技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其包括：提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成柵極堆棧，并在所述柵極堆棧四周形成間隙壁；進(jìn)行局部曝光，以定義要進(jìn)行局部互連的柵極區(qū)域；形成覆蓋所述柵極堆棧和間隙壁的光刻膠層，并對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行局部刻蝕以去除要進(jìn)行局部互連的柵極區(qū)域內(nèi)的間隙壁；在半導(dǎo)體襯底和柵極堆棧上沉積多晶硅膜層；刻蝕多晶硅膜層，以保留用于局部互連的多晶硅膜層，并去述多晶硅膜層的其余部分，其中，沿柵極堆棧方向，要進(jìn)行局部互連的區(qū)域相對(duì)用于局部互連的多晶硅膜層具有一定延伸；在露出的部分柵極堆棧上形成硅化物，柵極堆棧與所述用于局部互連的多晶硅膜層通過硅化物連接。本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件的制作方法，所述柵極堆棧與用于局部互連的所述多晶硅膜層通過所述硅化物連接，因而具有較低的接觸電阻。

技術(shù)研發(fā)人員：李敏;吳永玉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號(hào)碼：201510179812
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.16
技術(shù)公布日：2016.11.23