技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種快閃存儲(chǔ)器與增進(jìn)快閃存儲(chǔ)器可靠性的方法。一種增進(jìn)快閃存儲(chǔ)器可靠性的方法，包括在寫(xiě)入期間，通過(guò)字線(xiàn)、位線(xiàn)及參考位準(zhǔn)線(xiàn)，分別施加第一開(kāi)啟電壓、第一電壓及第二電壓至晶體管的柵極結(jié)構(gòu)、第一源/漏極和第二源/漏極，以對(duì)快閃存儲(chǔ)器單元執(zhí)行寫(xiě)入動(dòng)作；于寫(xiě)入期間之后的測(cè)試期間，通過(guò)字線(xiàn)、位線(xiàn)及參考位準(zhǔn)線(xiàn)，分別施加第二開(kāi)啟電壓、第三電壓及第四電壓至晶體管的柵極結(jié)構(gòu)、第一源/漏極和第二源/漏極，以執(zhí)行測(cè)試動(dòng)作；其中，第一開(kāi)啟電壓大于第二開(kāi)啟電壓、第一電壓大于第二電壓，且第四電壓大于第三電壓。通過(guò)實(shí)施本發(fā)明，可增進(jìn)快閃存儲(chǔ)器的可靠性，防止快閃存儲(chǔ)器的制造良品率下降。

技術(shù)研發(fā)人員：顏定國(guó);許增鉅;張尚文;陳建隆
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華邦電子股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510739859
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.04
技術(shù)公布日：2017.05.10