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      基板交接裝置和基板交接方法與流程

      文檔序號:12756006閱讀:384來源:國知局
      基板交接裝置和基板交接方法與流程
      本發(fā)明涉及在間隔壁的一側(cè)的基板搬送區(qū)域與于間隔壁的另一側(cè)被搬送的搬送容器之間進(jìn)行基板的交接的基板交接裝置、基板交接方法和存儲了用于執(zhí)行上述基板交接方法的程序的存儲介質(zhì)。

      背景技術(shù):
      在半導(dǎo)體器件的制造工藝中,使用例如對半導(dǎo)體晶片(以下記作晶片)進(jìn)行抗蝕劑涂敷處理或上述顯影處理的涂敷、顯影裝置。該涂敷、顯影裝置具備接收從外部搬送來的載體的載體區(qū)塊,該載體區(qū)塊中設(shè)置有用于將存放在載體中的晶片搬送到裝置內(nèi)的裝載口(Loadport)。為了防止微粒從外部進(jìn)入裝置內(nèi),裝置內(nèi)部的晶片的搬送區(qū)域與裝置外部的載體的搬送區(qū)域由上述裝載口的間隔壁劃分開。該間隔壁上形成有晶片的搬送口,該搬送口通過遵循FIMS標(biāo)準(zhǔn)(Front-openingInterfaceMechanicalStandard,前開口接口機械標(biāo)準(zhǔn))的門進(jìn)行開閉。專利文獻(xiàn)1中公開了這樣的裝載口。圖31、32是表示上述裝載口的一例的縱截面?zhèn)纫晥D,分別表示了晶片搬送口22關(guān)閉的狀態(tài)和打開的狀態(tài)。如這些圖所示,為了對晶片搬送口22進(jìn)行開閉,門91需要進(jìn)行升降,所以裝載口的高度比較大。因而,在為了將晶片W快速、大量地搬入到涂敷、顯影裝置中而設(shè)置了多個裝載口的情況下,為了使上述載體區(qū)塊不碰觸到設(shè)置了該裝置的潔凈室的頂棚,而使裝載口在橫向方向上排列。其結(jié)果是,載體區(qū)塊乃至涂敷、顯影裝置的覆蓋區(qū)域(footprint,占地面積)可能會增大。另外,圖中92是門91的升降用驅(qū)動機構(gòu)。93是分隔部件,將驅(qū)動機構(gòu)92從晶片搬送區(qū)域17劃分開。94是連接部件,將門91與驅(qū)動機構(gòu)92連接。在上述分隔部件93設(shè)置有縱向上延伸得比較長的狹縫95,用于上述連接部件94進(jìn)行移動。像這樣,由于狹縫95的長度較長,所以難以防止從驅(qū)動機構(gòu)92產(chǎn)生的微粒向晶片搬送區(qū)域17流出。此外,圖中6是用于確認(rèn)載體C的晶片W的配置狀態(tài)的映射單元(mappingunit),專利文獻(xiàn)2中記載了其一例。關(guān)于映射單元6將會在實施方式中進(jìn)行詳細(xì)說明,所以此處只簡單說明,該映射單元6具備傳感器部65,用于檢測將晶片W從載體C中搬出前載體C內(nèi)的晶片W的配置狀態(tài)。該傳感器部65設(shè)置在升降自如且基端側(cè)繞水平軸轉(zhuǎn)動自如的支承臂64的前端,通過上述轉(zhuǎn)動動作而在晶片搬送區(qū)域17與載體C內(nèi)之間進(jìn)退。由于門91如上所述從晶片搬送口22下降,所以為了不與該門91產(chǎn)生干擾,支承臂64如圖31所示在立起的狀態(tài)下在晶片搬送口22的上方側(cè)待機。然后,在晶片搬送口22敞開后,依次進(jìn)行支承臂64的下降動作、傳感器部65進(jìn)入到載體C內(nèi)的下方側(cè)的動作、傳感器部65在載體C內(nèi)的上升動作,該上升動作中,通過傳感器部65進(jìn)行晶片W的光學(xué)檢測。圖32表示結(jié)束了該上升動作的狀態(tài)的傳感器部65。不過,在像這樣進(jìn)行光學(xué)檢測后,為了使該支承臂64返回圖31的待機位置,為了防止對間隔壁18和載體C的干擾,需要使該支承臂64從圖32所示的載體C內(nèi)的上升位置暫時下降,之后進(jìn)行轉(zhuǎn)動動作而立起,并再次上升。像這樣,當(dāng)采用了門3相對于晶片搬送口22下降的結(jié)構(gòu)時,映射單元6的配置受到限制,由此該單元6的動作也受到限制,其結(jié)果為,難以縮短確認(rèn)上述配置狀態(tài)所需要的時間。專利文獻(xiàn)1、2中對上述因門進(jìn)行升降而產(chǎn)生的各種問題并沒有關(guān)注,不能解決該問題。先行技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開平10-125763號公報專利文獻(xiàn)2:日本特開2008-108966號公報

      技術(shù)實現(xiàn)要素:
      發(fā)明要解決的課題本發(fā)明鑒于上述問題點,其目的在于提供一種能夠減小基板交接裝置的高度的技術(shù)。用于解決課題的方法本發(fā)明的基板交接裝置,對于形成于間隔壁的開口部,使形成于基板搬送容器的前表面的基板取出口從該間隔壁的一面一側(cè)與所述開口部相對,從所述間隔壁的另一面一側(cè)取下所述基板搬送容器的蓋體,進(jìn)行基板的交接,所述基板交接裝置的特征在于,包括:門,其從所述間隔壁的另一面一側(cè)對所述開口部進(jìn)行開閉;裝卸機構(gòu),其設(shè)置在所述門上、用于對所述基板搬送容器裝卸所述蓋體;進(jìn)退部,其用于使所述門在封閉所述開口部的第一位置與從該位置向前方離開的第二位置之間進(jìn)退;和轉(zhuǎn)動機構(gòu),其使所述門在第二位置與偏離所述開口部的前方區(qū)域的第三位置之間,繞沿著該門的進(jìn)退方向的轉(zhuǎn)動軸轉(zhuǎn)動。本發(fā)明的具體方式如下。(a)所述轉(zhuǎn)動機構(gòu)包括轉(zhuǎn)動部件,該轉(zhuǎn)動部件的一端一側(cè)固定于所述轉(zhuǎn)動軸,另一端一側(cè)固定于從所述門的中心部起在左右方向和上下方向上偏心(偏離)的位置。(b)所述開口部、門、進(jìn)退部和轉(zhuǎn)動機構(gòu)的組彼此在上下設(shè)置有多個。(c)所述開口部、門、進(jìn)退部和轉(zhuǎn)動機構(gòu)的組彼此在左右設(shè)置有多個。(d)所述第三位置被設(shè)定于在左右方向上偏離第二位置的位置。(f)所述第三位置被設(shè)定于在上下方向上偏離第二位置的位置。(g)彼此相鄰的所述開口部、門、進(jìn)退部和轉(zhuǎn)動機構(gòu)的組中一個組的第三位置與另一個組的第三位置彼此前后重疊。(h)在所述間隔壁的另一面?zhèn)仍O(shè)置有基板檢測機構(gòu),包括用于檢測位于其橫向方向的基板的傳感器部和使所述傳感器部升降的升降部,所述基板交接裝置包括控制部,對所述基板檢測機構(gòu)和所述轉(zhuǎn)動機構(gòu)輸出控制信號而控制該基板檢測機構(gòu)和轉(zhuǎn)動機構(gòu)的動作,所述控制部輸出控制信號,以使所述傳感器部的上升或下降動作與通過門的轉(zhuǎn)動而打開所述開口部的動作并行進(jìn)行。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明,設(shè)置有進(jìn)退部和轉(zhuǎn)動機構(gòu),對于形成在間隔壁上的開口部處設(shè)置的門,上述進(jìn)退部使上述門在封閉上述開口部的第一位置與自該位置向前方離開的第二位置間進(jìn)退,上述轉(zhuǎn)動機構(gòu)使上述門在第二位置與偏離上述開口部的前方區(qū)域的第三位置之間繞沿著該門的進(jìn)退方向的轉(zhuǎn)動軸轉(zhuǎn)動。通過采用這樣的結(jié)構(gòu),無需使門升降,所以能夠抑制為了使該門開閉所需要的裝置的高度。附圖說明圖1是表示應(yīng)用了本發(fā)明的涂敷、顯影裝置的俯視圖。圖2是上述涂敷、顯影裝置的立體圖。圖3是上述涂敷、顯影裝置的側(cè)視圖。圖4是上述涂敷、顯影裝置所包括的載體區(qū)塊的正視圖。圖5是上述載體區(qū)塊中設(shè)置的裝載口的門的正視圖。圖6是上述裝載口的縱截面?zhèn)纫晥D。圖7是關(guān)閉了晶片搬送口的狀態(tài)下門3的立體圖。圖8表示打開晶片搬送口的途中的門的正視圖。圖9是通過門而打開的晶片搬送口的正視圖。圖10是打開了搬送口的狀態(tài)下門的立體圖。圖11是載體的橫截面俯視圖。圖12是用于表示利用上述門打開搬送口以及進(jìn)行晶片的搬出的工序圖。圖13是用于表示利用上述門打開搬送口以及進(jìn)行晶片的搬出的工序圖。圖14是用于表示利用上述門打開搬送口以及進(jìn)行晶片的搬出的工序圖。圖15是用于表示利用上述門打開搬送口以及進(jìn)行晶片的搬出的工序圖。圖16是用于表示利用上述門打開搬送口以及進(jìn)行晶片的搬出的工序圖。圖17是用于表示利用上述門打開搬送口以及進(jìn)行晶片的搬出的工序圖。圖18是用于表示利用上述門打開搬送口以及進(jìn)行晶片的搬出的工序圖。圖19是用于表示將載體搬入到橫向排列的各裝載口的工序圖。圖20是用于表示將載體搬入到橫向排列的各裝載口的工序圖。圖21是用于表示將載體搬入到橫向排列的各裝載口的工序圖。圖22是用于表示將載體搬入到橫向排列的各裝載口的工序圖。圖23是其它裝載口的橫截面俯視圖。圖24是表示其它的門的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖25是上述門的后視圖。圖26是表示上述門打開的狀態(tài)的工序圖。圖27是表示上述門打開的狀態(tài)和映射單元的動作的工序圖。圖28是表示上述門打開的狀態(tài)和映射單元的動作的工序圖。圖29是表示其它的載體區(qū)塊的結(jié)構(gòu)的概要正視圖。圖30是其它的載體區(qū)塊的概要正視圖。圖31是表示現(xiàn)有的裝載口的結(jié)構(gòu)的縱截面?zhèn)纫晥D。圖32是上述裝載口的縱截面?zhèn)纫晥D。附圖符號說明W晶片A1載體區(qū)塊C載體1涂敷、顯影裝置2A~2D裝載口21載置臺22晶片搬送口3門41容器主體42蓋體5門開閉用驅(qū)動機構(gòu)7控制部具體實施方式對應(yīng)用了本發(fā)明的基板交接裝置的涂敷、顯影裝置1進(jìn)行說明。圖1、圖2、圖3分別表示上述涂敷、顯影裝置1和俯視圖、概要立體圖和概要側(cè)視圖。涂敷、顯影裝置1由載體區(qū)塊A1、處理區(qū)塊A2和接口區(qū)塊A3直線狀連接而構(gòu)成。接口區(qū)塊A3在處理區(qū)塊A2的相反側(cè)與曝光裝置A4連接。涂敷、顯影裝置1的外側(cè)構(gòu)成為作為收納晶片W的基板搬送容器的載體C的搬送區(qū)域11。對各區(qū)塊的作用進(jìn)行簡單說明,載體區(qū)塊A1相當(dāng)于本發(fā)明的基板交接裝置,與圖2所示的頂棚搬送機構(gòu)12之間進(jìn)行存放了晶片W的載體C的交接。然后,從接收到的載體C將晶片W搬入到涂敷、顯影裝置1中,并使在涂敷、顯影裝置1經(jīng)過處理后的晶片W返回到載體C。另外,上述頂棚搬送機構(gòu)12是經(jīng)潔凈室內(nèi)的頂棚將載體C在設(shè)置于該潔凈室的各裝置間進(jìn)行交接的裝置。處理區(qū)塊A2是用于對晶片W進(jìn)行抗蝕劑涂敷處理、顯影處理等各種液體處理、加熱處理的區(qū)塊。曝光裝置A4對在處理區(qū)塊A2中形成于晶片W的抗蝕劑膜進(jìn)行曝光。接口區(qū)塊A3具有在處理區(qū)塊A2與曝光裝置A4之間進(jìn)行晶片W的交接的作用。對載體區(qū)塊A1的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。為便于說明,令載體區(qū)塊A1一側(cè)為前側(cè),曝光裝置A4一側(cè)為后側(cè)。載體區(qū)塊A1包括殼體13,殼體13的內(nèi)部被從載體搬送區(qū)域11劃分出來。殼體13在方形的區(qū)塊的前表面向著前方分上下三層突出形成為擱架狀,下層的擱架、中層的擱架和上層的擱架分別構(gòu)成載體載置架14、15、16。在殼體13內(nèi),載體載置架14~16的后方一側(cè)的空間構(gòu)成為晶片W的搬送區(qū)域17。參照表示了載體區(qū)塊A1的正面的圖4進(jìn)行說明。殼體13的前表面,構(gòu)成為從載體C進(jìn)行晶片W的搬入的裝載口2。該裝載口2包括:載置載體C的載置臺21;晶片W的搬送口22;用于對該晶片搬送口22進(jìn)行開閉的門3;和映射單元6。在該載體區(qū)塊A1設(shè)置有4個裝載口2,為方便起見,對各裝載口2加以區(qū)分,標(biāo)注2A~2D的標(biāo)記。裝載口2在從正面觀看載體區(qū)塊A1時在上下左右方向上彼此分離設(shè)置,設(shè)右下側(cè)的裝載口為2A,左下側(cè)的裝載口為2B,右上側(cè)的裝載口為2C,左上側(cè)的裝載口為2D。裝載口2A、2B彼此設(shè)置于相同高度,裝載口2C、2D彼此設(shè)置于相同高度。裝載口2A、2C彼此設(shè)置于左右的相同位置,裝載口2B、2D設(shè)置于左右的相同位置。各裝載口2的晶片搬送口22在構(gòu)成殼體13的前方一側(cè)的間隔壁18在前后方向上開口,裝載口2A、2B的晶片搬送口22設(shè)置在載體載置架14、15之間,裝載口2C、2D的晶片搬送口22設(shè)置在載體載置架15、16之間。各晶片搬送口22大致形成為平面視圖下橫向較長的四邊形形狀。在上述間隔壁18的前面一側(cè),在各晶片搬送口22的周圍形成有環(huán)狀的凹部19,當(dāng)進(jìn)行晶片W的交接時,載體C的前表面接近該凹部19的前表面。在載體載置架14、15上,在各晶片搬送口22的跟前側(cè)設(shè)置上述載置臺21。這些載置臺21構(gòu)成為能夠在后退位置與前進(jìn)位置之間自由移動,上述后退位置(卸載位置)是用于在與后述的載體搬送機構(gòu)33之間進(jìn)行載體C的交接的位置,上述前進(jìn)位置(裝載位置)是載體C為了交接晶片W而接近上述凹部19的位置。圖中23是設(shè)置于載置臺21上的銷,插入于形成在載體C的下方的凹部中,防止載體C在載置臺21上發(fā)生位置偏移。各裝載口2的結(jié)構(gòu)大致相同,以下以裝載口2A為代表進(jìn)行說明。圖5、圖6、圖7分別是裝載口2A的門3的正視圖、縱截面?zhèn)纫晥D和立體圖。門3形成為能夠封閉上述晶片搬送口22的大致四邊形形狀。在門3的正面,在左右設(shè)置有鍵(key)31,構(gòu)成用于對載體C的蓋體42進(jìn)行裝卸的裝卸機構(gòu)。鍵31形成為從門3向著正面一側(cè)去,其前端在上下方向上延伸。鍵31繞前后方向的軸轉(zhuǎn)動。此處,參照圖7對載體C的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。載體C包括大致方形的容器主體41和方板狀的蓋體42。在容器主體41的上部設(shè)置有被握持部43,用于上述頂棚搬送機構(gòu)12和后述的載體搬送機構(gòu)33搬送載體C時握持。在容器主體41內(nèi)部的左右設(shè)置有多層向內(nèi)側(cè)突出的突出部,通過將晶片W的周緣部插入該突出部之間的插槽44中,而將晶片W水平保持多層。容器主體41的前表面形成晶片W的取出口45,上述蓋體42形成為將該取出口45封閉。在蓋體42的前表面形成有用于被上述鍵31插入的插入口46,當(dāng)鍵31在插入到該插入口46中的狀態(tài)下轉(zhuǎn)動時,蓋體42內(nèi)部的轉(zhuǎn)動機構(gòu)47發(fā)生轉(zhuǎn)動,由此爪部48在蓋體42的上下側(cè)部伸出縮回。通過使從上述上下側(cè)部突出的爪部48插入到形成于取出口44的上下內(nèi)邊緣部的槽部49中,使得蓋體42與容器主體41卡合。當(dāng)爪部48縮回蓋體42的側(cè)部中而脫離槽部49時,蓋體42與容器主體41的卡合被解除,蓋體42被插入到插入口46中的鍵31保持。接著返回裝載口2A的說明。裝載口2A在載體載置架14內(nèi)的空間中具有門開閉用驅(qū)動機構(gòu)5。該門開閉用驅(qū)動機構(gòu)5包括:用于使門3相對于晶片搬送口22進(jìn)退的進(jìn)退機構(gòu)51;和設(shè)置于該進(jìn)退機構(gòu)51、用于在門3已后退時使該門3轉(zhuǎn)動的轉(zhuǎn)動機構(gòu)52。上述進(jìn)退機構(gòu)51包括引導(dǎo)軌道53、滑塊54和汽缸55。引導(dǎo)軌道53在前后方向上延伸,滑塊54被卡止于該引導(dǎo)軌道53。汽缸55在前后方向上伸縮驅(qū)動,由此使得與該汽缸55連接的滑塊54構(gòu)成為沿著引導(dǎo)軌道53進(jìn)退。上述轉(zhuǎn)動機構(gòu)52設(shè)置于上述滑塊54,包括汽缸56、連接部件57和構(gòu)成轉(zhuǎn)動部件的門連接部58?;瑝K54上設(shè)置上述汽缸56,汽缸56在橫向方向上伸縮驅(qū)動。連接部件57將汽缸56與門連接部58的一端連接,包括與汽缸56連接的軸59和與上述門連接部58連接的軸50,各軸59、50向著前后方向形成。門連接部58如圖6所示形成為在側(cè)視圖下為L字形,其另一端在向后方一側(cè)去后彎曲而向上方去,固定在門3的背面下端部。門連接部58在該門3上的固定位置,在左右方向上看來靠近載體區(qū)塊A1的中央部。即,該固定位置是從門3的中心部起在左右方向和上下方向上偏心的位置。通過汽缸56的伸縮動作,連接部件57以軸59作為轉(zhuǎn)動軸而轉(zhuǎn)動,其傾斜度發(fā)生變化。上述連接部件57的傾斜度的變化,被轉(zhuǎn)換為門3的以軸50為轉(zhuǎn)動軸的轉(zhuǎn)動動作。圖8、9表示了通過上述轉(zhuǎn)動而使門3打開的狀態(tài),如這些圖中所示,門3以其側(cè)部向著下方倒向載體區(qū)塊A1的內(nèi)側(cè)的方式轉(zhuǎn)動,使晶片搬送口22敞開。圖10表示已打開晶片搬送口22時門3的立體圖。該圖10和其它各圖中所示的20是用于支承打開晶片搬送口22后的門3的支承部件。接著對映射單元6進(jìn)行說明。映射單元6設(shè)置于晶片搬送區(qū)域17,是用于在晶片搬送口22打開后、將晶片W從載體C搬入晶片搬送區(qū)域17前對載體C內(nèi)晶片W的配置狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)的單元。配置狀態(tài)的確認(rèn)具體指的是對載體C的各插槽44中晶片W的有無進(jìn)行確認(rèn),和對存放的晶片W是水平還是傾斜進(jìn)行確認(rèn)。映射單元6包括升降機構(gòu)61、轉(zhuǎn)動機構(gòu)62、支承軸63、支承臂64、64和傳感器部65。上述升降機構(gòu)61以在晶片搬送口22的外側(cè)上下延伸的方式設(shè)置。轉(zhuǎn)動機構(gòu)62構(gòu)成為通過上述升降機構(gòu)61自由升降,設(shè)置在比升降機構(gòu)61更靠搬送口22一側(cè)。支承軸63從轉(zhuǎn)動機構(gòu)62向著搬送口22一側(cè)在水平方向上延伸,通過轉(zhuǎn)動機構(gòu)62而繞軸轉(zhuǎn)動。2根支承臂64從支承軸63以與支承軸63的軸方向正交的方向延伸而出。支承臂64、64以保持有間隔且彼此平行地方式設(shè)置。上述傳感器部65設(shè)置于支承臂64、64的前端。傳感器部65包括彼此成對的發(fā)光部66和受光部67,在一個支承臂64設(shè)置發(fā)光部66、受光部67中的一個。圖11是載體C的橫截面俯視圖。在確認(rèn)載體C中上述晶片的配置狀態(tài)時,支承臂64、64處于水平狀態(tài),如該圖11所示,使發(fā)光部66和受光部67進(jìn)入載體C內(nèi)。在發(fā)光部66與受光部67之間,以與存放于載體C中的晶片W在俯視下重疊的方式,形成圖11中虛線箭頭所示的光軸。受光部67根據(jù)有無接收到來自發(fā)光部66的光,而對后述的控制部7發(fā)送檢測信號。然后,在形成了上述光軸的狀態(tài)下,傳感器部65上升,控制部7基于上述檢測信號能夠檢測各插槽44中有無晶片W。另外,在晶片W的一端和另一端進(jìn)入了高度不同的插槽44中、晶片W保持傾斜的情況下,與保持水平的情況相比,晶片W的根據(jù)檢測結(jié)果而得的厚度會變大,所以控制部7也能夠檢測出這種晶片W的傾斜的有無。除了進(jìn)行晶片W的配置狀態(tài)的檢測的情況以外,為了不妨礙晶片W的搬送,支承臂64和傳感器部65在圖5所示的晶片搬送口22的下方外側(cè)的待機位置待機。對裝載口2B~2D進(jìn)行說明。裝載口2B的門3向著載體區(qū)塊A1的內(nèi)側(cè)轉(zhuǎn)動。即,裝載口2A、2B的門3以彼此靠近的方式轉(zhuǎn)動,使晶片搬送口22敞開。關(guān)于裝載口2C、2D,除了門開閉用驅(qū)動機構(gòu)5設(shè)置在載體載置架15內(nèi)的空間中以外,分別與裝載口2A、2B為相同結(jié)構(gòu)。該例中,裝載口2A、2C被設(shè)定為用于將晶片W從載體C中搬入裝置1內(nèi)的晶片搬入用的裝載口,而裝載口2B、2D被設(shè)定為用于將已處理完畢的晶片W返回載體C的晶片搬出用的裝載口。另外,如圖1、圖2所示,載體區(qū)塊A1在載體搬送區(qū)域11一側(cè)包括載體搬送機構(gòu)33。載體搬送機構(gòu)33包括:基端一側(cè)在水平方向上自由移動且能夠自由升降的多關(guān)節(jié)的臂34;和設(shè)置于臂34的前端一側(cè)、用于握持載體C的被握持部43的握持部35。利用該載體搬送機構(gòu)33,在各裝載口2的載置臺21與設(shè)置于各載體載置架14~16上的后述各載置區(qū)域36~38之間交接載體C。圖4中,以點劃線的框表示載體載置架14~16上除了載置臺21以外的載體C的載置區(qū)域。載體載置架14具有兩個載置區(qū)域36、36,這兩個載置區(qū)域36分別設(shè)置于裝載口2A、2B的各載置臺21之間,和裝載口2B的載置臺21的左側(cè)。此外,載體載置架15具有兩個載置區(qū)域36、36,這兩個載置區(qū)域36分別設(shè)置于裝載口2C、2D的各載置臺21之間,和裝載口2D的載置臺21的左側(cè)。不過,雖然載置區(qū)域36如上所述設(shè)置在裝載口2A~2D的左側(cè),但不限于這樣的配置,例如也可以將載置區(qū)域36設(shè)置在各裝載口2A~2D的右側(cè)。載體載置架16上設(shè)置有左右共四個載置區(qū)域,左側(cè)的兩個載置區(qū)域37被設(shè)定為載體C的向涂敷、顯影裝置1搬入用的載置區(qū)域,載體C被從上述頂棚搬送機構(gòu)12交接到該載置區(qū)域37上。而右側(cè)的兩個載置區(qū)域38被設(shè)置為用于將載體C從涂敷、顯影裝置1搬出到其它裝置的載置區(qū)域,上述頂棚搬送機構(gòu)12接收載置于該載置區(qū)域38的載體C,向其它裝置搬送。當(dāng)載體C已被從頂棚搬送機構(gòu)12交接到載置區(qū)域37上時,在裝載口2A、2C的載置臺21載置有其它的載體C導(dǎo)致不能夠搬送到該載置臺21上時,上述載置區(qū)域37的載體C被搬送到載置區(qū)域36上臨時載置。然后,當(dāng)裝載口2A、2C的載置臺21空閑時,將上述臨時載置的載體C從載置區(qū)域36搬送到該載置臺21。此外,對于已從裝載口2A、2C排出了晶片W的載體C,在裝載口2B、2D的載置臺21載置有其它的載體C導(dǎo)致不能夠搬送到該載置臺21上時,這些晶片W已排出的載體C被搬送到載置區(qū)域36上臨時載置。當(dāng)裝載口2B、2D的載臺21空閑時,上述載體C被從載置區(qū)域36搬送到該載置臺21。對載體C的搬送進(jìn)行總結(jié),即,通過頂棚搬送機構(gòu)12而載置到載置區(qū)域37上的載體C,通過載體搬送機構(gòu)33而按照裝載口2A、2C的載置臺21→裝載口2B、2D的載置臺21→載置區(qū)域38的順序搬送,之后再通過頂棚搬送機構(gòu)12被搬送到其它裝置。該搬送路徑中,當(dāng)搬送目的地的裝載口2被占用時,載體搬送機構(gòu)33暫時將載體C搬送到載置區(qū)域36待機,然后再搬送到該裝載口2。對殼體13內(nèi)的晶片搬送區(qū)域17進(jìn)行說明。晶片搬送區(qū)域17在左右中央部設(shè)置有晶片W的交接部24。該交接部24由用于與處理區(qū)塊A2之間進(jìn)行晶片的交接的交接模塊TRS、SCPL和使晶片暫時停留的緩沖模塊SBU多層層疊而構(gòu)成。圖3中對于交接部24的TRS、SCPL,標(biāo)記了與處理區(qū)塊A2的后述單位區(qū)塊的各層的高度對應(yīng)的數(shù)字。即,將設(shè)置于下側(cè)第一層的單位區(qū)塊B1高度的TRS、SCPL標(biāo)記TRS1、SCPL1,對其它單位區(qū)塊高度的TRS、SCPL也同樣地標(biāo)記單位區(qū)塊的層數(shù)。如圖1、圖4所示,在交接部24的左右設(shè)置有晶片搬送機構(gòu)25A、25B。晶片搬送機構(gòu)25A在裝載口2A、2C的載體C與交接部24的各模塊之間進(jìn)行晶片W的交接,晶片搬送機構(gòu)25B在裝載口2B、2D的載體C與交接部24的各模塊之間進(jìn)行晶片W的交接。對晶片搬送機構(gòu)25A進(jìn)行說明,晶片搬送機構(gòu)25A包括自由升降的升降臺26、在升降臺26上繞鉛垂軸自由旋轉(zhuǎn)的基座27、在基座27上分別獨立地自由進(jìn)退的叉狀件28、29。叉狀件28用于在載體C、交接模塊TRS、緩沖模塊之間交接晶片W,叉狀件29用于在交接模塊SCPL之間交接晶片W。晶片搬送機構(gòu)25B,除了在裝載口2B、2D的載體C與交接部24的各模塊之間進(jìn)行晶片W的交接外,與晶片搬送機構(gòu)25A為相同結(jié)構(gòu)。涂敷、顯影裝置1中設(shè)置有例如由計算機構(gòu)成的控制部7??刂撇?包括由程序、存儲器、CPU構(gòu)成的數(shù)據(jù)處理部等,上述程序中編入了命令(各步驟),使得從控制部7對門開閉用驅(qū)動機構(gòu)5等涂敷、顯影裝置1的各部分發(fā)送控制信號,以進(jìn)行門3的開閉動作、晶片W的搬送和處理模塊中的各處理工序。該程序存儲在計算機存儲介質(zhì)例如軟盤、光盤、硬盤、MO(光磁盤)存儲卡等存儲介質(zhì)中,安裝在控制部7上。參照圖1~圖3對處理區(qū)塊A2、接口區(qū)塊A3和曝光裝置A4分別進(jìn)行說明。處理區(qū)塊A2包括層疊為6層的單位區(qū)塊D1~D6。各單位區(qū)塊D1~D6包括從前方向著后方形成的晶片W的搬送區(qū)域71、從前方看設(shè)置于搬送區(qū)域71的左側(cè)的加熱模塊72和設(shè)置于搬送區(qū)域71的右側(cè)的液體處理模塊73。加熱模塊72和液體處理模塊73沿著搬送區(qū)域71各自設(shè)置有多個,加熱模塊72對晶片W進(jìn)行加熱處理,液晶處理模塊對晶片W供給處理液。搬送區(qū)域71中設(shè)置有晶片W的主搬送機構(gòu)E。主搬送機構(gòu)E在設(shè)置了該主搬送機構(gòu)E的單位區(qū)塊的各模塊、交接部24和后述的交接部75中與該單位區(qū)域處于相同高度的交接模塊之間,進(jìn)行晶片W的交接。圖3中單位區(qū)塊D1~D6的各主搬送機構(gòu)表示為E1~E6。單位區(qū)塊D1和D2的液體處理模塊73是對晶片W供給藥液形成防反射膜的模塊BCT和對晶片W進(jìn)行抗蝕劑涂敷的模塊COT,單位區(qū)塊D3和D4的液體處理模塊73是對晶片W供給藥液進(jìn)行保護(hù)膜的形成的模塊TCT。單位區(qū)塊D5和D6的液體處理模塊73是對晶片W供給顯影液進(jìn)行顯影的模塊DEV。另外,單位區(qū)塊D1、D2中在加熱模塊72的旁邊設(shè)置有周緣曝光模塊74。對接口區(qū)塊A3進(jìn)行說明,該區(qū)塊A3包括交接部75,交接部75包括交接模塊SCPL、TRS和使多片晶片W停留的緩沖模塊SBU。圖3中與單位區(qū)塊D3~D6對應(yīng)高度的交接模塊表示為TRS13~16。用于向曝光裝置A4搬入搬出的交接模塊表示為TRS11、12。交接部75的左右設(shè)置有在交接部75的各模塊間搬送晶片W的接口臂76、77。此外,還設(shè)置有接口臂78,用于在曝光裝置A4與交接部75的交接模塊TRS間搬送晶片W。對于交接部24中作為用于向處理區(qū)塊A2搬入晶片的模塊的交接模塊TRS1、TRS2,對搬送到該交接模塊的晶片W在各區(qū)塊A2~A4間的搬送路徑進(jìn)行說明。搬送到交接模塊TRS1中的晶片W被主搬送機構(gòu)D1取入到單位區(qū)塊B1中,按照交接模塊SCPL1→防反射膜形成模塊BCT→加熱模塊72→交接模塊SCPL1→抗蝕劑涂敷模塊COT→加熱模塊72→周緣曝光模塊74→交接模塊SCPL1的順序搬送。由此,在晶片W的表面依次形成防反射膜、抗蝕劑膜,并且抗蝕劑膜的周緣被曝光。然后,利用晶片搬送機構(gòu)25A、25B將該晶片W搬送到交接模塊TRS3或TRS4。交接模塊TRS2的晶片W,除了被主搬送機構(gòu)D2取入到單位區(qū)塊B2中、代替交接模塊SCPL1搬送到SCPL2、以及從該SCPL2搬送到交接模塊TRS3、TRS4這幾點以外,與搬送到交接模塊TRS1的晶片W同樣地被搬送。搬送到交接模塊TRS3中的晶片W被主搬送機構(gòu)D3取入到單位區(qū)塊B3中,按照交接模塊SCPL3→保護(hù)膜形成模塊TCT→加熱模塊72→交接部75的交接模塊TRS13的順序搬送。由此在抗蝕劑膜的上層形成防反射膜,晶片W被搬入到接口區(qū)塊A3。交接模塊TRS4的晶片W,除了被主搬送機構(gòu)D4取入到單位區(qū)塊B4中、代替交接模塊SCPL3、TRS13搬送到SCPL4、TRS14這幾點以外,與搬送到交接模塊TRS3的晶片W同樣地被搬送。TRS13、14的晶片W,被按照接口臂76→緩沖模塊BU→接口臂77→交接模塊TRS11→接口臂78→曝光裝置A4的順序搬送,在接受了曝光處理后,按照接口臂78→交接模塊TRS12→接口臂77→緩沖模塊BU→接口臂78→交接模塊TRS15或TRS16的順序被搬送。交接模塊TRS15的晶片W,被主搬送機構(gòu)D5取入到單位區(qū)塊B5中,按照加熱模塊72→交接模塊SCPL5→顯影模塊DEV→交接模塊TRS5的順序被搬送,接收曝光后的加熱處理、顯影處理。交接模塊TRS6的晶片W,除了被主搬送機構(gòu)D6取入到單位區(qū)塊B6中、代替交接模塊SCPL5、TRS5搬送到SCPL6、TRS6這幾點以外,與搬送到交接模塊TRS16的晶片W同樣地被搬送。接著,對載體區(qū)塊A1的晶片搬送口22的敞開動作和相對于載體區(qū)域A1進(jìn)行的晶片W的搬入搬出動作進(jìn)行說明。此處說明先將載體C搬送到裝載口2A排出晶片W,接著將其它的載體C搬送到裝載口2B,退回已在裝置1中接受過處理的晶片W的例子。圖12~圖18是裝載口2A的縱截面?zhèn)纫晥D,圖19~圖22是裝載口2A、2B的橫截面俯視圖。適當(dāng)參照以上各圖及上述圖6進(jìn)行說明。當(dāng)載體C載置在位于后退位置的載置臺21上時(圖6和圖19),載置臺21向著前進(jìn)位置移動,門3的鍵31被插入到載體C的蓋體42的插入口46中。載置臺21繼續(xù)移動,當(dāng)上述容器主體41前方的周緣部接近搬送口22的開口邊緣部的凹部19的前表面時(圖12),鍵46轉(zhuǎn)動,容器主體41與蓋體42的卡合被解除,蓋體42通過鍵46被保持在門3上。通過門開閉用驅(qū)動機構(gòu)5使門3后退,保持在門3上的蓋體42越過間隔壁18移動至位于晶片搬送區(qū)域17中(圖13),接著,門3以晶片搬送口22的開口方向為轉(zhuǎn)動軸轉(zhuǎn)動,使該晶片搬送口22敞開,門3被支承部件20支承(圖14和圖20)。此時,由于容器主體41的開口邊緣部接近間隔壁18的凹部19,并且通過未圖示的壓力調(diào)整機構(gòu)進(jìn)行調(diào)整使得晶片搬送區(qū)域17的壓力高于載體搬送區(qū)域11的壓力,因而能夠防止載體搬送區(qū)域11的氣氛經(jīng)間隔壁18與容器主體41開口邊緣部的間隙而進(jìn)入容器主體41內(nèi)以及晶片搬送區(qū)域11中。接著,映射單元6的支承臂64從待機位置上升至規(guī)定的位置后轉(zhuǎn)動至水平(圖15),支承臂64前端的傳感器部65進(jìn)入載體C內(nèi),位于比載體C內(nèi)最下層的插槽44更靠下方的位置。圖12~圖18各圖中為了避免圖示的復(fù)雜,僅表示了支承在插槽44中的晶片W,對于構(gòu)成插槽44的突起部則省略了圖示。在構(gòu)成傳感器部65的發(fā)光部66照射光的同時,該傳感器部65上升(圖16),由控制部7對載體C內(nèi)晶片W的配置狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。當(dāng)傳感器部65位于越過最上層的插槽44的高度,所有的晶片W的配置狀態(tài)得到確認(rèn)時,支承臂64下降并同時轉(zhuǎn)動至鉛垂方向,傳感器部65移動至載體C外,恢復(fù)待機位置(圖17)。然后,晶片搬送機構(gòu)25A的叉狀件28從經(jīng)上述配置狀態(tài)的確認(rèn)作業(yè)判定為存在保持水平的晶片W的插槽44中依次取出晶片W,通過緩沖模塊SBU搬送到交接模塊TRS1、2(圖18)。之后,上述晶片W如上所述地被取入到處理區(qū)塊A2中接受處理。另外,當(dāng)裝載口2B的載置臺21上載置有其它載體C時(圖21),該載體C與載置在裝載口2A的載置臺21上的載體C同樣地移動到前進(jìn)位置,解除蓋體42與容器主體41的卡合。然后,裝載口2B的門3和保持于該門3的蓋體42后退至位于裝載口2A的門3和保持于該門3的蓋體42的前方一側(cè),門3轉(zhuǎn)動(圖22)。即,各裝載口2A、2B的門3以在前后重疊的方式打開。接著,利用晶片搬送機構(gòu)25B從交接模塊TRS5、6經(jīng)緩沖模塊SBU將處理完畢的晶片W搬入到裝載口2B的載體C中。當(dāng)裝載口2A中水平載置的所有晶片W搬出完成后,該裝載口2A的門3通過與打開晶片搬送口22時相反的動作將晶片搬送口22封閉,使載體C的蓋體42與容器主體41之間再次卡合,并解除門3對蓋體42的保持。然后,載置了該載體C的載置臺21后退,該載體C被載體搬送機構(gòu)33如上所述地搬送到裝載口2B、2D。另一方面,在裝載口2B,當(dāng)結(jié)束了將晶片W回收到載體C的動作后,與裝載口2A同樣地,封閉晶片搬送口22、使蓋體42與容器主體41卡合、解除門3對蓋體42的保持、使載置臺21后退,上述載體C被載體搬送機構(gòu)33搬送到載置區(qū)域38。關(guān)于裝載口2C、2D,與裝載口2A、2B同樣地,進(jìn)行晶片搬送口22的開閉,和載體C與裝置1之間的晶片W的交接。該涂敷、顯影裝置1的載體區(qū)塊A1,使搬送口22的門3在前進(jìn)位置與后退位置之間進(jìn)退,通過使移動到上述后退位置的門3繞水平軸轉(zhuǎn)動而進(jìn)行晶片搬送口22的開閉,其中,上述前進(jìn)位置是門3進(jìn)行載體C的容器主體41與蓋體42之間的卡合的形成與解除、并且將間隔壁18封閉的位置,上述后退位置是使得所保持的蓋體42后退到間隔壁18以后的位置。通過采用這樣的結(jié)構(gòu),與使門3相對于晶片搬送口22升降的結(jié)構(gòu)相比,能夠抑制使門3開閉所需要的上下方向的空間。因此,能夠抑制載體區(qū)塊A1的縱向尺寸。因此,像該載體區(qū)塊A1那樣,能夠?qū)⒀b載口2層疊,所以能夠抑制在橫向方向上排列的裝載口2的數(shù)量,減小該載體區(qū)塊A1的占地面積。另外,如上所述,使轉(zhuǎn)動機構(gòu)52所包括的門連接部58相對于門3的固定位置設(shè)定于從門3的中心部起在左右方向和上下方向上偏心的位置。由此,能夠抑制通過轉(zhuǎn)動動作打開晶片搬送口22所需要的門3的移動區(qū)域的空間,能夠防止載體區(qū)塊A1的大型化。另外,在如背景技術(shù)部分中說明的那樣,對設(shè)置有用于使門3升降所必需的門開閉用驅(qū)動機構(gòu)5的空間和晶片搬送區(qū)域17進(jìn)行劃分時,不需要在用于進(jìn)行劃分的部件上形成縱向較長的狹縫,所以提高了該門開閉用驅(qū)動機構(gòu)5的密閉性,能夠減少向晶片搬送區(qū)域17流出的微粒。此外,本實施方式的映射單元6中,在搬送口22敞開后傳感器部65從待機位置起上升的動作時間、通過支承臂64的轉(zhuǎn)動使傳感器部65進(jìn)入載體C內(nèi)的動作時間、傳感器部65的上升時間、傳感器部65的移動方向發(fā)生變化而導(dǎo)致的延遲時間、傳感器部65下降至待機位置的時間,分別為0.8秒、0.8秒、5.1秒、0.5秒、3.2秒,時間共計10.4秒。通過支承臂64的轉(zhuǎn)動而使傳感器部65退出到載體C外的動作所需要的時間為0.8秒,但該退出動作能夠與上述使傳感器部65下降到待機位置的下降動作并行進(jìn)行,所以無需在其它動作之外另外設(shè)定該轉(zhuǎn)動所需要的時間。而如背景技術(shù)部分所示,在采用使門3從晶片搬送口22下降的結(jié)構(gòu),且令映射單元6的待機位置為搬送口22的上側(cè)的情況下,傳感器部65從上述待機位置起下降的動作時間、通過支承臂64的轉(zhuǎn)動使傳感器部65進(jìn)入載體C內(nèi)的動作時間、傳感器部65的上升時間、傳感器部65的移動方向發(fā)生變化而導(dǎo)致的延遲時間、用于避免因支承臂64的轉(zhuǎn)動而導(dǎo)致傳感器部65接觸間隔壁18的傳感器部65的下降動作的時間、通過支承臂64的轉(zhuǎn)動而使傳感器部65移動到載體C外的移動動作時間、傳感器部65上升至待機位置的時間,分別為3.2秒、0.8秒、5.1秒、0.5秒、0.7秒、0.8秒、1.3秒,時間共計12.4秒。即,像本實施方式這樣,采用使門3轉(zhuǎn)動的動作并使映射單元6的待機位置設(shè)定于晶片搬送口22的下方的方式,與使門3下降并將映射單元6的待機位置設(shè)定于晶片搬送口22的上方的結(jié)構(gòu)相比,不需要用于避免傳感器部65接觸間隔壁18的下降動作,能夠使傳感器部65向待機位置的移動與從載體C的搬出并行進(jìn)行,所以能夠快速進(jìn)行配置狀態(tài)的確認(rèn)、開始晶片W的排出,所以較為有利。此外,上述設(shè)置于左右的裝載口的門3的進(jìn)行轉(zhuǎn)動的位置彼此在前后方向上錯開,在打開時彼此重疊。因而,能夠抑制載體區(qū)塊A1的橫向?qū)挾鹊拇笮 2贿^,也可以如圖23所示使左右的裝載口2的位置離開以使得各門打開時門3不會重疊。該情況下能夠抑制載體區(qū)塊A1前后方向上的寬度。上述例子中門連接部58與連接部件57連接,但也可以與滑塊54連接。這樣,使滑塊54、汽缸55和引導(dǎo)軌道53與由電機等構(gòu)成的轉(zhuǎn)動機構(gòu)連接而轉(zhuǎn)動。即,上述實施方式中在進(jìn)退機構(gòu)51設(shè)置有轉(zhuǎn)動機構(gòu)52使轉(zhuǎn)動機構(gòu)52進(jìn)退,但也可以在轉(zhuǎn)動機構(gòu)上設(shè)置進(jìn)退機構(gòu),使進(jìn)退機構(gòu)與門3一起轉(zhuǎn)動。圖24、25分別是其它的門3的側(cè)視圖、后視圖。該門3的門開閉用驅(qū)動機構(gòu)8包括例如由電機構(gòu)成、與門3的門連接部58連接的轉(zhuǎn)動機構(gòu)81,和與轉(zhuǎn)動機構(gòu)81連接、使該轉(zhuǎn)動機構(gòu)81與門3在前后方向上移動的進(jìn)退機構(gòu)82。上述電機與編碼器83連接,根據(jù)該電機的轉(zhuǎn)動量,編碼器83輸出到控制部7的脈沖信號的脈沖數(shù)相應(yīng)地發(fā)生變化。通過檢測該脈沖數(shù),控制部7能夠檢測出門3的傾斜度。另外,圖中84是轉(zhuǎn)動機構(gòu)81使門3轉(zhuǎn)動的轉(zhuǎn)動軸。對利用該門3打開晶片搬送口22的工序進(jìn)行說明。與上述實施方式同樣地,門3保持載體C的蓋體42并如圖26所示地后退以使得轉(zhuǎn)動時蓋體42不會與間隔壁18產(chǎn)生干擾。然后,當(dāng)利用轉(zhuǎn)動機構(gòu)81使門3轉(zhuǎn)動時,控制部7基于從編碼器83輸出的脈沖信號對映射單元6發(fā)送控制信號,如圖27所示,以使得傳感器部65不會與蓋體42和門3發(fā)生干擾的方式,使該傳感器部65上升。即,通過門3的轉(zhuǎn)動使晶片搬送口22敞開的動作,與傳感器部65的上升動作,彼此并行地進(jìn)行。當(dāng)傳感器部65上升到規(guī)定的位置后,與上述實施方式同樣地,支承臂64轉(zhuǎn)動而使傳感器部65進(jìn)入載體C內(nèi),進(jìn)行晶片W的配置狀態(tài)的確認(rèn)(圖28)。像這樣,通過使上述敞開動作與傳感器部65的上升動作同時并行地進(jìn)行,能夠縮短從晶片搬送口22敞開后至將晶片W從涂敷、顯影裝置1排出所需要的時間,所以能夠提高吞吐量。另外,在上述門開閉用驅(qū)動機構(gòu)5中,預(yù)先取得為了使門3轉(zhuǎn)動而對汽缸56發(fā)送控制信號后經(jīng)過的時間和各時間的門3的位置的數(shù)據(jù),基于該數(shù)據(jù)設(shè)定從發(fā)送上述控制信號至傳感器部65開始上升的時間。通過進(jìn)行這樣的設(shè)定,也能夠使門3的轉(zhuǎn)動與傳感器部65的上升并行進(jìn)行。上述各實施方式中橫向方向上排列的裝載口的門3在各自打開時彼此重疊,但也可以設(shè)定為使得縱向方向上排列的裝載口的門3在各自打開時彼此重疊。圖29、圖30示意性地表示各載體區(qū)塊A1的前表面一側(cè)。圖29表示各裝載口2A~2D的門3關(guān)閉的狀態(tài),圖30表示裝載口2B、2D的門3打開、裝載口2A、2C的門關(guān)閉的狀態(tài)。與橫向方向上排列的門3重疊的情況相同地,裝載口2B、2D的各門3在保持載體C的蓋體42后,后退到彼此不發(fā)生干擾的位置,通過轉(zhuǎn)動而彼此重疊。裝載口2A、2C的門3也同樣地在打開時彼此重疊。通過采用這樣的結(jié)構(gòu),能夠抑制載體區(qū)塊A1的高度實現(xiàn)進(jìn)一步的小型化。上述例子中裝載口2層疊了2層,但也可以層疊3層以上。另外,本發(fā)明也能夠適用于進(jìn)行晶片W以外的FPD(平板顯示器)基板、光掩膜用的光罩(maskreticle)基板等其它基板的搬入搬出的裝置。另外,對于裝載口2A~2D,用戶能夠任意地設(shè)定是用于從載體C向裝置搬入晶片的裝載口,還是用于從裝置向載體C搬出晶片的裝載口。即,并不限定于使裝載口2A、2C為上述晶片搬入用的裝載口、使裝載口2B、2C為晶片搬出用的裝載口。另外,也可以利用與將晶片W搬入裝置的裝載口相同的裝載口使晶片W返回載體C。
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