本發(fā)明涉及電路測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多通道電路測(cè)試裝置及腦深部電極測(cè)試方法。

背景技術(shù)：

目前，進(jìn)行多通道電路的耐壓測(cè)試或?qū)y(cè)試時(shí)，需要人工將測(cè)試儀的兩個(gè)測(cè)試端分別與待測(cè)通道兩端的電極接通進(jìn)行測(cè)試，在測(cè)量完一個(gè)通道后再將兩個(gè)測(cè)試端分別移到另一個(gè)待測(cè)通道兩端的電極上以完成另一通道的測(cè)試。例如，包含多個(gè)觸點(diǎn)的腦深部電極由于其觸點(diǎn)較多，相同截面積的電極導(dǎo)線(xiàn)密度大，生產(chǎn)工藝復(fù)雜，最終的成品要通過(guò)耐壓測(cè)試進(jìn)行嚴(yán)格篩選。當(dāng)前主要使用的耐壓測(cè)試方法是通過(guò)耐壓儀的兩個(gè)輸出電極接口直接夾在被測(cè)電極觸點(diǎn)上進(jìn)行測(cè)試，每測(cè)試完一組電極，就需要人工干預(yù)重新布線(xiàn)和重啟耐壓儀，操作流程復(fù)雜。另一方面，由于電極觸點(diǎn)較多，人工布線(xiàn)很容易出現(xiàn)重復(fù)測(cè)試或者漏測(cè)的情況，對(duì)于產(chǎn)品篩選存在隱患。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于待測(cè)通道數(shù)量較多時(shí)，采用人工逐個(gè)連接測(cè)試電路不僅操作繁瑣而且容易導(dǎo)致漏測(cè)的情況出現(xiàn)，測(cè)試結(jié)果的可靠性低。

為此，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案：

一種多通道電路測(cè)試裝置，包括主測(cè)試電路，還包括被測(cè)通道切換電路，被測(cè)通道切換電路包括主處理器和至少兩個(gè)由主處理器控制通斷的可控開(kāi)關(guān)，可控開(kāi)關(guān)分別串聯(lián)在主測(cè)試電路與各待測(cè)通道電極組成的電路回路中。

可選地，可控開(kāi)關(guān)為固態(tài)繼電器，固態(tài)繼電器的兩個(gè)輸入端分別與主處理器連接，其中一路輸出的兩端分別與主測(cè)試電路供壓電路的一端、待測(cè)通道的其中一個(gè)電極連接，另一路輸出的兩端分別與主測(cè)試電路供壓電路的另一端、待測(cè)通道的另一個(gè)電極連接。

可選地，主測(cè)試電路包括用于采集被測(cè)通道兩端電壓的電壓采集電路，電壓采集電路的輸出端與主處理器連接。

可選地，還包括用于顯示測(cè)試參數(shù)和測(cè)試狀態(tài)的顯示電路，顯示電路包括顯示器件和連接器，顯示器件通過(guò)連接器與主處理器連接。

可選地，還包括至少一路按鍵電路，按鍵電路分別與主處理器連接，用于控制測(cè)試流程的啟動(dòng)和停止、設(shè)定測(cè)試的起始通道和結(jié)束通道以及選擇不同的測(cè)試參數(shù)。

可選地，按鍵電路包括按鍵元件、第一電容和第一電阻，第一電容與第一電阻并聯(lián)后一端與按鍵元件的一端連接、另一端接地，按鍵元件的另一端接供電電源。

可選地，還包括電源管理電路和儲(chǔ)能模塊，電源管理電路包括充放電管理電路和電壓轉(zhuǎn)換電路，充放電管理電路用于控制儲(chǔ)能模塊的充放電過(guò)程，電壓轉(zhuǎn)換電路用于將儲(chǔ)能模塊的輸出電壓轉(zhuǎn)換為待供電電路所需的電壓。

可選地，充放電管理電路包括充電管理芯片，充電管理芯片的狀態(tài)指示輸出端與主處理器連接。

可選地，還包括用于檢測(cè)儲(chǔ)能模塊電壓的電壓檢測(cè)電路，電壓檢測(cè)電路與主處理器連接。

可選地，電壓轉(zhuǎn)換電路包括電壓轉(zhuǎn)換芯片，電壓轉(zhuǎn)換芯片的電能輸入端與儲(chǔ)能模塊連接、電能輸出端與待供電電路連接。

本發(fā)明還提供一種腦深部電極測(cè)試方法，采用上述裝置，包括以下步驟：

對(duì)任意兩個(gè)電極觸點(diǎn)進(jìn)行耐壓測(cè)試；

耐壓測(cè)試完畢后，從頂端開(kāi)始的腦深部電極上的第一個(gè)與第二個(gè)電極觸點(diǎn)和/或第二個(gè)與第三個(gè)電極觸點(diǎn)使用電阻連接，電阻的電阻值為300-500歐姆，之后，向從頂端開(kāi)始的腦深部電極上的第二個(gè)電極觸點(diǎn)通入50-150V的電壓，調(diào)節(jié)電壓值到電極觸點(diǎn)處溫度升高至80-90℃，保持2s；

經(jīng)過(guò)上述測(cè)試后，腦深部電極仍然完好則為良品，否則為廢品。

本發(fā)明技術(shù)方案，具有如下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)試裝置，其主處理器可以通過(guò)控制不同可控開(kāi)關(guān)的通斷使得主測(cè)試電路與不同的待測(cè)通道接通，從而可以實(shí)現(xiàn)多個(gè)待測(cè)通道的自動(dòng)測(cè)試過(guò)程。與人工進(jìn)行待測(cè)通道的切換方法相比，操作流程簡(jiǎn)單，降低了測(cè)試人員的工作量、提高了測(cè)試效率，另外也避免了在電極觸點(diǎn)較多時(shí)人工布線(xiàn)很容易出現(xiàn)的重復(fù)測(cè)試或者漏測(cè)情況，大大增加了測(cè)試的準(zhǔn)確性和可靠性。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中的主處理器及其周邊電路圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的電壓采集電路圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例中的固態(tài)繼電器引腳連接圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例中的顯示電路圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例中的按鍵電路圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例中的充放電管理電路圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例中的電壓轉(zhuǎn)換電路圖；

圖8一種腦深部電極的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

1-套管；2-電極觸點(diǎn)；21-導(dǎo)線(xiàn)；3-溫度傳感器；31-信號(hào)傳輸線(xiàn)

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

此外，下面所描述的本發(fā)明不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互結(jié)合。

實(shí)施例1

如圖1-2所示，本施例提供了一種多通道電路測(cè)試裝置，包括主測(cè)試電路，其用于提供測(cè)試所用的電壓、檢測(cè)并輸出被測(cè)通道兩端的電壓，該主測(cè)試電路具體可以是耐壓儀，該裝置還包括被測(cè)通道切換電路，被測(cè)通道切換電路包括主處理器和至少兩個(gè)由主處理器控制通斷的可控開(kāi)關(guān)，可控開(kāi)關(guān)分別串聯(lián)在主測(cè)試電路與各待測(cè)通道電極組成的電路回路中。其中，上述主處理器可以采用基于ARM的32位微控制器STM32F103VET6，該主處理器可以通過(guò)控制不同可控開(kāi)關(guān)的通斷使得主測(cè)試電路與不同的待測(cè)通道接通，從而可以實(shí)現(xiàn)多個(gè)待測(cè)通道的自動(dòng)測(cè)試過(guò)程。可控開(kāi)關(guān)的數(shù)量與待測(cè)通道的數(shù)量相對(duì)應(yīng)，具體可以是圖3所示的18個(gè)，也可以是其它大于2的合理數(shù)量，從而實(shí)現(xiàn)各個(gè)待測(cè)通道依次與主測(cè)試電路導(dǎo)通。

本實(shí)施例提供的測(cè)試裝置可以用于檢測(cè)待測(cè)通道的絕緣阻抗和工頻耐壓是否滿(mǎn)足設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，具體測(cè)試過(guò)程可以是：按照主處理器中預(yù)設(shè)的算法依次控制其中一路待測(cè)通道的兩端與耐壓儀的輸出電壓端導(dǎo)通，從而將耐壓儀輸出的工頻電壓加在待測(cè)通道兩端，并通過(guò)耐壓儀實(shí)時(shí)檢測(cè)并輸出待測(cè)通道兩端的電壓，如果待測(cè)通道兩端的電壓非正常跌落，則判定被測(cè)通道的耐壓測(cè)試不合格。其中，被測(cè)通道兩端是電極觸點(diǎn)，也即電路回路的連接是通過(guò)電極觸點(diǎn)實(shí)現(xiàn)的。該測(cè)試裝置具體可以應(yīng)用于多觸點(diǎn)腦深部電極的耐壓測(cè)試。與目前主流的通過(guò)耐壓儀的兩個(gè)輸出電極接口直接夾在被測(cè)電極觸點(diǎn)上進(jìn)行測(cè)試的耐壓測(cè)試方法相比，省去了每測(cè)試完一組電極就需要人工干預(yù)重新布線(xiàn)和重啟耐壓儀的過(guò)程，操作流程簡(jiǎn)單，降低了測(cè)試人員的工作量、提高了測(cè)試效率，另外也避免了在電極觸點(diǎn)較多時(shí)人工布線(xiàn)很容易出現(xiàn)的重復(fù)測(cè)試或者漏測(cè)情況，大大增加了測(cè)試的準(zhǔn)確性和可靠性。

上述測(cè)試裝置還可以用于其它類(lèi)型的測(cè)試，例如用于測(cè)試各待測(cè)通道之間的導(dǎo)通性能等。

在具體的實(shí)施方案中，主測(cè)試電路包括用于采集被測(cè)通道兩端電壓的電壓采集電路，該電壓采集電路的輸出端與主處理器連接，具體是主處理器的PC1端口，以使得主處理器可以實(shí)時(shí)獲取待測(cè)通道的測(cè)試電壓，從而判斷待測(cè)通道是否測(cè)試合格。如圖2所示，該電壓采集電路主要包括串聯(lián)的電阻R438和R439，用于對(duì)待測(cè)通道兩端的電壓進(jìn)行分壓后輸入主處理器；還包括電容C419，用于為反相的交流信號(hào)提供通路。另外，如圖3所示，上述可控開(kāi)關(guān)可以為固態(tài)繼電器，例如COTOmos的雙通道固態(tài)繼電器CT338，固態(tài)繼電器的兩個(gè)輸入端分別與主處理器連接以接收主處理器的通斷控制信號(hào)，其中一路輸出的兩端分別與主測(cè)試電路供壓電路的一端、待測(cè)通道的其中一個(gè)電極連接，另一路輸出的兩端分別與主測(cè)試電路供壓電路的另一端、待測(cè)通道的另一個(gè)電極連接。從而，可以導(dǎo)通待測(cè)通道兩端的電極與主測(cè)試電路供壓電路的回路，同時(shí)也可以導(dǎo)通主測(cè)試電路中用于檢測(cè)待測(cè)通道兩端電壓的電壓采集電路。

如圖4所示，本實(shí)施例提供的測(cè)試裝置還包括用于顯示測(cè)試參數(shù)和測(cè)試狀態(tài)的顯示電路，例如用于顯示測(cè)試起始通道、測(cè)試結(jié)束通道、通電時(shí)間、時(shí)間間隔、儲(chǔ)能電源的充放電狀態(tài)和通道的測(cè)試狀態(tài)等，該顯示電路包括顯示器件和連接器J30，顯示器件通過(guò)連接器J30與主處理器連接。具體地，顯示器件可以是液晶顯示屏，連接器J30可以是具有20個(gè)端口的FH12A-20S-0.5SH。其中，主處理器作為主設(shè)備、顯示器件作為從設(shè)備，主處理器的SPI通信接口PB12_SPI2_NSS與顯示器件的片選端CS連接，主處理器的PD11端口與顯示器件的數(shù)據(jù)/命令選擇端RS連接，主處理器的SPI通信時(shí)鐘信號(hào)端PB13_SPI2_SCK與顯示器件接收時(shí)鐘信號(hào)的端口SCL連接，主處理器SPI通信數(shù)據(jù)輸出接口PB15與顯示器件的數(shù)據(jù)接收端口SDI連接，主處理器的復(fù)位信號(hào)輸出端PD13與顯示器件的復(fù)位信號(hào)接收端RESET連接，主處理器的使能信號(hào)輸出端PE0和PE1分別與可控開(kāi)關(guān)Q31、Q30的控制端連接，可控開(kāi)關(guān)Q31用于控制連接器J30供電電源的通斷、可控開(kāi)關(guān)Q30用于控制其中一個(gè)顯示部件LED-A與其供電電源的通斷。該顯示電路可以配合作為控制電路的主處理器實(shí)現(xiàn)人機(jī)交互功能。

另外，該裝置還包括至少一路按鍵電路，按鍵電路分別與主處理器連接，用于控制測(cè)試流程的啟動(dòng)和停止、設(shè)定測(cè)試的起始通道和結(jié)束通道以及選擇不同的測(cè)試參數(shù)。在具體實(shí)施方案中，按鍵電路需結(jié)合顯示電路才能實(shí)現(xiàn)測(cè)試通道和測(cè)試參數(shù)的準(zhǔn)確設(shè)定。按鍵電路包括按鍵元件、第一電容和第一電阻，第一電容與第一電阻并聯(lián)后一端與按鍵元件的一端連接、另一端接地，按鍵元件的另一端接供電電源，該供電電源可以是裝置的儲(chǔ)能模塊或者電壓轉(zhuǎn)換電路。具體如圖5所示，本實(shí)施例中可以設(shè)置4路按鍵電路，分別用于實(shí)現(xiàn)不同的功能，且每一按鍵電路的回路(按鍵元件與第一電容、第一電阻的連接處)均分別與主處理器的一個(gè)輸入接口(分別是端口PA0、PD8、PD9和PC11)連接以使得主處理器可以分別接收各個(gè)按鍵操作發(fā)出的控制信號(hào)。

本實(shí)施例提供的測(cè)試裝置可以提供多達(dá)18個(gè)電極觸點(diǎn)之間的通道測(cè)試，但在實(shí)際使用時(shí)待測(cè)通道的數(shù)量可能較少，那么就可以通過(guò)按鍵電路設(shè)定測(cè)試的起始通道和結(jié)束通道。從而，對(duì)于沒(méi)有連接待測(cè)電極觸點(diǎn)的測(cè)試回路就不進(jìn)行測(cè)試流程。也即，該測(cè)試裝置的測(cè)試算法和被測(cè)通道的數(shù)量可以根據(jù)需要靈活設(shè)置，提高了裝置的通用性。另外，通過(guò)按鍵電路還可以設(shè)置通電時(shí)間和間隔時(shí)間等測(cè)試參數(shù)，使得主處理器可以按照用戶(hù)設(shè)定的起始通道、結(jié)束通道、通電時(shí)間和間隔參數(shù)對(duì)待測(cè)通道進(jìn)行遍歷測(cè)試，并實(shí)時(shí)獲取電壓采集電路采集到的電壓信號(hào)，最后根據(jù)該電壓信號(hào)判斷當(dāng)前被測(cè)通道是否通過(guò)測(cè)試，具體的判斷邏輯是：如果電壓信號(hào)大于預(yù)設(shè)閾值，則判定當(dāng)前被測(cè)通道測(cè)試通過(guò)，并在顯示電路的顯示器件上顯示“測(cè)試通過(guò)”的提示信息；如果電壓信號(hào)小于預(yù)設(shè)閾值，則判定當(dāng)前被測(cè)通道測(cè)試不合格，并在顯示電路的顯示器件上顯示測(cè)試失敗的提示，具體可以用紅色字體顯示測(cè)試失敗的電極觸點(diǎn)編號(hào)，同時(shí)在顯示界面連續(xù)閃爍5次以提示用戶(hù)檢查被測(cè)電極觸點(diǎn)。

作為其它的具體實(shí)施方式，該測(cè)試裝置還包括電源管理電路和儲(chǔ)能模塊，該儲(chǔ)能模塊具體可以是儲(chǔ)能電池BAT，電源管理電路包括充放電管理電路和電壓轉(zhuǎn)換電路。充放電管理電路用于控制儲(chǔ)能模塊的充放電過(guò)程，以及用于識(shí)別外部輸入直流電源。電壓轉(zhuǎn)換電路用于將儲(chǔ)能模塊的輸出電壓轉(zhuǎn)換為待供電電路所需的電壓，實(shí)現(xiàn)用電管理、完成電源分配。其中，待供電電路包括主處理器及其周邊電路、顯示電路。

具體地，如圖6所示，上述充放電管理電路包括充電管理芯片U21，其具體可以選用bq24103ARHLR芯片，充電管理芯片U21的狀態(tài)指示輸出端與主處理器連接，即將可以用于指示正在充電狀態(tài)的STAT1端口與主處理器的PC9端口連接、可以用于指示充電完成狀態(tài)的STAT2端口與主處理器的PC7端口連接、可以用于指示電池狀態(tài)的端口與主處理器的PC8端口連接。另外，主處理器還與儲(chǔ)能模塊的電壓檢測(cè)電路連接以獲取儲(chǔ)能模塊的當(dāng)前電壓。該儲(chǔ)能模塊的電壓檢測(cè)電路包括串聯(lián)的電阻R23和R23，用于將儲(chǔ)能模塊的電壓分壓后輸入主處理器。充電管理芯片U21的電能輸出端OUT通過(guò)依次串聯(lián)連接的電感L21和電阻R22后與儲(chǔ)能模塊連接，電感L21和電阻R22的連接處通過(guò)電容C24接地。充電管理芯片U21的電流檢測(cè)輸入端SNS與電能輸出端OUT的電路回路連接，其溫度檢測(cè)輸入端與用于檢測(cè)儲(chǔ)能模塊溫度的溫度檢測(cè)器件P20的輸出端連接，以根據(jù)儲(chǔ)能模塊當(dāng)前的溫度狀態(tài)判斷是否適宜進(jìn)行充電。

具體地，如圖7所示，電壓轉(zhuǎn)換電路包括電壓轉(zhuǎn)換芯片U22，具體可以選用tps62745DSST，電壓轉(zhuǎn)換芯片的電能輸入端與儲(chǔ)能模塊連接、電能輸出端與待供電電路連接。其中，該電壓轉(zhuǎn)換芯片U22的使能端EN也與儲(chǔ)能模塊連接，其電能輸出端VOUT輸出3.3V電壓。

實(shí)施例2

本實(shí)施例一種腦深部電極測(cè)試方法，采用實(shí)施例1所述的裝置，包括以下步驟：

對(duì)任意兩個(gè)電極觸點(diǎn)進(jìn)行耐壓測(cè)試，測(cè)試方法在實(shí)施例1中已有體現(xiàn)；

耐壓測(cè)試完畢后，從頂端開(kāi)始的腦深部電極上的第一個(gè)與第二個(gè)電極觸點(diǎn)2(從圖中左起第一個(gè)和第二個(gè))和/或第二個(gè)與第三個(gè)電極觸點(diǎn)2使用電阻連接，電阻的電阻值為300-500歐姆，通過(guò)導(dǎo)電膠粘附，用于模擬人體內(nèi)電阻，之后，向從頂端開(kāi)始的腦深部電極上的第二個(gè)電極觸點(diǎn)通入50-150V的電壓，由于兩個(gè)觸點(diǎn)之間已經(jīng)電連接導(dǎo)通，因此會(huì)產(chǎn)生電流，并發(fā)熱，調(diào)節(jié)電壓值到電極觸點(diǎn)處溫度升高至80-90℃，保持2s，可以通過(guò)電極本身的溫度傳感器3來(lái)監(jiān)控溫度，也可通過(guò)其它的溫度計(jì)來(lái)監(jiān)控。

由于腦深部電極的電極觸點(diǎn)2為環(huán)形，為保證測(cè)量的準(zhǔn)確性，電阻與電極連接的電片應(yīng)至少覆蓋電極的2/3的面積。

經(jīng)過(guò)上述測(cè)試后，腦深部電極仍然完好則為良品，否則為廢品。

本實(shí)施例的腦深部電極測(cè)試方法，測(cè)量方便，方法簡(jiǎn)單。

在測(cè)試過(guò)程中，也可以不使用電阻，而將腦深部電極插入生理鹽水中。

顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。