技術(shù)特征：
1.一種制備有機(jī)發(fā)光裝置的方法，所述方法包括：在基底上形成有機(jī)發(fā)射單元；以及形成薄膜包封層，所述薄膜包封層接觸環(huán)境元件并包括至少一個(gè)無(wú)機(jī)層，所述至少一個(gè)無(wú)機(jī)層包括低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料，其中，利用包括下述步驟的工藝形成所述至少一個(gè)無(wú)機(jī)層：通過(guò)將所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料提供到所述環(huán)境元件位于其上的所述有機(jī)發(fā)射單元上來(lái)形成包括所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料的預(yù)無(wú)機(jī)層；在高于所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度的溫度下對(duì)所述預(yù)無(wú)機(jī)層執(zhí)行第一恢復(fù)處理；和對(duì)已經(jīng)經(jīng)歷過(guò)所述第一恢復(fù)處理的所述預(yù)無(wú)機(jī)層執(zhí)行第二恢復(fù)處理，以提高所述環(huán)境元件和所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料之間的結(jié)合力并提高所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料之間的結(jié)合力。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述環(huán)境元件包括在形成所述有機(jī)發(fā)射單元的過(guò)程中出現(xiàn)的雜質(zhì)顆粒。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度是使所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料表現(xiàn)出流體性質(zhì)所需的最低溫度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度低于所述有機(jī)發(fā)射單元的材料的變性溫度。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度低于所述有機(jī)發(fā)射單元的多種材料的變性溫度的最小值。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料包括錫氧化物。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料還包括磷氧化物、磷酸硼、錫氟化物、鈮氧化物和鎢氧化物中的至少一種。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料包括以下物質(zhì)中的至少一種：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；以及SnO、SnF2、P2O5和WO3。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，利用真空沉積提供所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一恢復(fù)處理包括在所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度和所述有機(jī)發(fā)射單元的材料的變性溫度之間的溫度下對(duì)所述預(yù)無(wú)機(jī)層進(jìn)行熱處理。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一恢復(fù)處理包括在所述低溫粘度轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度和所述有機(jī)發(fā)射單元的多種材料的變性溫度的最小值之間的溫度下對(duì)所述預(yù)無(wú)機(jī)層進(jìn)行熱處理。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一恢復(fù)處理包括在80℃至132℃的范圍內(nèi)的溫度下對(duì)所述預(yù)無(wú)機(jī)層進(jìn)行熱處理1小時(shí)至3小時(shí)。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一恢復(fù)處理在真空下或在惰性氣體氣氛下進(jìn)行。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二恢復(fù)處理包括化學(xué)處理、等離子體處理、室內(nèi)包含氧的熱室處理或者室內(nèi)包含氧和濕...