配置成經(jīng)由所述多個(gè)焊盤Pl至P4而輸入有掃描芯片選擇信號(hào)SCS_n、掃描使能信號(hào)SEN、掃描移位信號(hào)SSH、以及掃描時(shí)鐘SCK，并且控制測(cè)試掃描鏈TSC的操作模式?？刂茊卧?80可以響應(yīng)于掃描使能信號(hào)SEN的邏輯電平而選擇性地將測(cè)試掃描鏈TSC使能。
[0040]通過組合這些輸入信號(hào)，控制單元280將選擇信號(hào)iSCS輸出至驅(qū)動(dòng)緩沖器230和250，以及將控制時(shí)鐘iSCK輸出至儲(chǔ)存單元240和260。控制單元280可以響應(yīng)于掃描使能信號(hào)SEN的邏輯電平而以并行輸入/輸出模式、并行輸入模式、或并行輸出模式來操作測(cè)試掃描鏈TSC。
[0041]緩沖器220可以被配置成緩沖從焊盤P5施加的掃描輸入信號(hào)SDI，以及將所得信號(hào)輸出至儲(chǔ)存單元240。緩沖器270可以被配置成緩沖從儲(chǔ)存單元260輸出的數(shù)據(jù)，以及將掃描輸出信號(hào)SDO輸出至焊盤P6。
[0042]驅(qū)動(dòng)緩沖器230包括與節(jié)點(diǎn)NDl電耦接的輸入緩沖器RXl和輸出緩沖器TXl。節(jié)點(diǎn)NDl與凸塊210電耦接。輸入緩沖器RXl被配置成經(jīng)由節(jié)點(diǎn)NDl接收輸入信號(hào)，以及將信號(hào)輸出至儲(chǔ)存單元240。輸出緩沖器TXl被配置成根據(jù)選擇信號(hào)iSCS的控制而將儲(chǔ)存在儲(chǔ)存單元240中的數(shù)據(jù)輸出至節(jié)點(diǎn)ND I。
[0043]儲(chǔ)存單元240可以包括觸發(fā)器。儲(chǔ)存單元240被配置成與控制時(shí)鐘iSCK同步地儲(chǔ)存從焊盤P5施加的掃描輸入信號(hào)SDI。
[0044]驅(qū)動(dòng)緩沖器250包括與節(jié)點(diǎn)ND2電耦接的輸入緩沖器RX2和輸出緩沖器TX2。節(jié)點(diǎn)ND2與凸塊211電耦接。輸入緩沖器RX2被配置成經(jīng)由節(jié)點(diǎn)ND2接收輸入信號(hào)，以及將信號(hào)輸出至儲(chǔ)存單元260。輸出緩沖器TX2被配置成根據(jù)選擇信號(hào)iSCS的控制而將儲(chǔ)存在儲(chǔ)存單元260中的數(shù)據(jù)輸出至節(jié)點(diǎn)ND2。
[0045]儲(chǔ)存單元260可以包括觸發(fā)器。儲(chǔ)存單元260被配置成與控制時(shí)鐘iSCK同步地儲(chǔ)存從儲(chǔ)存單元240中移位輸入的數(shù)據(jù)。儲(chǔ)存單元260的輸出經(jīng)由焊盤P6被輸出作為掃描輸出信號(hào)SD0。
[0046]外部的測(cè)試單元300可以被配置成監(jiān)控經(jīng)由焊盤P5輸入的掃描輸入信號(hào)SDI是否經(jīng)由焊盤P6輸出作為掃描輸出信號(hào)SD0。
[0047]如果經(jīng)由焊盤P5輸入的掃描輸入信號(hào)SDI經(jīng)由焊盤P6正常地輸出作為掃描輸出信號(hào)SD0，則測(cè)試單元300可以確定微凸塊210和211中未出現(xiàn)泄漏電流。正常地輸出是指掃描輸入信號(hào)SDI的電壓邏輯電平等于掃描輸出信號(hào)SDO的電壓邏輯電平。相反地，如果經(jīng)由焊盤P5輸入的掃描輸入信號(hào)SDI沒有經(jīng)由焊盤P6正常地輸出作為掃描輸出信號(hào)SD0,則測(cè)試單元300可以確定微凸塊210和211開路或短路以及出現(xiàn)泄漏電流。
[0048]圖2是解釋用于測(cè)試圖1中的半導(dǎo)體芯片的方法的時(shí)序圖。根據(jù)本公開的實(shí)施例的測(cè)試方法可以經(jīng)由五個(gè)時(shí)段來執(zhí)行。
[0049]首先，經(jīng)由焊盤P5串行輸入掃描輸入信號(hào)SDI (時(shí)段Tl)。因此，根據(jù)經(jīng)由輸入緩沖器RXl和RX2施加的數(shù)據(jù)，相應(yīng)的凸塊210和211的期望值被儲(chǔ)存在相應(yīng)的儲(chǔ)存單元240和260中。儲(chǔ)存在相應(yīng)的儲(chǔ)存單元240和260中的期望值可以是具有相同電平(S卩，電壓電平)的數(shù)據(jù)。儲(chǔ)存在相應(yīng)的儲(chǔ)存單元240和260中的期望值可以是邏輯高值或邏輯低值(即，邏輯高電壓電平值和邏輯低電壓電平值)。
[0050]此后，隨著掃描使能信號(hào)SEN被使能，掃描移位信號(hào)SSH被使能成高電平，掃描芯片選擇信號(hào)SCS_n變成低電平。然后，驅(qū)動(dòng)緩沖器230中的輸出緩沖器TXl和驅(qū)動(dòng)緩沖器250中的輸出緩沖器TX2通過選擇信號(hào)iSCS而導(dǎo)通。根據(jù)這個(gè)事實(shí)，儲(chǔ)存在相應(yīng)的儲(chǔ)存單元240和260中的數(shù)據(jù)經(jīng)由節(jié)點(diǎn)NDl和ND2被并行輸出至凸塊210和211 (時(shí)段T2)。
[0051]接著，掃描芯片選擇信號(hào)SCS_n變成高電平。然后，驅(qū)動(dòng)緩沖器230中的輸出緩沖器TXl和驅(qū)動(dòng)緩沖器250中的輸出緩沖器TX2通過選擇信號(hào)iSCS而關(guān)斷(時(shí)段T3)。根據(jù)這個(gè)事實(shí)，由于驅(qū)動(dòng)緩沖器230和250在作為暫停時(shí)間的時(shí)段T3內(nèi)不操作，所以節(jié)點(diǎn)NDl和ND2變成浮置狀態(tài)。因此，利用浮置的節(jié)點(diǎn)NDl和ND2的電容將數(shù)據(jù)充入節(jié)點(diǎn)NDl和ND2。
[0052]隨著掃描時(shí)鐘SCK觸發(fā)成高電平，相應(yīng)的儲(chǔ)存單元240和260響應(yīng)于控制時(shí)鐘iSCK而操作(時(shí)段T4)。然后，充入浮置的節(jié)點(diǎn)NDl和ND2的數(shù)據(jù)經(jīng)由驅(qū)動(dòng)緩沖器230和250中的輸入緩沖器RXl和RX2而并行輸入，并且被儲(chǔ)存在儲(chǔ)存單元240和260中。
[0053]如果掃描使能信號(hào)SEN被使能，產(chǎn)生如下狀態(tài)，其中整個(gè)測(cè)試掃描鏈TSC不操作。儲(chǔ)存在相應(yīng)的儲(chǔ)存單元240和260中的數(shù)據(jù)經(jīng)由焊盤P6而串行輸出作為掃描輸出信號(hào)SDO(時(shí)段T5)。外部的測(cè)試單元300可以分辨讀取的相應(yīng)凸塊210和211的期望值，并且可以確定是否出現(xiàn)凸塊的泄漏電流或故障。
[0054]圖3是概念性地解釋圖2中的時(shí)序圖的圖。
[0055]如上所述，根據(jù)本公開的實(shí)施例的測(cè)試方法經(jīng)由五個(gè)時(shí)段來執(zhí)行。
[0056]在時(shí)段Tl，經(jīng)由焊盤P5將掃描輸入信號(hào)SDI串行輸入至相應(yīng)的儲(chǔ)存單元240和260。此后，在時(shí)段T2，輸出緩沖器TXl和TX2 (即，TX)通過選擇信號(hào)iSCS而導(dǎo)通，儲(chǔ)存在相應(yīng)的儲(chǔ)存單元240和260中的數(shù)據(jù)被并行輸出至凸塊210和211。
[0057]在時(shí)段T3中，輸出緩沖器TXl和TX2通過選擇信號(hào)iSCS而關(guān)斷，節(jié)點(diǎn)NDl和ND2變成浮置狀態(tài)，數(shù)據(jù)充入節(jié)點(diǎn)NDl和ND2。在時(shí)段T4，相應(yīng)的儲(chǔ)存單元240和260響應(yīng)于控制時(shí)鐘iSCK而操作，充入節(jié)點(diǎn)NDl和ND2的數(shù)據(jù)并行輸入至儲(chǔ)存單元240和260。此后，在時(shí)段T5，儲(chǔ)存在相應(yīng)的儲(chǔ)存單元240和260中的數(shù)據(jù)作為掃描輸出信號(hào)SDO串行輸出至焊盤P6。
[0058]圖4是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的層疊芯片的配置圖。
[0059]在根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的層疊芯片中,第一芯片100和第二芯片200層疊。第一芯片100和第二芯片200可以通過微凸塊110和111而彼此電耦接。
[0060]芯片100和200中的每個(gè)可以是片上系統(tǒng)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片、或存儲(chǔ)器裸片。此外，芯片100和200中的每個(gè)可以是用于與外部和數(shù)據(jù)接口的接口芯片，或者可以是邏輯元件芯片。另外，芯片100和200中的每個(gè)可以是用于控制存儲(chǔ)器層的操作的存儲(chǔ)器控制器。此外，第一芯片100可以是片上系統(tǒng)，而第二芯片200可以是半導(dǎo)體芯片。未具體限制芯片100和200的類型。
[0061]相應(yīng)的芯片100和200可以通過與凸塊110和111電耦接的穿通硅通孔TSV而彼此電耦接。第二芯片200中的凸塊110和111可以通過接觸穿通硅通孔TSV而與底部的第一芯片100電耦接。
[0062]盡管例如在本公開的實(shí)施例中描述了第一芯片100和第二芯片200 二者都包括穿通硅通孔TSV，但是應(yīng)當(dāng)注意的是，本公開的實(shí)施例不局限于此，相應(yīng)的芯片100和200可以不包括穿通硅通孔而是經(jīng)由凸塊110和111直接電耦接。
[0063]盡管在本公開的實(shí)施例中描述了凸塊110和111的數(shù)目為二個(gè)，但是應(yīng)當(dāng)注意的是，本公開的實(shí)施例不局限于此，每個(gè)芯片可以包括多個(gè)凸塊。
[0064]凸塊110和210可以是層疊芯片中的用于在相應(yīng)芯片100和200之間傳送命令和地址(CA)的凸塊。凸塊111和211可以是層疊芯片中的用于在相應(yīng)芯片100和200之間傳送數(shù)據(jù)(DQ)的凸塊。
[0065]這些凸塊110、111、210以及211決定不同器件(B卩，每個(gè)包括第一芯片100和第二芯片200的層疊芯片)之間的連接性。微凸塊110、111、210以及211的連接性被視為確定層疊芯片中發(fā)生故障的重要因素。因此，需要一種用于檢測(cè)微凸塊110、111、210以及211的泄漏電流和連接性故障的方法。
[0066]作為用于測(cè)試微凸塊110、111、210以及211的故障的方法，可以使用邊界掃描測(cè)試(BST)。在邊界掃描測(cè)試中，測(cè)試微凸塊110、111、210以及211是否與相應(yīng)的器件(B卩，第一芯片100和第二芯片200)電耦接，或者測(cè)試是否出現(xiàn)泄漏電流。
[0067]為此，第二芯片200包括:多個(gè)焊盤Pl至P6、緩沖器220和270、驅(qū)動(dòng)緩沖器230和250、儲(chǔ)存單元240和260、以及控制單元280。第二芯片200被分配有所述多個(gè)焊盤Pl至P6，經(jīng)由所述多個(gè)焊盤Pl至P6輸入和輸出相應(yīng)的信號(hào)以執(zhí)行邊界掃描測(cè)試。
[0068]驅(qū)動(dòng)緩沖器230、儲(chǔ)存單元240、驅(qū)動(dòng)緩沖器250以及儲(chǔ)存單元260組成測(cè)試掃描鏈TSC。在測(cè)試掃描鏈TSC中，驅(qū)動(dòng)緩沖器230、儲(chǔ)存單元240、驅(qū)動(dòng)緩沖器250以及儲(chǔ)存單元260串聯(lián)電耦接，并