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      用于功能安全(FUSA)應(yīng)用的具有開漏配置的復(fù)位輸出的制作方法

      文檔序號(hào):39997284發(fā)布日期:2024-11-15 14:54閱讀:來源:國(guó)知局

      技術(shù)特征:

      1.一種操作集成電路ic的輸出的方法,包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述ic的所述信號(hào)端子是所述輸出端子。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中導(dǎo)通所述第二電流以將所述fet驅(qū)動(dòng)到所述導(dǎo)通狀態(tài)包括:經(jīng)由所述ic的內(nèi)部上拉電阻器導(dǎo)通所述第二電流,以在所述fet的所述柵極上施加超過閾值電壓的電壓,并且由此將所述fet驅(qū)動(dòng)到所述導(dǎo)通狀態(tài)。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述fet是具有在0伏特與輸出低信號(hào)電壓之間的閾值電壓的n型金屬-氧化物-半導(dǎo)體(nmos)器件,

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中所述fet還限定主體,并且其中所述方法還包括通過向所述fet的所述主體施加正的直流(dc)電壓來降低所述fet的所述閾值電壓。

      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述fet是具有小于0伏特的閾值電壓的n型金屬-氧化物-半導(dǎo)體(nmos)器件。

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,還包括通過負(fù)電壓電荷泵(nvcp)選擇性地驅(qū)動(dòng)所述fet的柵極電壓低于所述閾值電壓,以將所述fet驅(qū)動(dòng)到所述非導(dǎo)通狀態(tài)。

      9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,還包括:

      10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,還包括在所述復(fù)位信號(hào)開始之后的時(shí)間段內(nèi),在所述ic的所述輸出端子與所述地端子之間選擇性地導(dǎo)通第三電流。

      11.一種集成電路ic,包括:

      12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的ic,其中所述ic的所述信號(hào)端子是所述輸出端子。

      13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的ic,還包括:

      14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的ic,其中導(dǎo)通所述第二電流以將所述fet驅(qū)動(dòng)到所述導(dǎo)通狀態(tài)包括:通過所述內(nèi)部上拉電阻器導(dǎo)通所述第二電流,以在所述fet的所述柵極上施加超過閾值電壓的電壓,并且由此將所述fet驅(qū)動(dòng)到所述導(dǎo)通狀態(tài)。

      15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的ic,其中所述fet是具有在0伏特與輸出低信號(hào)電壓之間的閾值電壓的n型金屬-氧化物-半導(dǎo)體(nmos)器件,

      16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的ic,其中所述fet還限定主體;并且

      17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的ic,其中所述fet是具有小于0伏特的閾值電壓的n型金屬-氧化物-半導(dǎo)體(nmos)器件。

      18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的ic,其中所述fet驅(qū)動(dòng)器電路包括負(fù)電壓電荷泵(nvcp),所述負(fù)電壓電荷泵(nvcp)被配置為響應(yīng)于所述復(fù)位信號(hào)選擇性地驅(qū)動(dòng)所述fet的柵極電壓低于所述閾值電壓,以將所述fet驅(qū)動(dòng)到所述非導(dǎo)通狀態(tài)。

      19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的ic,還包括ro驅(qū)動(dòng)器電路,所述ro驅(qū)動(dòng)器電路包括:

      20.一種用于車輛中的系統(tǒng)的電源電路,包括:


      技術(shù)總結(jié)
      用于功能安全(FUSA)應(yīng)用的具有開漏配置的復(fù)位輸出。示例實(shí)施方案包括操作集成電路(IC)的輸出的方法,該方法包括確定該IC中的錯(cuò)誤狀況;基于確定該IC中的該錯(cuò)誤狀況來生成復(fù)位信號(hào);通過場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)在該IC的輸出端子與地端子之間選擇性地導(dǎo)通第一電流,以將該輸出端子驅(qū)動(dòng)到低電壓狀態(tài),并且由此用信號(hào)通知該IC中的該錯(cuò)誤狀況;在該IC的信號(hào)端子與該FET的柵極之間導(dǎo)通第二電流,以將該FET驅(qū)動(dòng)到導(dǎo)通狀態(tài);以及響應(yīng)于該復(fù)位信號(hào)選擇性地將該FET驅(qū)動(dòng)到非導(dǎo)通狀態(tài)。

      技術(shù)研發(fā)人員:P·夸莫,R·科萊諾,Z·蘭德利塞克,D·J·朱斯
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/11/14
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