技術(shù)特征：
1.一種電子模塊，包括：第一載體和第二載體；第一半導(dǎo)體芯片，布置在所述第一載體和第二載體兩者上，包括在其上表面上的第一電接觸元件；第二半導(dǎo)體芯片，布置在所述第一半導(dǎo)體芯片上方，包括在其下表面上的第二電接觸元件；以及材料層，將所述第二半導(dǎo)體芯片粘合至所述載體并封裝所述第一半導(dǎo)體芯片，其中所述材料層包括能夠非均勻分布在材料層內(nèi)的導(dǎo)電顆粒，從而提供第一和第二電接觸元件之間的電連接并因此提供第一和第二半導(dǎo)體芯片之間的電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中，所述材料層包括聚合物。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中，所述材料層包括粘合箔。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中，所述材料層包括粘合膏。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中，所述第二半導(dǎo)體芯片比所述第一半導(dǎo)體芯片大。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片具有小于100μm的厚度。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中，所述第二半導(dǎo)體芯片具有從40μm至800μm的范圍內(nèi)的厚度。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中：所述第一半導(dǎo)體芯片包括功率晶體管芯片；以及所述第二半導(dǎo)體芯片包括集成電路芯片。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中：所述第一半導(dǎo)體芯片包括集成電路芯片；以及所述第二半導(dǎo)體芯片包括功率晶體管芯片。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中：所述第二半導(dǎo)體芯片包括電接觸元件；以及所述材料層將所述第二半導(dǎo)體芯片的電接觸元件與所述載體電連接。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中：所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片中的每一個包括電接觸元件；以及所述材料層將所述第一半導(dǎo)體芯片的電接觸元件電連接至所述第二半導(dǎo)體芯片的電接觸元件。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，還包括：第三半導(dǎo)體芯片，布置在所述第一半導(dǎo)體芯片上方且靠近所述第二半導(dǎo)體芯片。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子模塊，其中，所述材料層將所述第三半導(dǎo)體芯片粘合至所述載體。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中：所述第一半導(dǎo)體芯片在面向所述第二半導(dǎo)體芯片的第一主面上包括第一電接觸元件，所述電子模塊還包括將所述第一電接觸元件與電連接器相連接的電氣構(gòu)件。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子模塊，其中，所述電連接器設(shè)置在與所述載體相同的平面中。16.一種電子模塊，包括：第一載體和第二載體；第一半導(dǎo)體芯片，布置在所述第一載體和第二載體兩者上，包括在其上表面上的第一電接觸元件；材料層，封裝所述第一半導(dǎo)體芯片；以及第二半導(dǎo)體芯片，布置在所述材料層上，包括在其下表面上的第二電接觸元件，其中所述材料層包括能夠非均勻分布在材料層內(nèi)的導(dǎo)電顆粒，從而提供第一和第二電接觸元件之間的電連接并因此提供第一和第二半導(dǎo)體芯片之間的電連接。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子模塊，還包括：其中，所述材料層覆蓋所述第一載體和所述第二載體以及所述第一半導(dǎo)體芯片。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電子模塊，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片包括與所述第一載體相連接的第一電接觸元件和與所述第二載體相連接的第二電接觸元件。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子模塊，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片在與所述第一載體遠(yuǎn)離的主面上包括電接觸元件。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電子模塊，還包括：電連接器；以及電氣構(gòu)件，將所述電接觸元件與所述電連接器相連接。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電子模塊，其中，所述電連接器設(shè)置在與所述第一載體相同的平面中。22.一種用于制造電子模塊的方法，所述方法包括：將第一半導(dǎo)體芯片附著至第一載體和第二載體兩者；在第二半導(dǎo)體芯片的主面上形成材料層；以及將所述第二半導(dǎo)體芯片施加于所述第一半導(dǎo)體芯片，使得所述材料層附著至所述第一載體和所述第二載體并封裝所述第一半導(dǎo)體芯片,其中，所述第一半導(dǎo)體芯片包括在其上表面上的第一電接觸元件;其中，所述第二半導(dǎo)體芯片包括在其下表面上的第二電接觸元件;其中所述材料層包括能夠非均勻分布在材料層內(nèi)的導(dǎo)電顆粒，從而提供第一和第二電接觸元件之間的電連接并因此提供第一和第二半導(dǎo)體芯片之間的電連接。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片具有小于100μm的厚度。24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述材料層具有比所述第一半導(dǎo)體芯片的厚度大的厚度。25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中：所述材料層包括粘合箔，以及形成材料層包括將所述粘合箔層壓在所述第二半導(dǎo)體芯片的主面上。26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中：所述材料層包括粘合膏，以及形成材料層包括將所述粘合膏施加在所述第二半導(dǎo)體芯片的主面上。27.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述材料層包括聚合物。