襯底100直至暴露出至少一層導(dǎo)電層103，在第一襯底100內(nèi)形成第四通孔；在所述第四通孔內(nèi)形成第四導(dǎo)電插塞800。
[0310]在本實施例中，在形成第四介質(zhì)層801之前，還能夠自所述第一襯底100的第二表面102 —側(cè)進行減薄，使得形成第四通孔的刻蝕工藝難度降低、刻蝕深度減小。
[0311]在本實施例中，在形成第四導(dǎo)電插塞800之后，還包括:在所述第四介質(zhì)層表面形成第四導(dǎo)電層802，所述第四導(dǎo)電層802還位于所述第四導(dǎo)電插塞800的頂部。此外，所述第四導(dǎo)電層802表面還能夠形成焊球803，所述焊球803用于使所形成的MEMS壓力傳感器能夠與基板布線電連接。
[0312]所述第四介質(zhì)層801用于電隔離所述第四導(dǎo)電層802與第一基底104 ;所述第四介質(zhì)層801的材料包括氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、低k介質(zhì)材料或超低k介質(zhì)材料。所述第四導(dǎo)電層802的材料包括導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料包括金屬、金屬化合物或摻雜離子的半導(dǎo)體材料。所述刻蝕形成第四通孔的工藝為各向異性的干法刻蝕工藝。自所述第一襯底100的第二表面102 —側(cè)進行減薄的工藝為化學(xué)機械拋光工藝。
[0313]所述第四導(dǎo)電插塞800的形成步驟包括:在所述第二表面102和第四通孔內(nèi)形成填充滿所述第四通孔的導(dǎo)電膜；去除第二表面102上不必要的導(dǎo)電膜，形成所述第四導(dǎo)電插塞800。在一實施例中，能夠完全去除第二表面102上的導(dǎo)電膜。在另一實施例中，能夠在第二表面102上保留部分導(dǎo)電膜。
[0314]所述第四導(dǎo)電插塞800的一端能夠相對于第二表面102突出、凹陷或齊平。
[0315]在一實施例中，在形成所述導(dǎo)電膜之前，在所述第四通孔的側(cè)壁表面形成絕緣層，在形成絕緣層之后形成填充滿第四通孔的導(dǎo)電膜；所述絕緣層用于電隔離所述導(dǎo)電膜和第一基底104。
[0316]所述第四導(dǎo)電插塞800的材料包括銅、鎢、鋁、銀或金；所述導(dǎo)電膜的形成工藝包括物理氣相沉積工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、原子層沉積工藝、電鍍工藝或化學(xué)鍍工藝；去除第二表面102上的導(dǎo)電膜的工藝包括化學(xué)機械拋光工藝。此外，所述第一通孔的側(cè)壁表面還能夠形成第一阻擋層，所述導(dǎo)電膜形成于第一阻擋層表面，所述第一阻擋層的材料包括鈦、鉭、氮化鉭或氮化鈦中的一種或多種。
[0317]在另一實施例中，在將第一襯底和第二襯底相互固定之前，從第一襯底100的第一表面101 —側(cè)形成第四插塞，所述第四插塞能夠貫穿或不貫穿所述第一襯底100 ;當(dāng)所述第四插塞不貫穿所述第一襯底100時，在形成所述第四插塞之后，自所述第一襯底100的第二表面102—側(cè)進行減薄，直至暴露出所述第四插塞為止。在該實施例中，所形成的第四插塞自第一襯底100的第二表面102貫穿至第一表面101 —側(cè)的至少一層導(dǎo)電層103。所述第四導(dǎo)電插塞800的形成步驟包括:在所述第一襯底100的第一表面101 —側(cè)形成第四通孔，所述第四通孔的底部伸入第一基底104 ;在所述第一表面101 —側(cè)和第四通孔內(nèi)形成填充滿所述第四通孔的導(dǎo)電膜；去除第一表面101 —側(cè)不必要的導(dǎo)電膜，形成所述第四導(dǎo)電插塞。在一實施例中，在形成所述導(dǎo)電膜之前，在所述第四通孔的側(cè)壁表面形成絕緣層，在形成絕緣層之后形成填充滿第四通孔的導(dǎo)電膜；所述絕緣層用于電隔離所述導(dǎo)電膜和第一基底104。
[0318]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準。
【主權(quán)項】
1.一種MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，包括: 提供第一襯底，所述第一襯底包括相對的第一表面和第二表面，所述第一襯底包括至少一層導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)； 提供第二襯底，所述第二襯底包括相對的第三表面和第四表面，所述第二襯底包括第二基底以及位于第二基底上的壓敏電極，所述第二襯底包括壓力傳感區(qū)，所述壓敏電極位于所述壓力傳感區(qū)內(nèi)，所述壓敏電極位于所述第二襯底的第三表面一側(cè)； 將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定； 在所述第一襯底與第二襯底的壓力傳感區(qū)之間形成空腔； 去除所述第二基底，形成與所述第二襯底的第三表面相對的第五表面； 自所述第二襯底的第五表面一側(cè)形成貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞用于將所述導(dǎo)電層與壓敏電極形成電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二襯底內(nèi)還包括固定電極，所述固定電極與所述壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
3.如權(quán)利要求1所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述第一襯底內(nèi)還包括固定電極，所述固定電極位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)；在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述固定電極與壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
4.如權(quán)利要求3所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述空腔的形成步驟包括:在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之前，形成第一開口，所述第一開口位于所述第二襯底的第三表面一側(cè)或第一襯底的第一表面一側(cè)，或者所述第一襯底的第一表面一側(cè)和第二襯底第三表面一側(cè)均具有第一開口，所述第一開口的位置與所述壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
5.如權(quán)利要求1所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述第一襯底還包括電路。
6.如權(quán)利要求1所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二襯底的形成步驟包括:提供絕緣體上半導(dǎo)體襯底，所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底包括基底、位于基底表面的絕緣層、以及位于絕緣層表面的半導(dǎo)體層；刻蝕所述半導(dǎo)體層以形成壓敏電極；所述基底為第二基底。
7.如權(quán)利要求1所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層；或者，所述第一襯底包括位于所述第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層；或者，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層，且所述第一襯底包括位于第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層。
8.如權(quán)利要求7所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，在所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層中，至少一者的材料包括絕緣材料。
9.如權(quán)利要求7所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定工藝為粘結(jié)工藝；所述第一結(jié)合層或第二結(jié)合層為粘結(jié)層，材料包括絕緣材料、半導(dǎo)體材料、金屬材料或有機材料。
10.如權(quán)利要求1所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定工藝為鍵合工藝。
11.如權(quán)利要求1所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述第一襯底還包括自測電極，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述自測電極的位置與所述壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
12.如權(quán)利要求1所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二襯底還包括參考單元區(qū)；在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，還在所述第一襯底與第二襯底的參考單元區(qū)之間形成空腔，在受到相同外部壓力的情況下，所述參考單元區(qū)的第二襯底比壓力傳感區(qū)的第二襯底具有更小的形變。
13.如權(quán)利要求1所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，形成貫通所述第一襯底的第二開口，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述第二開口的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
14.如權(quán)利要求1所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，還包括:形成自所述第一襯底的第二表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第四導(dǎo)電插塞。
15.一種MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，包括: 提供第一襯底，所述第一襯底包括相對的第一表面和第二表面，所述第一襯底包括至少一層導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)； 提供第二襯底，所述第二襯底包括相對的第三表面和第四表面，所述第二襯底包括第二基底以及位于第二基底上或內(nèi)部的壓敏電極，所述第二襯底包括壓力傳感區(qū)，所述壓敏電極位于所述壓力傳感區(qū)內(nèi)，所述壓敏電極位于所述第二襯底的第三表面一側(cè)； 將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定； 在所述第一襯底與第二襯底的壓力傳感區(qū)之間形成空腔； 對所述第二襯底的第四表面進行減薄，去除部分厚度的第二基底，形成與所述第二襯底的第三表面相對的第五表面； 自所述第二襯底的第五表面一側(cè)形成貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞用于將所述導(dǎo)電層與壓敏電極形成電連接。
16.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二襯底內(nèi)還具有固定電極，所述固定電極與所述壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
17.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述第一襯底內(nèi)還具有固定電極，所述固定電極位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)；在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述固定電極與導(dǎo)電壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
18.如權(quán)利要求17所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述空腔的形成步驟包括:在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之前，形成第一開口，所述第一開口位于所述第二襯底的第三表面一側(cè)或第一襯底的第一表面一側(cè)，或者所述第一襯底的第一表面一側(cè)和第二襯底第三表面一側(cè)均具有第一開口，所述第一開口的位置與所述壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
19.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述第一襯底還包括電路。
20.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，在對所述第二襯底的第四表面進行減薄之后，在所述第二襯底內(nèi)形成第三開口，且所述第三開口的位置與壓力傳感區(qū)對應(yīng)。
21.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二襯底的形成步驟包括:提供絕緣體上半導(dǎo)體襯底，所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底包括基底、位于基底表面的絕緣層、以及位于絕緣層表面的半導(dǎo)體層；刻蝕所述半導(dǎo)體層以形成壓敏電極，所述基底為第二基底。
22.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層；或者，所述第一襯底包括位于所述第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層；或者，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層，且所述第一襯底包括位于第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層。
23.如權(quán)利要求22所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，在所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層中，至少一者的材料包括絕緣材料。
24.如權(quán)利要求22所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定工藝為粘結(jié)工藝；所述第一結(jié)合層或第二結(jié)合層為粘結(jié)層，材料包括絕緣材料、半導(dǎo)體材料、金屬材料或有機材料。
25.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定工藝為鍵合工藝。
26.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述第一襯底還包括自測電極，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述自測電極的位置與所述壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
27.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二襯底還包括參考單元區(qū)；在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，還在所述第一襯底與第二襯底的參考單元區(qū)之間形成空腔，在受到相同外部壓力的情況下，所述參考單元區(qū)的第二襯底比壓力傳感區(qū)的第二襯底具有更小的形變。
28.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，形成貫通所述第一襯底的第二開口，在將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定之后，所述第二開口的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
29.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，還包括:在所述第二襯底的第五表面一側(cè)形成至少一個貫穿第二基底的第五通孔，所述第五通孔的位置與壓力傳感區(qū)對應(yīng)。
30.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器的形成方法，其特征在于，還包括:形成自所述第一襯底的第二表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第四導(dǎo)電插塞。
31.一種MEMS壓力傳感器，其特征在于，包括: 第一襯底，所述第一襯底包括相對的第一表面和第二表面，所述第一襯底包括至少一層導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)； 第二襯底，所述第二襯底包括相對的第三表面和第五表面，所述第二襯底包括壓敏電極，所述第二襯底包括壓力傳感區(qū)，所述壓敏電極位于所述壓力傳感區(qū)內(nèi)； 所述第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定； 所述第一襯底與第二襯底的壓力傳感區(qū)之間具有空腔； 自所述第二襯底的第五表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞用于使所述導(dǎo)電層與壓敏電極電連接。
32.如權(quán)利要求31所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第二襯底內(nèi)還具有固定電極，所述固定電極與所述壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
33.如權(quán)利要求31所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第一襯底內(nèi)還具有固定電極，所述固定電極位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)，所述固定電極與壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
34.如權(quán)利要求31所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第一襯底還包括電路。
35.如權(quán)利要求31所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層；或者，所述第一襯底包括位于所述第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層；或者，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層，且所述第一襯底包括位于第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層。
36.如權(quán)利要求35所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，在所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層中，至少一者的材料包括絕緣材料。
37.如權(quán)利要求35所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第一結(jié)合層或第二結(jié)合層為粘結(jié)層，材料包括絕緣材料、半導(dǎo)體材料、金屬材料或有機材料。
38.如權(quán)利要求35所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第一結(jié)合層為鍵合層；或者，所述第二結(jié)合層為鍵合層；或者，所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層為鍵合層。
39.如權(quán)利要求31所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第一襯底還包括自測電極，所述自測電極的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
40.如權(quán)利要求31所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第二襯底還包括敏參考單元區(qū)；所述第一襯底與第二襯底的參考單元區(qū)之間也具有空腔，在受到相同外部壓力的情況下，所述參考單元區(qū)的第二襯底比壓力傳感區(qū)的第二襯底具有更小的形變。
41.如權(quán)利要求31所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，還包括:貫通所述第一襯底的第二開口，所述第二開口的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
42.如權(quán)利要求31所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，還包括:自所述第一襯底的第二表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第四導(dǎo)電插塞。
43.一種MEMS壓力傳感器，其特征在于，包括: 第一襯底，所述第一襯底包括相對的第一表面和第二表面，所述第一襯底包括至少一層導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)； 第二襯底，所述第二襯底包括相對的第三表面和第五表面，所述第二襯底包括第二基底以及位于第二基底上或內(nèi)部的壓敏電極，所述第二襯底包括壓力傳感區(qū)，所述壓敏電極位于所述壓力傳感區(qū)內(nèi)； 所述第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定； 所述第一襯底與第二襯底的壓力傳感區(qū)之間具有空腔； 自所述第二襯底的第五表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞用于使所述導(dǎo)電層與壓敏電極電連接。
44.如權(quán)利要求43所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第二襯底內(nèi)還具有固定電極，所述固定電極與所述壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
45.如權(quán)利要求43所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第一襯底內(nèi)還具有固定電極，所述固定電極位于所述第一襯底的第一表面一側(cè)，所述固定電極與導(dǎo)電壓敏電極對應(yīng)，所述空腔位于所述壓敏電極和固定電極之間。
46.如權(quán)利要求43所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第一襯底還包括電路。
47.如權(quán)利要求43所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第二襯底內(nèi)具有第三開口，且所述第三開口的位置與壓力傳感區(qū)對應(yīng)。
48.如權(quán)利要求43所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層；或者，所述第一襯底包括位于所述第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層；或者，所述第二襯底還包括位于所述第三表面一側(cè)的第二結(jié)合層，且所述第一襯底包括位于第一表面一側(cè)的第一結(jié)合層。
49.如權(quán)利要求48所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，在所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層中，至少一者的材料包括絕緣材料。
50.如權(quán)利要求48所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第一結(jié)合層或第二結(jié)合層為粘結(jié)層，材料包括絕緣材料、半導(dǎo)體材料、金屬材料或有機材料。
51.如權(quán)利要求48所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第一結(jié)合層為鍵合層；或者，所述第二結(jié)合層為鍵合層；或者，所述第一結(jié)合層和第二結(jié)合層為鍵合層。
52.如權(quán)利要求43所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第一襯底還包括自測電極，所述自測電極的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
53.如權(quán)利要求43所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述第二襯底還包括敏參考單元區(qū)；所述第一襯底與第二襯底的參考單元區(qū)之間也具有空腔，在受到相同外部壓力的情況下，所述參考單元區(qū)的第二襯底比壓力傳感區(qū)的第二襯底具有更小的形變。
54.如權(quán)利要求43所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，形成貫通所述第一襯底的第二開口，所述第二開口的位置與所述第二襯底的壓力傳感區(qū)的位置對應(yīng)。
55.如權(quán)利要求43所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，還包括:至少一個位于所述第二襯底的第五表面一側(cè)并貫穿第二基底的第五通孔，所述第五通孔的位置與壓力傳感區(qū)對應(yīng)。
56.如權(quán)利要求43所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，還包括:自所述第一襯底的第二表面一側(cè)貫穿至至少一層所述導(dǎo)電層的第四導(dǎo)電插塞。
【專利摘要】一種MEMS壓力傳感器及其形成方法，形成方法包括：提供包括第一表面和第二表面的第一襯底，第一襯底包括導(dǎo)電層，導(dǎo)電層位于第一襯底的第一表面一側(cè)；提供包括第三表面和第四表面的第二襯底，第二襯底包括第二基底和壓敏電極，第二襯底包括壓力傳感區(qū)，壓敏電極位于壓力傳感區(qū)內(nèi)，壓敏電極位于第二襯底的第三表面一側(cè)；將第一襯底的第一表面與第二襯底的第三表面相互固定，并在第一襯底與第二襯底的壓力傳感區(qū)之間形成空腔；去除第二基底，形成與第二襯底的第三表面相對的第五表面；自第二襯底的第五表面一側(cè)形成貫穿至導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電插塞，實現(xiàn)導(dǎo)電層與壓敏電極形成電連接。MEMS壓力傳感器的性能和可靠性提高、尺寸縮小、工藝成本降低。
【IPC分類】B81B3-00, G01L9-12, B81C1-00, G01L23-12, G01L1-14
【公開號】CN104655334
【申請?zhí)枴緾N201510084520
【發(fā)明人】周文卿
【申請人】邁爾森電子（天津）有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2015年2月16日