本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種弱短路故障測(cè)試電路及其測(cè)試方法。

背景技術(shù)：

基于TSV(Through Silicon Vias，硅通孔)的三維集成電路充分利用了芯片的第三個(gè)維度，將多個(gè)裸片(Die)通過(guò)TSV進(jìn)行垂直互連，這不僅縮短了互連線長(zhǎng)度，降低了互連功耗，而且提升了芯片集成密度，是集成電路發(fā)展的必然趨勢(shì)。而TSV作為多個(gè)裸片之間的信號(hào)傳輸通道，其可靠性直接影響了整個(gè)芯片的良品率。但由于目前TSV制備工藝尚不成熟，在芯片制造過(guò)程中襯底減薄帶來(lái)的應(yīng)力，TSV填充不足，絕緣層生長(zhǎng)瑕疵和芯片堆疊時(shí)發(fā)生錯(cuò)位等都會(huì)引起TSV不同程度的缺陷，而這些缺陷導(dǎo)致的電路故障主要為短路故障和開(kāi)路故障。對(duì)于開(kāi)路故障的測(cè)試主要涉及到信號(hào)是否能正常傳輸，其測(cè)試比較簡(jiǎn)單，而對(duì)于短路故障的測(cè)試不僅涉及到信號(hào)是否能正常傳輸，還應(yīng)該考慮其引起的漏流功耗問(wèn)題，這里將考慮漏流功耗的短路故障稱為弱短路故障。

關(guān)于TSV測(cè)試，可以分為綁定前TSV測(cè)試(Pre-bond TSV Testing)和綁定后TSV測(cè)試(Post-bond TSV Tesing)。綁定前TSV測(cè)試為裸片(Die)堆疊之前的測(cè)試，此時(shí)，TSV的一端在裸片內(nèi)部，且與內(nèi)部器件相連，而另一端裸露在裸片外，不與任何東西相接。綁定前TSV測(cè)試也就是無(wú)疵內(nèi)核測(cè)試(Known Good Die，KGD)，其目的是去除有問(wèn)題的裸片，從而降低由于TSV制造帶來(lái)的成品率下降。目前關(guān)于綁定前TSV短路故障測(cè)試的方法主要有兩種，一種是通過(guò)探針卡與TSV相連接，然后打入激勵(lì)進(jìn)行短路故障測(cè)試，該方法主要適用于放置規(guī)整的陣列式TSV，且既需要芯片內(nèi)部插入特定的測(cè)試電路，又需要芯片外部有特殊的測(cè)量?jī)x器，測(cè)試開(kāi)銷較大。另一種是通過(guò)在芯片內(nèi)部嵌入相應(yīng)的測(cè)試電路，實(shí)現(xiàn)自測(cè)試，然后將自測(cè)試結(jié)果通過(guò)掃描鏈掃描輸出，這種方法測(cè)試結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，測(cè)試開(kāi)銷小。通過(guò)電壓比較的方式對(duì)綁定前TSV短路故障進(jìn)行測(cè)試，這種方式的不足在于，對(duì)于弱短路故障引起的漏流功耗問(wèn)題沒(méi)法探測(cè)，且該電路為數(shù)?；旌辖Y(jié)構(gòu)，易受外界的干擾。針對(duì)電壓比較方式的不足，借鑒I/O漏電流測(cè)試的思想提出了一種基于可編程延遲線的TSV漏電流測(cè)試方法，該方法首先對(duì)TSV節(jié)點(diǎn)充電，然后使之浮空，這時(shí)，收集在TSV上的電荷通過(guò)TSV與襯底之間的短路電阻開(kāi)始泄漏，最后通過(guò)控制采樣時(shí)間來(lái)判定漏流等級(jí)，即TSV短路程度，通過(guò)可編程延遲線產(chǎn)生不同的采樣時(shí)間來(lái)實(shí)現(xiàn)寬范圍的漏電流測(cè)試，其漏流測(cè)試閾值(Leakage Test Threshold，LTT)范圍為0.125μA-16μA。這種通過(guò)漏流大小判斷TSV是否存在短路故障的方法，雖然解決了通過(guò)電壓比較發(fā)覺(jué)不到的漏流功耗問(wèn)題，但其測(cè)試電路面積較大，尤其是可編程延遲線所占的面積。此外，延遲線的精度也直接影響了漏流測(cè)試分辨率。

綁定后TSV測(cè)試就是在裸片堆疊之后的測(cè)試，對(duì)于TSV的測(cè)試而言，裸片堆疊之后的無(wú)疵堆疊測(cè)試(Known Good Stack，KGS)、封裝后的最終測(cè)試(Final Test)和芯片使用時(shí)的內(nèi)建自測(cè)試都認(rèn)為是綁定后TSV測(cè)試。在芯片綁定、芯片運(yùn)輸和芯片使用過(guò)程中，由于綁定應(yīng)力過(guò)大使側(cè)壁絕緣層開(kāi)裂、Bump未對(duì)準(zhǔn)、芯片碰撞使得側(cè)壁絕緣層開(kāi)裂和絕緣層老化等都可能引起TSV短路故障。對(duì)于無(wú)疵堆疊測(cè)試，具體實(shí)施是通過(guò)探針與專用襯墊(Pad)接觸，接收J(rèn)TAG接口輸出的診斷信息，然后將該信息傳送給外部設(shè)備。而對(duì)于最終測(cè)試和芯片使用時(shí)的內(nèi)建自測(cè)試，在芯片復(fù)位后，內(nèi)部自測(cè)試電路開(kāi)始工作，測(cè)試結(jié)果被直接傳遞到TSV冗余修復(fù)電路，進(jìn)行冗余替換，實(shí)現(xiàn)對(duì)TSV的修復(fù)。而通過(guò)電壓比較的方式對(duì)綁定后TSV短路故障進(jìn)行測(cè)試，具體實(shí)現(xiàn)是，當(dāng)TSV存在短路故障時(shí)，會(huì)引起漏電流，該漏電流可以通過(guò)電阻分壓的方式將其轉(zhuǎn)換成電壓，然后將轉(zhuǎn)換后的電壓與預(yù)設(shè)的參考電壓進(jìn)行比較，最終診斷出是否存在短路故障。該方方法的優(yōu)點(diǎn)在于同時(shí)可以檢測(cè)開(kāi)路和短路故障，但其不足在于，最小漏流測(cè)試閾值為100uA，也就是說(shuō)，當(dāng)短路缺陷引起的漏電流小于100μA時(shí)，該方法診斷為不存在短路故障，在最壞情況下，一個(gè)TSV引起的漏電流為100μA(為無(wú)短路故障TSV)，那么104個(gè)TSV引起的漏電流就為1A，假設(shè)電源電壓為1V，那么僅僅TSV帶來(lái)的漏流功耗就達(dá)到了1W，而實(shí)際上一顆嵌入式DSP芯片的功耗才200mW左右，很顯然這種測(cè)試結(jié)構(gòu)不具有實(shí)用性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)中TSV短路故障測(cè)試技術(shù)的不足，現(xiàn)有技術(shù)中綁定前的測(cè)試電路面積大。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種弱短路故障測(cè)試方法，使用一種測(cè)試方法解決現(xiàn)有技術(shù)中綁定前和綁定后各自存在的技術(shù)問(wèn)題。

有鑒于此，本發(fā)明提供一種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路，可包括：

測(cè)試單元101、計(jì)數(shù)器102、掃描輸出寄存器103和控制器105，所述測(cè)試單元101的信號(hào)輸出端與所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端連接，所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸出端與所述掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端連接，所述控制器105的功能控制端分別與對(duì)應(yīng)的所述測(cè)試單元101的控制端、所述計(jì)數(shù)器102的控制端、所述掃描輸出寄存器103的控制端連接，

所述控制器105用于控制所述電路復(fù)位、初始化、等待和采樣，得到高電平脈沖信號(hào)，并將所述高電平脈沖信號(hào)傳輸至所述測(cè)試單元101，還用于控制所述測(cè)試單元101、所述計(jì)數(shù)器102和所述掃描輸出寄存器103之間的信號(hào)傳輸和工作，

所述測(cè)試單元101用于接收由所述控制器105得到的所述高電平脈沖信號(hào)并對(duì)所述高電平脈沖信號(hào)測(cè)試得到連續(xù)脈沖信號(hào)并將所述連續(xù)脈沖信號(hào)經(jīng)所述控制器105控制傳輸至所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端，

所述計(jì)數(shù)器102用于接收所述連續(xù)脈沖信號(hào)并對(duì)所述連續(xù)脈沖信號(hào)處理得到所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制傳輸至所述掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端，

所述掃描輸出寄存器103用于接收所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制掃描輸出至外部設(shè)備。

本發(fā)明還提供一種應(yīng)用所述硅通孔弱短路故障測(cè)試電路的測(cè)試方法，其中，所述方法包括：

控制器105控制復(fù)位、初始化、等待和采樣，得到高電平脈沖信號(hào)，并將所述高電平脈沖信號(hào)傳輸至所述測(cè)試單元101；

測(cè)試單元101接收由所述控制器105得到的所述高電平脈沖信號(hào)并對(duì)所述高電平脈沖信號(hào)測(cè)試得到連續(xù)脈沖信號(hào)并將所述連續(xù)脈沖信號(hào)經(jīng)所述控制器105控制傳輸至計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端；

所述計(jì)數(shù)器102接收所述連續(xù)脈沖信號(hào)并對(duì)所述連續(xù)脈沖信號(hào)處理得到所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制傳輸至掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端；

所述掃描輸出寄存器103接收所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制掃描輸出至外部設(shè)備。

從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例中，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中TSV短路故障測(cè)試技術(shù)中綁定前的測(cè)試電路面積大這一問(wèn)題提供了一種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路及應(yīng)用所述電路的測(cè)試方法，該電路通過(guò)與堆疊的兩層裸片的其中一層裸片連接，另一端懸空，對(duì)綁定前TSV測(cè)試，面積開(kāi)銷小，測(cè)試漏流范圍大，解決了現(xiàn)有技術(shù)中TSV短路故障測(cè)試不足的問(wèn)題，且本發(fā)明提供的硅通孔弱短路故障測(cè)試電路采用純數(shù)字電路，內(nèi)部單元可采用標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，無(wú)需定制版圖，對(duì)工藝節(jié)點(diǎn)的變遷沒(méi)有任何約束。

【附圖說(shuō)明】

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1a為本發(fā)明實(shí)施例1的一種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路結(jié)構(gòu)圖；

圖1b為本發(fā)明實(shí)施例2的一種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路結(jié)構(gòu)圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例2的一種兩層裸片堆疊硅通孔弱短路故障測(cè)試電路圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例3的一種應(yīng)用所述硅通孔弱短路故障測(cè)試電路的測(cè)試方法流程圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例3的一種在所述電路為綁定前模式下的測(cè)試電路圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例3的一種在所述電路為綁定后模式下的測(cè)試電路圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例3的所述硅通孔對(duì)地短路和對(duì)電源短路測(cè)試電路原理圖及波形圖

圖7為本發(fā)明實(shí)施例3的一種應(yīng)用所述電路的測(cè)試方法在綁定前和綁定后模式下的測(cè)試流程圖。

【具體實(shí)施方式】

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中TSV短路故障測(cè)試技術(shù)中綁定前的測(cè)試電路面積大這一問(wèn)題。

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1a，為本發(fā)明提供的一種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)圖，本實(shí)施例中一種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路具體可以包括：

測(cè)試單元101、計(jì)數(shù)器102、掃描輸出寄存器103和控制器105，所述測(cè)試單元101的信號(hào)輸出端與所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端連接，所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸出端與所述掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端連接，所述控制器105的功能控制端分別與對(duì)應(yīng)的所述測(cè)試單元101的控制端、所述計(jì)數(shù)器102的控制端、所述掃描輸出寄存器103的控制端連接，

所述控制器105用于控制所述電路復(fù)位、初始化、等待和采樣，得到高電平脈沖信號(hào)，并將所述高電平脈沖信號(hào)傳輸至所述測(cè)試單元101，還用于控制所述測(cè)試單元101、所述計(jì)數(shù)器102和所述掃描輸出寄存器103之間的信號(hào)傳輸和工作，

所述測(cè)試單元101用于接收由所述控制器105得到的所述高電平脈沖信號(hào)并對(duì)所述高電平脈沖信號(hào)測(cè)試得到連續(xù)脈沖信號(hào)并將所述連續(xù)脈沖信號(hào)經(jīng)所述控制器105控制傳輸至所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端，

所述計(jì)數(shù)器102用于接收所述連續(xù)脈沖信號(hào)并對(duì)所述連續(xù)脈沖信號(hào)處理得到所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制傳輸至所述掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端，

所述掃描輸出寄存器103用于接收所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制掃描輸出至外部設(shè)備。

為了更清楚的理解這種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路，下面結(jié)合附圖1a詳細(xì)描述實(shí)施例1中的一種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路。

由圖1a可知，本發(fā)明提供的一種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路具體可包括：測(cè)試單元101、計(jì)數(shù)器102、掃描輸出寄存器103和控制器105，其中所述測(cè)試單元101的信號(hào)輸出端與所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端連接，這里可以理解的是，所述測(cè)試單元101實(shí)現(xiàn)其功能會(huì)有很多信號(hào)端口，所述計(jì)數(shù)器102同理也是實(shí)現(xiàn)其功能會(huì)有很多信號(hào)端口，此處為所述測(cè)試單元101的信號(hào)輸出端與所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端連接，所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸出端與所述掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端連接，此處可以理解的是，所述掃描輸出寄存器103實(shí)現(xiàn)其功能會(huì)有很多端口，此處為所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸出端與所述掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端連接，所述控制器105的功能控制端分別與對(duì)應(yīng)的所述測(cè)試單元101的控制端、所述計(jì)數(shù)器102的控制端、所述掃描輸出寄存器103的控制端連接，此處可以理解的是，所述控制器105實(shí)現(xiàn)其功能會(huì)有很短端口，例如，此處實(shí)現(xiàn)其控制功能則每一項(xiàng)控制功能都會(huì)有一項(xiàng)功能控制端，如控制所述測(cè)試單元101的控制端，控制所述計(jì)數(shù)器102的控制端，控制所述掃描輸出寄存器103的控制端，另外，所述測(cè)試單元101、所述計(jì)數(shù)器102、所述掃描輸出寄存器103上也分別存有與所述控制器105連接的功能控制端，因此此處為所述控制器105的功能控制端分別與所述測(cè)試單元101的控制端、所述計(jì)數(shù)器102的控制端、所述掃描輸出寄存器103的控制端連接。

所述控制器105用于控制所述電路復(fù)位、初始化、等待和采樣，得到高電平脈沖信號(hào)，并將所述高電平脈沖信號(hào)傳輸至所述測(cè)試單元(101)，還用于控制所述測(cè)試單元101、所述計(jì)數(shù)器102和所述掃描輸出寄存器103之間的信號(hào)傳輸和工作，具體的，所述控制器105用于控制所述電路啟動(dòng)復(fù)位、初始化以及初始化完成后的等待和采樣，采樣結(jié)束得到高電平脈沖信號(hào)，并將得到的所述高電平脈沖信號(hào)傳輸至所述測(cè)試單元101，在所述電路測(cè)試工作時(shí)，所述控制器105還用于控制所述測(cè)試單元101、所述計(jì)數(shù)器102和所述掃描輸出寄存器103之間的信號(hào)傳輸和工作。

所述測(cè)試單元101用于接收由所述控制器105得到的所述高電平脈沖信號(hào)并對(duì)所述高電平脈沖信號(hào)測(cè)試得到連續(xù)脈沖信號(hào)并將所述連續(xù)脈沖信號(hào)經(jīng)所述控制器105控制傳輸至所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端，具體的，所述測(cè)試單元101用于接收由所述控制器105得到并傳輸過(guò)來(lái)的所述高電平脈沖信號(hào)，所述測(cè)試單元101對(duì)所述高電平脈沖信號(hào)測(cè)試得到連續(xù)脈沖信號(hào)，并將得到的所述連續(xù)脈沖信號(hào)經(jīng)所述控制器105控制傳輸至所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端。

所述計(jì)數(shù)器102用于接收所述連續(xù)脈沖信號(hào)并對(duì)所述連續(xù)脈沖信號(hào)處理得到所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制傳輸至所述掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端，具體的，所述計(jì)數(shù)器102用于接收由所述測(cè)試單元101得到的并傳輸過(guò)來(lái)的所述連續(xù)脈沖信號(hào)，并對(duì)所述連續(xù)脈沖信號(hào)進(jìn)行處理得到所述電路的測(cè)試結(jié)果，最后將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)過(guò)所述控制器105控制由所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸出端傳輸至所述掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端。

所述掃描輸出寄存器103用于接收所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制掃描輸出至外部設(shè)備，具體的，所述掃描輸出寄存器103用于接收由所述計(jì)數(shù)器102得到并傳輸過(guò)來(lái)的所述電路測(cè)試結(jié)果，對(duì)所述電路測(cè)試結(jié)果掃描并通過(guò)所述控制器105控制輸出至所述外部設(shè)備。

本發(fā)明實(shí)施例中，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中TSV短路故障測(cè)試技術(shù)中綁定前的測(cè)試電路面積大這一問(wèn)題提供了一種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路，該電路通過(guò)與堆疊的兩層裸片的其中一層裸片連接，另一端懸空，對(duì)綁定前TSV測(cè)試，面積開(kāi)銷小，測(cè)試漏流范圍大，解決了現(xiàn)有技術(shù)中TSV短路故障測(cè)試不足的問(wèn)題，且本發(fā)明提供的硅通孔弱短路故障測(cè)試電路采用純數(shù)字電路，內(nèi)部單元可采用標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，無(wú)需定制版圖，對(duì)工藝節(jié)點(diǎn)的變遷沒(méi)有任何約束。

為了便于對(duì)本發(fā)明提供的一種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路的有益效果有一個(gè)更直觀的理解，本發(fā)明還提供了實(shí)施例2，參考附圖2所示，以兩層裸片堆疊，所述硅通孔對(duì)地短路為例，圖2中的裸片1和裸片2之間通過(guò)所述硅通孔互連，其中所述硅通孔和測(cè)試部分1在同一裸片內(nèi)，一種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路具體可以包括：

測(cè)試單元101、計(jì)數(shù)器102、掃描輸出寄存器103和控制器105，所述測(cè)試單元101的信號(hào)輸出端與所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端連接，所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸出端與所述掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端連接，所述控制器105的功能控制端分別與對(duì)應(yīng)的所述測(cè)試單元101的控制端、所述計(jì)數(shù)器102的控制端、所述掃描輸出寄存器103的控制端連接，

具體的，由圖2可以看出，所述一種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路包括測(cè)試單元101、計(jì)數(shù)器102、掃描輸出寄存器103和控制器105，以圖2中的線路連接為例，所述測(cè)試單元101的信號(hào)輸出端與所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端連接，這里可以理解的是，所述測(cè)試單元101實(shí)現(xiàn)其功能會(huì)有很多信號(hào)端口，由圖2中也可以看出，所述測(cè)試單元101除了有與所述計(jì)數(shù)器102連接的信號(hào)輸出端口外還有其他端口，如與所述控制器105連接的控制端口，此外由圖2中還可以看出，所述測(cè)試單元101中可以包括多個(gè)測(cè)試模塊，所述計(jì)數(shù)器102同理也是實(shí)現(xiàn)其功能會(huì)有很多信號(hào)端口，同樣由圖2可以看出，所述計(jì)數(shù)器102除了有與所述測(cè)試單元101連接的信號(hào)輸入端口外，還有其他端口，如與所述控制器105連接的控制端口，另外，所述計(jì)數(shù)器102中也可以包括多個(gè)計(jì)數(shù)器，所述計(jì)數(shù)器102可以優(yōu)選為6位計(jì)數(shù)器，所述測(cè)試單元101的信號(hào)輸出端與所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端連接。

所述控制器105用于控制所述電路復(fù)位、初始化、等待和采樣，得到高電平脈沖信號(hào)，并將所述高電平脈沖信號(hào)傳輸至所述測(cè)試單元(101)，還用于控制所述測(cè)試單元101、所述計(jì)數(shù)器102和所述掃描輸出寄存器103之間的信號(hào)傳輸和工作，

具體的，由圖2所示，所述控制器105用于控制所述電路的復(fù)位、初始化、等待和采樣，采樣結(jié)束后得到高電平脈沖信號(hào)后，將所述高電平脈沖信號(hào)傳輸至圖2中所示的所述測(cè)試單元101，在所述電路進(jìn)行測(cè)試工作時(shí)，所述控制器105還用于控制圖2中所示的所述測(cè)試單元101、所述計(jì)數(shù)器102和所述掃描輸出寄存器103之間的信號(hào)傳輸和工作。

所述測(cè)試單元101用于接收由所述控制器105得到的所述高電平脈沖信號(hào)并對(duì)所述高電平脈沖信號(hào)測(cè)試得到連續(xù)脈沖信號(hào)并將所述連續(xù)脈沖信號(hào)經(jīng)所述控制器105控制傳輸至所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端，

具體的，由圖2所示，所述測(cè)試單元101用于接收由所述控制器105得到并傳輸過(guò)來(lái)的所述高電平脈沖信號(hào)，所述測(cè)試單元101接收到所述高電平脈沖信號(hào)后對(duì)所述高電平脈沖信號(hào)測(cè)試得到連續(xù)脈沖信號(hào)，并將得到的所述連續(xù)脈沖信號(hào)在所述控制器105控制下傳輸至所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端，這里可以由圖2看出，所述測(cè)試單元101到所述計(jì)數(shù)器102傳輸?shù)男盘?hào)方向?yàn)閳D2中所示測(cè)試單元101到所述計(jì)數(shù)器102的箭頭指示方向。

所述計(jì)數(shù)器102用于接收所述連續(xù)脈沖信號(hào)并對(duì)所述連續(xù)脈沖信號(hào)處理得到所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制傳輸至所述掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端，

具體的，由圖2所示，所述計(jì)數(shù)器102用于接收所述連續(xù)脈沖信號(hào)，所述計(jì)數(shù)器102對(duì)接收到的所述連續(xù)脈沖信號(hào)處理得到所述電路測(cè)試結(jié)果，并將所述電路測(cè)試結(jié)果在所述控制器105的控制下傳輸至所述掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端，所述計(jì)數(shù)器102到所述掃描輸出寄存器103的信號(hào)傳輸方向?yàn)閳D2中所示所述計(jì)數(shù)器102到所述掃描輸出寄存器103的箭頭指示方向。

所述掃描輸出寄存器103用于接收所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制掃描輸出至外部設(shè)備。

具體的，由圖2中所示，所述掃描輸出寄存器103用于接收所述電路測(cè)試結(jié)果并將接收到的所述電路測(cè)試結(jié)果在所述控制器105的控制下掃描輸出至與所述外部設(shè)備連接的電路，然后由與所述外部設(shè)備連接的電路將所述電路測(cè)試結(jié)果傳輸至外部設(shè)備。優(yōu)選的，這里所述的與所述外部設(shè)備連接的電路如圖2所示，可以為冗余修復(fù)電路，也可以為JTAG電路。

需要說(shuō)明的是，由圖2所示可知，所述電路還可以包括傳輸單元104和控制單元106，其中所述傳輸單元104是通過(guò)所述硅通孔與所述測(cè)試單元101的功能端進(jìn)行連接的，可以結(jié)合附圖1b所示，此處連接由圖2也可以看出，所述傳輸單元104還通過(guò)所述控制信號(hào)單元106與所述控制器105的功能控制端進(jìn)行連接，此處連接也可以由圖2看出，所述傳輸單元104用于隔離有害負(fù)載，所述控制單元106則用于傳輸所述控制器105到所述傳輸單元104的控制信號(hào)。

還需要說(shuō)明的是，在圖2所示的所述電路中，當(dāng)所述電路只執(zhí)行綁定前測(cè)試工作時(shí)，則不需要所述傳輸單元104和所述控制單元106的參與，即與所述測(cè)試單元101連接的所述硅通孔的右端可以是懸空的，且所述測(cè)試單元101、所述計(jì)數(shù)器102以及所述掃描輸出寄存器103通常在會(huì)在同一裸片上，即如果所述電路是在綁定前模式下工作時(shí)，所述硅通孔一端與在同一裸片上的所述電路連接，另一端處于懸空狀態(tài)。在綁定前模式時(shí)，如附圖1a所述結(jié)構(gòu)圖，所述電路的測(cè)試電路結(jié)果通常是通過(guò)所述掃描輸出寄存器103輸出至與所述外部設(shè)備連接的JTAG電路中的。而當(dāng)所述電路在綁定后模式下，如附圖1b所示結(jié)構(gòu)圖，執(zhí)行測(cè)試工作時(shí)，則所述電路是包括所述傳輸單元104和所述控制單元106的，即所述硅通孔的另一端不是懸空狀態(tài)，而是與所述傳輸單元104連接的，所述控制信號(hào)單元106則是用于連接所述控制器105的功能控制端與所述傳輸單元104的控制信號(hào)輸入端的。所述綁定后模式下的所述電路測(cè)試由于增加了所述傳輸單元104則能夠更好的隔離有害負(fù)載，提高測(cè)試的準(zhǔn)確度。且所述電路在所述綁定后模式下工作時(shí)，所述電路測(cè)試結(jié)果通過(guò)所述掃描輸出寄存器103輸出至與所述外部設(shè)備連接的冗余修復(fù)電路。優(yōu)選的，圖2中所述的傳輸單元104是使用了兩個(gè)傳輸門并聯(lián)，這樣可以提高信號(hào)傳輸?shù)目煽啃?。這里可以理解的是，所述傳輸單元104中的所述傳輸門不限于使用兩個(gè)，可以使用多個(gè)或使用一個(gè)。

另外，所述電路在進(jìn)行測(cè)試工作時(shí)，是可以有模式設(shè)置的，所以如果是執(zhí)行綁定前測(cè)試，則要現(xiàn)將所述電路設(shè)置為綁定前模式，如附圖1a所示電路結(jié)構(gòu)圖，如果是執(zhí)行綁定后測(cè)試，如附圖1b所示電路結(jié)構(gòu)圖，則要將所述電路設(shè)置為綁定后模式。

本發(fā)明實(shí)施例中，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中TSV短路故障測(cè)試技術(shù)中綁定前的測(cè)試電路面積大這一問(wèn)題提供了一種硅通孔弱短路故障測(cè)試電路，該電路通過(guò)與堆疊的兩層裸片的其中一層裸片連接，另一端懸空，對(duì)綁定前TSV測(cè)試，面積開(kāi)銷小，測(cè)試漏流范圍大，解決了現(xiàn)有技術(shù)中TSV短路故障測(cè)試不足的問(wèn)題，且本發(fā)明提供的硅通孔弱短路故障測(cè)試電路采用純數(shù)字電路，內(nèi)部單元可采用標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，無(wú)需定制版圖，對(duì)工藝節(jié)點(diǎn)的變遷沒(méi)有任何約束。另外，本發(fā)明實(shí)施例中可以看出，本發(fā)明提出的方案還可以用于綁定后弱短路故障測(cè)試，因此本發(fā)明提供的一種弱短路故障測(cè)試電路不僅適用于綁定前還可以適用于綁定后，相比現(xiàn)有電路提高了實(shí)用性。

本發(fā)明還提供了一種應(yīng)用所述硅通孔弱短路故障測(cè)試電路的測(cè)試方法，以兩層裸片堆疊，所述硅通孔對(duì)地短路為例，其中，所述方法包括：

控制器105控制復(fù)位、初始化、等待和采樣，得到高電平脈沖信號(hào)，并將所述高電平脈沖信號(hào)傳輸至所述測(cè)試單元101；

測(cè)試單元101接收由所述控制器105得到的所述高電平脈沖信號(hào)并對(duì)所述高電平脈沖信號(hào)測(cè)試得到連續(xù)脈沖信號(hào)并將所述連續(xù)脈沖信號(hào)經(jīng)所述控制器105控制傳輸至計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端；

所述計(jì)數(shù)器102接收所述連續(xù)脈沖信號(hào)并對(duì)所述連續(xù)脈沖信號(hào)處理得到所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制傳輸至掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端；

所述掃描輸出寄存器103接收所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制掃描輸出至外部設(shè)備。

具體的，所示控制器105控制所述電路上電復(fù)位、初始化、等待和采樣，所述采樣結(jié)束后，所述控制器105得到高電平脈沖信號(hào)，所述控制器將所述高電平脈沖信號(hào)傳輸至與其連接的所述測(cè)試單元101的信號(hào)輸入端，所述測(cè)試單元101的信號(hào)輸入端接收到由所述控制器105得到并傳輸過(guò)來(lái)的所述高電平脈沖信號(hào)后，對(duì)所述高電平脈沖信號(hào)測(cè)試得到連續(xù)脈沖信號(hào)，并將所述連續(xù)脈沖信號(hào)在所述控制器105的控制下傳輸至所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端，所述計(jì)數(shù)器102接收到所述連續(xù)脈沖信號(hào)后對(duì)所述連續(xù)脈沖信號(hào)處理得到所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果在所述控制器105的控制下傳輸至所述掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端，所述掃描輸出寄存器103在接收到所述電路測(cè)試結(jié)果后將所述電路測(cè)試結(jié)果在所述控制器105的控制下傳輸至掃描器并輸出至外部設(shè)備中。

本發(fā)明提供的一種應(yīng)用所述硅通孔弱短路故障測(cè)試電路的測(cè)試方法，通過(guò)所述硅通孔弱短路故障測(cè)試電路對(duì)堆疊的兩層裸片進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試漏流范圍大，解決了現(xiàn)有技術(shù)中TSV短路故障測(cè)試不足的問(wèn)題。

本發(fā)明提供了一種應(yīng)用所述硅通孔弱短路故障測(cè)試電路的測(cè)試方法的實(shí)施例3，結(jié)合附圖3對(duì)所述方法進(jìn)行詳細(xì)描述。由附圖3所示，所述方法包括：

S301、控制器105控制復(fù)位、初始化、等待和采樣，得到高電平脈沖信號(hào)，并將所述高電平脈沖信號(hào)傳輸至所述測(cè)試單元101；

S302、測(cè)試單元101接收由所述控制器105得到的所述高電平脈沖信號(hào)并對(duì)所述高電平脈沖信號(hào)測(cè)試得到連續(xù)脈沖信號(hào)并將所述連續(xù)脈沖信號(hào)經(jīng)所述控制器105控制傳輸至計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端；

S303、所述計(jì)數(shù)器102接收所述連續(xù)脈沖信號(hào)并對(duì)所述連續(xù)脈沖信號(hào)處理得到所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制傳輸至掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端；

S304、所述掃描輸出寄存器103接收所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制掃描輸出至外部設(shè)備。

下面結(jié)合附圖3詳細(xì)的說(shuō)明一種應(yīng)用所述硅通孔弱短路故障測(cè)試電路的測(cè)試方法的具體實(shí)施步驟。

S301、控制器105控制復(fù)位、初始化、等待和采樣，得到高電平脈沖信號(hào)，并將所述高電平脈沖信號(hào)傳輸至所述測(cè)試單元101；

具體的，所述控制器105控制所述電路復(fù)位、初始化、等待和采樣，具體可以包括所述控制器105啟動(dòng)復(fù)位信號(hào)，所述復(fù)位信號(hào)完成后所述控制器105啟動(dòng)初始化信號(hào)，所述初始化信號(hào)完成后所述控制器105進(jìn)入等待和采樣狀態(tài)，得到高電平脈沖信號(hào)，這里可以以兩層裸片堆疊為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。所述控制器105控制所述電路上電復(fù)位時(shí)，所述電路復(fù)位信號(hào)變?yōu)榱说碗娖?，?fù)位結(jié)束后由低電平跳變?yōu)楦唠娖?，所述?fù)位信號(hào)可以作為所述硅通孔弱短路故障測(cè)試電路的測(cè)試使能信號(hào)。當(dāng)所述電路中的復(fù)位信號(hào)復(fù)位結(jié)束跳變?yōu)楦唠娖胶?，所述硅通孔弱短路故障測(cè)試電路開(kāi)始工作，即所述控制器105啟動(dòng)初始化信號(hào)，對(duì)所述電路進(jìn)行初始化，初始化時(shí)，結(jié)合附圖4所示，初始化信號(hào)開(kāi)始為低電平，通過(guò)預(yù)充三態(tài)緩沖器401將附圖4所示節(jié)點(diǎn)Z預(yù)充為高電平，這樣完成了所述電路的初始化工作。所述初始化信號(hào)完成后所述控制器105則進(jìn)入等待和采樣狀態(tài)，此時(shí)所述硅通孔節(jié)點(diǎn)Z被浮空，存儲(chǔ)在所述節(jié)點(diǎn)Z處的電荷通過(guò)所述硅通孔與襯底之間的短路電阻Rshort對(duì)地開(kāi)始泄漏，此時(shí)，采樣緩沖器402對(duì)節(jié)點(diǎn)Z進(jìn)行實(shí)時(shí)采樣，隨著節(jié)點(diǎn)Z電荷泄漏時(shí)間的增加，節(jié)點(diǎn)Z電位會(huì)不斷下降，其中當(dāng)節(jié)點(diǎn)Z電位低于所述采樣緩沖器402的閾值電壓時(shí)，所述采樣緩沖器402的輸出會(huì)跳變?yōu)榈碗娖?，這樣整個(gè)采樣過(guò)程結(jié)束后得到一個(gè)高電平脈沖信號(hào)，所述高電平脈沖的寬度反映了所述硅通孔的短路程度，即所述硅通孔靜態(tài)漏電流的大小，也即所述硅通孔存在弱短路故障時(shí)引起的漏電流功耗的大小。所述高電平脈沖越寬，則所述硅通孔與襯底的絕緣性越好，短路電阻則越大，所述高電平脈沖越窄，所述硅通孔與襯底之間的絕緣性越差，短路電阻則越小。

需要說(shuō)明的是，所述硅通孔與襯底之間的短路電阻不僅可以對(duì)地短路還可以對(duì)電源短路。所述硅通孔與P型襯底之間絕緣層開(kāi)裂等導(dǎo)致其絕緣性下降時(shí)產(chǎn)生的短路情況被稱為硅通孔對(duì)地短路；所述硅通孔與N型襯底之間絕緣層開(kāi)裂導(dǎo)致其絕緣性下降時(shí)產(chǎn)生的短路情況被稱為硅通孔對(duì)電源短路。圖6給出了所述硅通孔對(duì)地短路的測(cè)試電路原理圖以及相應(yīng)的波形圖和所述硅通孔對(duì)電源短路的測(cè)試電路原理圖以及相應(yīng)的波形圖。其中值得注意的是，所述硅通孔對(duì)地短路時(shí)，應(yīng)該將所述硅通孔節(jié)點(diǎn)初始化為低電平，而預(yù)充到高電平；所述硅通孔對(duì)電源短路時(shí)，應(yīng)該將所述硅通孔節(jié)點(diǎn)初始化為高電平，而預(yù)充到低電平。

S302、測(cè)試單元101接收由所述控制器105得到的所述高電平脈沖信號(hào)并對(duì)所述高電平脈沖信號(hào)測(cè)試得到連續(xù)脈沖信號(hào)并將所述連續(xù)脈沖信號(hào)經(jīng)所述控制器105控制傳輸至計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端；

具體的，所述控制器105在通過(guò)所述采樣緩沖器402得到一個(gè)高電平脈沖信號(hào)時(shí)，將所述高電平脈沖信號(hào)傳輸至所述測(cè)試單元101，所述測(cè)試單元101接收由所述控制器105傳輸過(guò)來(lái)的所述高電平脈沖信號(hào)，并對(duì)所述高電平脈沖信號(hào)進(jìn)行測(cè)試得到一組連續(xù)脈沖信號(hào)，并將所述連續(xù)脈沖信號(hào)通過(guò)所述控制器105的控制傳輸至所述計(jì)數(shù)器102的信號(hào)輸入端，其中在對(duì)所述高電平脈沖信號(hào)進(jìn)行測(cè)試時(shí)包括所述測(cè)試單元101將所述采樣緩沖器402得到的所述高電平脈沖信號(hào)與時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行與操作，得到一組所述連續(xù)脈沖信號(hào)，這組所述連續(xù)脈沖信號(hào)的周期之和即為所述高電平脈沖信號(hào)的寬度。

S303、所述計(jì)數(shù)器102接收所述連續(xù)脈沖信號(hào)并對(duì)所述連續(xù)脈沖信號(hào)處理得到所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制傳輸至掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端；

具體的，所述計(jì)數(shù)器102在接收到由所述測(cè)試單元101傳輸過(guò)來(lái)的所述連續(xù)脈沖信號(hào)后對(duì)所述連續(xù)脈沖信號(hào)進(jìn)行處理得到一個(gè)所述電路測(cè)試結(jié)果，并將該所述電路測(cè)試結(jié)果通過(guò)所述控制器105的控制傳輸至所述掃描輸出寄存器103的信號(hào)輸入端，可以理解為，所述計(jì)數(shù)器102在接收到所述連續(xù)脈沖信號(hào)后，對(duì)所述連續(xù)脈沖信號(hào)的處理包括將所述連續(xù)脈沖信號(hào)的周期之和進(jìn)行測(cè)量得到一個(gè)計(jì)數(shù)值，即將上述高電平脈沖信號(hào)的寬度進(jìn)行測(cè)量得到一個(gè)計(jì)數(shù)值，將所述計(jì)數(shù)值與所述計(jì)數(shù)器102預(yù)設(shè)的計(jì)數(shù)值閾值進(jìn)行比較得到所述電路測(cè)試結(jié)果，即將所述計(jì)數(shù)值與預(yù)設(shè)的所述計(jì)數(shù)器102的計(jì)數(shù)值閾值比較后得到一個(gè)測(cè)試電路結(jié)果，根據(jù)該所述電路測(cè)試結(jié)果來(lái)判斷所述電路是否存在弱短路故障。判斷過(guò)稱為當(dāng)所述計(jì)數(shù)值大于或等于所述預(yù)設(shè)的計(jì)數(shù)值閾值時(shí)，所述電路測(cè)試結(jié)果為不存在弱短路故障，而當(dāng)所述計(jì)數(shù)值小于所述預(yù)設(shè)的計(jì)數(shù)值閾值時(shí)，所述電路測(cè)試結(jié)果是存在所述弱短路故障。通常在電路中是當(dāng)計(jì)數(shù)值大于或等于所述計(jì)數(shù)值閾值時(shí)，將所述電路測(cè)試結(jié)果為“1”，則表示所述電路不存在弱短路故障；當(dāng)所述計(jì)數(shù)值小于所述計(jì)數(shù)值閾值時(shí)，所述電路測(cè)試結(jié)果為“0”，則表示存在所述弱短路故障。其中所述計(jì)數(shù)器102優(yōu)選的可為6為計(jì)數(shù)器。

S304、所述掃描輸出寄存器103接收所述電路測(cè)試結(jié)果并將所述電路測(cè)試結(jié)果經(jīng)所述控制器105控制掃描輸出至外部設(shè)備。

具體的，所述掃描輸出寄存器103在接收到由所述計(jì)數(shù)器傳輸過(guò)來(lái)的所述電路測(cè)試結(jié)果后在所述控制器105的控制下將所述電路測(cè)試結(jié)果掃描輸出至外部設(shè)備?？梢赃@樣理解，即所述掃描輸出寄存器103在接收到所述電路測(cè)試結(jié)果后，通過(guò)所述控制器105的控制先將所述電路測(cè)試結(jié)果掃描到與外部設(shè)備連接的電路上，然后再將所述電路測(cè)試結(jié)果通過(guò)探針傳送給所述外部設(shè)備。所述外部設(shè)備接收到所述電路測(cè)試結(jié)果后分析存在故障的所述硅通孔的數(shù)量是否大于冗余的硅通孔資源，若大于，則需要將被測(cè)試的裸片篩除，若小于，則將所述裸片保留。其中所述的與外部設(shè)備連接的電路可以為JTAG電路還可以為冗余修復(fù)電路。

需要說(shuō)明的是，所述方法在所述控制器105控制復(fù)位、初始化、等待和采樣步驟前還包括控制關(guān)斷傳輸單元104，所述電路測(cè)試分為綁定前測(cè)試和綁定后測(cè)試，在所述電路進(jìn)行綁定前測(cè)試時(shí)，結(jié)合附圖4所示，綁定前測(cè)試時(shí)所述電路中與所述測(cè)試單元右側(cè)連接的所述硅通孔的另一端是懸空的，而綁定后測(cè)試時(shí)，結(jié)合附圖5所示，所述電路中與所述測(cè)試單元右側(cè)連接的所述硅通孔的另一端是連接到所述傳輸單元104的，所述傳輸單元在所述綁定后測(cè)試時(shí)起到隔離有害負(fù)載的作用，防止不確定的負(fù)載電容影響到所述電路測(cè)試結(jié)果，且在綁定后測(cè)試時(shí)是要關(guān)斷所述傳輸單元的。所述綁定前測(cè)試模式和綁定后測(cè)試模式還有一個(gè)區(qū)別點(diǎn)是，在所述綁定前測(cè)試模式下的所述方法，在所述電路測(cè)試結(jié)果掃描至外部設(shè)備連接的電路為JTAG電路，而在綁定后測(cè)試模式下的所述方法，在所述電路測(cè)試結(jié)果掃描至外部設(shè)備連接的電路為冗余修復(fù)電路。

還需要說(shuō)明的是，所述電路進(jìn)行測(cè)試時(shí)，所述電路工作模式包括兩種，分別為測(cè)試模式和功能模式，所述電路在進(jìn)行測(cè)試時(shí)在所述電路復(fù)位前需要將所述電路的工作模式設(shè)置在測(cè)試模式下進(jìn)行，當(dāng)所述電路的所述電路測(cè)試結(jié)果掃描輸出至外部設(shè)備后，將所述電路的工作模式切換為功能模式。在所述功能模式下時(shí)，所述傳輸單元104是開(kāi)通的，所述控制器105的控制信號(hào)都會(huì)通過(guò)控制單元106傳輸至所述傳輸單元104，所述控制信號(hào)都為低電平，結(jié)合附圖4所示，三態(tài)緩沖器403為使能狀態(tài)，所述預(yù)充三態(tài)緩沖器401進(jìn)入高阻狀態(tài)，則所述電路的功能信號(hào)通過(guò)所述硅通孔進(jìn)行傳遞。

另外，對(duì)于兩層以上裸片堆疊的3D芯片中所述硅通孔的弱短路測(cè)試時(shí)，只需在兩兩堆疊的裸片之間插入一組上述應(yīng)用的所述硅通孔弱短路故障測(cè)試電路即可。

可以理解的是，所述測(cè)試方法即可以實(shí)現(xiàn)在所述電路為綁定前模式下測(cè)試也可以實(shí)現(xiàn)所述電路在綁定后模式下測(cè)試，系統(tǒng)在應(yīng)用所述電路下的整體測(cè)試流程可以參考附圖7所示，即所述電路由所述控制器105控制下先進(jìn)行系統(tǒng)的復(fù)位，即復(fù)位開(kāi)始測(cè)試，然后是進(jìn)行硅通孔短路測(cè)試，這一過(guò)程包括測(cè)試電路的初始化、硅通孔短路測(cè)試以及對(duì)硅通孔短路測(cè)試結(jié)果的判斷，這樣詳細(xì)過(guò)程在前面實(shí)施例2和實(shí)施例3中都有描述，此處不再贅述，在硅通孔短路測(cè)試結(jié)束后芯片會(huì)進(jìn)入功能模式即開(kāi)始正常執(zhí)行其功能模式下的工作。

本發(fā)明提供的一種弱短路故障測(cè)試電路，該電路通過(guò)與堆疊的兩層裸片的其中一層裸片連接，另一端懸空，對(duì)綁定前TSV測(cè)試，面積開(kāi)銷小，測(cè)試漏流范圍大，測(cè)試漏流閾值范圍為[0.1μA，20μA]，即測(cè)試漏流閾值可調(diào)節(jié)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中TSV短路故障測(cè)試不足的問(wèn)題，且本發(fā)明提供的硅通孔弱短路故障測(cè)試電路采用純數(shù)字電路，內(nèi)部單元可采用標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，無(wú)需定制版圖，對(duì)工藝節(jié)點(diǎn)的變遷沒(méi)有任何約束。另外，本發(fā)明實(shí)施例中可以看出，本發(fā)明提出的方案還可以用于綁定后弱短路故障測(cè)試，因此本發(fā)明提供的一種弱短路故障測(cè)試電路不僅適用于綁定前還可以適用于綁定后，相比現(xiàn)有電路提高了實(shí)用性。本發(fā)明還提供了應(yīng)用所述電路的測(cè)試方法，該測(cè)試方法應(yīng)用所述測(cè)試電路操作簡(jiǎn)單，且即可以在綁定前模式下使用也可在綁定后模式下使用，使用范圍廣，并解決了現(xiàn)有測(cè)試方法中由于未考慮弱短路故障帶來(lái)的漏流急劇上升的問(wèn)題以及范圍小，測(cè)試分辨率低的問(wèn)題。

本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)及上述附圖中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于區(qū)別類似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的實(shí)施例能夠以除了在這里圖示或描述的內(nèi)容以外的順序?qū)嵤４送?，術(shù)語(yǔ)“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過(guò)程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒(méi)有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過(guò)程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。

以上所述，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。