1.一種三維立體結(jié)構(gòu)自支撐電極，其特征是，電極包括以泡沫銅為基底層、使用循環(huán)伏安法進(jìn)行電化學(xué)刻蝕在其表面生成一層銅氧化物、隨后通過水熱法在刻蝕氧化銅層的泡沫銅上原位生長鈷鉬硼化物，最后在惰性氣體保護(hù)下焙燒得到鈷鉬硼化物電極；鈷鉬硼化物電極為納米線組成的海膽狀納米球結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種三維立體結(jié)構(gòu)自支撐電極，其特征是，基底層厚度為300μm～1mm；銅氧化物的擔(dān)載量在0.1mg/cm2-3?mg/cm2，鈷鉬硼化物電極的擔(dān)載量在10mg/cm2-60mg/cm2。
3.如權(quán)利要求1所述的一種三維立體結(jié)構(gòu)自支撐電極，其特征是，鈷鉬硼化物電極為納米線組成的海膽狀納米球結(jié)構(gòu)，其納米球其直徑在5μm～15mm，納米線的直徑在20nm～100nm。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的一種三維立體結(jié)構(gòu)自支撐電極的制備方法，其特征是，包括：將泡沫銅在hcl溶液中超聲30min，先后用丙酮或無水乙醇、去離子水沖洗；用循環(huán)循環(huán)法對泡沫銅進(jìn)行電化學(xué)刻蝕，得到生長包含銅氫氧化物和氧化物的氧化銅層，記作cuo/cf；將鈷鹽、鉬鹽、硼酸與穩(wěn)定劑溶于去離子水中，加入刻蝕后泡沫銅，進(jìn)行水熱反應(yīng)，得到電極a；將電極a放入管式爐并通入惰性氣體進(jìn)行煅燒，得到三維立體結(jié)構(gòu)自支撐電極coxmoybz@cuo/cf。
5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征是，具體步驟如下：
6.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征是，所述步驟s2中的naoh或koh濃度為0.1-3m；循環(huán)伏安法中循環(huán)掃描的低電位為-3.0v～-1.2v，高電位為0.2v～1.2v，掃描速度是1mvs-1～100mv?s-1，掃描次數(shù)為1-50次，電解液koh的濃度為0.05m-1.7m，氧化銅層的擔(dān)載量在0.1mg/cm2-3?mg/cm2。
7.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征是，所述步驟s3中的鈷鹽為碳酸鈷、硫酸鈷、氯化鈷、硝酸鈷及醋酸鈷中的任一種或者兩種以上，鈷鹽的濃度為0.005m-2.0m。
8.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征是，所述步驟s3中的鉬鹽為鉬酸鈉、鉬酸鈷、鉬酸鎳、鉬酸猛、鉬酸鉍、鉬酸銨、鉬酸鎂、鉬酸鋅中的任一種或者兩種以上，鉬鹽的濃度為0.005m-1.0m,；所述水熱反應(yīng)中溫度為100℃-240℃，水熱時間為12-48h。
9.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征是，所述步驟s4中，煅燒過程中控制升溫速率2℃/min-5℃/min，煅燒溫度為200℃-800℃，煅燒時間為2-8h；x即co的摩爾百分比范圍為30-45％，y即mo的摩爾百分比范圍為30-45％，z即b的摩爾百分比范圍為5-40％。
10.如權(quán)利要求5-9任一項(xiàng)制備的方法制備的電極在電解水析氫、析氧雙效電極、電解海水雙效電極、二氧化碳電還原反應(yīng)中作為陽極電極的應(yīng)用。