有大約2. 5英寸 (6. 35cm)的直徑，并且由非磁體制成?；?01的每個(gè)表面設(shè)置有：垂直記錄層103,該垂 直記錄層在盤表面的垂直方向上具有很強(qiáng)的各向異性；晶體取向?qū)?02,該晶體取向?qū)颖?設(shè)置在垂直記錄層103的底部中，以便改善垂直記錄層103的取向；散熱層104,該散熱層 被設(shè)置在晶體取向?qū)?02的底部中，以便限制加熱區(qū)的擴(kuò)展；以及保護(hù)膜105,其被設(shè)置在 垂直記錄層103的上部之上。
[0034] 如圖2和4所示，磁頭33被形成為浮動(dòng)型磁頭，其具有基本以長(zhǎng)方體形形成的滑 塊42以及在滑塊42位于流出（后）側(cè)上的端部形成的頭部44?；瑝K42例如由氧化鋁和 碳化鈦的燒結(jié)體（ALTIC)制成，頭部44通過(guò)層壓薄膜形成。
[0035] 滑塊42具有面向盤表面的矩形浮動(dòng)表面（空氣軸承表面（ABS)) 43,以及與浮動(dòng) 表面相對(duì)的矩形滑塊支撐表面45。滑塊42的滑塊支撐表面45固定到常平架（gimbal)41。 進(jìn)一步地，激光產(chǎn)生元件（激光二極管）40被安裝在滑塊支撐表面45或常平架41上作為 光源。
[0036] 滑塊42由于根據(jù)磁盤16的旋轉(zhuǎn)在盤表面與浮動(dòng)表面43之間產(chǎn)生的氣流B而浮 動(dòng)。氣流B的方向與磁盤16的旋轉(zhuǎn)方向A-致?；瑝K42被設(shè)置為使得在盤表面上，浮動(dòng) 表面43的縱向幾乎與氣流B的方向一致。
[0037] 滑塊42具有位于氣流B的流入側(cè)的前端42a，以及位于氣流B的流出側(cè)的后端 42b。在滑塊42的浮動(dòng)表面43上，形成凹凸結(jié)構(gòu)（前臺(tái)階、后臺(tái)階、側(cè)臺(tái)階、負(fù)壓腔等），該 結(jié)構(gòu)未示出。
[0038] 如圖4和5所示，頭部44形成為分離型磁頭，頭部包括通過(guò)薄膜工藝，在滑塊42 的后端42b形成的再現(xiàn)頭54和記錄頭（磁記錄頭）58。
[0039] 再現(xiàn)頭54由具有磁阻效應(yīng)的磁性膜55、被分別設(shè)置在磁性膜55的前側(cè)和后側(cè)以 夾著該磁性膜的屏蔽膜56和57形成。磁性膜55和屏蔽膜56和57的下端在滑塊42的浮 動(dòng)表面43上暴露。
[0040] 記錄頭58被設(shè)直為比再現(xiàn)頭54更接近滑塊42的后纟而42b側(cè)。記錄頭58包括： 主磁極60,其由具有高導(dǎo)磁率和高飽和磁通密度的軟磁性材料制成，以在盤表面的垂直方 向上產(chǎn)生記錄磁場(chǎng)（相對(duì)于記錄層103);前導(dǎo)軛62,其由用于將磁通量傳送到主磁極60的 軟磁材料制成，并位于主磁極60的前側(cè)；連接部63,用于將前導(dǎo)軛62的頂部（遠(yuǎn)離浮動(dòng)表 面43的端部）物理連接到主磁極60 ;記錄線圈66,其纏繞在包括前導(dǎo)軛62和主磁極60的 磁路周圍，以便將磁通量傳送到主磁極60 ;近場(chǎng)光產(chǎn)生元件（等離子體激元發(fā)生器、近場(chǎng)換 能器）65,其被設(shè)置在主磁極60的前側(cè)以產(chǎn)生近場(chǎng)光來(lái)加熱磁盤16的記錄層103 ;以及波 導(dǎo)68,其將用于產(chǎn)生近場(chǎng)光的光導(dǎo)入近場(chǎng)光產(chǎn)生元件65。近場(chǎng)光產(chǎn)生元件65是發(fā)光元件， 其產(chǎn)生指向磁盤16的光并且由金屬體（例如，金）制成。波導(dǎo)68將用于產(chǎn)生近場(chǎng)光的光 傳播到近場(chǎng)光產(chǎn)生兀件65。主磁極60的遠(yuǎn)端表面60a、前導(dǎo)軛62的遠(yuǎn)端表面62a、以及近 場(chǎng)光產(chǎn)生元件65的等離子體激元天線65a在滑塊42的浮動(dòng)表面43上暴露。
[0041] 波導(dǎo)68包括從滑塊42的滑塊支撐表面45朝著浮動(dòng)表面43延伸到近場(chǎng)光產(chǎn)生元 件65附近的第一波導(dǎo)68a，以及從該第一波導(dǎo)68a的下端延伸到浮動(dòng)表面43附近的第二波 導(dǎo)68b。第一波導(dǎo)68a和第二波導(dǎo)68b沿著基本垂直于浮動(dòng)表面43的方向延伸。
[0042] 第一波導(dǎo)68a包括位于滑塊42的滑塊支撐表面45上的第一入射面70a，和位于下 端的第一發(fā)射面70b。第一發(fā)射面70b被形成為基本平行于浮動(dòng)表面43,面向激光產(chǎn)生元 件40。第二波導(dǎo)68b包括位于與滑塊支撐表面45平行的上端的第二入射面72a，和垂直于 該第二入射面72a延伸的第二發(fā)射面72b。第二波導(dǎo)68b的第二入射面72a緊靠第一波導(dǎo) 68a的第一發(fā)射面70b，也就是說(shuō)，接合在一起。據(jù)此，第一波導(dǎo)68a和第二波導(dǎo)68b連續(xù)地 以直線型延伸。第二波導(dǎo)68b的第二發(fā)射面72b基本垂直于浮動(dòng)表面43延伸，并且面向近 場(chǎng)光產(chǎn)生兀件65。
[0043] 第一波導(dǎo)68a和第二波導(dǎo)68b由具有不同折射率的材料制成。在實(shí)施例中，第二 波導(dǎo)68b以低于第一波導(dǎo)68a的折射率的折射率制成。第一波導(dǎo)68a例如由折射率為2. 5 的氧化鈦制成，第二波導(dǎo)68b由折射率為1. 8的氧化鎂制成。
[0044] 近場(chǎng)光產(chǎn)生元件65基本以棱柱形狀形成，其包括：從其下端突出并且在浮動(dòng)表面 43上暴露的等尚子體激兀天線65a ;面向第二波導(dǎo)68b的第三入射面65b，以及與該第三入 射面65b相對(duì)的其它側(cè)面。第三入射面65b從浮動(dòng)表面43的附近開(kāi)始，基本垂直于該浮動(dòng) 表面延伸。第三入射面65b面向第二波導(dǎo)68b的第二發(fā)射面72b并且與該第二發(fā)射面平行， 第三入射面與第二發(fā)射面之間具有間隙。低折射率層76被設(shè)置在近場(chǎng)光產(chǎn)生元件65的第 三入射面65b與第二波導(dǎo)68b的第二發(fā)射面72b之間的該間隙中。低折射率層76由折射 率低于第二波導(dǎo)68b的折射率的材料制成，例如，二氧化硅。第二波導(dǎo)68b可由二氧化硅層 包圍。
[0045] 進(jìn)一步地，如圖7和8所示，第二波導(dǎo)68b可被覆層80包圍，除了第二發(fā)射面72b 之外。該覆層80由折射率低于低折射率層76的折射率的材料制成。
[0046] 如圖4和5所示，再現(xiàn)頭54和記錄頭58被非磁性保護(hù)絕緣膜74覆蓋，除了滑塊 42暴露給浮動(dòng)表面43的部分之外。保護(hù)絕緣膜74形成滑塊42的外形。
[0047] 被提供給記錄頭58的記錄線圈66的電流和激光產(chǎn)生元件40的驅(qū)動(dòng)電流由HDD 的控制電路板（控制單元）控制。當(dāng)在磁盤16的記錄層103中寫入信號(hào)時(shí)，預(yù)定的電流被 從電源提供給記錄線圈66,從而將磁通量傳遞到主磁極60并產(chǎn)生磁場(chǎng)。進(jìn)一步地，從作為 光源的激光產(chǎn)生元件40產(chǎn)生的激光（激發(fā)光）進(jìn)入波導(dǎo)68并通過(guò)波導(dǎo)68被提供給近場(chǎng) 光產(chǎn)生元件65。
[0048] 根據(jù)上述配置的HDD，通過(guò)驅(qū)動(dòng)VCM 24,支架組件14旋轉(zhuǎn)，并且磁頭33被移動(dòng)并 定位在磁盤16的預(yù)定磁道上方。進(jìn)一步地，磁頭33因?yàn)楦鶕?jù)磁盤16的旋轉(zhuǎn)在盤表面與浮 動(dòng)表面43之間產(chǎn)生的氣流B而浮動(dòng)。在HDD操作期間，滑塊42的浮動(dòng)表面43保持面向盤 表面，并且二者之間具有間隙。在這種狀況下，通過(guò)再現(xiàn)頭54從磁盤16讀取已記錄的信息， 并且通過(guò)記錄頭58將信息（信號(hào)）寫入磁盤16。
[0049] 在寫入信息期間，記錄線圈66激勵(lì)主磁極60,并且通過(guò)沿著位于主磁極60下方 的磁盤16的記錄層103的垂直方向施加記錄磁場(chǎng)，按照所需的磁道寬度記錄信息。進(jìn)一步 地，通過(guò)波導(dǎo)68,將激光從激光產(chǎn)生元件40提供給近場(chǎng)光產(chǎn)生元件65,從而通過(guò)近場(chǎng)光產(chǎn) 生元件65產(chǎn)生近場(chǎng)光。通過(guò)使用近場(chǎng)光產(chǎn)生元件65的等離子體激元天線65a所產(chǎn)生的近 場(chǎng)光對(duì)磁盤16的記錄層103進(jìn)行局部加熱，降低該記錄層部中的抗磁力。來(lái)自主磁極60 的記錄磁場(chǎng)被施加到該抗磁力降低的區(qū)域，從而在此處寫入信號(hào)。這樣，通過(guò)在記錄層103 的局部加熱區(qū)域（其中抗磁力降低）中寫入信號(hào)，實(shí)現(xiàn)高密度磁記錄。近場(chǎng)光產(chǎn)生元件65 的等離子體激元天線65a被設(shè)置在主磁極60的遠(yuǎn)端部60a的附近，因?yàn)閼?yīng)該在激光所加熱 的磁盤16冷卻下來(lái)并且抗磁力恢復(fù)之前，將來(lái)自磁頭33的磁場(chǎng)施加到磁盤16。
[0050] 當(dāng)近場(chǎng)光被從近場(chǎng)光產(chǎn)生元件65施加到磁盤16時(shí)，來(lái)自激光產(chǎn)生元件40的激光 通過(guò)第一波導(dǎo)68a傳播，同時(shí)在第一波導(dǎo)68a的芯部的內(nèi)壁表面（側(cè)面或周面）上被重復(fù) 地反射，然后通過(guò)第一發(fā)射