磁記錄介質(zhì)用玻璃基板和磁記錄介質(zhì)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及磁記錄介質(zhì)用玻璃基板和磁記錄介質(zhì)。
【背景技術(shù)】
[0002] 對于磁記錄介質(zhì)用玻璃基板而言，為了實現(xiàn)記錄密度的更高密度化，要求減小表 面粗糖度、減少在表面上存在的缺陷。例如在專利文獻1中記載了使用含有添加劑的拋光液 對玻璃基板的主平面進行拋光、并使用含有添加劑的清洗液對拋光后的玻璃基板進行清 洗，由此制造適合于高記錄密度磁盤用的基板的磁盤用玻璃基板。通過在拋光后的玻璃基 板的主平面上形成磁性層等膜而得到磁記錄介質(zhì)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0004] 專利文獻
[0005] 專利文獻 1:W02010/038741A1

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 發(fā)明所要解決的問題
[0007] 希望通過磁記錄介質(zhì)的高密度化而減小進行磁記錄介質(zhì)的讀寫的磁頭的距離磁 記錄介質(zhì)的浮動高度（W下，簡稱為"磁頭的浮動高度"）。
[000引伴隨著磁記錄介質(zhì)的高密度化，產(chǎn)生了難W減小磁頭的浮動高度、難W穩(wěn)定地進 行磁記錄介質(zhì)的讀寫的問題。
[0009] 本發(fā)明鑒于上述課題而作出，其主要目的在于提供可W穩(wěn)定地進行磁記錄介質(zhì)的 讀寫的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。
[0010] 用于解決問題的手段
[0011] 為了解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明的一個方式，提供一種磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其 為具有要形成磁性層的主平面的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中，
[0012] 在將上述玻璃基板的上述主平面的表層的第13族元素的原子濃度的合計設(shè)為Cl (原子％)、將上述表層的Si元素的原子濃度設(shè)為C2(原子％)、將上述玻璃基板的內(nèi)部的第 13族元素的合計設(shè)為C3(原子％)、將上述玻璃基板的內(nèi)部的Si元素的原子濃度設(shè)為C4(原 子％)時，由下述式(1)表示的Rl為0.30~0.90。
[0014] 發(fā)明效果
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可W提供能夠穩(wěn)定地進行磁記錄介質(zhì)的讀寫的磁記錄介 質(zhì)用玻璃基板。
【附圖說明】
[0016] 圖1是表示基于本發(fā)明的一個實施方式的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的立體圖。
[0017] 圖2是表示使用基于本發(fā)明的一個實施方式的玻璃基板的磁記錄介質(zhì)的剖視圖。
[0018] 圖3是表示基于本發(fā)明的一個實施方式的玻璃基板的制造方法的流程圖。
[0019] 圖4是表示用于測定基于本發(fā)明的一個實施方式的玻璃基板中的各元素的原子濃 度的X射線光電子能譜儀的圖。
[0020] 附圖標記
[0021] 10磁記錄介質(zhì)用玻璃基板
[0022] 11第1主平面
[0023] 12第2主平面
[0024] 20磁記錄介質(zhì)
[0025] 21磁性層
[0026] 22保護層
[0027] 23潤滑層
【具體實施方式】
[0028] W下，對用于實施本發(fā)明的方式參照附圖進行說明。各附圖中，對于相同的或?qū)?yīng) 的構(gòu)成，標記相同的或?qū)?yīng)的符號并省略說明。本說明書中，表示數(shù)值范圍的"~"是指包含 其前后的數(shù)值的范圍。
[0029] 圖1是表示基于本發(fā)明的一個實施方式的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的立體圖。磁記 錄介質(zhì)用玻璃基板1〇( W下，也簡稱為"玻璃基板10")為圓盤狀，并在中央部具有圓孔13。玻 璃基板10具有第1主平面11和第2主平面12。
[0030] 圖2是表示使用基于本發(fā)明的一個實施方式的玻璃基板的磁記錄介質(zhì)的剖視圖。 磁記錄介質(zhì)20具有玻璃基板10、磁性層21、保護層22和潤滑層23等。磁性層21、保護層22和 潤滑層23依次形成在玻璃基板10的第1主平面11上，但也可W形成在玻璃基板10的第2主平 面12上，還可W形成在運兩個主平面(第1主平面11和第2主平面12)上。
[0031] 磁性層21可W為垂直磁記錄用磁性層，此時，具有相對于記錄面垂直的易磁化軸。 從提高記錄密度的觀點考慮，記錄方式優(yōu)選能量輔助磁記錄方式。
[0032] 磁性層21為垂直磁記錄用磁性層時，由含有Co、Cr、Pt中的至少1種的材料形成，例 如由CoCrPt基合金形成。磁性層21為粒狀結(jié)構(gòu)，因此優(yōu)選為在CoCrPt基合金等磁性材料中 添加了氧化物、類金屬元素或金屬元素的磁性層。作為氧化物，使用例如Si化、Cn化、CoO、 Ta2化或Ti化。作為類金屬元素，使用例如B。作為金屬元素，使用例如化、化、Ta或Zr。
[0033] 磁性層21可W與非磁性層交替層疊。由此，可W使磁性層21反鐵磁性交換禪合。非 磁性層由例如Ru或Ru合金形成，具有例如0.6nm~1.2nm的厚度。
[0034] 在磁性層21與玻璃基板10之間可W進一步形成基底層。磁性層21為垂直磁記錄用 磁性層時，基底層由Co、Fe或Ni等軟磁性材料形成，發(fā)揮使來自磁頭的記錄磁場閉合的作 用。作為軟磁性材料，使用FeCo基合金、FeNi基合金、FeAl基合金、Fe化基合金、Feh基合金、 FeMg基合金、Fe&基合金、FeC基合金、FeN基合金、FeSi基合金、FeP基合金、FeNb基合金、 化Hf基合金、或化B基合金等。
[0035] 在玻璃基板10與基底層之間可W進一步形成密合層。密合層抑制由玻璃基板10的 吸附氣體或吸附水分、來自玻璃基板10的擴散成分等引起的基底層的腐蝕。作為密合層的 材料，使用化、化合金、Ti、或Ti合金等。密合層的厚度例如為2nm~40nm。作為密合層的形成 方法，使用例如瓣射法等。
[0036] 在磁性層21與基底層之間可W進一步形成取向控制層。取向控制層將磁性層的晶 粒細化，從而使記錄再生特性提高。作為取向控制層的材料，使用Ru、Ru合金、含有Pt、Au和 Ag中的至少巧中的材料、Co化基合金、Ti、或Ti合金。取向控制層具有便于垂直磁記錄用磁性 層21的外延生長的功能和切斷基底層與磁性層的磁交換禪合的功能。
[0037] 在取向控制層與基底層之間可W進一步形成晶種層。晶種層控制取向控制層的晶 粒尺寸。晶種層由例如Ni W基合金形成。
[0038] 保護層22用于防止磁性層21的腐蝕、并且防止由與磁頭的接觸導(dǎo)致的磁性層21的 劃痕的產(chǎn)生。作為保護層22的材料，使用C、Zr化或Si化等。作為保護層22的形成方法，使用例 如瓣射法或CV的去等。
[0039] 潤滑層23用于減小與磁頭的摩擦。作為潤滑層23的材料，使用全氣聚酸、氣化醇或 氣化簇酸等。作為潤滑層23的形成方法，使用例如浸潰法或噴霧法等。
[0040] 磁記錄介質(zhì)20的記錄密度例如為660Gbit/平方英寸、750加it/平方英寸、1化it/ 平方英寸中的任一個，可W超過1町it/平方英寸。
[0041] 圖3是表示基于本發(fā)明的一個實施方式的玻璃基板的制造方法的流程圖。如圖3所 示，玻璃基板的制造方法包括原板加工工序S11、第1研磨工序S12、倒角工序S13、端面拋光 工序S14、第2研磨工序S15、第1拋光工序S16、第1清洗工序S17、第2拋光工序S18和第2清洗 工序S19。
[0042] 原板加工工序Sll中，通過加工玻璃原板而得到在中央部具有圓孔的圓盤狀的玻 璃基板。玻璃原板通過例如浮法、烙融法、壓制成形法、引下法、重新引下法等成形。
[0043] 第1研磨工序S12中，對玻璃基板的兩個主平面進行磨削。使用對玻璃基板的兩個 主平面同時進行磨削的雙面磨削裝置。該雙面磨削裝置使用例如氧化侶、碳化娃、氧化錯、 棚化碳、金剛石等游離磨粒，對玻璃基板的兩個主平面同時進行磨削。需要說明的是，可W 在原板加工工序前實施一部分的研磨工