1.一種雙差分的全硅結(jié)構(gòu)微加速度計，其特征在于：包括上層硅蓋板（1）、中間敏感硅結(jié)構(gòu)層（2）和下層SOI硅片蓋板（3）；所述上層硅蓋板（1）、中間敏感硅結(jié)構(gòu)層（2）和下層SOI硅片蓋板（3）均是采用各項異性濕法腐蝕工藝制備，并通過硅-硅鍵合形成一個封閉的、呈中心對稱的整體結(jié)構(gòu)；所述中間敏感硅結(jié)構(gòu)層（2）包括四個按特定方位分布、正交擺放的敏感質(zhì)量塊-斜懸臂梁結(jié)構(gòu)；所述敏感質(zhì)量塊-斜懸臂梁結(jié)構(gòu)與上下極板構(gòu)成一組差分檢測電容；四組差分檢測電容通過一塊硅基底耦合在一起；每兩組差分檢測電容通過金屬引線連接在一起。
2.如權(quán)利要求1所述的一種雙差分的全硅結(jié)構(gòu)微加速度計，其特征在于：所述敏感質(zhì)量塊-斜懸臂梁結(jié)構(gòu)的敏感質(zhì)量塊（21）是由一根單斜懸臂梁（22）支撐的，所述四個敏感質(zhì)量塊-斜懸臂梁結(jié)構(gòu)的斜懸臂梁（22）呈鏡像關(guān)系。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種雙差分的全硅結(jié)構(gòu)微加速度計，其特征在于：所述斜懸臂梁（22）的截面為平行四邊形，上下表面由單晶硅100晶面構(gòu)成，兩側(cè)表面由單晶硅111晶面構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求3所述的一種雙差分的全硅結(jié)構(gòu)微加速度計，其特征在于：所述斜懸臂梁（22）的敏感軸方向與硅片平面存在一定的夾角。
5.如權(quán)利要求4所述的一種雙差分的全硅結(jié)構(gòu)微加速度計，其特征在于：所述夾角為35.3o。
6.如權(quán)利要求1所述的一種雙差分的全硅結(jié)構(gòu)微加速度計，其特征在于：所述下層SOI硅片蓋板（3）由兩層硅基底和中間SiO2埋層（33）構(gòu)成；所述上層硅基底由深腐蝕的溝槽隔絕成四塊獨立電極結(jié)構(gòu)；所述下層硅基底完整的連接在一起，構(gòu)成一個平整的底部硅基底（32）。
7.如權(quán)利要求1所述的一種雙差分的全硅結(jié)構(gòu)微加速度計，其特征在于：所述上層硅蓋板（1）、中間敏感硅結(jié)構(gòu)層（2）和下層SOI硅片蓋板（3）上分別設(shè)置有引線鍵合焊盤，各層上都有四組形狀一致、對稱分布的引線焊盤區(qū)（12、25、34），焊盤的材料為金或鋁。
8.如權(quán)利要求1或7所述的一種雙差分的全硅結(jié)構(gòu)微加速度計，其特征在于：所述上層硅蓋板（1）和中間敏感硅結(jié)構(gòu)層（2）均采用n型100低電阻單晶硅片制作，厚度為380μm；所述下層SOI硅片蓋板（3）采用n型100低電阻的SOI硅片制作，由上下兩層硅基底和中間SiO2埋層（33）構(gòu)成，總厚度為380μm，上下硅基底層厚度相等。
9.如權(quán)利要求1或2所述的一種雙差分的全硅結(jié)構(gòu)微加速度計，其特征在于：所述中間敏感硅結(jié)構(gòu)層（2）的正反兩面的外框（24）上布置有SiO2絕緣層（23）；SiO2絕緣層（23）的厚度為2μm。
10.一種雙差分的全硅結(jié)構(gòu)的微加速度計的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：
A．選用厚度為380μm的n型100低電阻雙面拋光的單晶硅片，先生長一層介質(zhì)掩膜層（氧化硅或氮化硅），然后通過雙面光刻技術(shù)和單晶硅的各項異性濕法腐蝕工藝加工出四個完全一致的上電極（11）；
B．再次選用與步驟A一樣的單晶硅片，正反雙面同時熱氧化2μm厚的SiO2并通過光刻和腐蝕工藝加工出SiO2絕緣層（23），然后沉積一層氮化硅掩膜層，最后通過雙面光刻技術(shù)和各項異性濕法腐蝕工藝加工出形狀類似、正交擺放的四組敏感質(zhì)量塊-斜懸臂梁結(jié)構(gòu)；
C．選用n型100低電阻的SOI硅片，其中Si/ SiO2/Si的厚度為 190/0.5/190μm，然后與步驟A一樣，通過各項異性濕法腐蝕工藝，在上表面加工出四個形狀一致的下電極（31），下表面加工成一個完整的底部硅基底（32）；
D．將加工好的三層硅片，通過高溫硅-硅熔融鍵合的方式鍵合在一起；
E．采用硬掩膜的方法，在引線鍵合焊盤區(qū)（12、25、34）上濺射一層金屬焊盤；
F．完成晶圓切割、芯片貼片、引線鍵合和封帽等封裝工藝，實現(xiàn)與檢測電路的集成。