)行器作為最基本的能量轉換單元，一般是將電能轉化為機械能，從而實現(xiàn)一定的...

本申請涉及mems安裝，尤其涉及mems模塊和電子設備。、通常mems芯片通過軟硅膠粘接到陶瓷封裝體上，再通過焊料裝配到印制電路板上，形成一個傳感器單元。由于該傳感器單元工作產(chǎn)生熱量，或傳感器單元受到周圍熱源的影響，熱量會傳至mems芯片。熱量的傳遞造成mems芯片溫度的變化，而mems芯...

本申請涉及半導體，具體而言，涉及一種微電子器件用晶圓級封裝結構及制造方法。、微機電(micro-electro-mechanical?system，mems)器件是用微電子工藝加工的特征尺寸在微米量級的器件，已經(jīng)廣泛應用在工業(yè)及消費類領域。為了保護器件不受環(huán)境沾污，同時提升器件的信噪比，以...

本發(fā)明涉及半導體芯片封裝，具體為一種mems芯片的封裝結構及其封裝方法。、mems芯片的全稱是micro-electro-mechanical?system，是微機電系統(tǒng)。它是以半導體制造技術為基礎發(fā)展起來的，mems技術采用了半導體技術中的光刻、腐蝕、薄膜等一系列的現(xiàn)有技術和材料，具有體...

本發(fā)明涉及壓力傳感器，特別涉及一種壓力傳感器及其制造方法。、電容式壓力傳感器是一種利用兩極板之間的電容變化來檢測壓力的傳感器，具體來說，電容式壓力傳感器具有可變電容結構，當外界壓力作用于傳感器上時，可變電容結構會發(fā)生形變，導致電容間隙發(fā)生變化，從而改變電容值。相比于壓阻式壓力傳感器，電容式...

本申請涉及半導體，具體而言，涉及一種用于微電子器件真空封裝的吸氣劑結構及制造方法。、以mems(micro-electro-mechanical?system，微機電系統(tǒng))陀螺、mems加速度計、mems射頻開關、mems紅外傳感器等為代表的微電子器件需要進行氣密性真空封裝，以保護器件不受...