技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公布了一種GaN襯底的制備方法，屬于光電子器件的制備領(lǐng)域。本發(fā)明在鋪設(shè)有碳納米管的藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)GaN、InGaN、AlGaN、AlN或InN薄膜或納米柱構(gòu)成過渡層，碳納米管鋪設(shè)范圍需超過襯底邊緣200um-1mm，隨后將復(fù)合襯底置于激光下輻照，超過襯底邊緣的碳納米管有助于碳納米管或GaN在激光輻照下可以從邊緣向中間逐漸分解并生成氣體放出，在碳納米管的占據(jù)位留下孔洞(直徑為200-800nm)，最后再生長(zhǎng)厚膜GaN，獲得厚膜GaN襯底或經(jīng)過去除襯底工藝或自分離工藝得到自支撐GaN襯底。本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單、工藝條件易控制、價(jià)格低廉、便于大規(guī)模批量生產(chǎn)，可以選擇不同的襯底，還可支持多種襯底分離技術(shù)。

技術(shù)研發(fā)人員：于彤軍;程玉田;吳潔君;韓彤;張國義
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京大學(xué)
文檔號(hào)碼：201510294085
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.02
技術(shù)公布日：2017.01.04