一種內(nèi)嵌式自容觸控屏及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種內(nèi)嵌式自容觸控屏以及包括該內(nèi)嵌式自容觸控屏的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的快速發(fā)展，觸控屏已經(jīng)普及到人們的日常生活中。其中，內(nèi)嵌式觸控屏將觸控屏的觸控電極內(nèi)嵌在液晶顯示屏內(nèi)部，可以減薄模組整體的厚度、降低制作成本，受到消費(fèi)者和面板廠商的青睞。內(nèi)嵌式觸控屏利用互電容原理或自電容原理檢測手指觸控的位置。其中，內(nèi)嵌式自容觸控屏將人體電容作用于全部自電容電極，人體觸摸屏幕所引起的觸控電容變化量會大于利用互電容原理制作出的觸控屏，因此自電容觸控屏能有效提高觸控的信噪比，從而提高觸控感應(yīng)的準(zhǔn)確性。
[0003]請參考圖1和圖2，圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種內(nèi)嵌式自容觸控顯示裝置的陣列基板的俯視圖，圖2是圖1中IA區(qū)的局部放大圖。內(nèi)嵌式自容觸控屏中，為了將自電容電極1260與觸控偵測芯片(未示出)連接，會設(shè)置與自電容電極1260對應(yīng)連接的觸控信號線1272，從而將觸控信號傳遞給觸控偵測芯片。且為了減小各自電容電極1260之間的電阻差及電容差以保證觸控精度，會設(shè)置與自電容電極1260對應(yīng)連接的虛擬觸控信號線1271。為了保證開口率，觸控信號線1272和虛擬觸控信號線1271在陣列基板上的正投影位于像素單元134之間間隙內(nèi)，一般地，觸控信號線1272和虛擬觸控信號線1271與數(shù)據(jù)線123方向相同且與數(shù)據(jù)線123絕緣疊層設(shè)置。
[0004]由于觸控信號線1272和虛擬觸控信號線1271與數(shù)據(jù)線123之間設(shè)置有絕緣層，觸控信號線1272、虛擬觸控信號線1271的位置處相對于絕緣層有較大的段差，尤其當(dāng)絕緣層采用SiNx或者Si02或者SiNx與Si02的復(fù)合材料制作時，絕緣層厚度變小，段差也就變大。段差大會導(dǎo)致該處配向摩擦強(qiáng)度低，又由于觸控信號線1272和虛擬觸控信號線1271與數(shù)據(jù)線123絕緣疊層設(shè)置，而數(shù)據(jù)線123對應(yīng)的黑矩陣寬度小，因此會產(chǎn)生漏光風(fēng)險。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]有鑒于此，本實用新型提供一種內(nèi)嵌式自容觸控屏及一種顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的漏光問題。
[0006]該內(nèi)嵌式自容觸控屏包括陣列基板、設(shè)置于陣列基板上的多條柵線、多條數(shù)據(jù)線、多個像素電極、公共電極以及多條觸控線；多條柵線和多條數(shù)據(jù)線交叉限定多個呈陣列分布的像素單元;公共電極被分割成多個獨(dú)立的自電容電極;各自電容電極對應(yīng)多個像素單
J L ο
[0007]多條觸控線包括，觸控信號線和虛擬觸控信號線；觸控信號線方向與數(shù)據(jù)線方向相同，虛擬觸控信號線方向與柵線方向相同；觸控信號線和虛擬觸控信號線均與對應(yīng)的自電容電極電性連接。
[0008]該顯示裝置包括該內(nèi)嵌式自容觸控屏。
[0009]本實用新型提供的一種內(nèi)嵌式自容觸控屏，將虛擬觸控信號線的走向設(shè)置為與柵線方向相同，同時虛擬觸控信號線在陣列基板的正投影位于像素單元之間間隙內(nèi)。由于柵線對應(yīng)的黑矩陣的寬度大于數(shù)據(jù)線對應(yīng)的黑矩陣的寬度，因此虛擬觸控信號線段差大造成的漏光可以被柵線對應(yīng)的黑矩陣遮擋，改善漏光現(xiàn)象。包括該內(nèi)嵌式自容觸控屏的顯示裝置的漏光風(fēng)險同樣可以減小。
【附圖說明】
[0010]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種內(nèi)嵌式自容觸控顯示裝置的陣列基板的俯視圖；
[0011]圖2是圖1中IA區(qū)的局部放大圖；
[0012]圖3是實施例一提供的內(nèi)嵌式自容觸控顯示裝置的陣列基板的俯視圖；
[0013]圖4是圖3中2A區(qū)的局部放大圖；
[0014]圖5是圖4中沿Aa線的顯示裝置局部截面圖；
[00?5]圖6是圖4中沿Bb線的顯示裝置局部截面圖；
[0016]圖7是實施例二提供的內(nèi)嵌式自容觸控顯示裝置的陣列基板的俯視圖；
[0017]圖8是圖7中3A區(qū)的局部放大圖；
[0018]圖9是圖8中沿Ce線的顯示裝置局部截面圖；
[0019]圖10是圖8中沿Dd線的顯示裝置局部截面圖；
[0020]圖11是實施例三提供的內(nèi)嵌式自容觸控顯示裝置陣列基板的俯視圖；
[0021]圖12是圖11中4A區(qū)的局部放大圖；
[0022]圖13是實施例四提供的另一種內(nèi)嵌式自容觸控顯示裝置陣列基板的俯視圖；
[0023]圖14是圖13中5A區(qū)的局部放大圖。
【具體實施方式】
[0024]為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實施例對本實用新型做進(jìn)一步說明。
[0025]需要說明的是，在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實用新型。但是本實用新型能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣。特別地，以下【具體實施方式】均以低溫多晶硅液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)為例加以說明，但是本實用新型同樣可以應(yīng)用在單晶硅液晶顯示裝置中。因此本實用新型不受下面公開的【具體實施方式】的限制。
[0026]實施例一
[0027]請參考圖3、圖4、圖5和圖6，圖3是實施例一提供的一種內(nèi)嵌式自容觸控顯示裝置的陣列基板的俯視圖，圖4是圖3中2A區(qū)的局部放大圖，圖5是圖4中沿Aa線的顯示裝置局部截面圖，圖6是圖4中沿Bb線的顯示裝置局部截面圖。
[0028]具體地，請參考圖5和圖6，內(nèi)嵌式自容觸控屏包括陣列基板221、設(shè)置于陣列基板221上的多條柵線222、多條數(shù)據(jù)線223、公共電極226以及多條觸控線227。該內(nèi)嵌式自容觸控屏還包括平坦化層214，平坦化層214覆蓋柵線222和數(shù)據(jù)線223，觸控線227位于平坦化層214之上。該顯示裝置包括該內(nèi)嵌式自容觸控屏，還包括彩膜基板231以及設(shè)置于彩膜基板231上的黑矩陣233。
[0029]平坦化層214的材料為SiNx或S12或SiNx與S12的復(fù)合材料或有機(jī)絕緣材料，采用SiNx或S12或SiNx與S12的復(fù)合材料時，平坦化層214的膜厚較薄，因此觸控線227處的段差大。需要說明的是，柵線222用于傳輸掃描信號，數(shù)據(jù)線223用于傳輸數(shù)據(jù)信號。
[0030]請參考圖3和圖4，多條柵線222和多條數(shù)據(jù)線223交叉限定多個呈陣列分布的像素單元234，各像素單元234之間包括沿柵線222方向的第一間隙2341和沿數(shù)據(jù)線223方向的第二間隙2342。公共電極226被分割成多個獨(dú)立的自電容電極2260;各自電容電極2260對應(yīng)多個像素單元234。
[0031]優(yōu)選地，各自電容電極2260對應(yīng)像素單元234的個數(shù)為三的倍數(shù)。在本實施例一中，各自電容電極2260對應(yīng)六個像素單元234，本實用新型對各自電容電極2260對應(yīng)的像素單元234的具體個數(shù)不做限定。
[0032]請繼續(xù)參考圖3和圖4，觸控線227包括，觸控信號線2272和虛擬觸控信號線2271。觸控信號線2272與數(shù)據(jù)線223方向相同，虛擬觸控信號線2271與柵線222方向相同；觸控信號線2272和虛擬觸控信號線2271在陣列基板221的正投影均位于像素單元234之間間隙區(qū)域內(nèi)；各觸控信號線2272與各虛擬觸控信號線2271不相交。每條觸控信號線2272將對應(yīng)的電容電極2260電連接至觸控偵測芯片(未示出)；每條虛擬觸控信號線2271和只與對應(yīng)的電容電極2260電連接，但是不連接至觸控偵測芯片。
[0033]具體地，柵線222和虛擬觸控信號線2271在陣列基板221的正投影均位于第一間隙2341內(nèi)；數(shù)據(jù)線223和觸控信號線2272在陣列基板221的正投影均位于第二間隙2342內(nèi)。柵線222和虛擬觸控信號線2271在彩膜基板231的正投影位于沿柵線222方向設(shè)置的黑矩陣233所在區(qū)域內(nèi)；數(shù)據(jù)線223和觸控信號線2272在彩膜基板231的正投影位于沿數(shù)據(jù)線223方向設(shè)置的黑矩陣233所在區(qū)域內(nèi)。
[0034]觸控信號線2272和虛擬觸控信號線2271的寬度小于或等于黑矩陣233的寬度。
[0035]具體地，請繼續(xù)參考圖5和圖6，觸控信號線2272的寬度小于或等于沿數(shù)據(jù)線223方向設(shè)置的黑矩陣233的寬度;虛擬觸控信號線2271的寬度小于或等于沿柵線222方向設(shè)置的黑矩陣233的寬度。
[0036]更具體地，位于同一個第二間隙2342區(qū)域內(nèi)的所有觸控信號線2272的總寬度小于或等于沿數(shù)據(jù)線223方向設(shè)置的黑矩陣233的寬度;位于同一個第一間隙2341區(qū)域內(nèi)的所有虛擬觸控信號線2271的總寬度小于或等于沿柵線222方向設(shè)置的黑矩陣233的寬度。
[0037]請繼續(xù)參考圖3，觸控信號線2272和虛擬觸控信號線2271均與對應(yīng)的自電容電極2260電性連接。各自電容電極2260與至少一條觸控信號線2272電性連接，一條觸控信號線2272只與一個自電容電極2260電性連接。各自電容電極2260與多條虛擬觸控信號線2271電性連接，一條虛擬觸控信號線2271只與一個自電容電極2260電性連接。
[0038]需要說明的是，在本實施例一中，各自電容電極2260與一條觸控信號線2272電性連接，一條觸控信號線22