1.一種用于DNA原位合成的電化學(xué)芯片，其特征在于，包括反應(yīng)區(qū)，該反應(yīng)區(qū)包括電極區(qū)與涂覆于該電極區(qū)表面的高分子聚合物，所述電極區(qū)包括至少一個鉑電極，所述高分子聚合物在所述電極的另一側(cè)具有堿基序列連接端，并且此堿基序列連接端連接有保護(hù)基團(tuán)。
2.一種基于權(quán)利要求1所提供的電化學(xué)芯片進(jìn)行DNA原位合成方法，其特征在于，包括
a)在所述電化學(xué)芯片的反應(yīng)區(qū)的外側(cè)表面覆蓋電解質(zhì)溶液；
b)將選定電極置于高電位，從而在所述電極周圍、反應(yīng)液中產(chǎn)生氫離子；
c)連接于所述電化學(xué)芯片表面堿基序列連接端的保護(hù)基團(tuán)在所述氫離子提供的局部酸性環(huán)境中脫去；
d)恢復(fù)所述電極的電位，將所述反應(yīng)區(qū)的外側(cè)表面的電解質(zhì)溶液替換為反應(yīng)液，所述反應(yīng)液呈堿性并溶解有一端連有保護(hù)基團(tuán)的堿基；
e)所述一端連有堿基保護(hù)基團(tuán)的堿基連接到所述堿基序列連接端；
f)去除所述反應(yīng)液；
g)重復(fù)步驟a)至f)，直至合成所需的堿基序列。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電化學(xué)芯片DNA原位合成方法，其特征在于，所述電解質(zhì)溶液呈堿性。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電化學(xué)芯片DNA原位合成方法，其特征在于，步驟d)恢復(fù)所述電極的電位，將所述反應(yīng)區(qū)的外側(cè)表面的電解質(zhì)溶液替換為反應(yīng)液，所述反應(yīng)液反應(yīng)液呈堿性并溶解有一端連有保護(hù)基團(tuán)的堿基包括
將所述電極的電位置于零電位；
吸取所述電解質(zhì)溶液；
使用第一緩沖液沖洗所述反應(yīng)區(qū)的外側(cè)表面；
在所述反應(yīng)區(qū)的外側(cè)表面覆蓋反應(yīng)液，其中溶解有一端連有保護(hù)基團(tuán)的堿基。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電化學(xué)芯片DNA原位合成方法，其特征在于，所述第一緩沖液為醋酸鹽緩沖液、碳酸鹽緩沖液、檸檬酸鹽緩沖液、HEPES緩沖液、MOPS緩沖液、磷酸鹽緩沖液、TRIS緩沖液或碘酸鉀溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電化學(xué)芯片DNA原位合成方法，其特征在于，所述反應(yīng)液呈堿性。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電化學(xué)芯片DNA原位合成方法，其特征在于，步驟f)去除所述反應(yīng)液包括
吸取所述反應(yīng)液；
使用第二緩沖液沖洗所述反應(yīng)區(qū)的外側(cè)表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電化學(xué)芯片DNA原位合成方法，其特征在于，所述第二緩沖液為醋酸鹽緩沖液、碳酸鹽緩沖液、檸檬酸鹽緩沖液、HEPES緩沖液、MOPS緩沖液、磷酸鹽緩沖液、TRIS緩沖液或碘酸鉀溶液。