1.一種用于電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀的標(biāo)樣加標(biāo)法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀的標(biāo)樣加標(biāo)法，其特征在于，所述步驟4)制得的任一測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)溶液中加入所有目標(biāo)成分的單標(biāo)溶液的總質(zhì)量分?jǐn)?shù)不超過(guò)20%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀的標(biāo)樣加標(biāo)法，其特征在于，所述標(biāo)樣加標(biāo)法溶解標(biāo)準(zhǔn)樣品、待測(cè)試樣及定容采用的去離子水均為煮沸后的去離子水，煮沸后的所述去離子水的電阻率不低于18mω·cm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀的標(biāo)樣加標(biāo)法，其特征在于，所述步驟1)中待測(cè)試樣為待檢出目標(biāo)成分為硅元素的鐵硅合金，所述鐵硅合金中硅元素質(zhì)量分?jǐn)?shù)的理論范圍為0.5-4.8%。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀的標(biāo)樣加標(biāo)法，其特征在于，選擇的若干所述標(biāo)準(zhǔn)樣品的編號(hào)依次為gsb03-2623-2010、gsb03-2625-2010、gbw01230、gbw01231、gbw01232和gbw01233。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀的標(biāo)樣加標(biāo)法，其特征在于，所述步驟4)中預(yù)設(shè)質(zhì)量為0.2g，并且稱量預(yù)設(shè)質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)樣品時(shí)精確至0.0001g。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀的標(biāo)樣加標(biāo)法，其特征在于，所述步驟4)中標(biāo)準(zhǔn)樣品溶解后分別加入不同體積的硅單標(biāo)溶液，所述硅單標(biāo)溶液的濃度為500μg/ml，擴(kuò)展硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)的分析曲線范圍至5%。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀的標(biāo)樣加標(biāo)法，其特征在于，所述硅單標(biāo)溶液的制取過(guò)程為：稱取質(zhì)量分?jǐn)?shù)不低于99.95%的二氧化硅1.0698g，于1000±50℃灼燒1h冷至室溫；灼燒產(chǎn)物置于鉑金坩堝中，加入4g基準(zhǔn)碳酸鈉混勻，于1000℃加熱至完全熔融，冷卻后溶于適量水中并轉(zhuǎn)移至1000ml容量瓶中定容搖勻使用。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀的標(biāo)樣加標(biāo)法，其特征在于，所述步驟1)中待測(cè)試樣為待檢出目標(biāo)成分為鎳元素的鐵鎳合金，所述鐵鎳合金中鎳元素質(zhì)量分?jǐn)?shù)的理論范圍為8.5-9.5%。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀的標(biāo)樣加標(biāo)法，其特征在于，選擇的若干所述標(biāo)準(zhǔn)樣品的編號(hào)依次為gsb03-2623-2010、gsb03-2625-2010、gbw01230、gbw01231、gbw01232和gbw01233。