技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種NAND?Flash電壓自動補償方法和裝置，芯片存儲技術(shù)領(lǐng)域。所述方法，包括：檢測目標(biāo)NAND?Flash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)NAND?Flash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)NAND?Flash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)NAND?Flash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。解決了在不同溫度條件下現(xiàn)有的NAND?Flash中的各存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)所代表的閾值電壓范圍出現(xiàn)偏移，使得讀取存儲單元中的數(shù)據(jù)時，容易會出現(xiàn)誤判的技術(shù)問題。取得了避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，提高數(shù)據(jù)讀寫準(zhǔn)確度的有益效果。

技術(shù)研發(fā)人員：蘇志強(qiáng);劉會娟;張現(xiàn)聚;鄧龍利
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.17
技術(shù)公布日：2017.09.15