本發(fā)明屬于光纖傳感技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種新型光纖刻蝕光柵傳感器的設(shè)計與制造方法。

背景技術(shù)：

光纖傳感器，由于其不受電磁干擾，抗腐蝕，電絕緣，質(zhì)量輕，體積小，被測介質(zhì)影響小，靈敏度高具有這些優(yōu)點，使光纖傳感器有效方便的應(yīng)用于石油化工，土木工程，大型機電，航空航天，軍用科技，環(huán)境保護，生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域，填補常規(guī)傳感器無法在強電磁干擾，醫(yī)學(xué)衛(wèi)生等惡劣環(huán)境等特殊領(lǐng)域的空缺。

光纖光柵傳感器，又是目前最有發(fā)展的前途，最有代表性的新型光纖無源器件之一，在光通信，光纖傳感和光信息處理等領(lǐng)域均有廣闊的應(yīng)用。傳統(tǒng)光纖光柵是利用光纖材料的光敏性，通過紫外光曝光的方法將入射光相干場圖樣寫入纖芯，在纖芯內(nèi)產(chǎn)生沿纖芯軸向的折射率周期性變化，從而形成永久性空間的相位光柵，紫外寫入光柵要得到很高的靈敏度，一般光纖柵區(qū)比較長，不利于一些微小位置的參量測量。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)是提供一種新型的光纖刻蝕光柵傳感器及其制作方法，提高光纖光柵的靈敏度和小型化。

本發(fā)明的技術(shù)方案：一種光纖刻蝕光柵傳感器，包括，在光纖端面刻上周期性凹槽，形成光纖光柵傳感器。

進一步的，所述周期性凹槽，周期為20um，凹槽縫寬為10um，深度為62.5um，柵區(qū)為2mm。

進一步的，所述光纖是采用石英，聚合物，寶石或光子晶體材料制成的單?；蚨嗄９饫w。

本發(fā)明的另一個目的是提供一種上述光纖光柵傳感器的制作方法，可以制成各種靈敏度的光纖光柵傳感器，由以下步驟完成：

步驟一：探測設(shè)備的搭建，把寬帶光源3接環(huán)形器4一端口，光纖接環(huán)形器4二端口，光譜儀5接環(huán)形器4三端口。

步驟二：把光纖8放在移動平臺9上，放上掩模板7。

步驟三：用157nm激光6器通過掩模板7，在光纖8上方，刻蝕出周期性的凹槽2，周期為周期為20um，凹槽縫寬為10um，深度為62.5um，柵區(qū)為2mm。

步驟四：通過光譜儀5檢測峰值的變化，當(dāng)光譜儀5出現(xiàn)尖峰的時候，停止刻蝕，就構(gòu)成了一個光纖光柵傳感器。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提出的一種光纖光柵傳感器的制作方法，操作和步驟非常簡單，不需要剝?nèi)ス饫w涂覆層，成本低，易于實現(xiàn)，敏感度更高，體積更小?？梢愿淖冄谀０彘g隙寬度和周期數(shù)，制作成不同性能的光纖光柵傳感器。

附圖說明：

圖1是一種光纖刻蝕光柵傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是一種光纖刻蝕光柵傳感器制作裝置示意圖。

圖3是一種光纖刻蝕光柵傳感器制作用掩模板示意圖。

附圖標記說明：1光纖，2周期性凹槽，3寬帶光源，4環(huán)形器，5，光譜儀，6 157nm激光器，7掩模板，8光纖，9工作臺，10掩膜版。

具體實施方法：

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明做進一步的說明。

實施例一：

步驟一：探測設(shè)備的搭建，把寬帶光源3接環(huán)形器4一端口，光纖接環(huán)形器4二端口，光譜儀5接環(huán)形器4三端口。

步驟二：把光纖8放在移動平臺9上，放上掩模板7。

步驟三：用157nm激光6器通過掩模板7，在光纖8上方，刻蝕出周期性的凹槽2，周期為周期為20um，凹槽縫寬為10um，深度為62.5um，柵區(qū)為2mm。

步驟四：通過光譜儀5檢測峰值的變化，當(dāng)光譜儀5出現(xiàn)尖峰的時候，停止刻蝕，就構(gòu)成了一個光纖光柵傳感器。

實施例二：

步驟一：探測設(shè)備的搭建，把寬帶光源3接環(huán)形器4一端口，光纖接環(huán)形器4二端口，光譜儀5接環(huán)形器4三端口。

步驟二：把光纖8放在移動平臺9上，放上掩模板7。

步驟三：用157nm激光6器通過掩模板7，在光纖8上方，刻蝕出周期性的凹槽2，周期為周期為20um，凹槽縫寬為20um，深度為62.5um，柵區(qū)為2mm。

步驟四：通過光譜儀5檢測峰值的變化，當(dāng)光譜儀5出現(xiàn)尖峰的時候，停止刻蝕，就構(gòu)成了一個光纖光柵傳感器。

實施例三：

步驟一：探測設(shè)備的搭建，把寬帶光源3接環(huán)形器4一端口，光纖接環(huán)形器4二端口，光譜儀5接環(huán)形器4三端口。

步驟二：把光纖8放在移動平臺9上，放上掩模板7。

步驟三：用157nm激光6器通過掩模板7，在光纖8上方，刻蝕出周期性的凹槽2，周期為周期為20um，凹槽縫寬為10um，深度為30um，柵區(qū)為2mm。

步驟四：通過光譜儀5檢測峰值的變化，當(dāng)光譜儀5出現(xiàn)尖峰的時候，停止刻蝕，就構(gòu)成了一個光纖光柵傳感器。

實施例四：

步驟一：探測設(shè)備的搭建，把寬帶光源3接環(huán)形器4一端口，光纖接環(huán)形器4二端口，光譜儀5接環(huán)形器4三端口。

步驟二：把光纖8放在移動平臺9上，放上掩模板7。

步驟三：用157nm激光6器通過掩模板7，在光纖8上方，刻蝕出周期性的凹槽2，周期為周期為30um，凹槽縫寬為10um，深度為62.5um，柵區(qū)為5mm。

步驟四：通過光譜儀5檢測峰值的變化，當(dāng)光譜儀5出現(xiàn)尖峰的時候，停止刻蝕，就構(gòu)成了一個光纖光柵傳感器。

本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會意識到，這里所述的實施例是為了幫助讀者理解本發(fā)明的原理，應(yīng)該理解為本發(fā)明的保護范圍并不局限于這樣的特別陳述和實施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明公開的這些技術(shù)啟示做出的各種不脫離本發(fā)明實質(zhì)的其他各種具體變形和組合，這些變形和組合仍在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。