的狀態(tài)E，并且上頁(yè)保持1，則存儲(chǔ)器單元將保持處于狀態(tài)E。如果存儲(chǔ)器單元處于狀態(tài)E并且其上頁(yè)數(shù)據(jù)要被編程為0，則存儲(chǔ)器單元的閾值電壓將升高，使得存儲(chǔ)器單元處于狀態(tài)A。如果存儲(chǔ)器單元處于中間的閾值電壓分布520并且上頁(yè)數(shù)據(jù)仍然為1，則存儲(chǔ)器單元將被編程為最終狀態(tài)C。如果存儲(chǔ)器單元處于中間閾值電壓分布520并且上頁(yè)數(shù)據(jù)要變?yōu)閿?shù)據(jù)0，則存儲(chǔ)器單元將成為狀態(tài)B。由圖8A至圖8C示出的處理降低了浮置柵極與浮置柵極耦合的效應(yīng)，因?yàn)閮H對(duì)鄰近存儲(chǔ)器單元的上頁(yè)編程將對(duì)給定的存儲(chǔ)器單元的明顯閾值電壓產(chǎn)生影響。
[0073]雖然圖8A至圖8C提供了關(guān)于4種數(shù)據(jù)狀態(tài)和兩個(gè)數(shù)據(jù)頁(yè)的示例，但是由圖8A至圖8C教示的概念可以應(yīng)用于具有多于或少于4種狀態(tài)并且不同于兩頁(yè)的其他實(shí)現(xiàn)方案?？梢栽诿绹?guó)專利N0.7，196，928中找到關(guān)于圖8A至圖8C的編程處理的更多細(xì)節(jié)，其通過(guò)引用被合并到本文中。
[0074]圖10是描述用于對(duì)非易失性存儲(chǔ)器如圖3的系統(tǒng)(或其他系統(tǒng))進(jìn)行操作的處理的一種實(shí)施方式的流程圖。在步驟600中，接收對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行編程的請(qǐng)求。該請(qǐng)求可能來(lái)自主機(jī)、另一裝置或控制器。該請(qǐng)求可以在控制器、控制電路、狀態(tài)機(jī)或其他裝置處被接收。在步驟602中，響應(yīng)于該請(qǐng)求，控制器、控制電路、狀態(tài)機(jī)或其他部件將確定閃速存儲(chǔ)器單元中的哪個(gè)塊將用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。在步驟604中，使用上述編程處理(或其他編程處理)中的任何編程處理將數(shù)據(jù)編程至所確定的塊中。在步驟606中，一次或多次讀取經(jīng)編程的數(shù)據(jù)。由于在步驟之間會(huì)經(jīng)過(guò)不可預(yù)測(cè)的時(shí)間量，所以在步驟604與步驟606之間存在虛線，并且步驟606不響應(yīng)于步驟604而執(zhí)行。更確切地，步驟606響應(yīng)于讀數(shù)據(jù)的請(qǐng)求或其他事件而執(zhí)行。
[0075]圖11是描述用于對(duì)塊中的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程的編程處理的流程圖。圖11的處理是圖10的步驟604的一種實(shí)施方式。在步驟632中，在編程之前(以塊或其他單位)擦除存儲(chǔ)器單元。在一種實(shí)施方式中，通過(guò)將P阱升高至擦除電壓(例如，20伏特)足夠的時(shí)間段并且將所選擇的塊的字線接地同時(shí)將源極線和位線浮置來(lái)擦除存儲(chǔ)器單元。因此，強(qiáng)電場(chǎng)被施加至所選擇的存儲(chǔ)器單元的隧道氧化層，并且當(dāng)通常通過(guò)福勒-諾德海姆隧道機(jī)制(Fowler-Nordheim tunneling mechanism)將浮置柵極的電子發(fā)射至襯底側(cè)時(shí)，所選擇的存儲(chǔ)器單元被擦除。由于電子從浮置柵極轉(zhuǎn)移至P阱區(qū)，所以所選擇的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓降低?？梢詫?duì)整個(gè)存儲(chǔ)器陣列、單個(gè)塊或單元的其他單位執(zhí)行擦除。還可以使用用于擦除的其他技術(shù)。
[0076]在步驟634中，執(zhí)行軟編程以使已擦除的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布變窄。由于擦除處理，一些存儲(chǔ)器單元可以處于比需要的狀態(tài)更深的擦除狀態(tài)。軟編程可以施加編程脈沖以將較深擦除的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓移動(dòng)至仍然處于擦除狀態(tài)的有效范圍內(nèi)的較高的閾值電壓。在步驟363中，如本文所述對(duì)塊的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程?？梢允褂蒙鲜龈鞣N電路在狀態(tài)機(jī)、控制器或狀態(tài)機(jī)和控制器的組合的指導(dǎo)下執(zhí)行圖11的處理。例如，控制器可以向狀態(tài)機(jī)發(fā)出命令和數(shù)據(jù)以對(duì)該數(shù)據(jù)進(jìn)行編程。作為響應(yīng)，狀態(tài)機(jī)可以操作如上所述的電路以執(zhí)行編程操作。
[0077]圖12是描述用于對(duì)連接至公共字線的一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行編程的處理的一種實(shí)施方式的流程圖。因此，當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)器單元的塊進(jìn)行編程時(shí)，針對(duì)塊的每個(gè)字線執(zhí)行圖12的處理一次或更多次。在圖11的步驟636期間，可以執(zhí)行圖12的處理一次或多次。例如，可以使用圖12的處理將存儲(chǔ)器單元從狀態(tài)E直接編程至狀態(tài)A、B或C中的任何狀態(tài)(例如，全序列編程)?？商娲?，可以使用圖12的處理來(lái)執(zhí)行圖7、圖8A至圖8C或其他編程方案的處理的一個(gè)階段或每個(gè)階段。例如，當(dāng)執(zhí)行圖8A至圖8C的處理時(shí)，圖12的處理用于實(shí)現(xiàn)第一階段，該第一階段包括將一些存儲(chǔ)器單元從狀態(tài)E編程至狀態(tài)B’。然后，圖12的處理可以再次用于實(shí)現(xiàn)第二階段，該第二階段包括將一些存儲(chǔ)器單元從狀態(tài)E編程至狀態(tài)A并且將一些存儲(chǔ)器單元從狀態(tài)B’編程至狀態(tài)B和狀態(tài)C。
[0078]通常，將在編程操作期間施加于控制柵極的編程電壓施加為一系列編程脈沖。編程脈沖之間是一組執(zhí)行驗(yàn)證的一個(gè)或更多個(gè)驗(yàn)證脈沖。在很多實(shí)現(xiàn)方案中，編程脈沖的幅度隨著每個(gè)連續(xù)的脈沖而增加預(yù)定步長(zhǎng)大小。在圖12的步驟770中，將編程電壓(Vpgm)初始化為起始幅度(例如，約12V至16V或另一適當(dāng)?shù)碾娖?，并且將由狀態(tài)機(jī)222保持的編程計(jì)數(shù)器PC初始化為1。
[0079]在步驟772中，將編程信號(hào)Vpgm的編程脈沖施加于所選擇的字線(針對(duì)編程而選擇的字線)。在一種實(shí)施方式中，正在被編程的存儲(chǔ)器單元都被連接至同一字線(所選擇的字線)。未被選擇的字線接收一個(gè)或更多個(gè)升高的電壓(例如，約9伏特)來(lái)執(zhí)行本領(lǐng)域已知的升壓方案以避免編程干擾。存在能夠與本文所描述的技術(shù)一起使用的很多不同的升壓方案。在一種實(shí)施方式中，如果應(yīng)當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程，則將相對(duì)應(yīng)的位線接地。另一方面，如果存儲(chǔ)器單元應(yīng)當(dāng)保持處于其當(dāng)前的閾值電壓，則相對(duì)應(yīng)的位線被連接至Vdd以禁止編程。在步驟772中，將編程脈沖同時(shí)施加于連接至所選擇的字線的所有存儲(chǔ)器單元，使得連接至所選擇的字線的應(yīng)當(dāng)被編程的所有存儲(chǔ)器單元同時(shí)被編程。即，同時(shí)(或在交疊時(shí)間期間)對(duì)這些存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程。以這種方式，連接至所選擇的字線的所有存儲(chǔ)器單元將同時(shí)改變其閾值電壓，除非這些存儲(chǔ)器單元已經(jīng)被鎖定而不進(jìn)行編程。
[0080]在步驟774中，使用適當(dāng)?shù)囊唤M目標(biāo)電平執(zhí)行一個(gè)或更多個(gè)驗(yàn)證操作來(lái)驗(yàn)證適當(dāng)?shù)拇鎯?chǔ)器單元。如果存儲(chǔ)器單元被驗(yàn)證已經(jīng)達(dá)到其目標(biāo)，則該存儲(chǔ)器單元被鎖定而不進(jìn)行進(jìn)一步編程。用于鎖定存儲(chǔ)器單元而不進(jìn)行進(jìn)一步編程的一種實(shí)施方式是將相對(duì)應(yīng)的位線電壓升高到例如Vdd。
[0081]在步驟776中，確定所有存儲(chǔ)器單元是否已經(jīng)達(dá)到其目標(biāo)閾值電壓。如果所有存儲(chǔ)器單元已經(jīng)達(dá)到其目標(biāo)閾值電壓，則編程處理完成并且成功，這是因?yàn)樗羞x擇的存儲(chǔ)器單元被編程并且被驗(yàn)證至其目標(biāo)狀態(tài)。在步驟778中報(bào)告“通過(guò)”狀態(tài)。如果在步驟776中確定不是所有存儲(chǔ)器單元都已經(jīng)達(dá)到其目標(biāo)閾值電壓，則編程處理繼續(xù)進(jìn)行至步驟780。
[0082]在步驟780中，系統(tǒng)對(duì)尚未達(dá)到其相應(yīng)的目標(biāo)閾值電壓分布的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。即，系統(tǒng)對(duì)驗(yàn)證處理已經(jīng)失敗的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。該計(jì)數(shù)可以通過(guò)狀態(tài)機(jī)、控制器或其他邏輯來(lái)進(jìn)行。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)方案中，每個(gè)感測(cè)塊300 (參見圖3)將存儲(chǔ)其相應(yīng)的存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)(通過(guò)/失敗)?？梢允褂脭?shù)字計(jì)數(shù)器對(duì)這些值進(jìn)行計(jì)數(shù)。如上所述，感測(cè)塊中的很多感測(cè)塊具有被或接線(wire-OR’d)在一起的輸出信號(hào)。因此，檢查一條線就可以指示一大組單元中沒有單元驗(yàn)證失敗。通過(guò)適當(dāng)?shù)亟M織被或接線在一起的線(例如，類似二叉樹的結(jié)構(gòu))，可以使用二分檢索法來(lái)確定失敗單元的數(shù)量。以這樣的方式，如果小數(shù)量的單元失敗，則計(jì)數(shù)很快完成。如果大量單元失敗，則計(jì)數(shù)時(shí)間較長(zhǎng)。在美國(guó)專利公開2008/0126676中可以找到更多信息，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用被合并到本文中。在另一替選方案中，如果每個(gè)靈敏放大器相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器單元已經(jīng)失敗，則每個(gè)靈敏放大器可以輸出模擬電壓或電流，并且模擬電壓或電流求和電路可以用于對(duì)已經(jīng)失敗的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。在一種實(shí)施方式中，存在一個(gè)計(jì)數(shù)的總數(shù)，這個(gè)總數(shù)反映當(dāng)前正在被編程的在最后的驗(yàn)證步驟已經(jīng)失敗的存儲(chǔ)器單元的總數(shù)。在另一實(shí)施方式中，針對(duì)每個(gè)數(shù)據(jù)狀態(tài)進(jìn)行單獨(dú)的計(jì)數(shù)。
[0083]在步驟782中，確定來(lái)自步驟780的計(jì)數(shù)是否小于或等于預(yù)定極限。在一種實(shí)施方式中，預(yù)定極限是在存儲(chǔ)器單元的頁(yè)的讀處理期間能夠由ECC校正的位的數(shù)量。如果失敗單元的數(shù)量小于或等于預(yù)定極限，則編程處理可以停止并且在步驟778中報(bào)告“通過(guò)”狀態(tài)。在這種情況下，足夠的存儲(chǔ)器單元正確地被編程，使得尚未完全被編程的少量剩余的存儲(chǔ)器單元可以在讀處理期間使用ECC來(lái)校正。在一些實(shí)施方式中，步驟780對(duì)每個(gè)扇區(qū)、每個(gè)目標(biāo)數(shù)據(jù)狀態(tài)或其他單位的失敗單元的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)，并且在步驟782中將這些計(jì)數(shù)單個(gè)地或者整體地與閾值進(jìn)行比較。在另一實(shí)施方式中，預(yù)定極限可以小于在讀處理期間可以由ECC校正的位的數(shù)量，以為以后的錯(cuò)誤考慮。當(dāng)針對(duì)頁(yè)對(duì)并非所有存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程或者比較僅一種數(shù)據(jù)狀態(tài)(或并非所有狀態(tài))的計(jì)數(shù)時(shí)，則預(yù)定極限可以是在存儲(chǔ)器單元的頁(yè)的讀處理期間可以由ECC校正的位的數(shù)量的一部分(按比例或不按比例)。在一些實(shí)施方式中，未預(yù)先確定該極限。替代地，該極限基于已經(jīng)針對(duì)頁(yè)已經(jīng)計(jì)數(shù)的錯(cuò)誤的數(shù)量、被執(zhí)行的編程擦除循環(huán)的數(shù)量、溫度或其他標(biāo)準(zhǔn)而變化。
[0084]如果失敗單元的數(shù)量不小于預(yù)定極限，則編程處理繼續(xù)進(jìn)行至步驟784，并且對(duì)照編程極限值(PL)來(lái)檢查編程計(jì)數(shù)器PC。編程極限值的一個(gè)示例是20 ;然而，也可以使用其他值。如果編程計(jì)數(shù)器PC不小于編程極限值PL，則認(rèn)為編程處理失敗，并且在步驟788中報(bào)告失敗的狀態(tài)。如果編程計(jì)數(shù)器PC小于編程極限值PL，則處理繼續(xù)進(jìn)行至步驟786，在步驟786期間，編程計(jì)數(shù)器PC增加1并且編程電壓Vpgm步進(jìn)到下一個(gè)幅度。例如，下一個(gè)脈沖的幅度比先前脈沖的幅度大了步長(zhǎng)大小(例如，0.1至0.4伏特的步長(zhǎng)大小)。在步驟786之后，處理循環(huán)返回至步驟772并且將另一編程脈沖施加至所選擇的字線。
[0085]在驗(yàn)證操作(例如，步驟774)和讀操作期間，所選擇的字線被連接至以下電壓，針對(duì)每個(gè)讀操作(例如，Vra、Vrb和Vrc)或驗(yàn)證操作(例如，Vva、Vvb和Vvc)來(lái)指定該電壓的電平，以確定所關(guān)注的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓是否已經(jīng)達(dá)到這樣的電平。在給字線施加電壓之后，測(cè)量存儲(chǔ)器單元的導(dǎo)電電流以確定存儲(chǔ)器單元是否響應(yīng)于施加至字線的電壓而接通。如果測(cè)量到導(dǎo)電電流大于某個(gè)值，則假設(shè)存儲(chǔ)器單元接通并且施加至字線的電壓大于存儲(chǔ)器單元的閾值電壓。如果測(cè)量到導(dǎo)電電流不大于某個(gè)值，則認(rèn)為存儲(chǔ)器單元未接通并且施加至字線的電壓不大于存儲(chǔ)器單元的閾值電壓。
[0086]存在在讀操作或驗(yàn)證操作期間測(cè)量存儲(chǔ)器單元的導(dǎo)電電流的很多方法。在一個(gè)示例中，存儲(chǔ)器單元的導(dǎo)電電流由其對(duì)靈敏放大器中的專用電容器進(jìn)行放電或充電的速率來(lái)測(cè)量。在另一示例中，所選擇的存儲(chǔ)器單元的導(dǎo)電電流允許(或不允許)包括該存儲(chǔ)器單元的NAND串使相對(duì)應(yīng)的位線放電。在查看位線已經(jīng)被放電還是未被放電的時(shí)間段之后，測(cè)量位線上的電壓。注意，本文中描述的技術(shù)可以與本領(lǐng)域已知的用于驗(yàn)證/讀取的不同方法一起來(lái)使用。在下面的專利文獻(xiàn)中可以找到關(guān)于驗(yàn)證/讀取的更多信息:(1)美國(guó)專利申請(qǐng)公開N0.2004/0057287 ； (2)美國(guó)專利申請(qǐng)公開N0.2004/0109357 ； (3)美國(guó)專利申請(qǐng)公開N0.2005/0169082 ;以及(4)美國(guó)專利申請(qǐng)公開N0.2006/0221692，這些專利文獻(xiàn)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用被合并到本文中。根據(jù)本領(lǐng)域已知的技術(shù)來(lái)執(zhí)行上述擦除操作、讀操作和驗(yàn)證操作。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以改變很多所說(shuō)明的細(xì)節(jié)。也可以使用本領(lǐng)域已知的其他擦除技術(shù)、讀技術(shù)和驗(yàn)證技術(shù)。
[0087]圖13是示出了能夠使本文中公開的方法技術(shù)化的一個(gè)示例物理電路的框圖。所示出的電路包括與一個(gè)或更多個(gè)控制電路1304 (雖然圖13僅示出了一個(gè)控制電路，但是其他實(shí)施方式可以采用更多的控制電路)進(jìn)行通信的存儲(chǔ)器管芯1302。如圖2所示，存儲(chǔ)器管芯1302可以包括存儲(chǔ)器陣列200 (包括存儲(chǔ)器管芯)及其連接的部件，然而還如圖2所示，控制電路1304可以包括(至少部分地)控制器244。在一種實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器管芯1302上的非易失性存儲(chǔ)元件是存儲(chǔ)兩位數(shù)據(jù)的NAND存儲(chǔ)器單元，但是在其他實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器單元可以每存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)多于兩位。
[0088]在一種實(shí)施方式中，控制電路1304可以包括存儲(chǔ)器接口 1306、處理器1308、RAM1310和主機(jī)接口 1312。存儲(chǔ)器接口 1306是通過(guò)其將來(lái)自處理器1306的輸出數(shù)據(jù)饋送至存儲(chǔ)器管芯1302中的基本裝置。可替代地，系統(tǒng)可以使用存儲(chǔ)器接口將從存儲(chǔ)器管芯傳送的數(shù)據(jù)饋送至處理器。存儲(chǔ)器接口還可以包括尋址電路，該尋址電路確定數(shù)據(jù)要被寫在存儲(chǔ)器管芯上哪個(gè)地方以及從存儲(chǔ)器管芯上哪個(gè)地方讀取數(shù)據(jù)。處理器1308對(duì)從主機(jī)接口1312,RAM 1310和存儲(chǔ)器接口 1306接收的數(shù)據(jù)執(zhí)行邏輯運(yùn)算和算術(shù)運(yùn)算，以確定要將哪些數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器管芯上，要將哪些數(shù)據(jù)本地存儲(chǔ)在RAM上，以及要將哪些數(shù)據(jù)通過(guò)主機(jī)接口傳送至主機(jī)。如所示，主機(jī)接口被連接至主機(jī)裝置，并且主機(jī)接口是管理控制器處理器1308與主機(jī)裝置之間的雙向通信的系統(tǒng)。僅作為示例，如果所公開的方法和系統(tǒng)以數(shù)碼相機(jī)(或其他主機(jī))的存儲(chǔ)卡的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，則主機(jī)接口可以使得圖13的電路能夠與在該相機(jī)(或其他主機(jī))的運(yùn)行中使用的其他電子器件進(jìn)行雙向通信。RAM 1310可以用作緩存數(shù)據(jù)的本地存儲(chǔ)裝置，使得在處理器將數(shù)據(jù)中繼至主機(jī)接口之前將該數(shù)據(jù)移動(dòng)至存儲(chǔ)器1302或從存儲(chǔ)器1302檢索該數(shù)據(jù)。具體地，如圖13所示，RAM 1310包括一組寄存器(Rl、R2、R3、R4、…)或用作寄存器的存儲(chǔ)器位置，使得這些寄存器可以存儲(chǔ)離散的數(shù)據(jù)組并且將該數(shù)據(jù)傳遞給彼此。
[0089]圖14示出了以下存儲(chǔ)器系統(tǒng):除了存儲(chǔ)器系統(tǒng)(1402)包括每個(gè)都具有與存儲(chǔ)器1302類似的(或不同的)容量和功能的多個(gè)管芯(管芯1、管芯2、管芯3、管芯4)以外，其他與圖13中所示出的存儲(chǔ)器系統(tǒng)類似。雖然圖14示出了 4個(gè)管芯，但是可以使用多于或少于4個(gè)管芯?？刂齐娐?404包括與存儲(chǔ)器接口 1406、RAM 1410和主機(jī)接口 1412進(jìn)行通信的處理器1408。在一種實(shí)施方式中，RAM 1410包括易失性存儲(chǔ)器。在另一實(shí)施方式中，RAM 1410包括非易失性存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器接口 1406可以配備有獨(dú)立于其他管芯而與單個(gè)管芯進(jìn)行通信的能力，并且在實(shí)施方式中可以修改控制器1404的其他部件(即，處理器1408、RAM 1410和主機(jī)接口 1412)，以處理并解決由多個(gè)管芯引起的增加的容量或功能。具體地，RAM 1410包括一組寄存器或用作寄存器的存儲(chǔ)器位置，使得這些寄存器可以存儲(chǔ)離散的數(shù)據(jù)組并且彼此傳遞該數(shù)據(jù)。圖14示出了具有4個(gè)寄存器(上奇、上偶、下奇和下偶)的RAM1410 ;然而，也可以使用多于4個(gè)寄存器或少于4個(gè)寄存器。
[0090]圖15示出了存儲(chǔ)器單元的一個(gè)示例塊的一部分的存儲(chǔ)器管芯上的數(shù)據(jù)頁(yè)的子集的示例性布局。在該實(shí)施方式中，每個(gè)字線存儲(chǔ)兩頁(yè)數(shù)據(jù)。圖15示出了來(lái)自該塊的4個(gè)字線(WL01520、WL11522、WL21524和WL31526)。連接至字線1520的存儲(chǔ)器單元將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在頁(yè)P(yáng)0和頁(yè)P(yáng)2中。連接至字線1522的存儲(chǔ)器單元將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在頁(yè)P(yáng)1和頁(yè)P(yáng)4中。連接至字線1524的存儲(chǔ)器單元將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在頁(yè)P(yáng)3和頁(yè)P(yáng)6中。連接至字線1526的存儲(chǔ)器單元將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在頁(yè)P(yáng)5和頁(yè)P(yáng)8(圖15中未示出)中。在一種實(shí)施方式中，編程的次序是P0、P1、P2、P3、P4、P5、P6、…。
[0091]為了說(shuō)明一個(gè)示例，假定數(shù)據(jù)正被編程至頁(yè)P(yáng)6中。圖15中帶箭頭的虛線示出了頁(yè)P(yáng)1、P3、P4和P5將附近數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在同一字線(1524)或最接近的字線(1522和1526)上。如果字線1524存在故障，則對(duì)頁(yè)P(yáng)6進(jìn)行編程會(huì)影響存儲(chǔ)在附近頁(yè)P(yáng)1、P3、P4和P5中的數(shù)據(jù)。例如，如果字線1524與字線1522之間短路，則對(duì)P6進(jìn)行編程會(huì)影響P1或P4(并且會(huì)影響P3)。當(dāng)對(duì)P6進(jìn)行編程時(shí)，P6的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在鎖存器(參見圖5的數(shù)據(jù)鎖存器494)中，所以可以對(duì)失敗的編程處理進(jìn)行再次嘗試。然而，如果對(duì)P6進(jìn)行編程損壞了 P1、P3、P4或P5中的數(shù)據(jù)，則上述數(shù)據(jù)會(huì)丟失。
[0092]圖16是示出如下方法的一種實(shí)施方式的流程圖:該方法用于在