技術(shù)特征：
1.一種具有P型GaN島的垂直氮化鎵基異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：包括勢(shì)壘層（103），所述勢(shì)壘層（103）上部設(shè)有源極（101）和柵極（102），下部依次為溝道層（104）、p-GaN電流阻擋層（201）、n-GaN緩沖層（105）、n+-GaN襯底（202）、漏極（203）；所述p-GaN電流阻擋層（201）中心設(shè)有寬度為L(zhǎng)AP的孔徑，且嵌套在n-GaN緩沖層（105）上部，所述n-GaN緩沖層（105）內(nèi)設(shè)有p-GaN島（301），所述p-GaN島（301）位于p-GaN電流阻擋層（201）與n+-GaN襯底（202）之間；所述p-GaN島（301）沿著縱軸方向，從上至下共分為n層，n為正整數(shù)，n的范圍1≤n≤1000；所述p-GaN島層（301）的每一層均為同一中心線，該中心線也是n-GaN緩沖層（105）的中心線。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有P型GaN島的垂直氮化鎵基異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：所述的p-GaN島層（301）長(zhǎng)度為L(zhǎng)p，其范圍為1nm≤Lp≤LAP，所述的p-GaN島層（301）厚度為Tp，其范圍為1nm≤Tp≤5μm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有P型GaN島的垂直氮化鎵基異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：所述的p-GaN島層（301）相鄰兩層間距離為Tp-p，其范圍為1nm≤Tp-p≤30μm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有P型GaN島的垂直氮化鎵基異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：所述的p-GaN島層（301）頂層與p-GaN電流阻擋層（201）之間的間距為TC-P，其范圍為1nm≤TC-P≤15μm，p-GaN島層（301）底層與n+-GaN襯底（202）之間的間距為TP-S，其范圍為1nm≤TP-S≤15μm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有P型GaN島的垂直氮化鎵基異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：所述的p-GaN島層（301）中，每層摻雜濃度范圍為1×1015~1×1020cm-3。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有P型GaN島的垂直氮化鎵基異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：所述的p-GaN島層（301）的形狀為長(zhǎng)方形。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有P型GaN島的垂直氮化鎵基異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：所述p-GaN電流阻擋層（201）的厚度為0.1~5μm，摻雜濃度為1×1015~1×1020cm-3。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有P型GaN島的垂直氮化鎵基異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：所述勢(shì)壘層（103）的材料為AlxInyGazN，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z=1。