1.一種基于阱隔離與串接冗余晶體管的抗輻射SRAM單元制備方法，其特征在于，串接兩個PMOS晶體管和兩個NMOS晶體管，構(gòu)成一個反相器，兩個所述的反相器絞合互連，并連接兩個NMOS晶體管，構(gòu)成SRAM單元，其中反相器輸出端是存儲節(jié)點；其包括下述步驟：
步驟1：按照圖1所示電路結(jié)構(gòu)，設計基于阱隔離與串接冗余MOS晶體管的抗輻射SRAM單元；
步驟2：對圖1中SRAM單元的地址信號Addr、數(shù)據(jù)線Data和Data_b進行操作，使SRAM單元既能寫入和讀出數(shù)據(jù)，又能抵抗輻射。
2.按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的步驟1)中，按圖1所示電路結(jié)構(gòu)設計抗輻射SRAM單元中，反相器INV1由兩個PMOS晶體管P1和P2，兩個NMOS晶體管N1和N2串接而成；反相器INV2由兩個PMOS晶體管P3和P4，兩個NMOS晶體管N3和N4串接而成；驅(qū)動電壓為Vdd的反相器INV1和INV2構(gòu)成傳統(tǒng)的存儲單元，節(jié)點m1和m2是存儲節(jié)點，數(shù)值1對應電壓值Vdd，數(shù)值0對應地線電壓值；當Addr值為1時，如果數(shù)據(jù)線Data和Data_b上數(shù)值相反，則Data和Data_b上數(shù)值可分別寫入存儲節(jié)點m1和m2；當Addr值為1時，如果數(shù)據(jù)線Data和Data_b上數(shù)值都為三態(tài)值Z，對應電壓值約為Vdd/2，則存儲節(jié)點m1值和m2值分別讀出到Data和Data_b上；當?shù)刂沸盘朅ddr為0時，存儲節(jié)點m1穩(wěn)定存儲數(shù)據(jù)線Data以前寫入的數(shù)值，存儲節(jié)點m2穩(wěn)定存儲數(shù)據(jù)線Data_b以前寫入的數(shù)值。
3.按權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述的步驟1)中，所述PMOS晶體管P1的N阱NW1、PMOS晶體管P2的N阱NW2、NMOS晶體管N1的P阱PW1、NMOS晶體管N2的P阱PW2、PMOS晶體管P3的N阱NW3、PMOS晶體管P4的N阱NW4、NMOS晶體管N3的P阱PW3、NMOS晶體管N4的P阱PW4、NMOS晶體管N5的P阱PW5、NMOS晶體管N6的P阱PW6完全相互隔離；N阱NW1的接觸孔NWT1、N阱NW2的接觸孔NWT2、N阱NW3的接觸孔NWT3、N阱NW4的接觸孔NWT4分別通過金屬線連接到電源線Vdd；P阱PW1的接觸孔PWT1、P阱PW2的接觸孔PWT2、P阱PW3的接觸孔PWT3、P阱PW4的接觸孔PWT4、P阱PW5的接觸孔PWT5、P阱PW6的接觸孔PWT6分別通過金屬線連接到地線。
4.按權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述的步驟1)中，由于所有PMOS晶體管的N阱、所有NMOS晶體管的P阱都完全相互隔離，因此如果一個PMOS晶體管發(fā)生輻射，其產(chǎn)生的電子會被限制在它的N阱內(nèi)，不會影響其它晶體管，輻射產(chǎn)生的電子通過N阱的接觸孔釋放到電源線；如果一個NMOS晶體管發(fā)生輻射，其產(chǎn)生的電子會被限制在它的P阱內(nèi)，不會影響其它晶體管，輻射產(chǎn)生的電子通過P阱的接觸孔釋放到地線；如果輻射發(fā)生在反相器INV1或INV2中某一個PMOS晶體管或NMOS晶體管，反相器中串接的冗余PMOS晶體管或冗余NMOS晶體管會保證反相器輸出端(即存儲節(jié)點)暫時不變，待輻射效應消失后，絞合相連的另一個反相器會使正確數(shù)據(jù)穩(wěn)定存儲；當?shù)刂沸盘朅ddr為0時，如果輻射發(fā)生在NMOS晶體管N6或N5，Data和Data_b的三態(tài)值Z不會影響存儲節(jié)點m1值和m2值，待輻射產(chǎn)生的電子通過接觸孔釋放到地線，輻射效應消失后，數(shù)值發(fā)生變化的Data或Data_b值恢復為三態(tài)值Z，存儲節(jié)點m1值和m2值仍保持正確值。
5.按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的步驟2)中包括：
圖1中SRAM單元如果在寫入數(shù)據(jù)模式下，地址信號Addr設置為1，數(shù)據(jù)線Data和Data_b設置相反值，則Data值寫入存儲節(jié)點m1，Data_b值寫入存儲節(jié)點m2；
圖1中SRAM單元如果在穩(wěn)定存儲數(shù)據(jù)模式下，地址信號Addr設置為0，則存儲節(jié)點m1穩(wěn)定存儲數(shù)據(jù)線Data以前寫入的數(shù)值，存儲節(jié)點m2穩(wěn)定存儲數(shù)據(jù)線Data_b以前寫入的數(shù)值，此時Data值和Data_b值都為三態(tài)值；所有PMOS晶體管的N阱、所有NMOS晶體管的P阱都完全相互隔離，因此如果一個PMOS晶體管發(fā)生輻射，其產(chǎn)生的電子會被限制在它的N阱內(nèi)，不會影響其它晶體管，輻射產(chǎn)生的電子通過N阱的接觸孔釋放到電源線；如果一個NMOS晶體管發(fā)生輻射，其產(chǎn)生的電子會被限制在它的P阱內(nèi)，不會影響其它晶體管，輻射產(chǎn)生的電子通過P阱的接觸孔釋放到地線；如果輻射發(fā)生在反相器INV1或INV2中某一個PMOS晶體管或NMOS晶體管，反相器中串接的冗余PMOS晶體管或冗余NMOS晶體管會保證反相器輸出端暫時不變，待輻射效應消失后，絞合相連的另一個反相器會使正確數(shù)據(jù)穩(wěn)定存儲；如果輻射發(fā)生在NMOS晶體管N6或N5，存儲節(jié)點m1和m2不受影響，維持正確值；
圖1中SRAM單元如果在讀出數(shù)據(jù)模式下，地址信號Addr設置為1，數(shù)據(jù)線Data和Data_b都為三態(tài)值，對應電壓值約為Vdd/2，則存儲節(jié)點m1值讀出到Data上，存儲節(jié)點m2值讀出到Data_b上。