本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED器件衰減分析裝置及衰減分析方法。

背景技術(shù)：

OLED顯示器是一種主動(dòng)發(fā)光的顯示器件，其相對(duì)于液晶顯示器來(lái)說(shuō)，具有反應(yīng)速度快、對(duì)比度高、視角較廣等，受到人們的廣泛青睞。

現(xiàn)有OLED顯示器中，每個(gè)OLED單元包括陽(yáng)極層、陰極層以及設(shè)在陽(yáng)極層和陰極層之間的有機(jī)層，有機(jī)層包括電子傳輸層和空穴傳輸層，以及位于電子傳輸層和空穴傳輸層之間的發(fā)光層；而由于OLED顯示器這類OLED器件隨著使用時(shí)間增加，其種的有機(jī)層會(huì)發(fā)生一定的衰減，使得OLED顯示器的使用壽命受到很大的影響，且由于有機(jī)層發(fā)生衰減的原因多種多樣，目前還沒(méi)有一種OLED器件衰減分析裝置，能夠判斷OLED器件中發(fā)光層的發(fā)光材料是否發(fā)生本征衰減。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED器件衰減分析裝置及衰減分析方法，以判斷OLED器件中發(fā)光層的發(fā)光材料是否發(fā)生本征衰減。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種OLED器件衰減分析裝置，包括依次連接的差值函數(shù)構(gòu)建單元、積分單元、比較單元和判定單元；

所述差值函數(shù)構(gòu)建單元用于根據(jù)OLED器件老化前，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)；根據(jù)OLED器件老化后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)；其中，第一發(fā)光約束條件為單 重約束環(huán)境，所述單重約束環(huán)境為可變磁場(chǎng)環(huán)境，第二發(fā)光約束條件為雙重約束環(huán)境，所述雙重約束環(huán)境包括恒定微波環(huán)境和可變磁場(chǎng)環(huán)境，x為磁場(chǎng)強(qiáng)度；

所述積分單元用于在可變磁場(chǎng)環(huán)境對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)，對(duì)老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)進(jìn)行積分，得到老化前積分結(jié)果Ena，對(duì)老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)進(jìn)行積分，得到老化后積分結(jié)果Ea；

所述比較單元用于比較與的大小關(guān)系；其中，Lna為非發(fā)光約束條件下，老化前OLED器件的發(fā)光亮度，La為非發(fā)光約束條件下，老化后OLED器件的發(fā)光亮度；

所述判定單元用于根據(jù)與的大小關(guān)系比較結(jié)果，判斷OLED器件的發(fā)光層的發(fā)光材料是否發(fā)生本征衰減。

優(yōu)選的，所述差值函數(shù)構(gòu)建單元包括函數(shù)構(gòu)建模塊以及與函數(shù)構(gòu)建模塊的輸出端相連的差值運(yùn)算模塊；所述函數(shù)構(gòu)建模塊的輸入端與數(shù)據(jù)獲取單元的輸出端相連，所述差值運(yùn)算模塊的輸出端與積分單元的輸入端相連；

所述函數(shù)構(gòu)建模塊用于存儲(chǔ)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度，根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化前第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第一老化前發(fā)光亮度曲線的第一老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₁₁(x)，根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化前第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第二老化前發(fā)光亮度曲線的第二老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₂₁(x)；根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化后第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第一老化后發(fā)光亮度曲線的第一老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₁₂(x)，根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化后第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第二老化后發(fā)光亮度曲線的第二老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₂₂(x)；

所述差值運(yùn)算模塊用于根據(jù)第一老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₁₁(x)與第二老化 前發(fā)光亮度函數(shù)f₂₁(x)構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)；以及根據(jù)第一老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₁₂(x)與第二老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₂₂(x)構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)；其中，f₁(x)＝|f₁₁(x)-f₂₁(x)|，f₂(x)＝|f₁₂(x)-f₂₂(x)|。

優(yōu)選的，所述判定單元用于在時(shí)，判定OLED器件中發(fā)光層的發(fā)光材料未發(fā)生本征衰減；在時(shí)，判定OLED器件中發(fā)光層的發(fā)光材料發(fā)生本征衰減。

優(yōu)選的，所述OLED器件衰減分析裝置還包括數(shù)據(jù)獲取單元，所述數(shù)據(jù)獲取單元的輸出端分別與差值函數(shù)構(gòu)建單元的輸入端和比較單元的輸入端相連；

所述數(shù)據(jù)獲取單元用于獲取OLED器件老化前后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度；還用于獲取非發(fā)光約束條件下，老化前OLED器件的發(fā)光亮度Lna，和老化后OLED器件的發(fā)光亮度La；

所述數(shù)據(jù)獲取單元還用于獲取非發(fā)光約束條件下，老化前OLED器件的發(fā)光亮度Lna，和老化后OLED器件的發(fā)光亮度La；

所述比較單元還用于存儲(chǔ)非發(fā)光約束條件下，老化前OLED器件的發(fā)光亮度Lna，和老化后OLED器件的發(fā)光亮度La，以及比較Lna與La的大小關(guān)系；

所述判定單元還用于根據(jù)Lna與La的大小關(guān)系的比較結(jié)果，判斷OLED器件是否發(fā)生老化。

較佳的，所述判定單元用于在La<Lna時(shí)，判定所述OLED器件發(fā)生老化；在La＝Lna時(shí)，判定所述OLED器件未發(fā)生老化。

優(yōu)選的，所述OLED器件衰減分析裝置還包括：磁場(chǎng)生成單元、微波發(fā)生單元、光學(xué)測(cè)量單元以及與光學(xué)測(cè)量單元；所述光學(xué)測(cè)量單元的輸出端與所述數(shù)據(jù)獲取單元相連；

所述磁場(chǎng)生成單元用于給OLED器件提供可變磁場(chǎng)環(huán)境；

所述微波發(fā)生單元用于給OLED器件提供恒定微波環(huán)境；

所述光學(xué)測(cè)量單元用于測(cè)量OLED器件老化前后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度；和/或，

測(cè)量OLED器件老化前后，非發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度。

較佳的，所述磁場(chǎng)生成單元為可控勵(lì)磁電源，所述可控勵(lì)磁電源所提供的磁場(chǎng)環(huán)境中設(shè)有用于承載OLED器件的微波載臺(tái)，所述微波發(fā)生單元的發(fā)射端通過(guò)波導(dǎo)管與微波載臺(tái)相連。

較佳的，所述光學(xué)測(cè)量裝置為光功率計(jì)或光電倍增管。

較佳的，所述OLED器件衰減測(cè)試裝置還包括向OLED器件供電的電源。

優(yōu)選的，所述恒定微波環(huán)境的微波頻率為10GHz-20GHz，所述可變磁場(chǎng)環(huán)境的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍為0-500mT。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的OLED器件衰減分析裝置具有如下有益效果：

本發(fā)明提供的OLED器件中，第一發(fā)光約束條件為可變磁場(chǎng)環(huán)境的單重約束環(huán)境，使得無(wú)論是老化前還是老化后的OLED器件，其中形成激子的電子和空穴均能響應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化，以發(fā)出不同亮度的光；而第二發(fā)光約束條件為恒定微波環(huán)境和可變磁場(chǎng)環(huán)境的雙重約束環(huán)境，使得無(wú)論是老化前還是老化后的OLED器件，其中形成激子的電子和空穴不僅能夠響應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化，而且還能夠在恒定微波的作用下，使得發(fā)光亮度在一定的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)出現(xiàn)突變，因此，本發(fā)明提供的OLED器件衰減分析裝置中，通過(guò)差值函數(shù)構(gòu)建單元根據(jù)OLED器件老化前后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)和老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)，并在可變磁場(chǎng)環(huán)境對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)對(duì)其積分，即可得到表征老化前OLED器件內(nèi)激子的數(shù)量的老化前積分結(jié)果Ena，以及表征老化后OLED器件內(nèi)激子的數(shù)量的老化后積分結(jié)果Ea，而考慮到OLED器件中發(fā)光層中發(fā)光材料發(fā)生本征衰減后，其中的激子形成過(guò)程中，所存在的輻射躍遷機(jī)率相對(duì)非輻射躍遷概率相 對(duì)減少，而OLED器件的發(fā)光亮度可以表征輻射躍遷的概率，因此，可以通過(guò)將老化前OLED器件的發(fā)光亮度Lna和老化前積分結(jié)果Ena的比值與老化后OLED器件的發(fā)光亮度La和老化后積分結(jié)果Ea的比值進(jìn)行對(duì)比，以判斷出OLED器件的發(fā)光層中發(fā)光材料是否發(fā)生本征衰減。

本發(fā)明提供一種OLED器件衰減分析方法，包括：

根據(jù)OLED器件老化前，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)；根據(jù)OLED器件老化后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)；其中，第一發(fā)光約束條件為單重約束環(huán)境，所述單重約束環(huán)境為可變磁場(chǎng)環(huán)境，第二發(fā)光約束條件為雙重約束環(huán)境，所述雙重約束環(huán)境包括恒定微波環(huán)境和可變磁場(chǎng)環(huán)境，x為磁場(chǎng)強(qiáng)度；

在可變磁場(chǎng)環(huán)境對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)，對(duì)老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)進(jìn)行積分，得到老化前積分結(jié)果Ena，對(duì)老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)進(jìn)行積分，得到老化后積分結(jié)果Ea；

比較與的大小關(guān)系；其中，Lna為非發(fā)光約束條件下，老化前OLED器件的發(fā)光亮度，La為非發(fā)光約束條件下，老化后OLED器件的發(fā)光亮度；

根據(jù)與的大小關(guān)系比較結(jié)果，判斷OLED器件的發(fā)光層的發(fā)光材料是否發(fā)生本征衰減。

優(yōu)選的，根據(jù)OLED器件老化前，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)的方法包括：

根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化前第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第一老化前發(fā)光亮度曲線的第一老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₁₁(x)；

根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化前第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第二老化前發(fā)光亮度曲線的第二老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₂₁(x)；

根據(jù)第一老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₁₁(x)與第二老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₂₁(x)構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)；其中，f₁(x)＝|f₁₁(x)-f₂₁(x)|。

優(yōu)選的，根據(jù)OLED器件老化后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)的方法包括：

根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化后第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第一老化后發(fā)光亮度曲線的第一老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₁₂(x)，根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化后第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第二老化后發(fā)光亮度曲線的第二老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₂₂(x)；

根據(jù)第一老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₁₂(x)與第二老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₂₂(x)構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)；其中，f₂(x)＝|f₁₂(x)-f₂₂(x)|。

優(yōu)選的，根據(jù)與的大小關(guān)系比較結(jié)果，判斷OLED器件的發(fā)光層的發(fā)光材料是否發(fā)生本征衰減的方法包括：

在時(shí)，判定OLED器件中發(fā)光層的發(fā)光材料未發(fā)生本征衰減；在時(shí)，判定OLED器件中發(fā)光層的發(fā)光材料發(fā)生本征衰減。

優(yōu)選的，獲取OLED器件老化前后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度；獲取非發(fā)光約束條件下，老化前OLED器件的發(fā)光亮度Lna，和老化后OLED器件的發(fā)光亮度La；

存儲(chǔ)非發(fā)光約束條件下，老化前OLED器件的發(fā)光亮度Lna，和老化后OLED器件的發(fā)光亮度La，以及比較Lna與La的大小關(guān)系；

根據(jù)Lna與La的大小關(guān)系的比較結(jié)果，判斷OLED器件是否發(fā)生老化。

較佳的，根據(jù)Lna與La的大小關(guān)系的比較結(jié)果，判斷OLED器件是否發(fā)生老化的方法包括：

在La<Lna時(shí)，判定所述OLED器件發(fā)生老化；在La＝Lna時(shí)，判定所述OLED器件未發(fā)生老化。

優(yōu)選的，所述可變磁場(chǎng)環(huán)境的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍為0-500mT，恒定微波環(huán)境的微波頻率為10GHz-20GHz。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的OLED器件衰減分析方法的有益效果與上述技術(shù)方案提供的OLED器件衰減分析裝置的有益效果相同，在此不做贅述。

附圖說(shuō)明

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析裝置的結(jié)構(gòu)框圖；

圖2為圖1中函數(shù)構(gòu)建單元的結(jié)構(gòu)框圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析裝置中OLED發(fā)光亮度測(cè)量單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析裝置在兩種發(fā)光約束條件下所構(gòu)建的函數(shù)對(duì)應(yīng)的曲線圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析裝置所構(gòu)建的差值函數(shù)對(duì)應(yīng)的曲線圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析方法的流程圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析方法中構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)的流程圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析方法中構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)的流程圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析方法中判斷OLED器件 是否發(fā)生老化的流程圖；

附圖標(biāo)記：

1-微波發(fā)生單元， 10-波導(dǎo)管；

100-數(shù)據(jù)獲取單元， 11-微波載臺(tái)；

2-磁場(chǎng)生成單元， 200-差值函數(shù)構(gòu)建單元；

201-函數(shù)構(gòu)建模塊， 202-差值運(yùn)算模塊；

3-光學(xué)測(cè)量單元， 30-光纖；

300-積分單元， 4-OLED器件；

400-比較單元， 500-判定單元。

具體實(shí)施方式

為了進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析裝置及衰減分析方法，下面結(jié)合說(shuō)明書附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

實(shí)施例一

請(qǐng)參閱圖1和圖6，本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析裝置包括：包括依次連接的差值函數(shù)構(gòu)建單元200、積分單元300、比較單元400和判定單元500，

差值函數(shù)構(gòu)建單元200用于根據(jù)OLED器件老化前，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)；根據(jù)OLED器件老化后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)；其中，第一發(fā)光約束條件為單重約束環(huán)境，所述單重約束環(huán)境為可變磁場(chǎng)環(huán)境，第二發(fā)光約束條件為雙重約束環(huán)境，所述雙重約束環(huán)境包括恒定微波環(huán)境和可變磁場(chǎng)環(huán)境，x為磁場(chǎng)強(qiáng)度；

積分單元300用于在可變磁場(chǎng)環(huán)境對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)，對(duì)老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)進(jìn)行積分，得到老化前積分結(jié)果Ena，對(duì)老化后發(fā)光 亮度差值函數(shù)f₂(x)進(jìn)行積分，得到老化后積分結(jié)果Ea；

比較單元400用于其中，Lna為非發(fā)光約束條件下，老化前OLED器件的發(fā)光亮度，La為非發(fā)光約束條件下，老化后OLED器件的發(fā)光亮度；

判定單元500用于根據(jù)與的大小關(guān)系比較結(jié)果，判斷OLED器件的發(fā)光層的發(fā)光材料是否發(fā)生本征衰減。

示例性的，判定單元500用于在時(shí)，判定OLED器件中發(fā)光層的發(fā)光材料未發(fā)生本征衰減；在時(shí)，判定OLED器件中發(fā)光層的發(fā)光材料發(fā)生本征衰減。

具體實(shí)施時(shí)，利用上述實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析裝置對(duì)老化前后的OLED器件進(jìn)行分析。

利用差值函數(shù)構(gòu)建單元200根據(jù)OLED器件老化前，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)；

利用積分單元300在可變磁場(chǎng)環(huán)境對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)，對(duì)老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)進(jìn)行積分，得到老化前積分結(jié)果Ena；

利用上述實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析裝置對(duì)老化后的OLED器件進(jìn)行如下分析：

利用差值函數(shù)構(gòu)建單元200根據(jù)OLED器件老化后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)；

利用積分單元300在可變磁場(chǎng)環(huán)境對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)，對(duì)老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)進(jìn)行積分，得到老化前積分結(jié)果Ea；

利用OLED器件衰減分析裝置對(duì)老化前后的OLED器件完成上述分析后，利用比較單元400比較與的大小關(guān)系；

利用判定單元500根據(jù)與的大小關(guān)系比較結(jié)果，判斷OLED器件的發(fā)光層的發(fā)光材料是否發(fā)生本征衰減。

示例性的，在時(shí)，判定OLED器件中發(fā)光層的發(fā)光材料未發(fā)生本征衰減；在時(shí)，判定OLED器件中發(fā)光層的發(fā)光材料發(fā)生本征衰減，而不是的電子傳輸層、空穴傳輸層、層界面，或者其他部分發(fā)生衰減。

通過(guò)上述具體實(shí)施過(guò)程可知，本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件中，第一發(fā)光約束條件為可變磁場(chǎng)環(huán)境的單重約束環(huán)境，使得無(wú)論是老化前還是老化后的OLED器件，其中形成激子的電子和空穴均能響應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化(如圖3中b曲線)，以發(fā)出不同亮度的光；而第二發(fā)光約束條件為恒定微波環(huán)境和可變磁場(chǎng)環(huán)境的雙重約束環(huán)境，使得無(wú)論是老化前還是老化后的OLED器件，其中形成激子的電子和空穴不僅能夠響應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化，而且還能夠在恒定微波的作用下，使得發(fā)光亮度在一定的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)出現(xiàn)突變(如圖3中a曲線)，因此，本發(fā)明提供的OLED器件衰減分析裝置中，通過(guò)差值函數(shù)構(gòu)建單元200根據(jù)OLED器件老化前后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建如圖4所示的老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)和老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)，并在可變磁場(chǎng)環(huán)境對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)對(duì)其積分，即可得到表征老化前OLED器件內(nèi)激子的數(shù)量的老化前積分結(jié)果Ena，以及表征老化后OLED器件內(nèi)激子的數(shù)量的老化后積分結(jié)果Ea，而考慮到OLED器件中發(fā)光層中發(fā)光材料發(fā)生本征衰減后，其中的激子形成過(guò)程中，所存在的輻射躍遷機(jī)率相對(duì)非輻射躍遷概率相對(duì)減少，而OLED器件的發(fā)光亮度可以表征輻射躍遷的概率，因此，可以通過(guò)將老化前OLED器件的發(fā)光亮度Lna和老化前積分結(jié)果Ena的比值與老化后OLED器件的發(fā)光亮度La和老化后積分結(jié)果Ea的比值 進(jìn)行對(duì)比，以判斷出OLED器件的發(fā)光層中發(fā)光材料是否發(fā)生本征衰減。

其中，第二發(fā)光約束條件下，無(wú)論是老化前還是老化后的OLED器件，其中形成激子的電子和空穴能夠在恒定微波的作用下，使得發(fā)光亮度在一定的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)出現(xiàn)突變，這是因?yàn)樵诘诙l(fā)光約束條件下的恒定微波環(huán)境和可變磁場(chǎng)環(huán)境的雙重約束環(huán)境，OLED器件中形成激子的電子和空穴發(fā)生共振響應(yīng)，從而使得OLED器件的發(fā)光亮度在一定的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)出現(xiàn)突變。

可以理解的是，OLED器件中激子在形成后，存在輻射躍遷kp和非輻射躍遷knp，輻射躍遷kp會(huì)發(fā)射光子，而相應(yīng)的非輻射躍遷knp則會(huì)在器件內(nèi)形成熱量擴(kuò)散掉，如果OLED器件中發(fā)光層所含有的發(fā)光材料出現(xiàn)變質(zhì)，則非輻射躍遷knp的概率相對(duì)于輻射躍遷kp的概率會(huì)增加，使得OLED器件的發(fā)光亮度降低，即OLED器件的發(fā)光亮度可以表征輻射躍遷的概率。

需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例中的恒定微波環(huán)境的微波頻率為10GHz-20GHz中的一個(gè)具體的微波頻率，例如10GHz、20GHz或15GHz，而可變磁場(chǎng)環(huán)境的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍為0-500mT，也可以根據(jù)實(shí)際情況選擇。

而為了提高OLED器件衰減分析的準(zhǔn)確性，老化前后的OLED器件為同一個(gè)OLED器件，因此，在利用OLED器件衰減分析裝置對(duì)老化前的OLED器件完成上述分析后，對(duì)OLED器件進(jìn)行老化處理，再利用OLED器件衰減分析裝置對(duì)老化前后的OLED器件完成上述分析。

可以理解的是，老化前的OLED器件和老化后的OLED器件也可以為同一型號(hào)同一批次的OLED器件即可，即可以先利用OLED器件衰減分析裝置對(duì)對(duì)老化前的OLED器件進(jìn)行上述分析，也可以先利用OLED器件衰減分析裝置對(duì)老化后的OLED器件進(jìn)行上述分析，但這樣會(huì)因?yàn)閭€(gè)體差異，導(dǎo)致OLED器件衰減分析準(zhǔn)確性差。

具體的，請(qǐng)參閱圖2、圖7和圖8，上述實(shí)施例中的差值函數(shù)構(gòu)建單元200包括函數(shù)構(gòu)建模塊201以及與函數(shù)構(gòu)建模塊201的輸出端相連的差值運(yùn)算模塊202；差值運(yùn)算模塊202的輸出端與積分單元300的輸入端相連；

函數(shù)構(gòu)建模塊201用于存儲(chǔ)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度，根據(jù) 可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化前第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第一老化前發(fā)光亮度曲線的第一老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₁₁(x)，根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化前第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第二老化前發(fā)光亮度曲線的第二老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₂₁(x)；根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化后第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第一老化后發(fā)光亮度曲線的第一老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₁₂(x)，根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化后第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第二老化后發(fā)光亮度曲線的第二老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₂₂(x)；

差值運(yùn)算模塊202用于根據(jù)第一老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₁₁(x)與第二老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₂₁(x)構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)；以及根據(jù)第一老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₁₂(x)與第二老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₂₂(x)構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f2(x)；其中，f₁(x)＝|f₁₁(x)-f₂₁(x)|，f₂(x)＝|f₁₂(x)-f₂₂(x)|。

具體實(shí)施時(shí)，請(qǐng)參閱圖7，利用函數(shù)構(gòu)建單元200構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)采用如下方法：

利用函數(shù)構(gòu)建模塊201根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化前第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第一老化前發(fā)光亮度曲線的第一老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₁₁(x)；第一老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₁₁(x)；

利用函數(shù)構(gòu)建模塊201根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化前第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第二老化前發(fā)光亮度曲線的第二老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₂₁(x)；

利用差值運(yùn)算模塊202根據(jù)第一老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₁₁(x)與第二老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₂₁(x)構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)；其中，f₁(x)＝|f₁₁(x)-f₂₁(x)|。

請(qǐng)參閱圖8，利用函數(shù)構(gòu)建單元200構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)采用如下方法：

利用函數(shù)構(gòu)建模塊201根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化后第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第一老化后發(fā)光亮度曲線的第一老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₁₂(x)；

利用函數(shù)構(gòu)建模塊201根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化后第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第二老化后發(fā)光亮度曲線的第二老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₂₂(x)；

利用差值運(yùn)算模塊202根據(jù)第一老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₁₂(x)與第二老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₂₂(x)構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)；其中，f₂(x)＝|f₁₂(x)-f₂₂(x)|。

示例性的，例如：圖3中b曲線示出了第一發(fā)光約束條件下的OLED器件對(duì)應(yīng)的發(fā)光亮度曲線，該OLED器件可以為老化前的OLED器件，也可以為老化后的OLED器件。

圖3中a曲線示出了第二發(fā)光約束條件下的OLED器件對(duì)應(yīng)的發(fā)光亮度曲線，該OLED器件可以為老化前的OLED器件，也可以為老化后的OLED器件。

通過(guò)對(duì)比圖3中a曲線和圖3中b曲線可以發(fā)現(xiàn)，第一發(fā)光約束條件下，無(wú)論是老化前還是老化后的OLED器件，對(duì)應(yīng)的發(fā)光亮度曲線比較平穩(wěn)，且隨著磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加，OLED器件的發(fā)光亮度也在逐漸增加。

第二發(fā)光約束條件下，由于在恒定微波環(huán)境和可變磁場(chǎng)環(huán)境的雙重約束環(huán)境的作用，無(wú)論是老化前還是老化后的OLED器件，其中形成激子的電子和空穴不僅能夠響應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化，而且還在恒定微波的作用下，其發(fā)光亮度在一定的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)出現(xiàn)突變。

通過(guò)上述實(shí)施例中構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)和構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)的具體過(guò)程可知，不管是OLED器件老化前，還是OLED器件老化后，本發(fā)明實(shí)施例均是先分別第一發(fā)光約束條件下的函數(shù)和 第一發(fā)光約束條件函數(shù)，然后將這兩個(gè)函數(shù)相減，即可得到對(duì)應(yīng)的差值函數(shù)，可見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例利用了OLED器件中形成激子的電子和空穴對(duì)第一發(fā)光約束條件和第二發(fā)光約束條件的響應(yīng)差異性，獲取能夠反映激子數(shù)量的差值函數(shù)，而通過(guò)對(duì)該差值函數(shù)進(jìn)行有限積分，所獲取的積分結(jié)果就能夠表征OLED器件內(nèi)激子的數(shù)量。

考慮到OLED器件經(jīng)過(guò)老化處理后，是否確實(shí)老化，請(qǐng)參閱圖1和圖9，上述實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析裝置還包括數(shù)據(jù)獲取單元100，數(shù)據(jù)獲取單元100的輸出端分別與差值函數(shù)構(gòu)建單元200的輸入端和比較單元400的輸入端相連；

示例性的，數(shù)據(jù)獲取單元100的輸出端與函數(shù)構(gòu)建模塊201的輸入端相連。

數(shù)據(jù)獲取單元100用于獲取OLED器件老化前，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度；以及獲取OLED器件老化后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度；還用于獲取非發(fā)光約束條件下老化前OLED器件的發(fā)光亮度Lna，和非發(fā)光約束條件下老化后OLED器件的發(fā)光亮度La；

比較單元400還用于存儲(chǔ)非發(fā)光約束條件下，老化前OLED器件的發(fā)光亮度Lna，和老化后OLED器件的發(fā)光亮度La，以及比較Lna與La的大小關(guān)系；

判定單元500還用于根據(jù)Lna與La的大小關(guān)系的比較結(jié)果，判斷OLED器件是否發(fā)生老化。

具體實(shí)施時(shí)，利用數(shù)據(jù)獲取單元100除了獲取OLED器件老化前，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度；以及獲取OLED器件老化后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度外，還獲取非發(fā)光約束條件下老花前OLED器件發(fā)光亮度Lna，以及老化后OLED器件發(fā)光亮度La，

利用比較單元400存儲(chǔ)非發(fā)光約束條件下，老化前OLED器件的發(fā)光亮 度Lna，和老化后OLED器件的發(fā)光亮度La，以及比較Lna與La的大小關(guān)系；

利用判定單元500根據(jù)Lna與La的大小關(guān)系的比較結(jié)果，判斷OLED器件是否發(fā)生老化。

通過(guò)上述具體實(shí)施過(guò)程可知，本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析裝置通過(guò)將數(shù)據(jù)獲取單元100的輸出端與比較單元400的輸入端相連，就能夠通過(guò)數(shù)據(jù)獲取單元100獲取非發(fā)光約束條件下，老化前后OLED器件的發(fā)光亮度，并通過(guò)比較單元400和判定單元500判斷其是否真正發(fā)生老化；而且，還能夠通過(guò)比較單元存儲(chǔ)非發(fā)光約束條件下，老化前后OLED器件的發(fā)光亮度，以便參與確定OLED器件中發(fā)光層的發(fā)光材料是否發(fā)生本征衰減。

可選的，判定單元500用于在La<Lna時(shí)，判定所述OLED器件發(fā)生老化；在La＝Lna時(shí)，判定所述OLED器件未發(fā)生老化。

需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例中數(shù)據(jù)獲取單元100獲取OLED器件發(fā)光亮度，可以通過(guò)如圖5所示的OLED發(fā)光亮度測(cè)量單元實(shí)現(xiàn)。該OLED發(fā)光亮度測(cè)量單元包括磁場(chǎng)生成單元2、微波發(fā)生單元1以及光學(xué)測(cè)量單元3；光學(xué)測(cè)量單元3的輸出端與數(shù)據(jù)獲取單元100相連；

磁場(chǎng)生成單元2用于給OLED器件提供可變磁場(chǎng)環(huán)境；

微波發(fā)生單元1用于給OLED器件提供恒定微波環(huán)境，硬件實(shí)現(xiàn)可通過(guò)普通的微波發(fā)生器實(shí)現(xiàn)，該微波發(fā)生器需能夠提供恒定波長(zhǎng)的微波。

光學(xué)測(cè)量單元3用于測(cè)量OLED器件老化前后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度；和/或，測(cè)量OLED器件老化前后，非發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度?？蛇x的，光學(xué)測(cè)量裝置可以為光功率計(jì)或光電倍增管，也可以為其他能夠測(cè)量發(fā)光亮度的裝置。

可以理解的是，為了便于OLED器件發(fā)光，可以進(jìn)一步增設(shè)向OLED器件供電的電源，使得該OLED發(fā)光亮度測(cè)量單元可以獨(dú)立工作；電源可以為高精度源表，如keithley2400，以保證向OLED器件提供恒定電流或者恒定電壓，使得OLED器件不會(huì)受到除磁場(chǎng)和微波其他因素的影響。

該OLED發(fā)光亮度測(cè)量單元各次測(cè)量中，OLED器件與測(cè)試條件對(duì)應(yīng)關(guān)系按照下表進(jìn)行。

表1 各次測(cè)量OLED器件與測(cè)試條件對(duì)應(yīng)關(guān)系

可選的，上述實(shí)施例中的磁場(chǎng)生成單元2為可控勵(lì)磁電源，可控勵(lì)磁電源所提供的磁場(chǎng)環(huán)境中設(shè)有用于承載OLED器件4的微波載臺(tái)11，微波發(fā)生單元1的發(fā)射端通過(guò)波導(dǎo)管10與微波載臺(tái)11相連。光學(xué)測(cè)量單元3通過(guò)光纖30收集OLED器件所放出的光。

由于磁場(chǎng)生成單元為可控勵(lì)磁電源，以保證能夠給OLED器件提供可變化的磁場(chǎng)，使得OLED器件能夠因響應(yīng)不同磁場(chǎng)強(qiáng)度，而發(fā)出不同亮度的光。

而且，由于微波載臺(tái)11能夠承載OLED器件，而微波發(fā)生單元1的發(fā)射端通過(guò)波導(dǎo)管10與微波載臺(tái)11相連，這樣微波載臺(tái)11又相當(dāng)于一個(gè)向OLED器件注入恒定微波環(huán)境的注入部件，且微波載臺(tái)11位于可變磁場(chǎng)環(huán)境中。

需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例中的微波波長(zhǎng)和磁場(chǎng)強(qiáng)度的范圍是有一定的對(duì)應(yīng)關(guān)系的；可選的，該微波發(fā)生器提供10GHz-20GHz中任意頻率的微波，如10GHz、13GHz或20GHz。可變磁場(chǎng)環(huán)境的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍為0-500mT。

實(shí)施例二

請(qǐng)參閱圖6，本發(fā)明實(shí)施例提供一種OLED器件衰減分析方法，包括：

根據(jù)OLED器件老化前，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函 數(shù)f₁(x)；根據(jù)OLED器件老化后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)；其中，第一發(fā)光約束條件為單重約束環(huán)境，所述單重約束環(huán)境為可變磁場(chǎng)環(huán)境，第二發(fā)光約束條件為雙重約束環(huán)境，所述雙重約束環(huán)境包括恒定微波環(huán)境和可變磁場(chǎng)環(huán)境，x為磁場(chǎng)強(qiáng)度；

在可變磁場(chǎng)環(huán)境對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍內(nèi)，對(duì)老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)進(jìn)行積分，得到老化前積分結(jié)果Ena，對(duì)老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)進(jìn)行積分，得到老化后積分結(jié)果Ea；

比較與的大小關(guān)系；其中，Lna為非發(fā)光約束條件下，老化前OLED器件的發(fā)光亮度，La為非發(fā)光約束條件下，老化后OLED器件的發(fā)光亮度；

根據(jù)與的大小關(guān)系比較結(jié)果，判斷OLED器件的發(fā)光層的發(fā)光材料是否發(fā)生本征衰減。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析方法的有益效果與上述實(shí)施例一提供的OLED器件衰減分析裝置的有益效果相同在，在此不做贅述。

另外，上述實(shí)施例在構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)前，需要獲取OLED器件老化前后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度。

可選的，根據(jù)與的大小關(guān)系比較結(jié)果，判斷OLED器件的發(fā)光層的發(fā)光材料是否發(fā)生本征衰減的方法包括：

在時(shí)，判定OLED器件中發(fā)光層的發(fā)光材料未發(fā)生本征衰減；在時(shí)，判定OLED器件中發(fā)光層的發(fā)光材料發(fā)生本征衰減。

需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例中的微波波長(zhǎng)和磁場(chǎng)強(qiáng)度的范圍是有一定的對(duì)應(yīng)關(guān)系的；可選的，該微波發(fā)生器提供10GHz-20GHz中任意頻率的微波， 如10GHz、13GHz或20GHz。可變磁場(chǎng)環(huán)境的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍為0-500mT。

具體的，請(qǐng)參閱圖7，根據(jù)OLED器件老化前，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)的方法包括：

根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化前第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第一老化前發(fā)光亮度曲線的第一老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₁₁(x)；

根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化前第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第二老化前發(fā)光亮度曲線的第二老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₂₁(x)；

根據(jù)第一老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₁₁(x)與第二老化前發(fā)光亮度函數(shù)f₂₁(x)構(gòu)建老化前發(fā)光亮度差值函數(shù)f₁(x)；其中，f₁(x)＝|f₁₁(x)-f₂₁(x)|。

請(qǐng)參閱圖8，根據(jù)OLED器件老化后，第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度和第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度的差值，構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)的方法包括：

根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化后第一發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第一老化后發(fā)光亮度曲線的第一老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₁₂(x)，根據(jù)可變磁場(chǎng)環(huán)境所對(duì)應(yīng)的可變磁場(chǎng)強(qiáng)度和OLED器件老化后第二發(fā)光約束條件下OLED器件發(fā)光亮度構(gòu)建表征第二老化后發(fā)光亮度曲線的第二老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₂₂(x)；

根據(jù)第一老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₁₂(x)與第二老化后發(fā)光亮度函數(shù)f₂₂(x)構(gòu)建老化后發(fā)光亮度差值函數(shù)f₂(x)；其中，f₂(x)＝|f₁₂(x)-f₂₂(x)|。

考慮到OLED器件在經(jīng)過(guò)老化處理后，需要確認(rèn)OLED器件是否真的被老化，因此，請(qǐng)參閱圖9，上述實(shí)施例提供的OLED器件衰減分析方法還包括：

獲取非發(fā)光約束條件下，老化前OLED器件的發(fā)光亮度Lna，和老化后OLED器件的發(fā)光亮度La；

存儲(chǔ)非發(fā)光約束條件下，老化前OLED器件的發(fā)光亮度Lna，和老化后OLED器件的發(fā)光亮度La，以及比較Lna與La的大小關(guān)系；

根據(jù)Lna與La的大小關(guān)系的比較結(jié)果，判斷OLED器件是否發(fā)生老化。

可選的，根根據(jù)Lna與La的大小關(guān)系的比較結(jié)果，判斷OLED器件是否發(fā)生老化的方法包括：

在La<Lna時(shí)，判定所述OLED器件發(fā)生老化；在La＝Lna時(shí)，判定所述OLED器件未發(fā)生老化。

在上述實(shí)施方式的描述中，具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。