[0092]該閃爍晶體探測(cè)器的工作原理如下:當(dāng)粒子入射到閃爍晶體塊中的閃爍晶體條中，閃爍晶體條中的原子或分子受激而產(chǎn)生熒光，通過(guò)與該閃爍晶體條對(duì)接的第一透明體和第二透明體將該熒光傳輸?shù)焦怆姳对龉躊MT142的光陰極142A上，并在光陰極142上擊出光電子，光電子在光電倍增管PMT142內(nèi)被倍增、加速，從而在陽(yáng)極142B上形成電流脈沖輸出。
[0093]由于上述實(shí)施例一或?qū)嵤├龅拈W爍晶體塊的加工封裝精度較高，并且本發(fā)明實(shí)施例中的閃爍晶體探測(cè)器采用上述實(shí)施例一或?qū)嵤├龅拈W爍晶體塊，因此，本發(fā)明實(shí)施例中國(guó)的閃爍晶體探測(cè)器的晶體位置分辨率和靈敏度等技術(shù)指標(biāo)較好。
[0094]需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例三所述的閃爍晶體探測(cè)器可以用于核醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，具體地，其可以作為PET(中文全稱為正電子發(fā)射計(jì)算機(jī)斷層顯像，英文全稱為PositronEmiss1n computed Tomigraphy)閃爍晶體探測(cè)器。
[0095]以上所述僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。雖然本發(fā)明以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種閃爍晶體塊的制備方法，其特征在于，包括: 將閃爍晶體條嵌入到第一模具的模具孔內(nèi)，所述模具孔的截面形狀和尺寸與所述閃爍晶體條的截面形狀和尺寸相同； 向嵌入有閃爍晶體條的模具孔內(nèi)灌注第一透明膠，以形成與所述閃爍晶體條對(duì)接的第一透明體；其中，對(duì)接的閃爍晶體條和第一透明體形成加長(zhǎng)晶體條； 待所述第一透明膠固化后，將所述加長(zhǎng)晶體條從所述第一模具中取出，在所述加長(zhǎng)晶體條的側(cè)面上形成反光材料層； 將側(cè)面形成有反光材料層的不同長(zhǎng)度的加長(zhǎng)晶體條按照預(yù)設(shè)排列方式緊密排列粘接在一起，形成閃爍晶體塊；所述預(yù)設(shè)排列方式和所述多個(gè)不同長(zhǎng)度的加長(zhǎng)晶體條的長(zhǎng)度符合預(yù)形成的閃爍晶體塊的設(shè)計(jì)尺寸和遮光位置要求。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將側(cè)面形成有反光材料層的不同長(zhǎng)度的加長(zhǎng)晶體條按照預(yù)設(shè)排列方式緊密排列粘接在一起，形成閃爍晶體塊，具體包括: 按照預(yù)設(shè)排列方式將側(cè)面形成有反光材料層的不同長(zhǎng)度的加長(zhǎng)晶體條緊密排列在第二模具內(nèi)，以形成晶體條矩陣；其中，每個(gè)加長(zhǎng)晶體條的閃爍晶體條所在的一端朝向所述第二模具的底部，第一透明體所在的一端朝向所述第二模具的頂部，所述第二模具的內(nèi)腔形狀和尺寸和所述預(yù)形成的閃爍晶體塊的形狀和尺寸相同； 向所述第二模具內(nèi)灌注第二透明膠，以將所述晶體條矩陣中的各個(gè)加長(zhǎng)晶體條粘接在一起，粘接在一起的各個(gè)加長(zhǎng)晶體條形成晶體條矩陣合成塊； 待所述第二透明膠固化后，將所述晶體條矩陣合成塊從所述第二模具內(nèi)取出；其中，固化后的第二透明膠形成第二透明體； 對(duì)所述晶體條矩陣合成塊中的第二透明體的側(cè)面進(jìn)行反光處理，反光處理后的晶體條矩陣合成塊即為所述閃爍晶體塊。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述待所述第一透明膠固化后，將所述加長(zhǎng)晶體條從所述第一模具中取出，在所述加長(zhǎng)晶體條的側(cè)面上形成反光材料層之后，所述將側(cè)面形成有反光材料層的不同長(zhǎng)度的加長(zhǎng)晶體條按照預(yù)設(shè)排列方式緊密排列粘接在一起，形成閃爍晶體塊之前，還包括: 對(duì)加長(zhǎng)晶體條進(jìn)行長(zhǎng)度處理，以使加長(zhǎng)晶體條的長(zhǎng)度符合預(yù)形成的閃爍晶體塊對(duì)加長(zhǎng)晶體條長(zhǎng)度的要求。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第一模具由金屬材料或非金屬材料制成。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，制作所述第一模具的材料為不銹鋼、鋁合金、聚四氟乙烯、硅膠和乳膠中的任意一種。6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第一透明膠為聚氨酯或環(huán)氧樹脂。7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述加長(zhǎng)晶體條的側(cè)面進(jìn)行反光處理，具體包括: 采用浸漬、涂覆、真空濺射或電鍍的方式在所述加長(zhǎng)晶體條的側(cè)面上形成一層反光材料層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，反光材料層的材質(zhì)為二氧化鈦、硫酸鋇、三氧化二鋁、氧化鎂、銀和鋁中的任意一種。9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二透明膠與所述第一透明膠的材質(zhì)相同。10.—種閃爍晶體塊，其特征在于，包括相互粘接在一起的多個(gè)不同長(zhǎng)度的加長(zhǎng)晶體條，所述多個(gè)不同長(zhǎng)度的加長(zhǎng)晶體條按照預(yù)設(shè)排列方式緊密排列，所述預(yù)設(shè)排列方式和所述多個(gè)不同長(zhǎng)度的加長(zhǎng)晶體條的長(zhǎng)度符合閃爍晶體塊的設(shè)計(jì)尺寸和遮光位置要求； 其中，每個(gè)加長(zhǎng)晶體條均包括閃爍晶體條、以及與其一底面對(duì)接的第一透明體，且每個(gè)加長(zhǎng)晶體條的側(cè)面上設(shè)置有一層反光材料層；所述第一透明體通過(guò)向嵌入有閃爍晶體條的模具孔內(nèi)灌注第一透明膠的方式形成。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的閃爍晶體塊，其特征在于，所述閃爍晶體塊還包括:形成于多個(gè)不同長(zhǎng)度的加長(zhǎng)晶體條一端的第二透明體，所述第二透明體與所述加長(zhǎng)晶體條的第一透明體粘接，所述第二透明體的側(cè)面設(shè)置有一層反光材料層，所述第二透明體通過(guò)向所述相互粘接在一起的多個(gè)不同長(zhǎng)度的加長(zhǎng)晶體條一端灌注第二透明膠的方式形成。12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的閃爍晶體塊，其特征在于，所述第一模具由金屬材料或非金屬材料制成。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的閃爍晶體塊，其特征在于，制作所述第一模具的材料為不銹鋼、鋁合金、聚四氟乙烯、硅膠和乳膠中的任意一種。14.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的閃爍晶體塊，其特征在于，所述第一透明膠為聚氨酯或環(huán)氧樹脂。15.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的閃爍晶體塊，其特征在于，所述對(duì)所述加長(zhǎng)晶體條的側(cè)面進(jìn)行反光處理，具體包括: 采用浸漬、涂覆、真空濺射或電鍍的方式在所述加長(zhǎng)晶體條的側(cè)面上形成一層反光材料層。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的閃爍晶體塊，其特征在于，反光材料層的材質(zhì)為二氧化鈦、硫酸鋇、三氧化二鋁、氧化鎂、銀和鋁中的任意一種。17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的閃爍晶體塊，其特征在于，所述第二透明膠與所述第一透明膠的材質(zhì)相同。18.一種閃爍晶體探測(cè)器，包括:閃爍晶體塊，其特征在于，所述閃爍晶體塊為權(quán)利要求10至17任一項(xiàng)所述的閃爍晶體塊。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種閃爍晶體塊的制備方法，該方法通過(guò)向第一模具的模具孔內(nèi)灌注透明膠即可形成與閃爍晶體條對(duì)接的第一透明體。第一透明體可以看作是閃爍晶體條的延長(zhǎng)部分。因此，本發(fā)明借助模具灌膠的方式實(shí)現(xiàn)閃爍晶體條與其延長(zhǎng)部分的對(duì)接。這種實(shí)現(xiàn)對(duì)接的方式使得閃爍晶體條與其延長(zhǎng)部分的對(duì)接精度高，粘接強(qiáng)度大。而且在模具孔的限制下，閃爍晶體條和第一透明體之間很難出現(xiàn)對(duì)接錯(cuò)位的問(wèn)題。通過(guò)該方法形成的閃爍晶體塊的封裝精度高，有利于提高閃爍晶體探測(cè)器的位置分辨率和靈敏度。此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種閃爍晶體塊以及基于該閃爍晶體塊的閃爍晶體探測(cè)器。
【IPC分類】G01T1/202
【公開號(hào)】CN105403907
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510874125
【發(fā)明人】徐保偉, 梁國(guó)棟, 李楠, 吳國(guó)城, 趙健
【申請(qǐng)人】沈陽(yáng)東軟醫(yī)療系統(tǒng)有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請(qǐng)日】2015年12月2日