70b和第二入射面72a而進(jìn)入第二 波導(dǎo)68b。在此，由于第二波導(dǎo)68b的折射率高于第一波導(dǎo)68a的折射率，因此，在第一發(fā)射 面70b和第二入射面72a中發(fā)生折射，第二入射面72a上的折射角Fb變得小于第一發(fā)射面 70b上的入射角la。據(jù)此，在第二波導(dǎo)68b的芯部的內(nèi)壁表面上反射的激光的反射角Rb變 得小于相對于壁面的垂線的70°至80°的角度。例如，當(dāng)?shù)谝徊▽?dǎo)68a由折射率為1. 8的 氧化鎂制成，并且第二波導(dǎo)68b由折射率為2. 5的氧化鈦制成時(shí)，第一波導(dǎo)68a中的反射角 Ra = 80°更改為第二波導(dǎo)68b中的反射角Rb = 76°，并且第一波導(dǎo)68a中的反射角Ra = 70°更改為第二波導(dǎo)68b中的反射角Rb = 62°。
[0076] 據(jù)此，在限制第一波導(dǎo)68a中的激光傳播損耗的同時(shí)，可有效地將能量從第二波 導(dǎo)68b傳播到近場光產(chǎn)生元件65。
[0077] 在第三實(shí)施例中，磁頭33和HDD的其它部件與上述第一實(shí)施例相同。而且在如上 配置的第三實(shí)施例中，可獲取能夠以高效率和穩(wěn)定性實(shí)現(xiàn)熱輔助記錄的磁記錄頭以及包括 該磁記錄頭的盤裝置。
[0078] 在第三實(shí)施例中，如圖12所7K，近場光產(chǎn)生兀件65的第三入射面65b可與第二波 導(dǎo)68b的第二發(fā)射面72b接觸或接合。進(jìn)一步地，除了第二入射面72a和第二發(fā)射面72b 之外的第二波導(dǎo)68b的外周面被低折射率材料制成的覆層80覆蓋。
[0079] 盡管已經(jīng)描述了特定實(shí)施例，但是這些實(shí)施例僅通過舉例的方式呈現(xiàn)，并非旨在 限制本發(fā)明的范圍。實(shí)際上，此處描述的新穎實(shí)施例可通過多種其它方式實(shí)現(xiàn)；而且，在不 偏離本發(fā)明的精神的情況下，可對此處描述的實(shí)施例做出多種形式上的省略、替換和更改。 所附權(quán)利要求及其等同物旨在涵蓋這些落在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的形式或修改。
[0080] 例如，可根據(jù)需要修改形成頭部的每個(gè)元件的材料、形狀和大小。進(jìn)一步地，在磁 盤中，可根據(jù)需要增加磁盤和磁頭的數(shù)量，并且可以多種方式更改磁盤大小。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種磁記錄頭，包括： 磁極，其向記錄介質(zhì)施加記錄磁場； 發(fā)光元件，其被配置為產(chǎn)生光以加熱所述記錄介質(zhì)的記錄表面；以及 波導(dǎo)，其位于所述發(fā)光元件的前側(cè)以將入射光導(dǎo)入所述發(fā)光元件，其中 所述波導(dǎo)包括： 第一波導(dǎo)，其具有光進(jìn)入的入射面，以及 第二波導(dǎo)，其具有面向所述第一波導(dǎo)的第一表面，以及面向所述發(fā)光元件并且基本垂 直于所述記錄介質(zhì)的所述記錄表面延伸的第二表面，來自所述第一波導(dǎo)的光通過該第一表 面進(jìn)入，進(jìn)入所述發(fā)光元件的光通過該第二表面， 所述第二波導(dǎo)的折射率不同于所述第一波導(dǎo)的折射率。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述第二波導(dǎo)的所述第一和第二表面相互垂 直。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述第二波導(dǎo)的所述第一和第二表面相互平 行。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁記錄頭，其中所述第一和第二波導(dǎo)分別沿著垂直于所述記 錄介質(zhì)的所述記錄表面的方向延伸，但是不沿著所述方向?qū)R。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中 所述發(fā)光元件被設(shè)置在所述第二波導(dǎo)與所述磁極之間。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，進(jìn)一步包括： 低折射率層，其被設(shè)置在所述發(fā)光元件與所述第二波導(dǎo)的所述第二表面之間，所述低 折射率層的折射率低于所述第二波導(dǎo)的折射率。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中 所述發(fā)光元件與所述第二波導(dǎo)的所述第二表面接觸和接合。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，進(jìn)一步包括： 覆層，其由折射率低于所述第二波導(dǎo)的折射率的材料制成，并且覆蓋所述第二波導(dǎo)中 除所述第二表面以外的周邊。9. 一種盤裝置，包括： 盤狀記錄介質(zhì)，其包括磁記錄層； 驅(qū)動(dòng)單元，其支撐并旋轉(zhuǎn)所述記錄介質(zhì)； 磁記錄頭，其包括向記錄介質(zhì)施加記錄磁場的磁極，被配置為產(chǎn)生光以加熱所述記錄 介質(zhì)的記錄表面的發(fā)光元件，以及位于所述發(fā)光元件的前側(cè)以將入射光導(dǎo)入所述發(fā)光元件 的波導(dǎo)；以及 進(jìn)入所述波導(dǎo)并由所述波導(dǎo)引導(dǎo)的所述入射光的光源， 其中所述波導(dǎo)包括： 第一波導(dǎo)，其具有光進(jìn)入的入射面，以及 第二波導(dǎo)，其具有面向所述第一波導(dǎo)的第一表面，以及面向所述發(fā)光元件并且基本垂 直于所述記錄介質(zhì)的所述記錄表面延伸的第二表面，來自所述第一波導(dǎo)的光通過該第一表 面進(jìn)入，進(jìn)入所述發(fā)光元件的光通過該第二表面， 所述第二波導(dǎo)的折射率不同于所述第一波導(dǎo)的折射率。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的盤裝置，其中所述第二波導(dǎo)的所述第一和第二表面相互垂 直。11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的盤裝置，其中所述第二波導(dǎo)的所述第一和第二表面相互平 行。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的盤裝置，其中所述第一和第二波導(dǎo)分別沿著垂直于所述記 錄介質(zhì)的所述記錄表面的方向延伸，但是不沿著所述方向?qū)R。13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的盤裝置，其中 所述發(fā)光元件被設(shè)置在所述第二波導(dǎo)與所述磁極之間。14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的盤裝置，進(jìn)一步包括： 低折射率層，其被設(shè)置在所述發(fā)光元件與所述第二波導(dǎo)的所述第二表面之間，所述低 折射率層的折射率低于所述第二波導(dǎo)的折射率。15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的盤裝置，其中 所述發(fā)光元件與所述第二波導(dǎo)的所述第二表面接觸和接合。16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的盤裝置，進(jìn)一步包括： 覆層，其由折射率低于所述第二波導(dǎo)的折射率的材料制成，并且覆蓋所述第二波導(dǎo)中 除所述第二表面以外的周邊。17. -種用于盤裝置的磁記錄頭，該盤裝置包括含有磁記錄層的盤狀記錄介質(zhì)、支撐并 旋轉(zhuǎn)所述記錄介質(zhì)的驅(qū)動(dòng)單元、以及光源，所述磁記錄頭包括： 主磁極，其向所述記錄介質(zhì)施加記錄磁場； 發(fā)光元件，其被配置為產(chǎn)生光以加熱所述記錄介質(zhì)的記錄表面；以及 波導(dǎo)，其位于所述發(fā)光元件的與所述主磁極相反的一側(cè)，所述波導(dǎo)包括第一波導(dǎo)以及 第二波導(dǎo)，該第一波導(dǎo)具有來自所述光源的光進(jìn)入的入射面，該第二波導(dǎo)具有面向所述第 一波導(dǎo)的第一表面、以及面向所述發(fā)光元件并且基本垂直于所述記錄介質(zhì)的所述記錄表面 延伸的第二表面，來自所述第一波導(dǎo)的光通過該第一表面進(jìn)入，進(jìn)入所述發(fā)光元件的光通 過該第二表面， 其中所述第二波導(dǎo)的折射率小于所述第一波導(dǎo)的折射率。18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁記錄頭，進(jìn)一步包括： 低折射率層，其介于所述發(fā)光元件與所述第二波導(dǎo)的所述第二表面之間， 其中所述低折射率層的折射率低于所述第二波導(dǎo)的折射率。19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的磁記錄頭，進(jìn)一步包括： 覆層，其由折射率低于所述低折射率層的折射率的材料制成，并且覆蓋所述第二波導(dǎo) 中除所述第二表面以外的周邊。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的磁記錄頭，其中所述覆層具有覆蓋所述第一波導(dǎo)的周邊的 部分。
【專利摘要】本發(fā)明涉及磁記錄頭和具有該磁記錄頭的盤裝置。一種磁記錄頭：包括磁極，其向記錄介質(zhì)施加記錄磁場；發(fā)光元件，其被配置為產(chǎn)生光以加熱所述記錄介質(zhì)的記錄表面；以及波導(dǎo)，其位于所述發(fā)光元件的前側(cè)以將入射光導(dǎo)入所述發(fā)光元件。所述波導(dǎo)包括第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，該第一波導(dǎo)具有光進(jìn)入的入射面，該第二波導(dǎo)具有面向所述第一波導(dǎo)的第一表面、以及面向所述發(fā)光元件并且基本垂直于所述記錄介質(zhì)的所述記錄表面延伸的第二表面，來自所述第一波導(dǎo)的光通過該第一表面進(jìn)入，進(jìn)入所述發(fā)光元件的光通過該第二表面。所述第二波導(dǎo)的折射率不同于所述第一波導(dǎo)的折射率。
【IPC分類】G11B5/48, G11B5/31
【公開號(hào)】CN105006237
【申請?zhí)枴緾N201410668942
【發(fā)明人】山田裕一
【申請人】株式會(huì)社東芝
【公開日】2015年10月28日
【申請日】2014年11月20日
【公告號(hào)】US9087531