技術(shù)特征：

1.一種Co摻雜的TiO₂納米管陣列薄膜的H₂S氣敏傳感器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）TiO₂納米管陣列的制備：將鈦箔超聲清洗，晾干后接電源正極，以鉑電極接負極，將兩極置入電解液中，在室溫下陽極氧化，得TiO₂納米管陣列；

（2）Co摻雜的TiO₂納米管陣列薄膜的制備：向步驟（1）陽極氧化后的電解液中加入氯化鈷，使TiO₂納米管陣列浸泡在電解液中，浸泡后清洗，干燥，煅燒，冷卻，得Co摻雜的TiO₂納米管陣列薄膜；

（3）Co摻雜的TiO₂納米管陣列薄膜的H₂S氣敏傳感器的制備：以陶瓷為基底，正面印刷金電極，背面為加熱層，加熱層兩端印刷金電極，陶瓷基底正反面分別焊接了一對引腳，形成平面電極；將平面電極清洗，晾干，再用小刷子沾取粘黏劑涂布至平面電極正面上，并將Co摻雜的TiO₂納米管陣列薄膜轉(zhuǎn)移至平面電極正面上，晾干，煅燒，冷卻，得氣敏元件；將氣敏元件焊接至基座上，再老化，得Co摻雜的TiO₂納米管陣列薄膜的H₂S氣敏傳感器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）所述超聲清洗為將鈦箔依次在丙酮、乙醇、去離子水中進行超聲清洗。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）所述的電解液為含有NH₄F和去離子水的乙二醇溶液。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中加入氯化鈷后電解液中氯化鈷的濃度為0.05-0.2 M。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）所述浸泡的時間為1-3 h。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（3）所述粘黏劑的制備包括如下步驟：稱取二氧化鈦膠體5.00 -10.00 g，置于烘箱中干燥以去掉水分，研磨后加入2.5 -5 g 乙醇及2-4 g 松油醇，混合均勻，得粘黏劑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（3）所述清洗為用丙酮、乙醇、去離子水依次浸泡10 -20 min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（3）所述煅燒為在馬弗爐中以5-15℃/min梯度升溫至300-400℃，保溫30-60 min；所述老化為施加4.5-6 V直流電壓老化3-5天。

9.由權(quán)利要求1-8任一項所述的制備方法制得的一種Co摻雜的TiO₂納米管陣列薄膜的H₂S氣敏傳感器。