技術總結
一種半導體存儲設備，包括：第一半導體存儲區(qū)域(11?1)；第二半導體存儲區(qū)域(11?2)；參考電路(12?6)；以及讀出放大器(12?1)，該讀出放大器(12?1)通過開關(12?2和12?3)在單單元模式中與參考電路和第一半導體存儲區(qū)域連接或與參考電路和第二半導體存儲區(qū)域連接，在雙單元模式中與第一半導體存儲區(qū)和第二半導體存儲區(qū)域連接。

技術研發(fā)人員：片山明
受保護的技術使用者：株式會社東芝
文檔號碼：201480077020
技術研發(fā)日：2014.08.27
技術公布日：2016.12.21