本發(fā)明涉及芯片存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法和裝置。

背景技術(shù)：

根據(jù)實(shí)現(xiàn)的技術(shù)架構(gòu)的不同，閃存芯片可以分為norflash、nandflash和dinorflash等幾種類型。相比于其他幾種類型的閃存，nandflash能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快，因此，它是實(shí)現(xiàn)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的理想數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。nandflash作為一種非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)，它以半導(dǎo)體作為記憶載體，比傳統(tǒng)的存儲(chǔ)設(shè)備更能承受溫度的變化、機(jī)械的振動(dòng)和沖擊，可靠性更高，易于實(shí)現(xiàn)高速度、低功耗的存儲(chǔ)系，是解決大容量存儲(chǔ)技術(shù)的理想方案。

nandflash中是通過(guò)區(qū)分cell(存儲(chǔ)單元)導(dǎo)通的閾值電壓的差異來(lái)存儲(chǔ)不同的數(shù)據(jù)的，不同數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在cell中所代表的就是cell導(dǎo)通的閾值電壓不同。因?yàn)楣に?，操作等影響，相同的?shù)據(jù)在不同的cell上存儲(chǔ)時(shí)，cell的閾值電壓可能會(huì)有一些差異，不可能完全相同，所以只能選定一個(gè)電壓范圍作為cell所代表的數(shù)據(jù)，這個(gè)電壓范圍越精確集中，cell上存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的分辨率也就越好，能夠存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)個(gè)數(shù)也越多。但是在不同的溫度下，半導(dǎo)體器件的特性會(huì)隨著溫度的變化而變化，進(jìn)而導(dǎo)致cell的導(dǎo)通的閾值電壓發(fā)生變化，使得cell中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)所代表的閾值電壓范圍出現(xiàn)偏移，使得讀取cell數(shù)據(jù)時(shí)，對(duì)cell的數(shù)據(jù)可能會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤的判斷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述問(wèn)題，提出了本發(fā)明以便提供一種克服上述問(wèn)題或者至少部分地解決上述問(wèn)題的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法和相應(yīng)的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償裝置。

依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法，包括：

檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；

根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；

根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量的步驟，包括：

計(jì)算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值；

對(duì)所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

可選地，如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系，那么所述根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓的步驟，包括：

針對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元，分別計(jì)算各所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量的差值，得到所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系，那么所述根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓的步驟，包括：

針對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元，分別計(jì)算各所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量之和，得到所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓的步驟之后，還包括：

對(duì)所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲(chǔ)單元的最終判定電壓。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償裝置，包括：

溫度狀態(tài)電壓檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；

調(diào)整量獲取模塊，用于根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；

電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊，用于根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，所述調(diào)整量獲取模塊，包括：

第一差值獲取子模塊，用于計(jì)算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值；

模數(shù)變換子模塊，用于對(duì)所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

可選地，如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系，那么所述電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊，包括：

第一調(diào)整子模塊，用于針對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元，分別計(jì)算各所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量的差值，得到所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系，那么所述電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊，包括：

第二調(diào)整子模塊，用于針對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元，分別計(jì)算各所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量之和，得到所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，還包括：

數(shù)碼轉(zhuǎn)換模塊，用于對(duì)所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲(chǔ)單元的最終判定電壓。

根據(jù)本發(fā)明的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法和裝置，可以檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。由此解決了在不同溫度條件下現(xiàn)有的nandflash中的各存儲(chǔ)單元所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)所代表的閾值電壓范圍出現(xiàn)偏移，使得讀取存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)時(shí)，容易會(huì)出現(xiàn)誤判的技術(shù)問(wèn)題。取得了避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，提高數(shù)據(jù)讀寫(xiě)準(zhǔn)確度的有益效果。

上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉本發(fā)明的具體實(shí)施方式。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀下文優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述，各種其他的優(yōu)點(diǎn)和益處對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優(yōu)選實(shí)施方式的目的，而并不認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。而且在整個(gè)附圖中，用相同的參考符號(hào)表示相同的部件。在附圖中：

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法的步驟流程圖；

圖1a示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種nandflash物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種nandflash的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1c示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種閾值電壓與判定電壓的分布示意圖；

圖1d示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種存儲(chǔ)單元的閾值電壓在不同溫度條件下的變化情況示意圖；

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法的步驟流程圖；

圖2a示出了根據(jù)本發(fā)明一種用于對(duì)目標(biāo)nandflash進(jìn)行電壓自動(dòng)補(bǔ)償?shù)慕Y(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法的步驟流程圖；以及

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖

圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；以及

圖6示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本公開(kāi)的示例性實(shí)施例。雖然附圖中顯示了本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，然而應(yīng)當(dāng)理解，可以以各種形式實(shí)現(xiàn)本公開(kāi)而不應(yīng)被這里闡述的實(shí)施例所限制。相反，提供這些實(shí)施例是為了能夠更透徹地理解本公開(kāi)，并且能夠?qū)⒈竟_(kāi)的范圍完整的傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。

實(shí)施例一

詳細(xì)介紹本發(fā)明實(shí)施例提供的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法。

參照?qǐng)D1，示出了本發(fā)明實(shí)施例中一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法的步驟流程圖。

步驟110，檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)。

步驟120，根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

步驟130，根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

如圖1a為一種nandflash物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)，其中的device為裝置，pageregister為頁(yè)寄存器。簡(jiǎn)單解釋就是：

1、一個(gè)nandflash由很多個(gè)塊(block)組成，塊的大小一般是128kb(kilo-bytes，千字節(jié))、256kb或者是512kb。圖1a中所示的塊大小是128kb。而且block的基本單元是page(頁(yè))。通常來(lái)說(shuō),每一個(gè)block由16、32或64個(gè)page組成。大多數(shù)的nandflash器件每一個(gè)page(頁(yè))內(nèi)包含512個(gè)字節(jié)(或稱為256個(gè)字)的dataarea(數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域)。每一個(gè)page內(nèi)包含有一個(gè)擴(kuò)展的16字節(jié)的sparearea(備用區(qū)域)。nandflash的讀取和燒錄以頁(yè)為基礎(chǔ)。nandflash的擦除操作是基于block的。在nandflash上有三種基本的操作：讀取一個(gè)頁(yè),燒錄一個(gè)頁(yè)和擦除一個(gè)塊。

其中，塊也是nandflash的擦除操作的基本/最小單位。本發(fā)明實(shí)施例中的存儲(chǔ)塊即為上述的塊。頁(yè)是nandflash的數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的的基本/最小單位。本發(fā)明實(shí)施例中的存儲(chǔ)頁(yè)即為上述的頁(yè)。

2、每個(gè)塊里面又包含了很多頁(yè)(page)。每個(gè)頁(yè)的大小：

老的nandflash，頁(yè)大小是256b，512b，這類的nandflash被稱作smallblock，地址周期只有4個(gè)。對(duì)于現(xiàn)在常見(jiàn)的nandflash頁(yè)大小多數(shù)是2kb，被稱作bigblock，對(duì)應(yīng)的發(fā)讀寫(xiě)命令地址，一共5個(gè)周期(cycle)，更新的nandflash是4kb。

3、每一個(gè)頁(yè)，對(duì)應(yīng)還有一塊區(qū)域，叫做空閑區(qū)域(sparearea)/冗余區(qū)域(redundantarea)，而linux系統(tǒng)中，一般叫做oob(outofband)，這個(gè)區(qū)域，是最初基于nandflash的硬件特性：數(shù)據(jù)在讀寫(xiě)時(shí)候相對(duì)容易錯(cuò)誤，所以為了保證數(shù)據(jù)的正確性，必須要有對(duì)應(yīng)的檢測(cè)和糾錯(cuò)機(jī)制，此機(jī)制被叫做edc(errordetectioncode)/ecc(errorcodecorrection,或者errorcheckingandcorrecting)，所以設(shè)計(jì)了多余的區(qū)域，用于放置數(shù)據(jù)的校驗(yàn)值。其中，頁(yè)是nandflash的寫(xiě)入操作的基本/最小的單位。

nandflash的數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在cell(存儲(chǔ)單元)，一般來(lái)說(shuō)，一個(gè)cell中只能存儲(chǔ)一個(gè)bit。這些cell以8個(gè)或者16個(gè)為單位，連成bitline(位線，bl)，形成所謂的byte(字節(jié))或者word(字符)，這就是nanddevice(nand設(shè)備)的位寬。這些bitline會(huì)再組成page。

nandflash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的整體架構(gòu)：

簡(jiǎn)單說(shuō)就是，常見(jiàn)的nandflash，內(nèi)部只有一個(gè)芯片(chip)，每個(gè)chip只有一個(gè)plane(平面)。而有些復(fù)雜的，容量更大的nandflash，內(nèi)部有多個(gè)chip，每個(gè)chip有多個(gè)plane。這類的nandflash，往往也有更加高級(jí)的功能。

如圖1b所示，對(duì)于nandflash的存儲(chǔ)陣列，需要對(duì)應(yīng)的wl(wordline，字線)和bl(bitline，位線)去選擇相應(yīng)的cell，所以每條橫向的wl和縱向的bl都貫穿整個(gè)存儲(chǔ)陣列，這樣nandflash的存儲(chǔ)陣列中不同存儲(chǔ)區(qū)域上對(duì)應(yīng)的wl和bl的負(fù)載和驅(qū)動(dòng)能力都是不一樣的，則進(jìn)一步會(huì)導(dǎo)致flash進(jìn)行讀寫(xiě)擦的情況也會(huì)出現(xiàn)差別，速度有快有慢，效率有高有低；從而出現(xiàn)有些cell的編程太強(qiáng)，閾值電壓過(guò)大，有些cell的編程太弱，閾值電壓過(guò)低，有些cell的擦除太弱，閾值電壓太低，沒(méi)有達(dá)到完全擦除的狀態(tài)等等。所以編程擦除的能力太強(qiáng)和太弱都會(huì)影響最終cell的閾值電壓，這些cell的閾值電壓分布就如圖1c中的陰影區(qū)域，這些陰影區(qū)域的cell閾值電壓與判定電壓vcgrv之間的余量都不是最合適的，而閾值電壓分布在中間的區(qū)域與判定電壓vcgrv的余量才是最合適的，能夠保證更正確高效的讀寫(xiě)擦其中的cell數(shù)據(jù)狀態(tài)。其中的，wordlinedriver可以理解為wl驅(qū)動(dòng)，globalwordline可以理解為全局wl，senseamplifier可以理解為感測(cè)放大器，bestmargin為最合適的余量。

如前述，nandflash中是通過(guò)區(qū)分cell導(dǎo)通的閾值電壓的差異來(lái)存儲(chǔ)不同的數(shù)據(jù)的，不同數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在cell中所代表的就是cell導(dǎo)通的閾值電壓不同。因?yàn)楣に嚕僮鞯扔绊?，相同的?shù)據(jù)在不同的cell上存儲(chǔ)時(shí)，cell的閾值電壓可能會(huì)有一些差異，不可能完全相同，所以只能選定一個(gè)電壓范圍以作為cell所代表的數(shù)據(jù)，這個(gè)電壓范圍越精確集中，cell上存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的分辨率也就越好，能夠存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)個(gè)數(shù)也越多。但是在不同的溫度下，半導(dǎo)體器件的特性會(huì)隨著溫度的變化而變化，進(jìn)而導(dǎo)致cell的導(dǎo)通的閾值電壓發(fā)生變化，使得cell中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)所代表的閾值電壓范圍出現(xiàn)偏移，使得讀取cell數(shù)據(jù)時(shí)，對(duì)cell的數(shù)據(jù)可能會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤的判斷。

本申請(qǐng)就是在不同溫度下，根據(jù)cell閾值電壓在不同溫度下分布的偏移量，自動(dòng)調(diào)整讀取和編程擦除檢測(cè)的時(shí)候在cell所在的wl上所加的電壓，使得cell上的加的電壓也隨著cell導(dǎo)通的閾值電壓同步變化，這樣就可以保證更精確的讀寫(xiě)cell中的數(shù)據(jù)。

那么首先需要檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)。

在實(shí)際應(yīng)用中，如果直接實(shí)時(shí)檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度值，那么則需要利用溫度傳感器等設(shè)備進(jìn)行溫度檢測(cè)，但是相對(duì)于nandflash而言，溫度傳感器等設(shè)備的體積比較大，而且在nandflash使用過(guò)程中，需要實(shí)時(shí)檢測(cè)其溫度變化情況，那么則需要保持溫度傳感器等設(shè)備與目標(biāo)nandflash實(shí)時(shí)保持連接，從而導(dǎo)致目標(biāo)nandflash使用不便。因此，在本申請(qǐng)中可以利用設(shè)計(jì)專門(mén)的檢測(cè)電路用于自動(dòng)感應(yīng)檢測(cè)環(huán)境溫度的變化量并且轉(zhuǎn)化為電路能夠識(shí)別的電壓偏移量。由于檢測(cè)電路不便于直接檢測(cè)溫度值，因此在本申請(qǐng)中，可以先檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)。

進(jìn)而可以根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。參考電壓是指芯片中設(shè)計(jì)的不隨溫度，工藝，工作環(huán)境等因素的變化而變化的一種近似于恒定的電壓，那么則可以參考電壓與溫度狀態(tài)電壓進(jìn)行比較，從而獲取對(duì)目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。參考電壓可以理解為目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元初始的閾值電壓在未發(fā)生偏移時(shí)對(duì)應(yīng)的目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓，也可以為目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元初始的閾值電壓在發(fā)生預(yù)設(shè)偏移范圍內(nèi)的偏移時(shí)對(duì)應(yīng)的目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓，或者可以為目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元在某一預(yù)設(shè)溫度(例如常溫/室溫)條件下對(duì)應(yīng)的溫度狀態(tài)電壓；等等。

在本申請(qǐng)中，可以根據(jù)需求或者是根據(jù)多次試驗(yàn)在本步驟之前，或者是本步驟之前的任一步驟之前進(jìn)行設(shè)定參考電壓的具體取值，對(duì)此本申請(qǐng)不加以限定。

那么，則可以根據(jù)溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。具體的可以根據(jù)預(yù)設(shè)的溫度狀態(tài)電壓與目標(biāo)nandflash的溫度值之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，計(jì)算檢測(cè)到的溫度狀態(tài)電壓與預(yù)設(shè)的參考電壓之間的差值，然后根據(jù)預(yù)先多次實(shí)驗(yàn)獲取的目標(biāo)nandflash對(duì)應(yīng)的溫度與閾值電壓偏移量之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，獲取與當(dāng)前溫度狀態(tài)電壓與預(yù)設(shè)的參考電壓之間的差值對(duì)應(yīng)的偏移量，進(jìn)而以該偏移量作為對(duì)目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。當(dāng)然，如果預(yù)設(shè)的溫度狀態(tài)電壓與目標(biāo)nandflash的溫度值之間的對(duì)應(yīng)比例，和目標(biāo)nandflash對(duì)應(yīng)的溫度與閾值電壓偏移量之間的對(duì)應(yīng)比例是一致的，那么也可以直接取溫度狀態(tài)電壓與預(yù)設(shè)的參考電壓之間的差值作為對(duì)目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量，對(duì)此本申請(qǐng)不加以限定。

以最簡(jiǎn)單的情況為例，如圖1d為某一存儲(chǔ)單元的閾值電壓在不同溫度條件下的變化情況。其中兩個(gè)峰包表示了被擦除的cell(erasecell)和被編程的cell(pgmcell，programcell)的閾值電壓分布；vcgrv(判定電壓)就是芯片讀取和編程擦除檢測(cè)時(shí)加在cell上的電壓，用來(lái)區(qū)分cell所代表的數(shù)據(jù)在哪一個(gè)閾值電壓區(qū)域分布，若vcgrv小于這個(gè)閾值電壓區(qū)域，則cell不導(dǎo)通，表示cell為編程過(guò)的，即數(shù)據(jù)“0”；若vcgrv大于這個(gè)閾值電壓區(qū)域，則cell導(dǎo)通，表示cell為擦除過(guò)的，即數(shù)據(jù)“1”。而且vcgrv的電壓值還需要與兩個(gè)閾值電壓區(qū)域保持足夠的余量，保證讀取和檢測(cè)時(shí)能夠正確高效的判斷cell的數(shù)據(jù)狀態(tài)。

在不同的溫度下，半導(dǎo)體器件的特性會(huì)隨溫度變化而變化，進(jìn)而導(dǎo)致cell導(dǎo)通的閾值電壓發(fā)生變化，使得cell所代表狀態(tài)的閾值電壓區(qū)域出現(xiàn)偏移；其中(a)為在室溫(roomtemperature)條件下如圖1d中(b)和(c)所示在溫度升高(hightemperature)或溫度降低(lowtemperature)的情況下，cell原來(lái)在常溫下的閾值電壓會(huì)發(fā)生偏移，在高溫下會(huì)減小，在低溫下會(huì)增大。但是電路產(chǎn)生的vcgrv電壓基本不會(huì)隨溫度的變化而變化。而原先在常溫下用于檢測(cè)cell的電壓vcgrv已經(jīng)不太合適了，在高溫下與編程cell的閾值電壓區(qū)域的余量就會(huì)減小，在低溫下與擦除cell的閾值電壓區(qū)域的余量也會(huì)減小，不能再保證讀取和檢測(cè)的正確高效；甚至極端情況還會(huì)出現(xiàn)vcgrv電壓處于cell的閾值電壓分布的區(qū)域中，出現(xiàn)讀取和檢測(cè)錯(cuò)誤。

因此，在本申請(qǐng)中，在獲取了調(diào)整量之后，則可以根據(jù)獲取的調(diào)整量對(duì)目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。具體的可以和目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元初始設(shè)置的vcgrv的電壓量做運(yùn)算，在高溫下減小判定電壓，在低溫下增大判定電壓，從而調(diào)整補(bǔ)償vcgrv需要的偏移量dv，最終得到隨溫度偏移的vcgrv電壓；然后將最終的vcgrv電壓加到cell上用于讀取和檢測(cè)cell的狀態(tài)，此時(shí)得到的vcgrv又恢復(fù)保持了同擦除cell和編程cell之間的足夠余量，也就是適合cell閾值電壓變化后的讀取和檢測(cè)電壓，從而實(shí)現(xiàn)了在不同溫度下，讀取和檢測(cè)電壓實(shí)現(xiàn)自動(dòng)補(bǔ)償調(diào)整，提高了芯片工作的準(zhǔn)確、高效和可靠性。

在本申請(qǐng)中，為了可以實(shí)時(shí)地根據(jù)溫度變化情況對(duì)目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整，可以預(yù)設(shè)時(shí)間段為間隔周期性的執(zhí)行上述的步驟110-130。例如可以每隔10秒依次執(zhí)行一次上述的步驟110-130，從而可以每隔10秒對(duì)目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)整。其中的預(yù)設(shè)時(shí)間段可以根據(jù)需求在本步驟之前，或者是本步驟之前的任一步驟之前進(jìn)行設(shè)定，對(duì)此本申請(qǐng)不加以限定。

需要說(shuō)明的是，本申請(qǐng)中的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法不僅適用于對(duì)不同芯片在不同溫度狀態(tài)下工作時(shí)各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整，也適用于補(bǔ)償由于芯片工藝，工作環(huán)境等因素的偏差造成的各個(gè)芯片的當(dāng)前判定電壓的偏差，此時(shí)的工作原理與前述的nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法類似，在此不加以贅述。

在本申請(qǐng)中，可以檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。由此可以避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而提高數(shù)據(jù)讀寫(xiě)準(zhǔn)確度。

實(shí)施例二

詳細(xì)介紹本發(fā)明實(shí)施例提供的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法。

參照?qǐng)D2，示出了本發(fā)明實(shí)施例中一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法的步驟流程圖。

步驟210，檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系。

步驟220，計(jì)算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值。

步驟230，對(duì)所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

在本申請(qǐng)中，可以直接以檢測(cè)得到的溫度狀態(tài)電壓與預(yù)設(shè)的參考電壓之間的第一差值作為調(diào)整量，但是為了方便進(jìn)行調(diào)整，還需要對(duì)第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，進(jìn)而得到對(duì)目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。在本申請(qǐng)中可以利用任何可用方法或設(shè)備對(duì)第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，對(duì)此本申請(qǐng)不加以限定。

步驟240，針對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元，分別計(jì)算各所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量的絕對(duì)值的差值，得到所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

如前述，在實(shí)際應(yīng)用中，目標(biāo)nandflash各存儲(chǔ)單元的閾值電壓在高溫下會(huì)減小，在低溫下會(huì)增大。那么相應(yīng)的需要將目標(biāo)nandflash各存儲(chǔ)單元的判定電壓在在高溫下會(huì)減小，在低溫下會(huì)增大。

因此，在本申請(qǐng)中，如果檢測(cè)到的目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓與目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系，那么溫度狀態(tài)電壓越高則說(shuō)明目標(biāo)nandflash的溫度越高，則說(shuō)明此時(shí)需要將目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的判斷電壓調(diào)小，因此，在本申請(qǐng)中，如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系，則可以針對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元，分別計(jì)算各所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量的差值，得到所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

步驟250，對(duì)所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲(chǔ)單元的最終判定電壓。

最終目標(biāo)nandflash中所需要的判定電壓需要模擬信號(hào)，而經(jīng)過(guò)前述步驟獲取的目標(biāo)判定電壓為數(shù)字信號(hào)，因此在本申請(qǐng)中在獲取到目標(biāo)判定電壓之后，還需要進(jìn)一步對(duì)各存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到相應(yīng)存儲(chǔ)單元的最終判定電壓。當(dāng)然，如果目標(biāo)nandflash中也可以直接利用數(shù)字信號(hào)，那么也可以不對(duì)目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，而是直接以目標(biāo)判定電壓作為最終判定電壓。對(duì)此本申請(qǐng)不加以限定。

如圖2a為一種用于對(duì)目標(biāo)nandflash進(jìn)行電壓自動(dòng)補(bǔ)償?shù)慕Y(jié)構(gòu)示意圖。其中的register為目標(biāo)nandflash對(duì)應(yīng)的寄存器。vcgrv_ini為當(dāng)前判定電壓，vtemp為溫度狀態(tài)電壓，vref為參考電壓，r1、r2和r3分別為三個(gè)電阻，vcgrv_final為最終判定電壓，adc為模數(shù)轉(zhuǎn)換器(analog-to-digitalconverter)，dac為數(shù)模轉(zhuǎn)換器(digital-to-analogconverter)。其中的r1、r2和r3的電阻取值可以根據(jù)需求預(yù)先設(shè)置，對(duì)此本申請(qǐng)不加以限定。

可以看出，在獲取目標(biāo)nandflash各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓時(shí)，需要先將目標(biāo)nandflash各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓存放至目標(biāo)nandflash對(duì)應(yīng)的寄存器中，然后再?gòu)脑摷拇嫫髦蝎@取目標(biāo)nandflash各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓。在檢測(cè)到目標(biāo)nandflash當(dāng)前的溫度狀態(tài)電壓之后，則可以溫度狀態(tài)電壓以及參考電壓作為輸入，經(jīng)溫度檢測(cè)模塊檢測(cè)電壓變化量(模擬量)以及模數(shù)轉(zhuǎn)化之后，可以獲得調(diào)整量，進(jìn)而可以根據(jù)調(diào)整量對(duì)從目標(biāo)nandflash對(duì)應(yīng)的寄存器獲取的各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整，然后對(duì)調(diào)整后的目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)化，最終得到相應(yīng)各存儲(chǔ)單元的最終判定電壓。

在本申請(qǐng)中，可以檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。由此可以避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而提高數(shù)據(jù)讀寫(xiě)準(zhǔn)確度。

另外，在本申請(qǐng)中，可以計(jì)算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值；對(duì)所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。并且在所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系時(shí)，針對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元，分別計(jì)算各所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量的差值，得到所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。以及，對(duì)所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲(chǔ)單元的最終判定電壓。從而可以進(jìn)一步避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)讀寫(xiě)準(zhǔn)確度。

實(shí)施例三

詳細(xì)介紹本發(fā)明實(shí)施例提供的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法。

參照?qǐng)D3，示出了本發(fā)明實(shí)施例中一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償方法的步驟流程圖。

步驟310，檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系。

步驟320，計(jì)算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值。

步驟330，對(duì)所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

步驟340，針對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元，分別計(jì)算各所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量之和，得到所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

如前述，在實(shí)際應(yīng)用中，目標(biāo)nandflash各存儲(chǔ)單元的閾值電壓在高溫下會(huì)減小，在低溫下會(huì)增大。那么相應(yīng)的需要將目標(biāo)nandflash各存儲(chǔ)單元的判定電壓在在高溫下會(huì)減小，在低溫下會(huì)增大。

因此，在本申請(qǐng)中，如果檢測(cè)到的目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓與目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系，那么如果目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓越高，則說(shuō)明此時(shí)目標(biāo)nandflash的溫度越低，那么則需要將目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的判斷電壓調(diào)高，因此，在本申請(qǐng)中如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系，則可以針對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元，分別計(jì)算各所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量之和，得到所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

步驟350，對(duì)所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲(chǔ)單元的最終判定電壓。

在本申請(qǐng)中，可以檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。由此可以避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而提高數(shù)據(jù)讀寫(xiě)準(zhǔn)確度。

另外，在本申請(qǐng)中，可以計(jì)算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值；對(duì)所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。并且在所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系時(shí)，針對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元，分別計(jì)算各所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量之和，得到所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。以及，對(duì)所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲(chǔ)單元的最終判定電壓。從而可以進(jìn)一步避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)讀寫(xiě)準(zhǔn)確度。

對(duì)于方法實(shí)施例，為了簡(jiǎn)單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明實(shí)施例并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明實(shí)施例，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說(shuō)明書(shū)中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作并不一定是本發(fā)明實(shí)施例所必須的。

實(shí)施例四

詳細(xì)介紹本發(fā)明實(shí)施例提供的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償裝置。

參照?qǐng)D4，示出了本發(fā)明實(shí)施例中一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

溫度狀態(tài)電壓檢測(cè)模塊410，用于檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)。

調(diào)整量獲取模塊420，用于根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊430，用于根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

在本申請(qǐng)中，可以檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。由此可以避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而提高數(shù)據(jù)讀寫(xiě)準(zhǔn)確度。

實(shí)施例五

詳細(xì)介紹本發(fā)明實(shí)施例提供的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償裝置。

參照?qǐng)D5，示出了本發(fā)明實(shí)施例中一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

溫度狀態(tài)電壓檢測(cè)模塊510，用于檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)。

調(diào)整量獲取模塊520，用于根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

可選地，所述調(diào)整量獲取模塊520，進(jìn)一步可以包括：

第一差值獲取子模塊521，用于計(jì)算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值。

模數(shù)變換子模塊522，用于對(duì)所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊530，用于根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系，那么所述電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊530，包括：

第一調(diào)整子模塊531，用于針對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元，分別計(jì)算各所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量的差值，得到所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

數(shù)碼轉(zhuǎn)換模塊540，用于對(duì)所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲(chǔ)單元的最終判定電壓。

在本申請(qǐng)中，可以檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。由此可以避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而提高數(shù)據(jù)讀寫(xiě)準(zhǔn)確度。

另外，在本申請(qǐng)中，可以計(jì)算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值；對(duì)所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。并且在所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系時(shí)，針對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元，分別計(jì)算各所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量的差值，得到所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。以及，對(duì)所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲(chǔ)單元的最終判定電壓。從而可以進(jìn)一步避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)讀寫(xiě)準(zhǔn)確度。

實(shí)施例六

詳細(xì)介紹本發(fā)明實(shí)施例提供的一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償裝置。

參照?qǐng)D6，示出了本發(fā)明實(shí)施例中一種nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

溫度狀態(tài)電壓檢測(cè)模塊610，用于檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)。

調(diào)整量獲取模塊620，用于根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

可選地，所述調(diào)整量獲取模塊620，進(jìn)一步可以包括：

第一差值獲取子模塊621，用于計(jì)算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值。

模數(shù)變換子模塊622，用于對(duì)所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊630，用于根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系，那么所述電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊630，進(jìn)一步可以包括：

第二調(diào)整子模塊631，用于針對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元，分別計(jì)算各所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量之和，得到所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。

數(shù)碼轉(zhuǎn)換模塊640，用于對(duì)所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲(chǔ)單元的最終判定電壓。

在本申請(qǐng)中，可以檢測(cè)目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。由此可以避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而提高數(shù)據(jù)讀寫(xiě)準(zhǔn)確度。

另外，在本申請(qǐng)中，可以計(jì)算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值；對(duì)所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。并且在所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系時(shí)，針對(duì)所述目標(biāo)nandflash中各存儲(chǔ)單元，分別計(jì)算各所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量之和，得到所述存儲(chǔ)單元的目標(biāo)判定電壓。以及，對(duì)所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲(chǔ)單元的最終判定電壓。從而可以進(jìn)一步避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)讀寫(xiě)準(zhǔn)確度。

對(duì)于裝置實(shí)施例而言，由于其與方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)方法實(shí)施例的部分說(shuō)明即可。

在此提供的算法和顯示不與任何特定計(jì)算機(jī)、虛擬系統(tǒng)或者其它設(shè)備固有相關(guān)。各種通用系統(tǒng)也可以與基于在此的示教一起使用。根據(jù)上面的描述，構(gòu)造這類系統(tǒng)所要求的結(jié)構(gòu)是顯而易見(jiàn)的。此外，本發(fā)明也不針對(duì)任何特定編程語(yǔ)言。應(yīng)當(dāng)明白，可以利用各種編程語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)在此描述的本發(fā)明的內(nèi)容，并且上面對(duì)特定語(yǔ)言所做的描述是為了披露本發(fā)明的最佳實(shí)施方式。

在此處所提供的說(shuō)明書(shū)中，說(shuō)明了大量具體細(xì)節(jié)。然而，能夠理解，本發(fā)明的實(shí)施例可以在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐。在一些實(shí)例中，并未詳細(xì)示出公知的方法、結(jié)構(gòu)和技術(shù)，以便不模糊對(duì)本說(shuō)明書(shū)的理解。

類似地，應(yīng)當(dāng)理解，為了精簡(jiǎn)本公開(kāi)并幫助理解各個(gè)發(fā)明方面中的一個(gè)或多個(gè)，在上面對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的描述中，本發(fā)明的各個(gè)特征有時(shí)被一起分組到單個(gè)實(shí)施例、圖、或者對(duì)其的描述中。然而，并不應(yīng)將該公開(kāi)的方法解釋成反映如下意圖：即所要求保護(hù)的本發(fā)明要求比在每個(gè)權(quán)利要求中所明確記載的特征更多的特征。更確切地說(shuō)，如下面的權(quán)利要求書(shū)所反映的那樣，發(fā)明方面在于少于前面公開(kāi)的單個(gè)實(shí)施例的所有特征。因此，遵循具體實(shí)施方式的權(quán)利要求書(shū)由此明確地并入該具體實(shí)施方式，其中每個(gè)權(quán)利要求本身都作為本發(fā)明的單獨(dú)實(shí)施例。

本領(lǐng)域那些技術(shù)人員可以理解，可以對(duì)實(shí)施例中的設(shè)備中的模塊進(jìn)行自適應(yīng)性地改變并且把它們?cè)O(shè)置在與該實(shí)施例不同的一個(gè)或多個(gè)設(shè)備中?？梢园褜?shí)施例中的模塊或單元或組件組合成一個(gè)模塊或單元或組件，以及此外可以把它們分成多個(gè)子模塊或子單元或子組件。除了這樣的特征和/或過(guò)程或者單元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何組合對(duì)本說(shuō)明書(shū)(包括伴隨的權(quán)利要求、摘要和附圖)中公開(kāi)的所有特征以及如此公開(kāi)的任何方法或者設(shè)備的所有過(guò)程或單元進(jìn)行組合。除非另外明確陳述，本說(shuō)明書(shū)(包括伴隨的權(quán)利要求、摘要和附圖)中公開(kāi)的每個(gè)特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征來(lái)代替。

此外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解，盡管在此所述的一些實(shí)施例包括其它實(shí)施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同實(shí)施例的特征的組合意味著處于本發(fā)明的范圍之內(nèi)并且形成不同的實(shí)施例。例如，在下面的權(quán)利要求書(shū)中，所要求保護(hù)的實(shí)施例的任意之一都可以以任意的組合方式來(lái)使用。

本發(fā)明的各個(gè)部件實(shí)施例可以以硬件實(shí)現(xiàn)，或者以在一個(gè)或者多個(gè)處理器上運(yùn)行的軟件模塊實(shí)現(xiàn)，或者以它們的組合實(shí)現(xiàn)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在實(shí)踐中使用微處理器或者數(shù)字信號(hào)處理器(dsp)來(lái)實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的nandflash電壓自動(dòng)補(bǔ)償設(shè)備中的一些或者全部部件的一些或者全部功能。本發(fā)明還可以實(shí)現(xiàn)為用于執(zhí)行這里所描述的方法的一部分或者全部的設(shè)備或者裝置程序(例如，計(jì)算機(jī)程序和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品)。這樣的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的程序可以存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上，或者可以具有一個(gè)或者多個(gè)信號(hào)的形式。這樣的信號(hào)可以從因特網(wǎng)網(wǎng)站上下載得到，或者在載體信號(hào)上提供，或者以任何其他形式提供。

應(yīng)該注意的是上述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明而不是對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限制，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離所附權(quán)利要求的范圍的情況下可設(shè)計(jì)出替換實(shí)施例。在權(quán)利要求中，不應(yīng)將位于括號(hào)之間的任何參考符號(hào)構(gòu)造成對(duì)權(quán)利要求的限制。單詞“包含”不排除存在未列在權(quán)利要求中的元件或步驟。位于元件之前的單詞“一”或“一個(gè)”不排除存在多個(gè)這樣的元件。本發(fā)明可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于適當(dāng)編程的計(jì)算機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)。在列舉了若干裝置的單元權(quán)利要求中，這些裝置中的若干個(gè)可以是通過(guò)同一個(gè)硬件項(xiàng)來(lái)具體體現(xiàn)。單詞第一、第二、以及第三等的使用不表示任何順序。可將這些單詞解釋為名稱。