制備有機(jī)發(fā)光裝置的方法本申請(qǐng)要求于2012年3月2日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2012-0022041號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開通過(guò)引用全部包含于此。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種制備有機(jī)發(fā)光裝置的方法。

背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光裝置是可提供多色圖像的自發(fā)射裝置，它具有諸如寬視角、優(yōu)良的對(duì)比度、快速響應(yīng)、增大的明度以及優(yōu)異的驅(qū)動(dòng)電壓特性的優(yōu)點(diǎn)。有機(jī)發(fā)光裝置包括有機(jī)發(fā)射單元，有機(jī)發(fā)射單元包括第一電極、有機(jī)層和第二電極。由于有機(jī)發(fā)射單元例如易受到外部環(huán)境中的元素(例如，氧和濕氣)的影響，所以需要密封有機(jī)發(fā)射單元以與外部環(huán)境隔開的密封結(jié)構(gòu)。此外，還期望開發(fā)一種薄的有機(jī)發(fā)光裝置和/或柔性的有機(jī)發(fā)光裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種制備包括薄膜包封層的有機(jī)發(fā)光裝置的方法，所述薄膜包封層具有使與外部環(huán)境分開的優(yōu)異的密封特性和延長(zhǎng)的時(shí)間的柔性特性。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種制備有機(jī)發(fā)光裝置的方法，所述方法包括：在基底上形成有機(jī)發(fā)射單元；形成薄膜包封層，所述薄膜包封層接觸環(huán)境元件并包括至少一個(gè)無(wú)機(jī)層，所述至少一個(gè)無(wú)機(jī)層包括低溫粘度轉(zhuǎn)變(LVT)無(wú)機(jī)材料，其中，利用包括下述步驟的工藝形成所述至少一個(gè)無(wú)機(jī)層：通過(guò)將所述LVT無(wú)機(jī)材料設(shè)置在所述環(huán)境元件位于其上的所述有機(jī)發(fā)射單元上來(lái)形成包括所述LVT無(wú)機(jī)材料的預(yù)無(wú)機(jī)層；在高于所述LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度的溫度下對(duì)所述預(yù)無(wú)機(jī)層執(zhí)行第一恢復(fù)處理；對(duì)已經(jīng)經(jīng)歷過(guò)所述第一恢復(fù)處理的所述預(yù)無(wú)機(jī)層執(zhí)行第二恢復(fù)處理，以提高所述環(huán)境元件和所述LVT無(wú)機(jī)材料之間的結(jié)合力并提高所述LVT無(wú)機(jī)材料之間的結(jié)合力。所述環(huán)境元件可包括在形成所述有機(jī)發(fā)射單元的過(guò)程中出現(xiàn)的雜質(zhì)顆粒。所述LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可為使所述LVT無(wú)機(jī)材料表現(xiàn)出流體性質(zhì)所需的最低溫度。所述LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可低于所述有機(jī)發(fā)射單元的材料的變性溫度。所述LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可低于所述有機(jī)發(fā)射單元的多種材料的變性溫度的最小值。所述LVT無(wú)機(jī)材料可包括錫氧化物。所述LVT無(wú)機(jī)材料還可包括磷氧化物、磷酸硼、錫氟化物、鈮氧化物和鎢氧化物中的至少一種。所述LVT無(wú)機(jī)材料可包括以下物質(zhì)中的至少一種：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；SnO、SnF2、P2O5和WO3?？衫脼R射、真空沉積、低溫沉積、電子束涂覆或離子鍍覆提供所述LVT無(wú)機(jī)材料。所述第一恢復(fù)處理可包括在所述LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度和所述有機(jī)發(fā)射單元的材料的變性溫度之間的溫度下對(duì)所述預(yù)無(wú)機(jī)層進(jìn)行熱處理。所述第一恢復(fù)處理可包括在所述LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度和所述有機(jī)發(fā)射單元的多種材料的變性溫度的最小值之間的溫度下對(duì)所述預(yù)無(wú)機(jī)層進(jìn)行熱處理。所述第一恢復(fù)處理可包括在大約80℃至大約132℃的范圍內(nèi)的溫度下對(duì)所述預(yù)無(wú)機(jī)層進(jìn)行熱處理大約1小時(shí)至大約3小時(shí)。所述第一恢復(fù)處理可在真空下或在惰性氣體氣氛下進(jìn)行。所述第二恢復(fù)處理可包括化學(xué)處理、等離子體處理、其中室包含氧的熱室處理或者其中室包含氧和濕氣的熱室處理。所述第二恢復(fù)處理可包括化學(xué)處理，并且可使用從由酸溶液、堿溶液和中性溶液組成的組中選擇的至少一種對(duì)已經(jīng)經(jīng)歷第一恢復(fù)處理的預(yù)無(wú)機(jī)層進(jìn)行處理。所述堿溶液可包括硝酸鹽。第二恢復(fù)處理可包括等離子體處理，并且可在真空下使用O2等離子體、N2等離子體和Ar等離子體中的至少一種對(duì)已經(jīng)經(jīng)歷第一恢復(fù)處理的預(yù)無(wú)機(jī)層進(jìn)行處理。第二恢復(fù)處理可包括等離子體處理，并且可在大氣壓力下使用O2等離子體、N2等離子體和Ar等離子體中的至少一種對(duì)已經(jīng)經(jīng)歷第一恢復(fù)處理的預(yù)無(wú)機(jī)層進(jìn)行處理。第二恢復(fù)處理可包括將已經(jīng)經(jīng)歷第一恢復(fù)處理的預(yù)無(wú)機(jī)層暴露于氧分壓在室內(nèi)總壓力的大約2％至大約100％的范圍內(nèi)并且溫度在大約25℃至大約150℃的范圍內(nèi)的室。第二恢復(fù)處理可包括將已經(jīng)經(jīng)歷第一恢復(fù)處理的預(yù)無(wú)機(jī)層暴露于氧分壓在室內(nèi)總壓力的大約2％至大約100％的范圍內(nèi)、相對(duì)濕度在大約10％至大約100％的范圍內(nèi)并且溫度在大約25℃至大約150℃的范圍內(nèi)的室。所述薄膜包封層還可包括包含聚合物的至少一個(gè)有機(jī)層。可通過(guò)提供可固化前驅(qū)體，然后使所述可固化前驅(qū)體固化來(lái)形成所述至少一個(gè)有機(jī)層?？衫瞄W蒸器提供所述可固化前驅(qū)體。可利用UV輻射、紅外輻射和激光束中的至少一種來(lái)固化所述可固化前驅(qū)體。所述薄膜包封層可包括順序堆疊在所述有機(jī)發(fā)射單元上的有機(jī)層和無(wú)機(jī)層。所述薄膜包封層可包括第一有機(jī)層、第二有機(jī)層和無(wú)機(jī)層，并且第一有機(jī)層、無(wú)機(jī)層和第二有機(jī)層可順序堆疊在有機(jī)發(fā)射單元上。所述薄膜包封層可包括有機(jī)層、第一無(wú)機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層，并且第一無(wú)機(jī)層、有機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層可順序堆疊在有機(jī)發(fā)射單元上。所述環(huán)境元件可嵌入在所述薄膜包封層中。附圖說(shuō)明通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明實(shí)施例的以上和其它特征和方面將變得更清楚，在附圖中：圖1A至圖1D是用于描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制備有機(jī)發(fā)光裝置的方法的示圖；圖2A至圖2D是用于描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的制備有機(jī)發(fā)光裝置的方法的示圖；圖3至圖5示意性示出了依據(jù)根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的制備有機(jī)發(fā)光裝置的方法而制備的有機(jī)發(fā)光裝置。具體實(shí)施方式在下文中，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的實(shí)施例，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如這里所使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的一個(gè)或多個(gè)的任意組合和全部組合。一系列元件之前的諸如“至少一個(gè)”的表達(dá)方式修飾整個(gè)系列的元件，而并不是修飾這一系列中的個(gè)體元件。將描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制備有機(jī)發(fā)光裝置的方法。首先，如圖1A所示，在基底11上形成有機(jī)發(fā)射單元13。有機(jī)發(fā)射單元13可具有第一電極13a、有機(jī)膜13b和第二電極13c順序堆疊的結(jié)構(gòu)。基底11可為在傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光裝置中使用的任意基底，例如，具有良好的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面平滑度、防水性以及易于處理的玻璃基底或透明塑料基底?；?1還可為可彎曲的柔性基底。在這方面，基底11的彎曲半徑可為大約10cm或更小。例如，可通過(guò)在基底11上沉積或?yàn)R射用于形成第一電極13a的材料來(lái)形成第一電極13a。當(dāng)?shù)谝浑姌O13a構(gòu)成陽(yáng)極時(shí)，用于形成第一電極13a的材料可為例如高逸出功材料，以有助于空穴注入。第一電極13a可為反射電極或半透射電極。例如，可使用諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO2)和氧化鋅(ZnO)的透明導(dǎo)電材料來(lái)形成第一電極13a?？墒褂美珂V(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)等形成第一電極13a作為反射電極。第一電極13a可具有單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極13a可具有ITO/Ag/ITO的三層結(jié)構(gòu)，盡管本發(fā)明不限于此。有機(jī)膜13b形成在第一電極13a上，并且可包括從由空穴注入層、空穴傳輸層、具有空穴注入能力和空穴傳輸能力的功能層、緩沖層、電子阻擋層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層組成的組中選擇的至少一層。例如，有機(jī)膜13b可包括下面的化合物301、311和321中的至少一種。第二電極13c形成在有機(jī)膜13b上，并且可為作為電子注入電極的陰極。用于形成第二電極13c的金屬可為例如可具有低逸出功的金屬、合金和/或?qū)щ娀衔锘蛘咚鼈兊幕旌衔?。例如，第二電極13c可通過(guò)利用鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)等形成薄膜而為反射、半透射或透射電極。為了制造頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光裝置，可使用由ITO或IZO形成的透射電極，并且各種變型可應(yīng)用于此。盡管在圖1A中未示出，但是本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)射單元13每個(gè)像素包括一個(gè)像素電路，并且像素電路可包括至少一個(gè)薄膜晶體管(TFT)(未示出)和電容器(未示出)，并且第一電極13a可電連接到TFT。第一電極13a可相互獨(dú)立地在每個(gè)像素中被圖案化，并且第二電極13c可為用于覆蓋全部像素的共電極。在朝向基底11顯示圖像的底部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，可通過(guò)將第二電極13c形成為相對(duì)厚來(lái)增大朝向基底11的發(fā)射效率。在朝向有機(jī)膜13b顯示圖像的頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，第二電極13c可為通過(guò)將第二電極13c形成為相對(duì)薄而作為半反射層，和/或第二電極13c可由透明導(dǎo)電材料形成。在頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況下，第一電極13a還可包括反射層。盡管在圖1A中未示出，但是可在第二電極13c上形成保護(hù)層。當(dāng)薄膜包封層20(見(jiàn)圖1D)形成在有機(jī)發(fā)射單元13上時(shí)，保護(hù)層可防止或減少對(duì)第二電極13c的損壞，并且保護(hù)層可由例如LiF、羥基喹啉鋰、Alq3等形成。在形成有機(jī)發(fā)射單元13之后，環(huán)境元件15通常存在于有機(jī)發(fā)射單元13上。環(huán)境元件15是在形成有機(jī)發(fā)射單元13的過(guò)程中產(chǎn)生的雜質(zhì)顆粒，并且可為例如來(lái)自外部環(huán)境的微粒(例如，外部環(huán)境中存在的塵土和微塵)或者用于形成有機(jī)發(fā)射單元13并留在有機(jī)發(fā)射單元13上的材料的微粒(例如，用于形成第二電極13c并且在形成第二電極13c之后留下的材料的微粒)。環(huán)境元件15可包括各種有機(jī)材料、無(wú)機(jī)材料和/或有機(jī)/無(wú)機(jī)化合物。在形成有機(jī)發(fā)射單元13之后，利用諸如濕法處理(例如清洗)不能容易地去除環(huán)境元件15。例如，環(huán)境元件15可為平均粒徑為大約5μm或更小(例如，在大約1μm至大約5μm的范圍內(nèi))的顆粒，盡管本發(fā)明不限于此。在圖1A中，為了方便，環(huán)境元件15示出為一個(gè)球形顆粒。隨后，根據(jù)本實(shí)施例，將低溫粘度轉(zhuǎn)變(LVT)無(wú)機(jī)材料提供到存在有環(huán)境元件15的有機(jī)發(fā)射單元13上，以形成包括LVT無(wú)機(jī)材料的預(yù)無(wú)機(jī)層23，如圖1B所示。LVT無(wú)機(jī)材料為具有低粘度轉(zhuǎn)變溫度的無(wú)機(jī)材料。如這里所使用的，“粘度轉(zhuǎn)變溫度”并不是LVT無(wú)機(jī)材料的狀態(tài)從固態(tài)完全轉(zhuǎn)變成液態(tài)的溫度，而是LVT無(wú)機(jī)材料具有流動(dòng)性(例如，為具有緩慢流速的流體，或者為有延展性的固體)的最低溫度。本實(shí)施例的LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可低于有機(jī)發(fā)射單元13中包含的材料(例如，有機(jī)發(fā)射單元13的材料)的變性溫度。例如，LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可低于有機(jī)發(fā)射單元13中包含的材料的變性溫度的最小值(例如，最小量)(例如，有機(jī)發(fā)射單元13的多種材料的最低變性溫度)?！坝袡C(jī)發(fā)射單元13中包含的材料的變性溫度”指的是能夠使有機(jī)發(fā)射單元13中包含的材料發(fā)生物理和/或化學(xué)變性的溫度，并且根據(jù)有機(jī)發(fā)射單元13中包含的材料的類型和數(shù)量，有機(jī)發(fā)射單元13可具有多個(gè)變性溫度或者具有變性溫度的范圍。例如，“LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度”和“有機(jī)發(fā)射單元13的變性溫度”可表示有機(jī)發(fā)射單元13的有機(jī)膜13b中包含的有機(jī)材料和LVT無(wú)機(jī)材料的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)?？赏ㄟ^(guò)對(duì)LVT無(wú)機(jī)材料和有機(jī)發(fā)射單元13的有機(jī)膜13b中包含的有機(jī)材料進(jìn)行熱重分析(TGA)來(lái)測(cè)量Tg。例如，可從在N2氣氛下利用TGA和差示掃描量熱法(DSC)對(duì)LVT無(wú)機(jī)材料和有機(jī)發(fā)射單元13中包含的材料進(jìn)行的熱分析來(lái)確定Tg，其中，對(duì)于TGA，在范圍為從大約室溫至大約600℃的溫度下(以10℃/分鐘的速率)進(jìn)行，對(duì)于DSC，在范圍為從大約室溫至大約400℃的溫度下進(jìn)行(盤類型：一次性Al盤(DSC)、一次性Al盤(TGA)中的Pt盤)，并且本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將明白這些條件。有機(jī)發(fā)射單元13中包含的材料的變性溫度可高于大約130℃，但不限于此，并且可如上所述對(duì)有機(jī)發(fā)射單元13中包含的材料進(jìn)行TGA分析來(lái)有效地測(cè)量其變性溫度。有機(jī)發(fā)射單元13中包含的材料的變性溫度的最小值可在大約130℃至大約140℃的范圍內(nèi)。有機(jī)發(fā)射單元13中包含的材料的變性溫度的最小值可為大約132℃，但不限于此，并且可經(jīng)如上所述材料的TGA分析來(lái)測(cè)量有機(jī)發(fā)射單元13中包含的材料的Tg并選擇最小的Tg來(lái)有效地測(cè)量有機(jī)發(fā)射單元13中包含的材料的變性溫度的最小值。例如，LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可為大約80℃或更大，例如，在大約80℃至大約132℃的范圍內(nèi)、在大約80℃至大約120℃的范圍內(nèi)、或在大約100℃至大約120℃的范圍內(nèi)，盡管本發(fā)明不限于此。例如，LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可為大約110℃。LVT無(wú)機(jī)材料可為單個(gè)的化合物或者兩種或更多種化合物的混合物，并且可包括諸如SnO或SnO2的錫氧化物。當(dāng)LVT無(wú)機(jī)材料包括SnO時(shí)，SnO的含量可在例如按重量計(jì)大約20％至按重量計(jì)大約100％的范圍內(nèi)。例如，LVT無(wú)機(jī)材料還可包括磷氧化物(例如，P2O5)、磷酸硼(BPO4)、錫氟化物(例如，SnF2)、鈮氧化物(例如，NbO)和鎢氧化物(例如，WO3)中的至少一種，盡管本發(fā)明不限于此。例如，LVT無(wú)機(jī)材料可包括：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；或者SnO、SnF2、P2O5和WO3，盡管本發(fā)明不限于此。例如，LVT無(wú)機(jī)材料可包括下面的成分，盡管本發(fā)明不限于此：SnO(100wt％)；SnO(80wt％)和P2O5(20wt％)；SnO(90wt％)和BPO4(10wt％)；SnO(20-50wt％)、SnF2(30-60wt％)和P2O5(10-30wt％)，其中，SnO、SnF2和P2O5的重量百分比和為100wt％；SnO(20-50wt％)、SnF2(30-60wt％)、P2O5(10-30wt％)和NbO(1-5wt％)，其中SnO、SnF2、P2O5和NbO的重量百分比和為100wt％；或者，SnO(20-50wt％)、SnF2(30-60wt％)、P2O5(10-30wt％)和WO3(1-5wt％)，其中，SnO、SnF2、P2O5和WO3的重量百分比和為100wt％。例如，LVT無(wú)機(jī)材料可包括SnO(42.5wt％)、SnF2(40wt％)、P2O5(15wt％)和WO3(2.5wt％)，盡管本發(fā)明不限于此。可通過(guò)例如濺射、真空沉積、低溫沉積、電子束涂覆或離子鍍覆對(duì)有機(jī)發(fā)射單元13提供LVT無(wú)機(jī)材料以形成預(yù)無(wú)機(jī)層23。例如，可通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)或等離子體離子輔助沉積(PIAD)來(lái)提供LVT無(wú)機(jī)材料，盡管本發(fā)明不限于此。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可通過(guò)濺射對(duì)有機(jī)發(fā)射單元13提供組成為SnO-SnF2-P2O5-WO3的LVT無(wú)機(jī)材料。更具體地講，可通過(guò)利用雙旋轉(zhuǎn)靶法執(zhí)行濺射，并且可在基底11移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行掃描。在這點(diǎn)上，可使用氬等離子體(12kW和0.4Pa)，并且可通過(guò)重復(fù)掃描多次獲得預(yù)無(wú)機(jī)層23的期望厚度(例如，大約1μm)。如圖1B所示，預(yù)無(wú)機(jī)層23可在環(huán)境元件15和有機(jī)發(fā)射單元13之間包括諸如膜形成元件23a、針孔23b和空隙23d的缺陷。膜形成元件23a是對(duì)形成LVT無(wú)機(jī)材料層無(wú)貢獻(xiàn)的LVT無(wú)機(jī)材料團(tuán)聚顆粒，針孔23b是沒(méi)有被涂覆LVT無(wú)機(jī)材料并且暴露有機(jī)發(fā)射單元13的區(qū)域。膜形成元件23a的形成可有助于形成針孔23b。環(huán)境元件15和有機(jī)發(fā)射單元13之間的空隙23d是沒(méi)有被涂覆LVT無(wú)機(jī)材料的空的空間。如上所述，預(yù)無(wú)機(jī)層23的缺陷可為外部環(huán)境材料(諸如濕氣和氧)在有機(jī)發(fā)光裝置的存儲(chǔ)或操作過(guò)程中的通道，導(dǎo)致形成連續(xù)暗點(diǎn)，從而會(huì)縮短有機(jī)發(fā)光裝置的壽命。因此，如圖1B所示，在形成預(yù)無(wú)機(jī)層23之后，執(zhí)行修整預(yù)無(wú)機(jī)層2...