屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0035]請(qǐng)參閱圖1和圖2，其中，圖1是本實(shí)用新型所述的一種涂層測(cè)厚儀一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1中所述傳感器模塊50的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036]如圖1，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案，一種涂層測(cè)厚儀，包括殼體，所述殼體外設(shè)有IXD顯示屏70，所述殼體內(nèi)封裝有主控MCU10，所述主控MCU10采用32位CPU，所述IXD顯示屏70與所述主控MCU10電性連接；電源模塊60，所述電源模塊60為內(nèi)置式的聚合物鋰電池，所述電源模塊60與所述主控MCU10電性連接，所述電源模塊60還包括一逆變器61 (圖未視出)用以輸出高頻交流電；第一探頭30，所述第一探頭30內(nèi)設(shè)有一線圈，所述線圈在高頻交流電的作用下產(chǎn)生交變電磁場(chǎng)，當(dāng)?shù)谝惶筋^30與涂層接觸時(shí)，金屬基體上產(chǎn)生渦流并對(duì)第一探頭30中的線圈產(chǎn)生反饋?zhàn)饔?，所述第一探頭30將線圈受到的反饋信號(hào)傳送給所述主控MCU10，所述主控MCU10根據(jù)第一探頭30傳來的數(shù)據(jù)計(jì)算出涂層的厚度并在所述IXD顯示屏70上顯示，所述第一探頭30與所述主控MCU10電性連接；第二探頭31，所述第二探頭31與金屬基體構(gòu)成閉合磁路，所述第二探頭31將磁路磁阻變化信號(hào)傳送給所述主控MCU10，所述主控MCU10根據(jù)所述磁路磁阻變化信號(hào)計(jì)算出所述金屬基體上的涂層的厚度并在所述IXD顯示屏70上顯示，所述第二探頭31與所述主控MCU10電性連接；第三探頭32，所述第三探頭32還包括有用以產(chǎn)生超聲脈沖波的超聲波發(fā)射電路、用以接收超聲波回波的接收電路、用以計(jì)量脈沖數(shù)目的計(jì)數(shù)電路，所述超聲波發(fā)射電路激勵(lì)所述第三探頭32發(fā)射超聲波脈沖，所述超聲波脈沖經(jīng)待測(cè)物體的介面反射后由所述接收電路接收，所述計(jì)數(shù)電路與主控MCU10計(jì)算出涂層的厚度；存儲(chǔ)模塊20，所述存儲(chǔ)模塊20用以儲(chǔ)存涂層厚度的測(cè)量數(shù)據(jù)，包括測(cè)量的時(shí)間、測(cè)量時(shí)的溫度、環(huán)境光強(qiáng)度、物體的硬度、表面平均曲率、表面粗糙度、探頭30的角度、測(cè)出的厚度數(shù)值，以上數(shù)據(jù)以數(shù)組的形式保存在存儲(chǔ)模塊20中，所述存儲(chǔ)模塊20與所述主控MCU10電性連接；USB通信模塊92，所述USB通信模塊92與所述主控MCU10通過信號(hào)線連接，所述USB通信模塊92通過主控MCU10可以讀取所述存儲(chǔ)模塊20內(nèi)的數(shù)據(jù)，所述USB通信模塊92與所述電源模塊60電性連接；藍(lán)牙通信模塊91，所述藍(lán)牙通信模塊91與所述主控MCU10通過信號(hào)線連接，所述藍(lán)牙通信模塊91通過主控MCU10可以讀取所述存儲(chǔ)模塊20內(nèi)的數(shù)據(jù)；校準(zhǔn)模塊40，所述校準(zhǔn)模塊40與所述主控MCU10電性連接，所述校準(zhǔn)模塊40與傳感器模塊50電性連接；報(bào)警器80，所述報(bào)警器80包括指示燈、蜂鳴器，所述報(bào)警器80與所述主控MCU10電性連接。清洗裝置，所述殼體上還設(shè)有清洗裝置，所述清洗裝置用以清除涂層表面的污垢。
[0037]在上述實(shí)施例中，本儀器采用了渦流測(cè)厚方法，可無(wú)損地測(cè)量非磁性金屬基體(如銅、招、鋅、錫等)上非導(dǎo)電覆蓋層的厚度(如:琺瑯、橡膠、油漆、塑料等)。利用高頻交變電流在線圈中產(chǎn)生一個(gè)電磁場(chǎng)，當(dāng)探頭30與覆蓋層接觸時(shí)，金屬基體上產(chǎn)生電渦流，并對(duì)探頭30中的線圈產(chǎn)生反饋?zhàn)饔?，通過測(cè)量反饋?zhàn)饔玫拇笮】蓪?dǎo)出覆蓋層的厚度。通過設(shè)置校準(zhǔn)模塊40用以校準(zhǔn)讀數(shù)，使讀數(shù)更加準(zhǔn)確、可靠，在基體性質(zhì)變化不大的情況下，溫度等外界原因?qū)е碌臏y(cè)量誤差可由儀器自動(dòng)修正，修正后的測(cè)量誤差< 3%。測(cè)量精度高。當(dāng)金屬基體為鐵基時(shí)，第二探頭31工作，當(dāng)金屬基體為非鐵基時(shí)，第一探頭30工作。當(dāng)涂層可以介導(dǎo)超聲波時(shí)，第三探頭還可以進(jìn)一步測(cè)量涂層的厚度。不同探頭測(cè)出的涂層厚度數(shù)值，由所述主控MCU10計(jì)算出算術(shù)平均值進(jìn)而由所述LCD顯示屏70顯示。
[0038]進(jìn)一步的，所述校準(zhǔn)模塊40包括零點(diǎn)校準(zhǔn)模塊40，所述零點(diǎn)校準(zhǔn)模塊40基體性質(zhì)變化較大的情況下，可在無(wú)涂層基體上校零。零點(diǎn)校準(zhǔn)可在全量程獲得±(1+3% H)的精度。
[0039]更進(jìn)一步的，所述校準(zhǔn)模塊40還包括多點(diǎn)校準(zhǔn)模塊40，當(dāng)基體性質(zhì)較特殊，或者需要更小的誤差范圍時(shí)，可以采用所述多點(diǎn)校準(zhǔn)模塊40。多點(diǎn)校準(zhǔn)可在校準(zhǔn)點(diǎn)附近獲得(1%的誤差，在全量程范圍獲得±1+3% H)的精度。
[0040]所述零點(diǎn)校準(zhǔn)模塊40、多點(diǎn)校準(zhǔn)模塊40通過與之電性連接的按鍵激活或者關(guān)閉。
[0041]如圖2，作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述傳感器模塊50包括溫度傳感器501、加速度傳感器502、光傳感器503、三維掃描模塊504、曲率半徑測(cè)量?jī)x505、硬度測(cè)量?jī)x506、表面粗糙度測(cè)量?jī)x507、電阻率測(cè)量模塊508、濕度傳感器509 ;所述傳感器模塊50將測(cè)出的各種物理量信號(hào)傳遞給所述校準(zhǔn)模塊40，所述校準(zhǔn)模塊40將所述物理量信號(hào)傳遞給所述主控MCU10進(jìn)而校準(zhǔn)讀數(shù)。
[0042]在上述實(shí)施例中，通過設(shè)置溫度傳感器501用以測(cè)量溫度，通過設(shè)置加速度傳感器502用以測(cè)量探頭30的去向，通過設(shè)置光傳感器503用以測(cè)量環(huán)境光的強(qiáng)度，通過設(shè)置三維掃描模塊504用以構(gòu)建涂層的三維立體模型，通過設(shè)置曲率半徑測(cè)量?jī)x505用以測(cè)量涂層的曲率，通過設(shè)置硬度測(cè)量?jī)x506用以測(cè)量涂層的硬度，通過設(shè)置表面粗糙度測(cè)量?jī)x507用以測(cè)量涂層的硬度，通過設(shè)置電阻率測(cè)量模塊508用以金屬基體的電阻率，通過設(shè)置濕度傳感器509用以測(cè)量環(huán)境中的濕度。上述傳感器將所測(cè)出的物理量傳遞給所述主控MCU10，所述主控MCU10接收到上述數(shù)據(jù)后自動(dòng)校準(zhǔn)讀數(shù)。
[0043]影響測(cè)量精度的因素有:基體金屬電性質(zhì)，基體金屬的電導(dǎo)率對(duì)測(cè)量有影響，而基體金屬的電導(dǎo)率與其材料成分及熱處理方法有關(guān)。使用與試件基體金屬具有相同性質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)片對(duì)儀器進(jìn)行校準(zhǔn)。基體金屬厚度，每一種儀器都有一個(gè)基體金屬的臨界厚度。大于這個(gè)厚度，測(cè)量就不受基體金屬厚度的影響。邊緣效應(yīng)，本儀器對(duì)試件表面形狀的陡變敏感。因此在靠近試件邊緣或內(nèi)轉(zhuǎn)角處進(jìn)行測(cè)量是不可靠的。曲率，試件的曲率對(duì)測(cè)量有影響。這種影響總是隨著曲率半徑的減少明顯地增大。因此，在彎曲試件的表面上測(cè)量是不可靠的。試件的變形，探頭30會(huì)使軟覆蓋層試件變形，因此在這些試件上測(cè)出的數(shù)據(jù)是不可靠的。表面粗糙度，基體金屬和覆蓋層的表面粗糙程度對(duì)測(cè)量有影響。粗糙程度增大，影響增大。粗糙表面會(huì)引起系統(tǒng)誤差和偶然誤差，每次測(cè)量時(shí)，在不同位置上應(yīng)增加測(cè)量的次數(shù)，以克服這種偶然誤差。如果基體金屬粗糙，還必須在未涂覆的粗糙度相類似的基體金屬試件上取幾個(gè)位置校對(duì)儀器的零點(diǎn)；或用對(duì)基體金屬?zèng)]有腐蝕的溶液溶解除去覆蓋層后，再校準(zhǔn)儀器的零點(diǎn)。附著物質(zhì)，本儀器對(duì)那些妨礙探頭30與覆蓋層表面緊密接觸的附著物質(zhì)敏感，因此，必須清除附著物質(zhì)，以保證儀器探頭30和被測(cè)試件表面直接接觸。探頭30壓力，探頭30置于試件上所施加的壓力大小會(huì)影響測(cè)量的讀數(shù)，因此，要保持壓力恒定。探頭30的取向，探頭30的放置方式對(duì)測(cè)量有影響。在測(cè)量中，應(yīng)當(dāng)使探頭30與試樣表面保持垂直。磁場(chǎng)強(qiáng)度也對(duì)之有影響。
[0044]如圖1，作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述藍(lán)牙通信模塊與手機(jī)911通過無(wú)線信道連接。
[0045]在上述實(shí)施例中，通過手機(jī)911就可以操作本測(cè)厚儀，非常方便。
[0046]如圖1，作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述USB通信模塊92與PC上位機(jī)921通過信號(hào)線連接，所述PC上位機(jī)921與云服務(wù)器9211器通過GPRS連接。
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