設置的第一間隙2341內，在彩膜基板231上的正投影位于沿柵線222方向設置的黑矩陣233所在區(qū)域內，且與柵線222方向相同。位于同一個第一間隙2341區(qū)域內的所有虛擬觸控信號線2271的總寬度小于或等于沿柵線222方向設置的黑矩陣233的寬度。各自電容電極2260與九條虛擬觸控信號線2271電性連接，一條虛擬觸控信號線2271只與一個自電容電極2260電性連接。
[0064]需要說明的是，在本實施例三中，各自電容電極2260與九條虛擬觸控信號線2271電性連接，一條虛擬觸控信號線2271只與一個自電容電極2260電性連接。本實用新型對各自電容電極2260所連接的虛擬觸控信號線2271的具體條數(shù)不做限定。
[0065]本實用新型提供的一種內嵌式自容觸控顯示裝置，虛擬觸控信號線2271在陣列基板221的正投影位于像素單元234之間的第一間隙2341內，且走向與柵線222方向相同。由于柵線222對應的黑矩陣233的寬度大于數(shù)據(jù)線223對應的黑矩陣233的寬度，因此虛擬觸控信號線2271段差大造成的漏光可以被柵線222對應的黑矩陣233遮擋，改善漏光現(xiàn)象。本實施例三可以根據(jù)實際需求得到漏光風險小的內嵌式自容觸控顯示裝置。
[0066]實施例四
[0067]請參考圖13和圖14，圖13是實施例四提供的一種內嵌式自容觸控顯示裝置的陣列基板的俯視圖，圖14是圖13中5A區(qū)的局部放大圖。圖13和圖14為觸控信號線2272與自電容電極2260之間設置絕緣層且虛擬觸控信號線2271與自電容電極2260之間未設置絕緣層的內嵌式自容觸控屏的俯視圖。本實施例四中提供的一種內嵌式自容觸控屏與實施例一、實施例二和實施例三中提供的一種內嵌式自容觸控屏的結構相似，在此不再贅述，著重介紹本實施例四與實施例一、實施例二和實施例三的區(qū)別之處。
[0068]由于觸控信號線2272與自電容電極2260之間設置絕緣層，因此，觸控信號線2272與自電容電極2260通過過孔2273連接。
[0069]具體地，請繼續(xù)參考圖13和圖14，觸控信號線2272在陣列基板221上的正投影位于像素單元之間沿數(shù)據(jù)線223方向延伸的第二間隙2342內，在彩膜基板231上的正投影位于沿數(shù)據(jù)線223方向設置的黑矩陣233所在區(qū)域內，且與數(shù)據(jù)線223方向相同。位于同一個第二間隙2342區(qū)域內的所有觸控信號線2272的總寬度小于或等于沿數(shù)據(jù)線223方向設置的黑矩陣233的寬度。各自電容電極2260與一條觸控信號線2272電性連接，一條觸控信號線2272只與一個自電容電極2260電性連接。
[0070]需要說明的是，在本實施例四中，各自電容電極2260與一條觸控信號線2272電性連接，一條觸控信號線2272只與一個自電容電極2260電性連接。本實用新型對各自電容電極2260所連接的觸控信號線2272的具體條數(shù)不做限定。
[0071]由于虛擬觸控信號線2271與自電容電極2260之間未設置絕緣層，因此，虛擬觸控信號線2271與自電容電極2260直接電性連接。
[0072]更具體地，請繼續(xù)參考圖13和圖14，自電容電極2260上設置第二狹縫2262，第二狹縫2262在陣列基板221上的正投影位于第一間隙2341內，第二狹縫2262在彩膜基板231上的正投影位于沿柵線222方向設置的黑矩陣233所在區(qū)域內。虛擬觸控信號線2271與柵線222方向相同，虛擬觸控信號線2271設置在第二狹縫2262內直接與所在的自電容電極2260電性連接，且與其他自電容電極2260不發(fā)生電性連接。各自電容電極2260與九虛擬觸控信號線2271電性連接，一條虛擬觸控信號線2271只與一個自電容電極2260電性連接。虛擬觸控信號線2271的電阻率小于自電容電極2260的電阻率，以減小自電容電極2260的電阻差和電容差。
[0073]需要說明的是，在本實施例四中，各自電容電極2260上設置有九條第二狹縫2262，每條第二狹縫2262內均設置有與自電容電極2260電性連接的一條虛擬觸控信號線2271。本實用新型對各自電容電極2260上設置的第二狹縫2262的數(shù)目不做限定，對每條第二狹縫2262內的虛擬觸控信號線2271的數(shù)目不做限定。
[0074]需要說明的是，第二狹縫2262的寬度小于或等于沿柵線222方向設置的黑矩陣233的寬度，位于同一個第二狹縫2262內的所有虛擬觸控信號線2271的總寬度小于或等于沿柵線222方向設置的黑矩陣233的寬度。
[0075]本實用新型提供的一種內嵌式自容觸控顯示裝置，虛擬觸控信號線2271在陣列基板221的正投影位于像素單元234之間的第一間隙2341內，且走向與柵線222方向相同。由于柵線222對應的黑矩陣233的寬度大于數(shù)據(jù)線223對應的黑矩陣233的寬度，因此虛擬觸控信號線2271段差大造成的漏光可以被柵線222對應的黑矩陣233遮擋，改善漏光現(xiàn)象。本實施例四可以根據(jù)實際需求得到漏光風險小的內嵌式自容觸控顯示裝置。
[0076]以上內容是結合具體的優(yōu)選實施方式對本實用新型所作的進一步詳細說明，不能認定本實用新型的具體實施只局限于這些說明。對于本實用新型所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬于本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種內嵌式自容觸控屏，其特征在于，包括陣列基板、設置于所述陣列基板上的多條柵線、多條數(shù)據(jù)線、多個像素電極、公共電極以及多條觸控線;所述多條柵線和所述多條數(shù)據(jù)線交叉限定多個呈陣列分布的像素單元;所述公共電極被分割成多個獨立的自電容電極;各所述自電容電極對應多個所述像素單元； 所述多條觸控線包括，觸控信號線和虛擬觸控信號線;所述觸控信號線方向與所述數(shù)據(jù)線方向相同，所述虛擬觸控信號線方向與所述柵線方向相同；所述觸控信號線和所述虛擬觸控信號線均與對應的所述自電容電極電性連接。2.根據(jù)權利要求1所述的內嵌式自容觸控屏，其特征在于，各所述觸控信號線與各所述虛擬觸控信號線不相交。3.根據(jù)權利要求1所述的內嵌式自容觸控屏，其特征在于，所述觸控信號線和所述虛擬觸控信號線在所述陣列基板的正投影均位于所述像素單元之間間隙區(qū)域內。4.根據(jù)權利要求1所述的內嵌式自容觸控屏，其特征在于，各所述自電容電極與至少一條所述觸控信號線電性連接;各所述自電容電極與多條所述虛擬觸控信號線電性連接； 一條所述觸控信號線只與一個所述自電容電極電性連接;一條所述虛擬觸控信號線只與一個所述自電容電極電性連接。5.根據(jù)權利要求1所述的內嵌式自容觸控屏，其特征在于，所述觸控信號線與所述自電容電極之間設置絕緣層，所述觸控信號線通過過孔與所述自電容電極電性連接。6.根據(jù)權利要求1所述的內嵌式自容觸控屏，其特征在于，所述虛擬觸控信號線與所述自電容電極之間設置絕緣層，所述虛擬觸控信號線通過過孔與所述自電容電極電性連接。7.根據(jù)權利要求1所述的內嵌式自容觸控屏，其特征在于，所述自電容電極上設有多個第一狹縫，所述第一狹縫的方向與所述數(shù)據(jù)線的方向相同；所述觸控信號線設置在所述第一狹縫內。8.根據(jù)權利要求1所述的內嵌式自容觸控屏，其特征在于 所述自電容電極上設有多個第二狹縫，所述第二狹縫的方向與所述柵線的方向相同；所述虛擬觸控信號線設置在所述第二狹縫內，并與所述自電容電極電性連接； 所述虛擬觸控信號線電阻率小于所述自電容電極電阻率。9.根據(jù)權利要求1-8任一項所述的內嵌式自容觸控屏，其特征在于，還包括平坦化層；所述平坦化層覆蓋所述柵線和所述數(shù)據(jù)線，所述觸控信號線和所述虛擬觸控信號線位于所述平坦化層之上。10.根據(jù)權利要求9所述的內嵌式自容觸控屏，其特征在于，制成所述平坦化層的材料為SiNx或Si02。11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-10任一項所述的內嵌式自容觸控屏。12.根據(jù)權利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，還包括彩膜基板，所述彩膜基板上設置有黑矩陣;所述觸控信號線和所述虛擬觸控信號線的寬度小于或等于所述黑矩陣的寬度。
【專利摘要】本實用新型提供一種內嵌式自容觸控屏和一種顯示裝置，該顯示裝置包括該內嵌式自容觸控屏。該內嵌式自容觸控屏包括陣列基板、設置于所述陣列基板上的多條柵線、多條數(shù)據(jù)線、多個像素電極、公共電極以及多條觸控線。多條柵線和多條數(shù)據(jù)線交叉限定多個呈陣列分布的像素單元；公共電極被分割成多個獨立的自電容電極；各自電容電極對應多個像素單元。多條觸控線包括，觸控信號線和虛擬觸控信號線；觸控信號線方向與數(shù)據(jù)線方向相同，虛擬觸控信號線方向與柵線方向相同；觸控信號線和虛擬觸控信號線均與對應的自電容電極電性連接。本實用新型提供的內嵌式自容觸控屏和顯示裝置在保證開口率的前提下可以更好地改善顯示漏光現(xiàn)象。
【IPC分類】G06F3/044, G02F1/1362, G02F1/1333
【公開號】CN205375439
【申請?zhí)枴緾N201521079840
【發(fā)明人】周星耀, 謝亮, 劉亮
【申請人】上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司
【公開日】2016年7月6日
【申請日】2015年12月22日