本發(fā)明涉及一種芯片測試夾具，本發(fā)明尤其是涉及一種IGBT及FRD芯片動態(tài)測試夾具。

背景技術：

當前，因IGBT芯片從研發(fā)、設計、工藝定型、芯片封裝到最終的產品使用，這個過程周期長、效率低、問題多，這些都會對新產品的研發(fā)定型或產品優(yōu)化帶來不可避免的麻煩。為了加快產品的研發(fā)、優(yōu)化速度并對封裝的產品提前做好相關參數的測試，就會加快芯片器件設計、優(yōu)化的效率。目前國內對芯片級的測試只是出于靜態(tài)測試，動態(tài)測試還處于盲區(qū)，因此就需要一種能夠提供高效、安全、精準測試的芯片動態(tài)模塊測試夾具。

技術實現要素：

本發(fā)明的目的是克服現有技術中存在的不足，提供一種可以進行高效、安全且精準測試的IGBT及FRD芯片動態(tài)測試夾具。

按照本發(fā)明提供的技術方案，所述IGBT及FRD芯片動態(tài)測試夾具，在殼體內固定有隔板，在隔板上開設有抽氣口，在隔板上設有芯片吸腔，在芯片吸腔的上腔板上開設有負壓吸口，隔板上方的殼體上安裝有惰性氣體輸入接口、惰性氣體輸出接口與負母排端口，在芯片吸腔上方設有可插拔測試探針與柵極測試探針，可插拔測試探針的連接線從負母排端口接出，在隔板下方的殼體上安裝有抽氣管、正母排端口與通訊控制保護接口，正母排端口的連接線接在芯片吸腔的上腔板上，抽氣管通過抽氣口與芯片吸腔相連，在隔板下方的殼體內設有驅動板，驅動板與柵極測試探針相連，由驅動板的平移帶動柵極測試探針的平移，在隔板下方設有陪測功率器件，在陪測功率器件上安裝有第一負載電感插孔與第二負載電感插孔。

在所述芯片吸腔上方設有第一可調刻度盤、長度可調刻度桿與連接桿，長度可調刻度桿的上端部安裝在第一可調刻度盤上，連接桿轉動安裝在長度可調刻度桿的下端部，可插拔測試探針安裝在連接桿的下端部。

在所述隔板上方的殼體內設有第二可調刻度盤，柵極測試探針與第二可調刻度盤相連，第二可調刻度盤與驅動板相連。

本發(fā)明可以在不同溫度下，根據不同電壓電流等級的IGBT芯片調整不同的測試探針來安全、可靠、測試芯片，根據測試的結果分析，從而加快芯片研發(fā)、優(yōu)化的速度。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明。

該IGBT及FRD芯片動態(tài)測試夾具，在殼體20內固定有隔板19，在隔板19上開設有抽氣口，在隔板19上設有芯片吸腔4，在芯片吸腔4的上腔板上開設有負壓吸口，隔板19上方的殼體上安裝有惰性氣體輸入接口11、惰性氣體輸出接口12與負母排端口15，在芯片吸腔4上方設有可插拔測試探針5與柵極測試探針7，可插拔測試探針5的連接線從負母排端口15接出，在隔板19下方的殼體20上安裝有抽氣管18、正母排端口14與通訊控制保護接口13，正母排端口14的連接線接在芯片吸腔4的上腔板上，抽氣管18通過抽氣口與芯片吸腔4相連，在隔板19下方的殼體20內設有驅動板3，驅動板3與柵極測試探針7相連，由驅動板3的平移帶動柵極測試探針7的平移，在隔板19下方設有陪測功率器件2，在陪測功率器件2上安裝有第一負載電感插孔16.1與第二負載電感插孔16.2。

在所述芯片吸腔4上方設有第一可調刻度盤9、長度可調刻度桿8與連接桿17，長度可調刻度桿8的上端部安裝在第一可調刻度盤9上，連接桿17轉動安裝在長度可調刻度桿8的下端部，可插拔測試探針5安裝在連接桿17的下端部。

在所述隔板19上方的殼體20內設有第二可調刻度盤10，柵極測試探針7與第二可調刻度盤10相連，第二可調刻度盤10與驅動板3相連。

本發(fā)明的測試夾具除了具備溫度可調之外，更重要的是測試測試平臺可以對不同電壓、電流等級、不同芯片面積的IGBT或FRD芯片進行短路或雙脈沖測試。在進行短路或雙脈沖測試前根據芯片電壓、電流等級及芯片大小調節(jié)可插拔測試探針5的位置，甚至可以更換可插拔測試探針5，并且在可插拔測試探針5選擇完畢后，若還不能對待測試芯片1進行可靠的測試，如接觸壓力大小等，那么可以利用第一可調刻度盤9進行調節(jié)，根據需要把第一可調刻度盤9分成2n份，先粗調，然后根據刻度盤細調，直至達到需要的位置，最后固定；

長度可調刻度桿8，可以通過調節(jié)其長短，來達到接觸甚至可靠壓接的要求；第一可調刻度盤9的作用主要在可插拔測試探針5、連接桿17、長度可調刻度桿8固定后，然后再根據測試要求適度調整最終固定第一可調刻度盤9的位置；柵極測試探針7具有彈性形變要求，主要是在測試時對待測試芯1片接觸較緊；第二可調刻度盤10所起的作用和第一可調刻度盤9所起的作用一致。

在DBC上對IGBT芯片進行測試前，把測試平臺和相關的靜態(tài)、動態(tài)設備連接，然后利用相關的測試程序對IGBT芯片進行測試，通過測試把測試結果進行保存，然后對測試結果進行分析總結，最后達到優(yōu)化器件設計的目的。