1.一種MOS器件HCI可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括第一MOS器件、第二MOS器件、第三MOS器件以及五個測試焊墊，其中，所述第一MOS器件的襯底和源極、所述第二MOS器件的襯底和源極以及所述第三MOS器件的襯底和源極均連接同一測試焊墊，所述第一MOS器件的柵極與所述第三MOS器件的柵極均連接同一測試焊墊，所述第二MOS器件的柵極與所述第三MOS器件的漏極均連接同一測試焊墊，所述第一MOS器件的漏極和所述第二MOS器件的漏極分別連接一測試焊墊。
2.根據(jù)權利要求1所述的MOS器件HCI可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一MOS器件、所述第二MOS器件以及所述第三MOS器件為N型MOS器件或P型MOS器件。
3.根據(jù)權利要求1所述的MOS器件HCI可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一MOS器件在HCI可靠性測試中為開啟狀態(tài)模式。
4.根據(jù)權利要求1所述的MOS器件HCI可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二MOS器件在HCI可靠性測試中為關閉狀態(tài)模式。
5.根據(jù)權利要求1所述的MOS器件HCI可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，五個所述測試焊墊連接三個或四個電壓源。
6.根據(jù)權利要求5所述的MOS器件HCI可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電壓源根據(jù)HCI可靠性測試的需要輸出相應的電壓值。
7.根據(jù)權利要求1所述的MOS器件HCI可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一MOS器件、所述第二MOS器件、所述第三MOS器件與五個所述測試焊墊之間均通過金屬線電連接。
8.根據(jù)權利要求1-7任一項所述的MOS器件HCI可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述HCI可靠性測試包括對MOS器件施加老化應力、源漏飽和電流參數(shù)測量以及閾值電壓參數(shù)測量。