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      芯片的無線測(cè)試電路及無線測(cè)試方法與流程

      文檔序號(hào):12592331閱讀:455來源:國(guó)知局
      芯片的無線測(cè)試電路及無線測(cè)試方法與流程

      本發(fā)明涉及一種芯片測(cè)試技術(shù),特別涉及一種不利用物理電氣接口而實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試電路及測(cè)試方法。



      背景技術(shù):

      隨著SOC芯片技術(shù)的迅速發(fā)展,物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)越來越重要。但是目前制約物聯(lián)網(wǎng)芯片設(shè)備的一個(gè)重要問題是所有的設(shè)備和基礎(chǔ)芯片都還依賴于傳統(tǒng)的物理電氣,比如電源插座,調(diào)試插座等,用于連接進(jìn)行信息交換和電源充電等應(yīng)用,因此設(shè)備無法工作于游泳或者洗澡等液體環(huán)境或者其他惡劣環(huán)境中。隨著技術(shù)的發(fā)展,已經(jīng)有一些不需要物理連接的芯片出現(xiàn),但是這些芯片的驗(yàn)證和測(cè)試又成為了一個(gè)困難的問題。

      因此本發(fā)明提出了一種測(cè)試電路及測(cè)試方法,可以在不需要物理連接的情況下進(jìn)行芯片驗(yàn)證和測(cè)試,極大的支持完善了無物理電氣接口的芯片的生產(chǎn)開發(fā)流程,同時(shí)該測(cè)試電路或測(cè)試方法如果使用在傳統(tǒng)的芯片上,也可以簡(jiǎn)化測(cè)試設(shè)備設(shè)計(jì)的復(fù)雜度,還可解決物理連接設(shè)備的易損性問題。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明要解決的技術(shù)問題,在于提供一種芯片的無線測(cè)試電路及無線測(cè)試方法,可以在不需要物理連接的情況下進(jìn)行芯片驗(yàn)證和測(cè)試。

      本發(fā)明的無線測(cè)試電路是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種芯片的無線測(cè)試電路,包括測(cè)試機(jī)臺(tái)電路和芯片內(nèi)電路;

      所述測(cè)試機(jī)臺(tái)電路包括機(jī)臺(tái)控制電路單元、機(jī)臺(tái)測(cè)試啟動(dòng)單元、機(jī)臺(tái)采樣電路單元、機(jī)臺(tái)端NFC控制電路單元以及機(jī)臺(tái)端NFC線圈;所述機(jī)臺(tái)控制電路單元分別通過所述機(jī)臺(tái)測(cè)試啟動(dòng)單元、機(jī)臺(tái)采樣電路單元連接所述機(jī)臺(tái)端NFC控制電路單元,所述機(jī)臺(tái)端NFC控制電路單元再連接至機(jī)臺(tái)端NFC線圈,且所述機(jī)臺(tái)控制電路單元還連接機(jī)臺(tái)端NFC控制電路單元;

      所述芯片內(nèi)電路包括芯片端NFC線圈、芯片端NFC控制電路單元、測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生電路單元、logic_scan_chain單元、存儲(chǔ)單元Memory、scan測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元以及MBIST測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元;所述芯片端NFC線圈、芯片端NFC控制電路單元、測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生電路單元依次連接;該測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生電路單元通過logic_scan_chain單元連接scan測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元,并通過存儲(chǔ)單元Memory連接MBIST測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元;所述scan測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元和MBIST測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元再連接至芯片端NFC控制電路單元。

      進(jìn)一步的,所述芯片端NFC控制電路單元、測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生電路單元、logic_scan_chain單元、存儲(chǔ)單元Memory、scan測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元以及MBIST測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元均設(shè)置在芯片硅片上;所述芯片端NFC線圈設(shè)置為單獨(dú)的一塊NFC線圈膜或板。

      進(jìn)一步的,所述芯片還包括電池板、無線充電線圈膜或板以及基板;所述NFC線圈膜或板、芯片硅片、電池板、無線充電線圈膜或板以及基板進(jìn)行一體式封裝形成封裝體,且封裝體表面不留任何物理電氣接口。

      進(jìn)一步的,所述一體式封裝的封裝方式為下述的任何一種:

      (1)、所述NFC線圈膜或板、芯片硅片、電池板、無線充電線圈膜或板自上而下依次堆疊在基板上并通過絕緣膠粘接固定,且所述NFC線圈膜或板和芯片硅片之間,所述芯片硅片和電池板之間,所述電池板和無線充電線圈膜或板之間,無線充電線圈膜或板和基板之間,以及芯片硅片和基板之間分別通過焊接線焊接后形成電氣連接;

      (2)、所述NFC線圈膜或板、芯片硅片、電池板和無線充電線圈膜或板平鋪分布在基板的正表面并通過絕緣膠粘接固定,且分別與基板通過焊接線焊接后形成電氣連接;

      (3)、所述NFC線圈膜或板、芯片硅片、電池板自上而下依次堆疊并通過絕緣膠粘接固定在基板的正面,所述無線充電線圈膜或板則粘接固定在基板的背面;所述NFC線圈膜或板和芯片硅片之間,所述芯片硅片和電池板之間,所述電池板和基板之間,所述無線充電線圈膜或板和基板之間,以及芯片硅片和基板之間分別通過焊接線焊接后形成電氣連接;且基板上設(shè)有金屬過孔以連通基板的正面和背面的信號(hào)。

      本發(fā)明的無線測(cè)試方法是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種芯片的無線測(cè)試方法,提供上述無線測(cè)試電路,把待測(cè)芯片放置到測(cè)試位置后,所述測(cè)試機(jī)臺(tái)電路和所述芯片內(nèi)電路進(jìn)行NFC連接,在NFC連接成功后,所述測(cè)試機(jī)臺(tái)電路發(fā)送測(cè)試啟動(dòng)命令給所述芯片內(nèi)電路;所述芯片內(nèi)電路產(chǎn)生測(cè)試激勵(lì)對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試,包括對(duì)芯片的邏輯電路進(jìn)行掃描和memory bist測(cè)試;測(cè)試結(jié)果再通過NFC無線發(fā)送至所述測(cè)試機(jī)臺(tái)電路。

      進(jìn)一步的,本發(fā)明方法的具體過程如下:

      S1、把待測(cè)芯片放置到驗(yàn)證測(cè)試位置后,當(dāng)所述測(cè)試機(jī)臺(tái)電路的所述機(jī)臺(tái)端NFC線圈檢測(cè)到NFC連接成功時(shí),所述機(jī)臺(tái)端NFC控制電路單元會(huì)通知所述機(jī)臺(tái)控制電路單元;

      S2、所述機(jī)臺(tái)控制電路單元接到通知后,發(fā)送測(cè)試啟動(dòng)信號(hào)到所述機(jī)臺(tái)測(cè)試啟動(dòng)單元;由所述機(jī)臺(tái)測(cè)試啟動(dòng)單元發(fā)送測(cè)試啟動(dòng)命令序列到機(jī)臺(tái)端NFC控制電路單元;

      S4、機(jī)臺(tái)端NFC控制電路單元將測(cè)試啟動(dòng)命令調(diào)制后通過機(jī)臺(tái)端NFC線圈無線發(fā)送給芯片端NFC線圈單元,由芯片端NFC線圈送往芯片端NFC控制電路單元;

      S5、所述芯片端NFC控制電路單元測(cè)試啟動(dòng)命令解調(diào)為數(shù)字信號(hào)并送往所述測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生電路單元;

      S6、所述測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生電路單元在接收到測(cè)試啟動(dòng)信號(hào)后產(chǎn)生測(cè)試激勵(lì)對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試,先產(chǎn)生logic_scan_chain的測(cè)試激勵(lì)對(duì)芯片的邏輯電路進(jìn)行掃描,然后在掃描測(cè)試完成后再進(jìn)行memory bist測(cè)試;

      S7、logic_scan_chain單元接收到測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生電路單元送來的測(cè)試激勵(lì)后會(huì)把測(cè)試響應(yīng)送往scan測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元;存儲(chǔ)單元Memory接收到memory bist的測(cè)試激勵(lì)后,會(huì)把測(cè)試響應(yīng)送往MBIST測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元;

      S8、scan測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元對(duì)scan_chain的測(cè)試響應(yīng)進(jìn)行判斷,如果所有響應(yīng)符合預(yù)期,則判斷該芯片為邏輯電路無缺陷芯片否則為邏輯電路有缺陷芯片,并把測(cè)試結(jié)果送往芯片端NFC控制電路單元;

      MBIST測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元對(duì)memory的bist的測(cè)試響應(yīng)進(jìn)行判斷,如果所有響應(yīng)符合預(yù)期,則判斷該芯片為memory電路無缺陷芯片否則為memory有缺陷芯片,并把測(cè)試結(jié)果送往芯片端NFC控制電路單元;

      S9、芯片端NFC控制電路單元將測(cè)試結(jié)果調(diào)制后通過芯片端NFC線圈無線發(fā)送給機(jī)臺(tái)端NFC線圈單元,到達(dá)所述機(jī)臺(tái)端NFC控制電路;

      S10、所述機(jī)臺(tái)端NFC控制電路測(cè)試結(jié)果解調(diào)為數(shù)字信號(hào)并送往機(jī)臺(tái)采樣電路單元,由機(jī)臺(tái)采樣電路單元對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行采樣之后送往機(jī)臺(tái)控制電路單元進(jìn)行記錄和芯片分類。

      本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明可以在不需要物理連接的情況下對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試,以對(duì)芯片進(jìn)行驗(yàn)證和分類,完善了無物理連接芯片的生產(chǎn)開發(fā)流程;也可以在傳統(tǒng)有物理電氣接口的芯片調(diào)試設(shè)計(jì)上簡(jiǎn)化測(cè)試設(shè)備,以解決物理連接設(shè)備的易損性問題。

      附圖說明

      下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。

      圖1為本發(fā)明芯片的無線測(cè)試電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖2為本發(fā)明中無物理電氣接口芯片的一種封裝結(jié)構(gòu)。

      圖2a為圖2的前視結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖3為本發(fā)明中無物理電氣接口芯片的另一種封裝結(jié)構(gòu).

      圖3a為圖3的前視結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖4為本發(fā)明中無物理電氣接口芯片的又一種封裝結(jié)構(gòu)。

      具體實(shí)施方式

      請(qǐng)參閱圖1所示,本發(fā)明的芯片的無線測(cè)試電路,包括測(cè)試機(jī)臺(tái)電路100和芯片內(nèi)電路200;

      所述測(cè)試機(jī)臺(tái)電路100包括機(jī)臺(tái)控制電路單元101、機(jī)臺(tái)測(cè)試啟動(dòng)單元102、機(jī)臺(tái)采樣電路單元103、機(jī)臺(tái)端NFC控制電路單元104以及機(jī)臺(tái)端NFC線圈105;所述機(jī)臺(tái)控制電路單元101分別通過所述機(jī)臺(tái)測(cè)試啟動(dòng)單元102、機(jī)臺(tái)采樣電路單元103連接所述機(jī)臺(tái)端NFC控制電路單元104,所述機(jī)臺(tái)端NFC控制電路單元104再連接至機(jī)臺(tái)端NFC線圈105,且所述機(jī)臺(tái)控制電路單元101還連接機(jī)臺(tái)端NFC控制電路單元104;

      所述芯片內(nèi)電路200包括芯片端NFC線圈201、芯片端NFC控制電路單元202、測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生電路單元203、logic_scan_chain單元204、存儲(chǔ)單元Memory205、scan測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元206以及MBIST測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元207;所述芯片端NFC線圈201、芯片端NFC控制電路單元202、測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生電路單元203依次連接;該測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生電路單元203通過logic_scan_chain單元204連接scan測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元206,并通過存儲(chǔ)單元Memory205連接MBIST測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元207;所述scan測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元206和MBIST測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元207再連接至芯片端NFC控制電路單元202。

      所述芯片端NFC控制電路單元202、測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生電路單元203、logic_scan_chain單元204、存儲(chǔ)單元Memory205、scan測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元206以及MBIST測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元207均設(shè)置在芯片硅片1上;所述芯片端NFC線圈201設(shè)置為單獨(dú)的一塊NFC線圈膜或板2。

      所述芯片還包括電池板3、無線充電線圈膜或板4以及基板5;所述NFC線圈膜或板2、芯片硅片1、電池板3、無線充電線圈膜或板4以及基板5進(jìn)行一體式封裝形成封裝體300,且封裝體300表面不留任何物理電氣接口。

      所述一體式封裝的封裝方式為下述的任何一種:

      (1)、如圖2和圖2a所示,所述NFC線圈膜或板2、芯片硅片1、電池板3、無線充電線圈膜或板4自上而下依次堆疊在基板5上并通過絕緣膠粘接固定,且所述NFC線圈膜或板2和芯片硅片1之間,所述芯片硅片1和電池板3之間,所述電池板3和無線充電線圈膜或板4之間,無線充電線圈膜或板4和基板5之間,以及芯片硅片1和基板5之間分別通過焊接線焊接后形成電氣連接;

      (2)、如圖3和圖3a所示,所述NFC線圈膜或板2、芯片硅片1、電池板3和無線充電線圈膜或板4平鋪分布在基板5的正表面并通過絕緣膠粘接固定,且分別與基板5通過焊接線焊接后形成電氣連接;

      (3)、如圖4所示,所述NFC線圈膜或板2、芯片硅片1、電池板3自上而下依次堆疊并通過絕緣膠粘接固定在基板5的正面,所述無線充電線圈膜或板4則粘接固定在基板5的背面;所述NFC線圈膜或板2和芯片硅片1之間,所述芯片硅片1和電池板3之間,所述電池板3和基板5之間,所述無線充電線圈膜或板4和基板5之間,以及芯片硅片1和基板5之間分別通過焊接線焊接后形成電氣連接;且基板上設(shè)有金屬過孔52以連通基板的正面和背面的信號(hào)。

      基于本發(fā)明上述測(cè)試電路,本發(fā)明還提供芯片的無線測(cè)試方法,其是把待測(cè)芯片放置到測(cè)試位置后,所述測(cè)試機(jī)臺(tái)電路100和所述芯片內(nèi)電路200進(jìn)行NFC連接,在NFC連接成功后,所述測(cè)試機(jī)臺(tái)電路100發(fā)送測(cè)試啟動(dòng)命令給所述芯片內(nèi)電路200;所述芯片內(nèi)電路200產(chǎn)生測(cè)試激勵(lì)對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試,包括對(duì)芯片的邏輯電路進(jìn)行掃描和memory bist測(cè)試;測(cè)試結(jié)果再通過NFC無線發(fā)送至所述測(cè)試機(jī)臺(tái)電路100。

      本發(fā)明方法的具體過程如下:

      S1、把待測(cè)芯片放置到驗(yàn)證測(cè)試位置后,當(dāng)所述測(cè)試機(jī)臺(tái)電路100的所述機(jī)臺(tái)端NFC線圈105檢測(cè)到NFC連接成功時(shí),所述機(jī)臺(tái)端NFC控制電路單元104會(huì)通知所述機(jī)臺(tái)控制電路單元101;

      S2、所述機(jī)臺(tái)控制電路單元101接到通知后,發(fā)送測(cè)試啟動(dòng)信號(hào)到所述機(jī)臺(tái)測(cè)試啟動(dòng)單元102;由所述機(jī)臺(tái)測(cè)試啟動(dòng)單元102發(fā)送測(cè)試啟動(dòng)命令序列到機(jī)臺(tái)端NFC控制電路單元104;

      S4、機(jī)臺(tái)端NFC控制電路單元104將測(cè)試啟動(dòng)命令調(diào)制后通過機(jī)臺(tái)端NFC線圈105無線發(fā)送給芯片端NFC線圈單元201,由芯片端NFC線圈201送往芯片端NFC控制電路單元202;

      S5、所述芯片端NFC控制電路單元202測(cè)試啟動(dòng)命令解調(diào)為數(shù)字信號(hào)并送往所述測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生電路單元203;

      S6、所述測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生電路單元203在接收到測(cè)試啟動(dòng)信號(hào)后產(chǎn)生測(cè)試激勵(lì)對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試,先產(chǎn)生logic_scan_chain的測(cè)試激勵(lì)對(duì)芯片的邏輯電路進(jìn)行掃描,然后在掃描測(cè)試完成后再進(jìn)行memory bist測(cè)試;

      S7、logic_scan_chain單元204接收到測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生電路單元203送來的測(cè)試激勵(lì)后會(huì)把測(cè)試響應(yīng)送往scan測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元206;存儲(chǔ)單元Memory205接收到memory bist的測(cè)試激勵(lì)后,會(huì)把測(cè)試響應(yīng)送往MBIST測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元207;

      S8、scan測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元206對(duì)scan_chain的測(cè)試響應(yīng)進(jìn)行判斷,如果所有響應(yīng)符合預(yù)期,則判斷該芯片為邏輯電路無缺陷芯片否則為邏輯電路有缺陷芯片,并把測(cè)試結(jié)果送往芯片端NFC控制電路單元202;

      MBIST測(cè)試響應(yīng)判斷電路單元207對(duì)memory的bist的測(cè)試響應(yīng)進(jìn)行判斷,如果所有響應(yīng)符合預(yù)期,則判斷該芯片為memory電路無缺陷芯片否則為memory有缺陷芯片,并把測(cè)試結(jié)果送往芯片端NFC控制電路單元202;

      S9、芯片端NFC控制電路單元202將測(cè)試結(jié)果調(diào)制后通過芯片端NFC線圈無線201發(fā)送給機(jī)臺(tái)端NFC線圈單元105,到達(dá)所述機(jī)臺(tái)端NFC控制電路104;

      S10、所述機(jī)臺(tái)端NFC控制電路104測(cè)試結(jié)果解調(diào)為數(shù)字信號(hào)并送往機(jī)臺(tái)采樣電路單元103,由機(jī)臺(tái)采樣電路單元103對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行采樣之后送往機(jī)臺(tái)控制電路單元101進(jìn)行記錄和芯片分類。

      雖然以上描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方式,但是熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,我們所描述的具體的實(shí)施例只是說明性的,而不是用于對(duì)本發(fā)明的范圍的限定,熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在依照本發(fā)明的精神所作的等效的修飾以及變化,都應(yīng)當(dāng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求所保護(hù)的范圍內(nèi)。

      當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 
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