本發(fā)明涉及一種晶體硅塊表面研磨及雜質(zhì)檢測(cè)一體化裝置，屬于紅外探測(cè)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

目前多晶硅塊的紅外雜質(zhì)檢測(cè)，大多采取開方后人工逐塊搬動(dòng)檢測(cè)的方式。但是由于開方后硅塊表面存在凹凸線痕，表面粗糙度大，對(duì)紅外光線有較大的反射，導(dǎo)致紅外探傷只能檢測(cè)到一些尺寸較大的雜質(zhì)點(diǎn)，尺寸較小的雜質(zhì)點(diǎn)成為漏網(wǎng)之魚。這些雜質(zhì)點(diǎn)，由于硬度大，在后續(xù)的多線切割中容易造成線弓變大，線網(wǎng)震動(dòng)加劇，容易在硅片表面造成劃傷和線痕等損傷，嚴(yán)重的會(huì)造成斷線，導(dǎo)致大量硅片報(bào)廢。

對(duì)于硅塊外發(fā)切片業(yè)務(wù)，外發(fā)的硅塊大多已經(jīng)進(jìn)行了表面研磨。客戶在收到硅塊后，會(huì)重新進(jìn)行雜質(zhì)探傷等來料檢測(cè)。由于表面研磨后的硅塊表面光滑，對(duì)紅外光的透過性好，所以可以看到更細(xì)小的雜質(zhì)點(diǎn)。這種由于測(cè)試狀態(tài)不同導(dǎo)致的測(cè)試結(jié)果不同，往往成為供需雙方的分歧點(diǎn)。

針對(duì)這種磨面前后硅塊檢測(cè)的差異，有些工廠采取硅塊磨面后再次進(jìn)行紅外檢測(cè)的方法，但這種方法生產(chǎn)效率低，在人工搬動(dòng)的過程中容易造成硅塊表面劃傷、崩缺等情形。因此，開發(fā)一種晶體硅塊表面研磨及雜質(zhì)檢測(cè)一體化裝置是十分必要的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明目的：為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本發(fā)明提供一種晶體硅塊表面研磨及雜質(zhì)檢測(cè)一體化裝置，該裝置節(jié)省人工，操作簡單，提高了檢測(cè)效率，減少了晶磚劃傷、崩邊的可能，增強(qiáng)了硅塊雜質(zhì)檢測(cè)的清晰度。

技術(shù)方案：為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種晶體硅塊表面研磨及雜質(zhì)檢測(cè)一體化裝置，包括粗磨機(jī)、精磨設(shè)備、清洗干燥裝置、紅外探測(cè)裝置及帶輪機(jī)；

其中，所述帶輪機(jī)設(shè)置有傳送履帶，傳送履帶用于放置硅塊；傳送履帶的側(cè)面沿著傳送履帶的運(yùn)行方向依次設(shè)置有粗磨機(jī)、精磨設(shè)備、清洗干燥裝置及紅外探測(cè)裝置；

所述清洗干燥裝置包括清洗機(jī)、烘干機(jī)，相對(duì)設(shè)置在傳送履帶的兩側(cè)；

所述紅外探測(cè)裝置包括兩個(gè)機(jī)械臂、紅外光源、紅外攝像頭以及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備，其中紅外光源、紅外攝像頭相對(duì)設(shè)置在傳送履帶的兩側(cè)，紅外攝像頭通過數(shù)據(jù)線連接到所述計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備上；兩個(gè)機(jī)械臂用于夾持住硅塊的兩端，通過伺服電機(jī)控制兩個(gè)機(jī)械臂轉(zhuǎn)動(dòng)來完成硅塊各個(gè)面的雜質(zhì)檢測(cè)，減少人工搬動(dòng)造成的損傷，并節(jié)省人工。

進(jìn)一步的，所述清洗機(jī)為噴水式清洗機(jī)，用于清洗研磨后硅塊表面的雜質(zhì)。

進(jìn)一步的，所述烘干機(jī)為吹風(fēng)式烘干機(jī)。

有益效果：本發(fā)明提供的一種晶體硅塊表面研磨及雜質(zhì)檢測(cè)一體化裝置，將原來硅塊的表面研磨和紅外雜質(zhì)檢測(cè)兩道工序集合到一起，變成一道工序；原兩人單獨(dú)操作可變成一人操作，并且整個(gè)過程無需人工搬動(dòng)硅塊，節(jié)省人工，減少了硅塊劃傷、崩邊的可能；將硅塊進(jìn)行研磨清洗后紅外雜質(zhì)檢測(cè)，消除了硅塊表面線痕、硅粉殘留及其他雜物的影響，可以清晰檢測(cè)到0.5mm以上大小的雜質(zhì)，檢測(cè)耗時(shí)30秒以內(nèi)，提高了檢測(cè)效率，增強(qiáng)了硅塊雜質(zhì)檢測(cè)的清晰度。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種晶體硅塊表面研磨及雜質(zhì)檢測(cè)一體化裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中包括：1、晶體硅塊，2、粗磨機(jī)，3、精磨設(shè)備，4、清洗機(jī)，5、烘干機(jī)，6、機(jī)械臂，7、機(jī)械臂，8、紅外光源，9、紅外攝像頭，10、計(jì)算機(jī)操作界面，11、帶輪機(jī)。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作更進(jìn)一步的說明。

如圖1所示為一種晶體硅塊表面研磨及雜質(zhì)檢測(cè)一體化裝置，包括粗磨機(jī)2、精磨設(shè)備3、清洗干燥裝置、紅外探測(cè)裝置及帶輪機(jī)11；

其中，所述帶輪機(jī)11設(shè)置有傳送履帶，傳送履帶用于放置硅塊1；傳送履帶的側(cè)面沿著傳送履帶的運(yùn)行方向依次設(shè)置有粗磨機(jī)2、精磨設(shè)備3、清洗干燥裝置及紅外探測(cè)裝置；

所述清洗干燥裝置包括清洗機(jī)4、烘干機(jī)5，相對(duì)設(shè)置在傳送履帶的兩側(cè)；所述清洗機(jī)4為噴水式清洗機(jī)，烘干機(jī)5為吹風(fēng)式烘干機(jī)；

所述紅外探測(cè)裝置包括機(jī)械臂6,7、紅外光源8、紅外攝像頭9以及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備，其中紅外光源8、紅外攝像頭9相對(duì)設(shè)置在傳送履帶的兩側(cè)，紅外攝像頭9通過數(shù)據(jù)線連接到所述計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備上；兩個(gè)機(jī)械臂6,7用于夾持住硅塊1的兩端，通過伺服電機(jī)控制兩個(gè)機(jī)械臂6,7轉(zhuǎn)動(dòng)。

本發(fā)明的具體實(shí)施方式如下：

硅塊1經(jīng)過粗磨及精磨后通過清洗機(jī)4沖洗并由烘干機(jī)5烘干，達(dá)到清除硅塊1表面雜質(zhì)的目的；然后伺服控制兩個(gè)機(jī)械臂6,7轉(zhuǎn)動(dòng)使硅塊1轉(zhuǎn)動(dòng)0度、90度、180度及270度以觀察硅塊1四個(gè)面的雜質(zhì)情況；紅外攝像頭拍攝的具體圖像傳輸?shù)接?jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備上，經(jīng)專業(yè)軟件處理后呈現(xiàn)在計(jì)算機(jī)操作界面10上，檢測(cè)模塊耗時(shí)約30秒，并會(huì)把整個(gè)數(shù)據(jù)保存于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備中。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出：對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。