1.一種提升閃存存儲器數(shù)據(jù)保持力的方法，其特征在于，包括如下步驟：
在所述閃存存儲器進入待機模式后，采用正常讀取電壓讀取所述閃存存儲器中的數(shù)據(jù)；
判斷所述閃存存儲器中是否存在0單元，若否，則隨后退出；
采用預設電壓讀取所述閃存存儲器中的數(shù)據(jù)，其中，所述預設電壓大于所述正常讀取電壓；
判斷所述閃存存儲器中是否存在閾值電壓小于所述預設電壓的0單元，若否，則隨后退出；
對所述閾值電壓小于所述預設電壓的0單元進行編程，以使所述0單元的閾值電壓大于所述預設電壓。
2.如權利要求1所述的提升閃存存儲器數(shù)據(jù)保持力的方法，其特征在于，所述0單元為所述閃存存儲器中閾值電壓大于所述正常讀取電壓的存儲單元。
3.如權利要求1所述的提升閃存存儲器數(shù)據(jù)保持力的方法，其特征在于，所述預設電壓小于編程驗證電壓。
4.如權利要求3所述的提升閃存存儲器數(shù)據(jù)保持力的方法，其特征在于，所述編程驗證電壓的取值范圍為7～9v。
5.如權利要求1所述的提升閃存存儲器數(shù)據(jù)保持力的方法，其特征在于，所述正常讀取電壓的取值范圍為5～6v。
6.如權利要求1所述的提升閃存存儲器數(shù)據(jù)保持力的方法，其特征在于，所述預設電壓的取值范圍為6～7v。
7.如權利要求1所述的提升閃存存儲器數(shù)據(jù)保持力的方法，其特征在于，所述閃存存儲器為NOR型閃存存儲器。
8.如權利要求7所述的提升閃存存儲器數(shù)據(jù)保持力的方法，其特征在于，所述NOR型閃存存儲器包括：
襯底；
隧穿氧化層，設置于所述襯底之上；
浮柵，設置于所述隧穿氧化層之上；
阻擋層，設置于所述浮柵之上。
9.如權利要求8所述的提升閃存存儲器數(shù)據(jù)保持力的方法，其特征在于，所述阻擋層為ONO阻擋層。
10.如權利要求8所述的提升閃存存儲器數(shù)據(jù)保持力的方法，其特征在于，所述NOR型閃存存儲器還包括設置于所述浮柵側壁的側墻。