Mems壓力傳感器及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種MEMS壓力傳感器及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-ElectroMechanical System，簡稱MEMS)是一種獲取信息、處理信息和執(zhí)行操作的集成器件。微機(jī)電系統(tǒng)中的傳感器能夠接收壓力、位置、速度、加速度、磁場、溫度或濕度等外部信息，并將所獲得的外部信息轉(zhuǎn)換成電信號，以便于在微機(jī)電系統(tǒng)中進(jìn)行處理。常見的微機(jī)電系統(tǒng)包括溫度傳感器、壓力傳感器和濕度傳感器等。
[0003]對于MEMS壓力傳感器來說，其尺寸更微小、且工藝精度，而且其制作工藝能夠與集成電路芯片的制造工藝兼容，因而使性價(jià)比大幅提高。目前的MEMS壓力傳感器包括壓阻式壓力傳感器和電容式壓力傳感器。
[0004]其中，電容式壓力傳感器具有較高的測量精度和較低的功耗。常規(guī)的電容式壓力傳感器包括:襯底；位于襯底表面的第一電極層；位于襯底和第一電極層表面的第二電極層，所述第一電極層和第二電極層之間具有空腔，所述空腔使第一電極層和第二電極層電隔離。
[0005]所述第一電極層、第二電極層以及空腔構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)，當(dāng)所述第二電極層在受到壓力時(shí)，所述第二電極層會發(fā)生形變，導(dǎo)致所述第一電極層和第二電極層之間的距離發(fā)生變化，造成所述電容結(jié)構(gòu)的電容值發(fā)生改變。由于所述第二電極層受到的壓力與所述電容結(jié)構(gòu)的電容值相對應(yīng)，因此能夠?qū)⒌诙姌O層受到的壓力轉(zhuǎn)化為所述電容結(jié)構(gòu)輸出的電信號。
[0006]而所述壓力傳感器芯片還需要與信號處理電路實(shí)現(xiàn)電信號的傳輸，以便對壓力傳感器芯片輸出的電信號進(jìn)行處理，因此，需要對將所述壓力傳感器芯片與信號處理電路芯片進(jìn)行系統(tǒng)封裝以形成MEMS電容式壓力傳感器。
[0007]在現(xiàn)有的MEMS壓力傳感器制作方法中，集成壓力傳感器芯片和信號處理電路的工藝采用的工藝區(qū)別較大，實(shí)現(xiàn)單片集成的難度較大。同時(shí)，在單一襯底同時(shí)制作集成電路和壓力傳感器時(shí)，壓力傳感器的存在對集成電路的發(fā)展起到了阻礙的作用，在同一襯底上集成電路的存在也給小尺寸壓力傳感器的制作造成了困難。因此，用單一襯底作集成電路和壓力傳感器的制程較為復(fù)雜，所形成的器件尺寸較大，造成制造成本的提高。
[0008]在單一襯底上制作集成的壓力傳感器和電路時(shí)，如果先制作壓力傳感器的部件，后制作電路，壓力傳感器的工藝往往對襯底造成影響，導(dǎo)致集成電路制作的困難的成品率的降低。如果先制作集成電路，后制作壓力傳感器，集成電路的存在對壓力傳感器材料的選擇以及加工工藝的溫度有很大的限制，從而嚴(yán)重降低壓力傳感器的性能。
[0009]因此，急需一種可以有效集成壓力傳感器和集成電路的方法和結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明解決的問題是提供一種MEMS壓力傳感器及其形成方法，所述MEMS壓力傳感器制作方法中，制作工藝相互獨(dú)立，材料選擇自由，成品率高，后續(xù)集成方法簡單，從而形成的集成壓力傳感器性能和可靠性提高、尺寸縮小、工藝成本降低。
[0011]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種MEMS壓力傳感器的形成方法，包括:提供第一襯底，所述第一襯底包括相對的第一表面和第二表面，所述第一襯底包括至少一層導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)；提供第二襯底，所述第二襯底包括相對的第三表面和第四表面，所述第二襯底包括第二基底以及位于第二基底上的壓敏電極，所述第二襯底包括壓力傳感區(qū)，所述壓敏電極位于所述壓力傳感區(qū)內(nèi)，所述壓敏電極位于所述第二襯底的第三表面一側(cè)；將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定；在所述第一襯底與第二襯底的壓力傳感區(qū)之間形成空腔；去除所述第二基底，形成與所述第二襯底的第三表面相對的第五表面；自所述第二襯底的第五表面一側(cè)形成貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞用于將所述導(dǎo)電層與壓敏電極形成電連接。
[0012]可選的，所述第二襯底內(nèi)還包括固定電極，所述固定電極與所述壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
[0013]可選的，所述第一襯底內(nèi)還包括固定電極，所述固定電極位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)；在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述固定電極與壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
[0014]可選的，所述空腔的形成步驟包括:在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之前，形成第一開口，所述第一開口位于所述第二襯底的第三表面一側(cè)或第一襯底的第一表面一側(cè)，或者所述第一襯底的第一表面一側(cè)和第二襯底第三表面一側(cè)均具有第一開口，所述第一開口的位置與所述壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
[0015]可選的，所述第一襯底還包括電路。
[0016]可選的，所述第二襯底的形成步驟包括:提供絕緣體上半導(dǎo)體襯底，所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底包括基底、位于基底表面的絕緣層、以及位于絕緣層表面的半導(dǎo)體層；刻蝕所述半導(dǎo)體層以形成壓敏電極，所述基底為第二基底。
[0017]可選的，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層；或者，所述第一襯底包括位于所述第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層；或者，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層，且所述第一襯底包括位于第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層。
[0018]可選的，在所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層中，至少一者的材料包括絕緣材料。
[0019]可選的，將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定工藝為粘結(jié)工藝；所述第一結(jié)合層或第二結(jié)合層為粘結(jié)層，材料包括絕緣材料、半導(dǎo)體材料、金屬材料或有機(jī)材料。
[0020]可選的，將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定工藝為鍵合工
-H-
O
[0021]可選的，所述第一襯底還包括自測電極，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述自測電極的位置與所述壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
[0022]可選的，所述第二襯底還包括參考單元區(qū)；在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，還在所述第一襯底與第二襯底的參考單元區(qū)之間形成空腔，在受到相同外部壓力的情況下，所述參考單元區(qū)的第二襯底比壓力傳感區(qū)的第二襯底具有更小的形變。
[0023]可選的，形成貫通所述第一襯底的第二開口，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述第二開口的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
[0024]可選的，還包括:形成自所述第一襯底的第二表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第四導(dǎo)電插塞。
[0025]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種MEMS壓力傳感器的形成方法，包括:提供第一襯底，所述第一襯底包括相對的第一表面和第二表面，所述第一襯底包括至少一層導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)；提供第二襯底，所述第二襯底包括相對的第三表面和第四表面，所述第二襯底包括第二基底以及位于第二基底上或內(nèi)部的壓敏電極，所述第二襯底包括壓力傳感區(qū)，所述壓敏電極位于所述壓力傳感區(qū)內(nèi)，所述壓敏電極位于所述第二襯底的第三表面一側(cè)；將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定；在所述第一襯底與第二襯底的壓力傳感區(qū)之間形成空腔；對所述第二襯底的第四表面進(jìn)行減薄，去除部分厚度的第二基底，形成與所述第二襯底的第三表面相對的第五表面；自所述第二襯底的第五表面一側(cè)形成貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞用于將所述導(dǎo)電層與壓敏電極形成電連接。
[0026]可選的，所述第二襯底內(nèi)還具有固定電極，所述固定電極與所述壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
[0027]可選的，所述第一襯底內(nèi)還具有固定電極，所述固定電極位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)；在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述固定電極與導(dǎo)電壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
[0028]可選的，所述空腔的形成步驟包括:在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之前，形成第一開口，所述第一開口位于所述第二襯底的第三表面一側(cè)或第一襯底的第一表面一側(cè)，或者所述第一襯底的第一表面一側(cè)和第二襯底第三表面一側(cè)均具有第一開口，所述第一開口的位置與所述壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
[0029]可選的，所述第一襯底還包括電路。
[0030]可選的，在對所述第二襯底的第四表面進(jìn)行減薄之后，在所述第二襯底內(nèi)形成第三開口，且所述第三開口的位置與壓力傳感區(qū)對應(yīng)。
[0031]可選的，所述第二襯底的形成步驟包括:提供絕緣體上半導(dǎo)體襯底，所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底包括基底、位于基底表面的絕緣層、以及位于絕緣層表面的半導(dǎo)體層；刻蝕所述半導(dǎo)體層以形成壓敏電極，所述基底為第二基底。
[0032]可選的，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層；或者，所述第一襯底包括位于所述第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層；或者，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層，且所述第一襯底包括位于第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層。
[0033]可選的，在所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層中，至少一者的材料包括絕緣材料。
[0034]可選的，將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定工藝為粘結(jié)工藝；所述第一結(jié)合層或第二結(jié)合層為粘結(jié)層，材料包括絕緣材料、半導(dǎo)體材料、金屬材料或有機(jī)材料。
[0035]可選的，將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定工藝為鍵合工
-H-
O
[0036]可選的，所述第一襯底還包括自測電極，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述自測電極的位置與所述壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
[0037]可選的，所述第二襯底還包括參考單元區(qū)；在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，還在所述第一襯底與第二襯底的參考單元區(qū)之間形成空腔，在受到相同外部壓力的情況下，所述參考單元區(qū)的第二襯底比壓力傳感區(qū)的第二襯底具有更小的形變。
[0038]可選的，形成貫通所述第一襯底的第二開口，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述第二開口的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
[0039]可選的，還包括:在所述第二襯底的第五表面一側(cè)形成至少一個(gè)貫穿第二基底的第五通孔，所述第五通孔的位置與壓力傳感區(qū)對應(yīng)。
[0040]可選的，還包括:形成自所述第一襯底的第二表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第四導(dǎo)電插塞。
[0041]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種MEMS壓力傳感器，包括:第一襯底，所述第一襯底包括相對的第一表面和第二表面，所述第一襯底包括至少一層導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)；第二襯底，所述第二襯底包括相對的第三表面和第五表面，所述第二襯底包括壓敏電極，所述第二襯底包括壓力傳感區(qū)，所述壓敏電極位于所述壓力傳感區(qū)內(nèi)；所述第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定；所述第一襯底與第二襯底的壓力傳感區(qū)之間具有空腔；自所述第二襯底的第五表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞用于使所述導(dǎo)電層與壓敏電極電連接。
[0042]可選的，所述第二襯底內(nèi)還具有固定電極，所述固定電極與所述壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
[0043]可選的，所述第一襯底內(nèi)還具有固定電極，所述固定電極位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)，所述固定電極與壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
[0044]可選的，所述第一襯底還包括電路。
[0045]可選的，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層；或者，所述第一襯底包括位于所述第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層；或者，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層，且所述第一襯底包括位于第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層。
[0046]可選的，在所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層中，至少一者的材料包括絕緣材料。
[0047]可選的，所述第一結(jié)合層或第二結(jié)合層為粘結(jié)層，材料包括絕緣材料、半導(dǎo)體材料、金屬材料或有機(jī)材料。
[0048]可選的，所述第一結(jié)合層為鍵合層；或者，所述第二結(jié)合層為鍵合層；或者，所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層為鍵合層。
[0049]可選的，所述第一襯底還包括自測電極，所述自測電極的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
[0050]可選的，所述第二襯底還包括敏參考單元區(qū)；所述第一襯底與第二襯底的參考單元區(qū)之間也具有空腔，在受到相同外部壓力的情況下，所述參考單元區(qū)的第二襯底比壓力傳感區(qū)的第二襯底具有更小的形變。
[0051]可選的，還包括:貫通所述第一襯底的第二開口，所述第二開口的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
[0052]可選的，還包括:自所述第一襯底的第二表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第四導(dǎo)電插塞。
[0053]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種MEMS壓力傳感器，包括:第一襯底，所述第一襯底包括相對的第一表面和第二表面，所述第一襯底包括至少一層導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)；第二襯底，所述第二襯底包括相對的第三表面和第五表面，所述第二襯底包括第二基底以及位于第二基底上或內(nèi)部的壓敏電極，所述第二襯底包括壓力傳感區(qū)，所述壓敏電極位于所述壓力傳感區(qū)內(nèi)；所述第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定；所述第一襯底與第二襯底的壓力傳感區(qū)之間具有空腔；自所述第二襯底的第五表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞用于使所述導(dǎo)電層與壓敏電極電連接。
[0054]可選的，所述第二襯底內(nèi)還具有固定電極，所述固定電極與所述壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
[0055]可選的，所述第一襯底內(nèi)還具有固定電極，所述固定電極位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)，所述固定電極與導(dǎo)電壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
[0056]可選的，所述第一襯底還包括電路。
[0057]可選的，所述第二襯底內(nèi)具有第三開口，且所述第三開口的位置與壓力傳感區(qū)對應(yīng)。
[0058]可選的，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層；或者，所述第一襯底包括位于所述第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層；或者，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層，且所述第一襯底包括位于第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層。
[0059]可選的，在所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層中，至少一者的材料包括絕緣材料。
[0060]可選的，所述第一結(jié)合層或第二結(jié)合層為粘結(jié)層，材料包括絕緣材料、半導(dǎo)體材料、金屬材料或有機(jī)材料。
[0061]可選的，所述第一結(jié)合層為鍵合層；或者，所述第二結(jié)合層為鍵合層；或者，所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層為鍵合層。
[0062]可選的，所述第一襯底還包括自測電極，所述自測電極的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
[0063]可選的，所述第二襯底還包括敏參考單元區(qū)；所述第一襯底與第二襯底的參考單元區(qū)之間也具有空腔，在受到相同外部壓力的情況下，所述參考單元區(qū)的第二襯底比壓力傳感區(qū)的第二襯底具有更小的形變。
[0064]可選的，形成貫通所述第一襯底的第二開口，所述第二開口的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
[0065]可選的，還包括:至少一個(gè)位于所述第二襯底的第五表面一側(cè)并貫穿第二基底的第五通孔，所述第五通孔的位置與壓力傳感區(qū)對應(yīng)。
[0066]可選的，還包括:自所述第一襯底的第二表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第四導(dǎo)電插塞。
[0067]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0068]本發(fā)明的一種形成方法中，提供包括導(dǎo)電層的第一襯底、以及包括壓敏電極的第二襯底；而所述導(dǎo)電層位于第一襯底的第一表面一側(cè)，所述壓敏電極位于第二襯底的第三表面一側(cè)；通過將所述第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定，能夠形成第一襯底與第二襯底的疊層結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電層能夠用于對包括所述壓敏電極的電容所輸出的電信號進(jìn)行傳輸，而為了使所述導(dǎo)電層與包括所述壓敏電極的電容之間能夠?qū)崿F(xiàn)電連接，需要在去除第二基底并形成于第三表面相對的第五表面之后，形成第二襯底的第五表面貫穿至導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞；由于所述第二襯底的第五表面暴露出所述第一導(dǎo)電插塞，因此后續(xù)易于形成與所述第一導(dǎo)電插塞頂部以及壓敏電極電連接的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)所述壓敏電極與導(dǎo)電層之間的電連接。
[0069]由于所述導(dǎo)電層形成于第一襯底內(nèi)，所述壓敏電極形成于第二襯底內(nèi)，并通過使第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定，以形成第一襯底與第二襯底重疊，從而避免了在同一基底上方逐層形成導(dǎo)電層、固定電極、與固定電極對應(yīng)的壓敏電極、以及與所述壓敏電極與固定電極之間的空腔的步驟，能夠降低工藝難度，尤其是形成空腔的工藝難度。而且，能夠避免形成第一襯底的工藝溫度限制影響第二襯底的制造工藝，所述第二襯底以及內(nèi)部的壓敏電極的材料以及工藝選擇更廣泛，所形成的壓敏電極的靈敏度也相應(yīng)
[0070]由于所述第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面直接接觸，則所述第一表面與第三表面的接觸面積較大，使得第一襯底和第二襯底之間的相互支撐強(qiáng)度更高，所述第一襯底和第二襯底不易發(fā)生彎折、斷裂或形變，使得所形成的壓力傳感器的結(jié)構(gòu)更為穩(wěn)定，耐用性得到提高。
[0071]其次，上述方法導(dǎo)致由第二襯底的第四表面至第一襯底的第二表面之間的距離較小，有利于使所形成的壓力傳感器的尺寸減小，而且能夠使制造成本降低。
[0072]而且，由于通過形成自第二襯底的第五表面貫穿至導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞來實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電層與包括壓敏電極的電容之間的電連接，則無需在第一襯底第一表面與第二襯底第三表面之間設(shè)置額外的導(dǎo)電層，能夠避免所述額外的導(dǎo)電層在第一表面和第三表面之間產(chǎn)生應(yīng)力，進(jìn)而影響壓敏電極和導(dǎo)電層的性能。而且，所述第一襯底第一表面的材料、以及第二襯底第三表面的材料不受限制，能夠避免第一表面的材料與第三表面之間的材料熱膨脹系數(shù)過大，能夠使所形成的壓力傳感器件性能更穩(wěn)定；而且，形成第一襯底和第二襯底的工藝靈活度更高，則所述壓力傳感器的制造工藝應(yīng)用更廣泛，更有利于與其它集成導(dǎo)電層制程相兼容，而且制造成本降低。
[0073]進(jìn)一步，所述第二襯底內(nèi)還具有與壓敏電極對應(yīng)的固定電極，而所述壓敏電極與固定電極之間具有空腔，所述壓敏電極、固定電極和空腔構(gòu)成電容式的壓力傳感器，對所述壓敏電極施加壓力，能夠引起壓敏電極、固定電極和空腔構(gòu)成的電容發(fā)生變化，從而輸出隨壓力變化的電信號。
[0074]進(jìn)一步，所述第一襯底內(nèi)還具有固定電極，在所述第二襯底的第三表面形成第一開口，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，由所述第一開口和第一襯底第一表面形成位于壓敏電極和固定電極之間的空腔，所述壓敏電極、固定電極和空腔形成電容式的壓力傳感器。
[0075]進(jìn)一步，所述第一襯底包括電路，由于第一襯底與第二襯底重疊，因此，所述電路能夠?qū)Π▔好綦姌O的電容所輸出的電信號進(jìn)行處理。
[0076]進(jìn)一步，以提供絕緣體上半導(dǎo)體襯底形成所述第二襯底。其中，通過刻蝕所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底中的半導(dǎo)體層，能夠形成壓敏電極，所述壓敏電極在受到應(yīng)力作用下能夠發(fā)生形變，以引起壓敏電極與固定電極之間的電容變化，從而輸出與所受壓力有關(guān)的電信號。由于所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底中的半導(dǎo)體層為單晶半導(dǎo)體材料，在所述單晶半導(dǎo)體材料中摻雜離子所形成的壓敏電極具有良好的壓力敏感特性，能夠使所形成的壓敏電極的靈敏度及耐久度提高。
[0077]進(jìn)一步，在所述第二襯底的第三表面、第一襯底的第一表面、或者第一表面和第三表面同時(shí)形成第一開口，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，由所述第一開口和第一襯底第一表面形成位于壓敏電極和固