本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種過(guò)壓檢測(cè)電路。

背景技術(shù)：

大多數(shù)的反激式開(kāi)關(guān)電源電路中會(huì)增加開(kāi)環(huán)檢測(cè)的功能，其原理是開(kāi)環(huán)時(shí)次級(jí)電壓升高，輔助繞組的電壓也會(huì)隨之升高，那么，可以通過(guò)檢測(cè)輔助繞組的電壓來(lái)檢測(cè)次級(jí)電壓，從而檢測(cè)開(kāi)環(huán)狀態(tài)。如圖1所示為常見(jiàn)的開(kāi)環(huán)檢測(cè)電路，輔助繞組電壓輸入到電源管理芯片的VCC端，當(dāng)VCC端的電壓超過(guò)一定數(shù)值時(shí)，Latch腳的電壓降低關(guān)斷電源。此種方法中，可能存在由于負(fù)載增加而導(dǎo)致次級(jí)電壓升高而關(guān)斷電源的誤操作，這就使得反激式開(kāi)關(guān)電源在開(kāi)環(huán)檢測(cè)時(shí)需要設(shè)置較高的檢測(cè)電壓，但設(shè)置較高的檢測(cè)電壓有可能會(huì)損壞電路中的器件，從而導(dǎo)致可靠性不足。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，為解決傳統(tǒng)技術(shù)中反激式開(kāi)關(guān)電源在開(kāi)環(huán)時(shí)輸出電壓升高可能造成器件損壞的技術(shù)問(wèn)題，特提出了一種過(guò)壓檢測(cè)電路。

一種過(guò)壓檢測(cè)電路，其特征在于，所述過(guò)壓檢測(cè)電路包括一端與電壓輸出端連接的第一電阻以及與所述第一電阻串聯(lián)的第二電阻，且所述第二電阻的另一端接地；

所述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括一端與所述電壓輸出端連接的第三電阻以及陰極與所述第三電阻的另一端連接的可控精密穩(wěn)壓源，且所述可控精密穩(wěn)壓源的陽(yáng)極接地，所述可控精密穩(wěn)壓源的參考極與所述第一電阻和所述第二電阻的連接端連接；

所述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括輸入端與所述第三電阻并聯(lián)的光耦，所述光耦的陰極與所述可控精密穩(wěn)壓源的陰極連接，所述光耦的發(fā)射極接地，所述光耦的集電極與電源管理芯片的Latch端口連接。

可選的，所述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括與所述第三電阻串聯(lián)的第四電阻，所述第四電阻的另一端與所述電壓輸出端連接。

可選的，所述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括一端與所述光耦的集電極連接的第五電阻，所述第五電阻的另一端與所述電源管理芯片的Latch端口連接。

可選的，所述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括陰極與所述光耦的集電極連接的穩(wěn)壓二極管，所述穩(wěn)壓二極管的陽(yáng)極接地。

可選的，所述可控精密穩(wěn)壓源為TL432芯片。

本發(fā)明的另一方面還提出了一種過(guò)壓檢測(cè)電路，其特征在于，所述過(guò)壓檢測(cè)電路包括一端與電壓輸出端連接的第一電阻以及與所述第一電阻串聯(lián)的第二電阻，且所述第二電阻的另一端接地；

所述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括第三電阻以及可控精密穩(wěn)壓源，所述第三電阻一端與所述電壓輸出端連接，所述第三電阻的另一端與所述可控精密穩(wěn)壓源的陰極連接，且所述可控精密穩(wěn)壓源的陽(yáng)極接地，所述可控精密穩(wěn)壓源的參考極與所述第一電阻和所述第二電阻的連接端連接；

所述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括輸入端線圈與所述第三電阻并聯(lián)的繼電器，所述繼電器的負(fù)極與所述可控精密穩(wěn)壓源的陰極連接，所述繼電器常開(kāi)觸點(diǎn)的一端接地，所述繼電器常開(kāi)觸點(diǎn)的另一端與電源管理芯片的Latch端口連接。

可選的，所述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括與所述第三電阻串聯(lián)的第四電阻，所述第四電阻的另一端與所述電壓輸出端連接。

可選的，所述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括一端與所述繼電器常開(kāi)觸點(diǎn)的一端連接的第五電阻，所述第五電阻的另一端與所述電源管理芯片的Latch端口連接。

可選的，所述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括陰極與所述繼電器常開(kāi)觸點(diǎn)的一端連接的穩(wěn)壓二極管，所述穩(wěn)壓二極管的陽(yáng)極接地。

可選的，所述可控精密穩(wěn)壓源為TL432芯片。

本發(fā)明的另一方面還提出了一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括反激式開(kāi)關(guān)電源電路及負(fù)載，以及與所述反激式開(kāi)關(guān)電源負(fù)載并聯(lián)的過(guò)壓檢測(cè)電路，所述過(guò)壓檢測(cè)電路的一端與所述反激式開(kāi)關(guān)電源的電壓輸出端連接，所述過(guò)壓檢測(cè)電路的另一端與所述反激式開(kāi)關(guān)電源中的電源管理芯片的Latch端口連接。

本發(fā)明的另一方面還提出了一種過(guò)壓檢測(cè)電路的方法，包括：

將待檢測(cè)的電壓輸出端和電源管理芯片的Latch端口接入所述過(guò)壓檢測(cè)電路；

在所述電壓輸出端的電壓高于與所述過(guò)壓檢測(cè)電路的可控精密穩(wěn)壓源的導(dǎo)通電壓對(duì)應(yīng)的門限值時(shí)，所述過(guò)壓檢測(cè)電路的可控精密穩(wěn)壓源的陽(yáng)極和陰極導(dǎo)通；

第三電阻上有電流通過(guò)，與所述第三電阻并聯(lián)的光耦/繼電器導(dǎo)通；

通過(guò)第五電阻向所述電源管理芯片的Latch端口傳遞電信號(hào)；

所述電源管理芯片根據(jù)所述Latch端口接收到的電信號(hào)判定所述電壓輸出端過(guò)壓。

實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，將具有如下有益效果：

在上述反激開(kāi)關(guān)電源電路上增加該過(guò)壓檢測(cè)電路后，當(dāng)電壓輸出端的電壓升高時(shí)，第二電阻R2兩端的電壓升高，從而使得可控精密穩(wěn)壓源U6參考極電壓升高，當(dāng)達(dá)到較低的檢測(cè)電壓時(shí)，可控精密穩(wěn)壓源U6的陽(yáng)極和陰極導(dǎo)通，從而使得光耦的A、K極導(dǎo)通，進(jìn)而向電源管理芯片的Latch腳發(fā)送電壓信號(hào)，最終將反激式開(kāi)關(guān)電源關(guān)斷。由此可看出，上述過(guò)壓檢測(cè)電路可設(shè)置較低的開(kāi)環(huán)檢測(cè)電壓，避免損壞電路中的器件，從而提高電路的可靠性。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種開(kāi)環(huán)檢測(cè)電路的示意圖；

圖2為本發(fā)明提出的一種過(guò)壓檢測(cè)電路第一實(shí)施例的示意圖；

圖3為本發(fā)明提出的一種過(guò)壓檢測(cè)電路第二實(shí)施例的示意圖；

圖4為本發(fā)明提出的一種過(guò)壓檢測(cè)電路第三實(shí)施例的裝置圖；

圖5為本發(fā)明提出的一種過(guò)壓檢測(cè)電路方法的步驟圖；

圖6為本發(fā)明提出的一種過(guò)壓檢測(cè)電路第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖；

圖7為本發(fā)明提出的一種過(guò)壓檢測(cè)電路第四實(shí)施例的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

反激式開(kāi)關(guān)電源在開(kāi)環(huán)時(shí)次級(jí)電壓升高，輔助繞組的電壓也會(huì)隨之升高，那么，可以通過(guò)檢測(cè)輔助繞組的電壓來(lái)檢測(cè)次級(jí)電壓，從而檢測(cè)開(kāi)環(huán)狀態(tài)。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種開(kāi)環(huán)檢測(cè)電路的示意圖，包括VCC端口與輔助繞組輸入電壓連接的電源管理芯片U1、陰極與電源管理芯片U1的VCC端口連接的穩(wěn)壓二極管ZD2，以及，一端與電源管理芯片U1的Latch端口及穩(wěn)壓二極管ZD2的陽(yáng)極連接的電容C10，電容C10的另一端接地。當(dāng)VCC端的電壓超過(guò)一定數(shù)值時(shí)，Latch腳的電壓降低關(guān)斷電源，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)環(huán)檢測(cè)的目的。而在實(shí)際過(guò)程中，可能存在由于負(fù)載增加而導(dǎo)致次級(jí)電壓升高而關(guān)斷電源的誤操作，這就使得反激式開(kāi)關(guān)電源在開(kāi)環(huán)檢測(cè)時(shí)需要設(shè)置較高的檢測(cè)電壓，但設(shè)置較高的檢測(cè)電壓有可能會(huì)損壞電路中的器件。為解決傳統(tǒng)技術(shù)中反激式開(kāi)關(guān)電源在開(kāi)環(huán)時(shí)輸出電壓升高可能造成器件損壞的技術(shù)問(wèn)題，在本實(shí)施例中特提出了一種過(guò)壓檢測(cè)電路，以下將結(jié)合附圖進(jìn)行描述。

參見(jiàn)圖2，為本發(fā)明提出的一種過(guò)壓檢測(cè)電路第一實(shí)施例的示意圖，包括一端與電壓輸出端連接的第一電阻R1以及與所述第一電阻R1串聯(lián)的第二電阻R2，且所述第二電阻R2的另一端接地；還包括一端與所述電壓輸出端連接的第三電阻R3以及陰極與所述第三電阻R3的另一端連接的可控精密穩(wěn)壓源U6，且所述可控精密穩(wěn)壓源U6的陽(yáng)極接地，所述可控精密穩(wěn)壓源U6的參考極與所述第一電阻R1和所述第二電阻R2的連接端連接；還包括輸入端與所述第三電阻R3并聯(lián)的光耦U5，所述光耦U5的陰極與所述可控精密穩(wěn)壓源U6的陰極連接，所述光耦U5的發(fā)射極接地，所述光耦U5的集電極與電源管理芯片U2的Latch端口連接。

在本實(shí)施例中，上述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括與所述第三電阻R3串聯(lián)的第四電阻R4，所述第四電阻R4的另一端與所述電壓輸出端連接。

在本實(shí)施例中，上述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括一端與所述光耦U5的集電極連接的第五電阻R5，所述第五電阻R5的另一端與所述電源管理芯片U2的Latch端口連接。

在本實(shí)施例中，上述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括陰極與所述光耦U6的集電極連接的穩(wěn)壓二極管ZD3，所述穩(wěn)壓二極管ZD3的陽(yáng)極接地。

在本實(shí)施例中，上述可控精密穩(wěn)壓源U6為TL432芯片。

需要說(shuō)明的是，上述可控精密穩(wěn)壓源U6采用TL432芯片，僅為本技術(shù)方案優(yōu)選的實(shí)施方式，本技術(shù)方案還可以選擇其他型號(hào)和參數(shù)的元器件。

在本實(shí)施例中，當(dāng)電壓輸出端的電壓升高時(shí)，第一電阻R1和第二電阻R2兩端的電壓升高，與第二電阻R2一端連接的可控精密穩(wěn)壓源U6的參考極電壓隨之升高，超過(guò)一定值之后可控精密穩(wěn)壓源U6的陽(yáng)極和陰極導(dǎo)通，第三電阻R3和第四電阻R4中有電流通過(guò)，第三電阻R3兩端產(chǎn)生電壓，此時(shí)與第三電阻R3并聯(lián)的光耦U5中的發(fā)光二極管導(dǎo)通，經(jīng)過(guò)電-光-電的轉(zhuǎn)換，光耦U5中三極管的集電極與發(fā)射極之間導(dǎo)通，電源管理芯片U2的Latch端口的電壓下降，控制電源停止工作，實(shí)現(xiàn)開(kāi)環(huán)保護(hù)的功能。同時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)第一電阻R1和第二電阻R2的值，可以設(shè)置較低的開(kāi)環(huán)檢測(cè)電壓，而不會(huì)損壞電路中的器件，從而提高電路的可靠性。

參見(jiàn)圖3，為本發(fā)明提出的一種過(guò)壓檢測(cè)電路第二實(shí)施例的示意圖，包括一端與電壓輸出端連接的第一電阻R1以及與所述第一電阻R1串聯(lián)的第二電阻R2，且所述第二電阻R2的另一端接地；還包括一端與所述電壓輸出端連接的第三電阻R3以及陰極與所述第三電阻R3的另一端連接的可控精密穩(wěn)壓源U6，且所述可控精密穩(wěn)壓源U6的陽(yáng)極接地，所述可控精密穩(wěn)壓源U6的參考極與所述第一電阻R1和所述第二電阻R2的連接端連接；還包括輸入端線圈與所述第三電阻R3并聯(lián)的繼電器KV，所述繼電器KV的負(fù)極與所述可控精密穩(wěn)壓源U6的陰極連接，所述繼電器KV常開(kāi)觸點(diǎn)的一端接地，所述繼電器KV常開(kāi)觸點(diǎn)的另一端與電源管理芯片U2的Latch端口連接。

在本實(shí)施例中，上述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括與所述第三電阻R3串聯(lián)的第四電阻R4，所述第四電阻R4的另一端與所述電壓輸出端連接。

在本實(shí)施例中，上述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括一端與所述繼電器KV常開(kāi)觸點(diǎn)的一端連接的第五電阻R5，所述第五電阻R5的另一端與所述電源管理芯片U2的Latch端口連接。

在本實(shí)施例中，上述過(guò)壓檢測(cè)電路還包括陰極與所述繼電器KV常開(kāi)觸點(diǎn)的一端連接的穩(wěn)壓二極管ZD3，所述穩(wěn)壓二極管ZD3的陽(yáng)極接地。

在本實(shí)施例中，上述可控精密穩(wěn)壓源U6為TL432芯片。

需要說(shuō)明的是，上述可控精密穩(wěn)壓源U6采用TL432芯片，僅為本技術(shù)方案優(yōu)選的實(shí)施方式，本技術(shù)方案還可以選擇其他型號(hào)和參數(shù)的元器件。

在本實(shí)施例中，當(dāng)電壓輸出端的電壓升高時(shí)，第一電阻R1和第二電阻R2兩端的電壓升高，與第二電阻R2一端連接的可控精密穩(wěn)壓源U6的參考極電壓隨之升高，超過(guò)一定值之后可控精密穩(wěn)壓源U6的陽(yáng)極和陰極導(dǎo)通，第三電阻R3和第四電阻R4中有電流通過(guò)，第三電阻R3兩端產(chǎn)生電壓，此時(shí)與第三電阻R3并聯(lián)的繼電器KV的線圈中流過(guò)一定的電流，從而產(chǎn)生電磁感應(yīng)，繼電器中的銜鐵在磁力作用下帶動(dòng)常開(kāi)觸點(diǎn)閉合，電源管理芯片U2的Latch端口的電壓下降，控制電源停止工作，實(shí)現(xiàn)開(kāi)環(huán)保護(hù)的功能。同時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)第一電阻R1和第二電阻R2的值，可以設(shè)置較低的開(kāi)環(huán)檢測(cè)電壓，而不會(huì)損壞電路中的器件，從而提高電路的可靠性。

參見(jiàn)圖4，為本發(fā)明提出的一種過(guò)壓檢測(cè)電路第三實(shí)施例的裝置圖，包括反激式開(kāi)關(guān)電源電路及負(fù)載，以及與所述反激式開(kāi)關(guān)電源負(fù)載并聯(lián)的過(guò)壓檢測(cè)電路，所述過(guò)壓檢測(cè)電路的一端與所述反激式開(kāi)關(guān)電源的電壓輸出端連接，所述過(guò)壓檢測(cè)電路的另一端與所述反激式開(kāi)關(guān)電源中的電源管理芯片的Latch端口連接。

采用上述過(guò)壓檢測(cè)電路可設(shè)置較低的開(kāi)環(huán)檢測(cè)電壓，而不會(huì)損壞電路中的器件，從而提高電路的可靠性。

參見(jiàn)圖5，為本發(fā)明提出的一種過(guò)壓檢測(cè)電路方法的步驟圖，包括：

步驟S102：將待檢測(cè)的電壓輸出端和電源管理芯片U2的Latch端口接入所述過(guò)壓檢測(cè)電路。

步驟S104：在所述電壓輸出端的電壓高于與所述過(guò)壓檢測(cè)電路的可控精密穩(wěn)壓源U6的導(dǎo)通電壓對(duì)應(yīng)的門限值時(shí)，所述過(guò)壓檢測(cè)電路的可控精密穩(wěn)壓源U6的陽(yáng)極和陰極導(dǎo)通。

電壓輸出端的電壓經(jīng)過(guò)第一電阻R1和第二電阻R2分壓之后，第二電阻R2兩端的電壓即為可控精密穩(wěn)壓源U6的參考極電壓，可以通過(guò)調(diào)節(jié)第一電阻R1和第二電阻R2的值，來(lái)精確控制電壓輸出端的最大電壓值。

步驟S106：第三電阻R3上有電流通過(guò)，與所述第三電阻R3并聯(lián)的光耦U5/繼電器KV導(dǎo)通，通過(guò)第五電阻R5向所述電源管理芯片U2的Latch端口傳遞電信號(hào)。

在可控精密穩(wěn)壓源U6的陽(yáng)極和陰極導(dǎo)通后，第三電阻R3和第四電阻R4支路有電流通過(guò)，與第三電阻R3兩端并聯(lián)的光耦U5/繼電器KV兩端產(chǎn)生電壓，當(dāng)電壓值超過(guò)光耦U5中的二極管的導(dǎo)通電壓或繼電器KV中的控制電壓值時(shí)，光耦U5/繼電器KV導(dǎo)通，第五電阻R5上有電流通過(guò)，與第五電阻R5相連的電源管理芯片U2的Latch端口的電壓被拉低。

步驟S108：所述電源管理芯片U2根據(jù)所述Latch端口接收到的電信號(hào)判定所述電壓輸出端過(guò)壓。

電源管理芯片U2接收到Latch端口的電信號(hào)之后，即可判定電壓輸出端過(guò)壓，向反激式開(kāi)關(guān)電源電路發(fā)送控制信號(hào)將電路關(guān)閉，從而實(shí)現(xiàn)保護(hù)電路器件的功能。

參見(jiàn)圖6，為本發(fā)明提出的一種過(guò)壓檢測(cè)電路第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖，包括交流輸入端102、硅橋104、高壓電容106、變壓器108、電源管理芯片110、開(kāi)關(guān)MOS管112、整流二極管114、濾波電路116、反饋電路118和檢測(cè)電路120。交流電通過(guò)硅橋104后轉(zhuǎn)化為直流電，高壓電容106進(jìn)行濾波，電源管理芯片110通過(guò)控制MOS管112的導(dǎo)通與關(guān)斷，變壓器108從而將初級(jí)能量傳遞給次級(jí)。本發(fā)明相比于其他的反激式開(kāi)關(guān)電源，增加了檢測(cè)電路120，可以精確控制開(kāi)環(huán)時(shí)反激式開(kāi)關(guān)電源輸出電壓的最大值，有效地保護(hù)電路中的器件，提高電路的可靠性。

參見(jiàn)圖7，為本發(fā)明提出的一種過(guò)壓檢測(cè)電路第四實(shí)施例的示意圖，在反激開(kāi)關(guān)電源電路上增加過(guò)壓檢測(cè)電路后，當(dāng)電壓輸出端的電壓升高時(shí)，電阻R49兩端的電壓升高，從而使得可控精密穩(wěn)壓源U6參考極電壓升高，當(dāng)達(dá)到較低的檢測(cè)電壓時(shí)，可控精密穩(wěn)壓源U6的陽(yáng)極和陰極導(dǎo)通，從而使得光耦的A、K極導(dǎo)通，進(jìn)而向電源管理芯片的Latch腳發(fā)送電壓信號(hào)，最終將反激式開(kāi)關(guān)電源關(guān)斷。由此可看出，上述過(guò)壓檢測(cè)電路可設(shè)置較低的開(kāi)環(huán)檢測(cè)電壓，而不會(huì)損壞電路中的器件，從而提高電路的可靠性。

以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。