技術特征：

技術總結
本發(fā)明提供了一種RSD芯片電流密度分布計算方法，屬于半導體技術領域。它解決了現(xiàn)有技術難于對RSD芯片二維電流密度分布進行計算等技術問題。一種RSD芯片電流密度分布計算方法，其特征在于，本計算方法為離散化方法，其方法步驟如下：步驟一、從RSD取出寬度為H、長度為RSD芯片直徑D的部分芯片；步驟二、將步驟一部分芯片離散化為N個小RSD單元排成單列；步驟三、將步驟二小RSD單元內部按照理想器件處理，即內部的Wn參數(shù)分布完全一樣，預充及正向導通電流密度分布均勻；步驟四、對小RSD單元的電流進行計算。本發(fā)明具有算法簡單、準確等優(yōu)點。

技術研發(fā)人員：彭亞斌
受保護的技術使用者：湖北科技學院
技術研發(fā)日：2017.04.26
技術公布日：2017.09.01