1.一種增進快閃存儲器可靠性的方法，其特征在于，所述快閃存儲器包括一字線、一位線、一參考位準線及一由晶體管構成的快閃存儲器單元，所述晶體管具有一連接所述字線的柵極結構、一連接所述位線的第一源/漏極和一連接所述參考位準線的第二源/漏極，
所述方法包括：
于一寫入期間，通過所述字線、位線及參考位準線，分別施加一第一開啟電壓、一第一電壓及一第二電壓至所述柵極結構、第一源/漏極和第二源/漏極，以對所述快閃存儲器單元執(zhí)行一寫入動作；
于所述寫入期間之后的一測試期間，通過所述字線、位線及參考位準線，分別施加一第二開啟電壓、一第三電壓及一第四電壓至所述柵極結構、第一源/漏極和第二源/漏極，以執(zhí)行一測試動作，所述測試動作為測試所述寫入期間寫入所述快閃存儲器單元的數(shù)據(jù)；
其中，所述第一開啟電壓大于所述第二開啟電壓、所述第一電壓大于所述第二電壓，且所述第四電壓大于所述第三電壓。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述快閃存儲器單元于所述測試期間會產(chǎn)生一測試電流，
所述方法更包括：
當所述測試電流的電流量低于一第一預定電流量時，結束所述測試動作；以及
當所述測試電流的電流量高于所述第一預定電流量時，重新執(zhí)行所述寫入動作。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶體管的所述柵極結構包括一控制柵和一浮柵。
4.一種快閃存儲器，其特征在于，所述快閃存儲器包括：
至少一電壓控制電路；
至少一字線，耦接對應的一電壓控制電路；
至少一位線，耦接所述電壓控制電路；
至少一參考位準線，耦接所述電壓控制電路；以及
至少一快閃存儲器單元，包括一晶體管，所述晶體管的柵極結構耦接所述字線， 所述晶體管的第一源/漏極耦接所述位線，且所述晶體管的第二源/漏極耦接所述參考位準線；
其中，在一寫入期間，所述電壓控制電路通過所述字線提供一第一開啟電壓于所述柵極結構、通過所述位線提供一第一電壓于所述第一源/漏極以及通過所述參考位準線提供一第二電壓于所述第二源/漏極，以對所述快閃存儲器單元執(zhí)行一寫入動作；
其中，在所述寫入動作執(zhí)行之后的一測試期間，所述電壓控制電路通過所述字線提供一第二開啟電壓于所述柵極結構、通過所述位線提供一第三電壓于所述第一源/漏極以及通過所述參考位準線提供一第四電壓于所述第二源/漏極，以執(zhí)行一測試動作，所述測試動作為測試所述寫入期間寫入所述快閃存儲器單元的數(shù)據(jù)；
其中，所述第一開啟電壓大于所述第二開啟電壓、所述第一電壓大于所述第二電壓，且所述第四電壓大于所述第三電壓。
5.如權利要求4所述的快閃存儲器，其特征在于，所述快閃存儲器單元更包括：
一第二晶體管，所述第二晶體管的柵極結構連接所述字線，所述第二晶體管的第一源/漏極耦接一第二位線，且所述晶體管的第二源/漏極耦接所述參考位準線；
其中，所述第二位線，耦接對應的所述第一電壓控制電路或?qū)囊坏诙妷嚎刂齐娐贰?/p>
6.如權利要求4或5所述的快閃存儲器，其特征在于，所述等參考位準線是耦接于同一電壓。
7.如權利要求4所述的快閃存儲器，其特征在于，所述晶體管的柵極結構具備一控制柵以及一浮柵。
8.如權利要求5所述的快閃存儲器，其特征在于，所述快閃存儲器是反或柵NOR型快閃存儲器。