序。
[0044] 倒角工序S13中，用倒角磨石對玻璃基板的端面（內(nèi)周端面和外周端面)進(jìn)行磨削， 由此在玻璃基板的端面形成倒角部(例如2個傾斜部和垂直部）。各傾斜部相對于玻璃基板 的主平面傾斜，垂直部相對于玻璃基板的主平面垂直，并將2個傾斜部連接。需要說明的是， 各傾斜部可W不為平面，可W為呈圓形的曲面。
[0045] 端面拋光工序S14中，通過對2個傾斜部和垂直部進(jìn)行拋光而將2個傾斜部和垂直 部中的加工變質(zhì)層除去。作為端面拋光方法，可舉出刷子拋光、海綿拋光、粘性流體拋光、磁 性流體拋光等。
[0046] 另外，可W依次進(jìn)行多個端面拋光工序，也可W在第如開磨工序S15后、在第1拋光 工序S16前進(jìn)行一部分的端面拋光工序。在多個端面拋光工序之間，可W進(jìn)行清洗工序、干 燥工序。
[0047] 第如開磨工序S15中，對玻璃基板的兩個主平面進(jìn)行磨削。使用對玻璃基板的兩個 主平面同時進(jìn)行磨削的雙面磨削裝置。該雙面磨削裝置使用例如金剛石磨粒等固定磨粒， 對玻璃基板的兩個主平面同時進(jìn)行磨削。
[0048] 第1拋光工序S16中，對玻璃基板的兩個主平面進(jìn)行拋光。可W使用對玻璃基板的 兩個主平面同時進(jìn)行拋光的雙面拋光機。雙面拋光機使用含有例如氧化姉等拋光磨粒的拋 光液，對玻璃基板的兩個主平面同時進(jìn)行拋光。
[0049] 第1清洗工序S17在第1拋光工序S16后、第2拋光工序S18前進(jìn)行，將第1拋光工序 S16中附著于玻璃基板的附著物(例如拋光屑、拋光磨粒)等洗掉。
[0050] 第2拋光工序S18中，對玻璃基板的兩個主平面進(jìn)行拋光?？蒞使用對玻璃基板的 兩個主平面同時進(jìn)行拋光的雙面拋光機。在后面詳細(xì)敘述第2拋光工序S18。
[0051] 第2清洗工序S19在第2拋光工序S18后進(jìn)行，將第2拋光工序S18中附著于玻璃基板 的附著物等洗掉。在后面詳細(xì)敘述第2清洗工序S19。
[0052] 需要說明的是，玻璃基板的制造方法不限定于圖3所示。例如各工序的順序不限定 于圖3所示的順序。另外，可W不實施圖3所示的多個工序中的一部分的工序。另外，可W實 施圖3所示的工序W外的工序(例如化學(xué)強化工序）。
[0053] 可W在例如第1拋光工序S16與第2拋光工序S18之間、或在第2拋光工序S18后進(jìn)行 化學(xué)強化工序?；瘜W(xué)強化工序中，將玻璃表面中所含的離子半徑小的離子(例如Li離子、化 離子)置換為離子半徑大的離子(例如K離子），形成距玻璃表面規(guī)定深度的強化層。由于在 強化層中殘留壓應(yīng)力，因此不易產(chǎn)生劃痕。
[0054] 接著，對第2拋光工序S18進(jìn)行詳細(xì)說明。第2拋光工序S18中，使用酸性拋光液。玻 璃表層中所含的堿金屬或第2族元素、第13族元素等離子溶出，從而拋光速度提高。作為堿 金屬，可舉出Li、化、K等。作為第2族元素，可舉出Mg、Ca、Sr Ja等。作為第13族元素，可舉出 例如B、Al、Ga等。將溶出運些離子后的層稱為表面改性層。通過拋光使表面改性層的表面平 坦。
[0055] 拋光液的pH例如為3~5。拋光液的pH為5W下時，離子的溶出速度快，拋光速度充 分提高。拋光液的抑為3W上時，拋光后的表面改性層的厚度薄，因此可W抑制詳細(xì)情況在 后面敘述的第2清洗工序S19中除去表面改性層的一部分后的表面粗糖。
[0056] 作為拋光液中所含的酸，可W使用例如巧樣酸、乙酸、乙醇酸(徑基乙酸）、甲氧基 乙酸、氯乙酸、丙二酸、甲基丙二酸、蘋果酸、馬來酸、富馬酸、苯甲酸、抗壞血酸、鄰苯二甲 酸、班巧酸、天冬氨酸、乳酸、酒石酸、葡萄糖酸、戊二酸、己二酸、谷氨酸和亞氨基二乙酸中 的至少1種。它們之中，特別優(yōu)選酸解離常數(shù)的負(fù)的常用對數(shù)(PKa)為3~5的巧樣酸、乙酸、 乙醇酸、甲氧基乙酸、丙二酸、蘋果酸、富馬酸、抗壞血酸。
[0057] 另外，為了制成緩沖液，可W含有氨氧化鐘、氨氧化鋼等無機堿。
[005引作為分散于拋光液的拋光磨粒，使用例如膠體二氧化娃、熱解法二氧化娃、膠體氧 化姉和膠體氧化侶中的至少巧巾。運些拋光磨粒的粒徑例如為IOnm~40nm。拋光磨粒的粒徑 為IOnmW上時，拋光磨粒的表面活性小，可W抑制拋光磨粒向玻璃基板的附著，從而拋光磨 粒的除去容易。另一方面，拋光磨粒的粒徑為40nmW下時，可W抑制拋光面的表面粗糖。
[0059] 接著，對第2清洗工序S19進(jìn)行說明。在第2清洗工序S19中，使用抑12~13.5、40~ 60°C的堿清洗液（W下，也稱為"強堿清洗液"）將玻璃基板清洗1次W上。利用強堿清洗液的 總清洗時間例如為30秒~5分鐘。表面改性層溶于強堿清洗液而變薄，從而表面改性層的一 部分被除去。使用強堿清洗液的清洗優(yōu)選為超聲波清洗。
[0060] 作為強堿清洗液中所含的堿，優(yōu)選例如NaOH或K0H。
[0061] 在強堿清洗液中，可W不含通常的堿清洗液(堿性洗劑溶液）中所含的表面活性 劑、助洗劑。
[0062] 第2清洗工序S19中，利用強堿清洗液的清洗后，可W進(jìn)行利用通常的堿清洗液的 清洗。另外，第2清洗工序S19中，可W進(jìn)行利用純水的清洗。
[0063] 第2清洗工序S19后，可W進(jìn)行干燥工序。在干燥工序中，可W進(jìn)行例如IPA干燥。
[0064] 通過圖3所示的制造方法可W得到圖1所示的玻璃基板10。根據(jù)本實施方式，通過 酸性拋光液形成表面改性層，并通過強堿清洗液將表面改性層的一部分除去。由此，可W將 玻璃基板的表層(例如表面改性層的殘余部分等）的元素組成與玻璃基板的內(nèi)部的元素組 成之比調(diào)節(jié)為適當(dāng)?shù)姆秶?。可W使用市售的X射線光電子能譜儀測定玻璃基板的表層、內(nèi)部 的元素組成。
[0065] 圖4是表示用于測定基于本發(fā)明的一個實施方式的玻璃基板中的各元素的原子濃 度的X射線光電子能譜儀的圖。X射線光電子能譜儀30具有X射線源31和檢測器32。將檢測器 32相對于玻璃基板10的主平面的角度0設(shè)定為15°來測定玻璃基板10的主平面的表層的各 元素的原子濃度。另一方面，在X射線光電子能譜儀內(nèi)實施離子瓣射而將表面改性層完全除 去后，將上述角度0設(shè)定為75°來測定玻璃基板10的內(nèi)部的各元素的原子濃度。玻璃基板10 的內(nèi)部的各元素的原子濃度與使用酸性的拋光液、強堿清洗液前的玻璃基板的各元素的原 子濃度大致相同。在離子瓣射中使用例如C60離子瓣射槍。
[0066] 本實施方式中，在將玻璃基板10的主平面的表層的第13族元素的原子濃度的合計 設(shè)為Cl (原子％ )、將上述表層的Si元素的原子濃度設(shè)為C2(原子％ )、將玻璃基板10的內(nèi)部 的第13族元素的合計設(shè)為C3(原子％)、將玻璃基板10的內(nèi)部的Si元素的原子濃度設(shè)為C4 (原子％ )時，由下述式(1)表示的Rl為0.30~0.90。
[0068] 式（1)的右邊的分子(C1/C2)表示將上述表層的第13族元素的原子濃度的合計Cl 用上述表層的Si元素的原子濃度C2標(biāo)準(zhǔn)化而得到的值。式（1)的右邊的分子通過使用酸性 的拋光液而減小，之后通過使用強堿清洗液而接近原來的值。
[0069] 另一方面，式（1)的右邊的分母(C3/C4)表示將上述內(nèi)部的第13族元素的原子濃度 的合計C3用上述內(nèi)部的Si元素的原子濃度C4標(biāo)準(zhǔn)化而得到的值。式（1)的右邊的分母通過 使用酸性拋光液或強堿清洗液而幾乎不會變化。
[0070] Rl為0.90W下時，第13族元素的離子的溶出多，且附著于玻璃基板10的主平面的 OH基多。由于玻璃基板10的主平面的OH基多，因此磁性層21等膜與玻璃基板10的密合性良 好。可W抑制磁性層21等膜的剝離，可W減小進(jìn)行磁記錄介質(zhì)20的讀寫的磁頭的距離磁記 錄介質(zhì)20的浮動高度。
[0071] 另外，Rl為0.30W上時，存在于玻璃基板10的主平面的OH基不會