本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤其涉及一種三維封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)：

近年來，為了增加印刷線路板(Printed Circuit Board，以下簡稱PCB)的應(yīng)用，現(xiàn)已有許多技術(shù)是將印刷線路板制作成多層線路結(jié)構(gòu)。多層線路結(jié)構(gòu)的制作方式是將銅箔(copper foil)或其他適用的導(dǎo)電材料與膠片(prepreg，pp)或其他適用的介電材料組成增層結(jié)構(gòu)，并將增層結(jié)構(gòu)反復(fù)壓合而堆疊于核心層(core)上，來形成多層線路結(jié)構(gòu)，以增加多層線路結(jié)構(gòu)的內(nèi)部布線空間，其中增層結(jié)構(gòu)上的導(dǎo)電材料可依據(jù)所需的線路布局形成導(dǎo)電線路，而增層結(jié)構(gòu)的盲孔或通孔中可另填充導(dǎo)電材料來導(dǎo)通各層。如此，多層線路結(jié)構(gòu)可依據(jù)需求調(diào)整線路層數(shù)，并以上述方法制作而成。

然而，由于上述膠片或其他適用的介電材料質(zhì)地較為柔軟，其在制造過程中便很容易產(chǎn)生多層線路結(jié)構(gòu)的翹曲問題(warpage issue)。當(dāng)上述印刷線路板應(yīng)用在堆疊式封裝結(jié)構(gòu)(Package-On-Package，以下簡稱POP)時，也會使得上述堆疊式封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生翹曲問題，進而降低堆疊式封裝結(jié)構(gòu)的良率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，其可解決翹曲問題，進而提升三維封裝結(jié)構(gòu)的良率。

本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：線路板、多個第一接觸墊、多個金屬柱以及至少一芯片(chip)。第一接觸墊配置于線路板上。芯片配置于一部分的所述第一接觸墊上。金屬柱配置于另一部分的所述第一接觸墊上，其中所述金屬柱圍繞所述芯片。

在本發(fā)明的一實施例中，所述線路板包括增層結(jié)構(gòu)、第二接觸墊以及防 焊層。所述第二接觸墊配置于所述增層結(jié)構(gòu)以及所述防焊層之間。所述增層結(jié)構(gòu)包括：多個介電層、多個圖案化線路層以及多個第一導(dǎo)通孔。各圖案化線路層配置于相鄰所述介電層之間。第一導(dǎo)通孔配置于所述介電層中，以電性連接相鄰所述圖案化線路層。

在本發(fā)明的一實施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括支撐結(jié)構(gòu)配置于所述線路板中。所述支撐結(jié)構(gòu)包括垂直式支撐結(jié)構(gòu)以及水平式支撐結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的一實施例中，所述垂直式支撐結(jié)構(gòu)具有多個第二導(dǎo)通孔配置于所述介電層中且配置于所述線路板的周圍。所述第二導(dǎo)通孔相互對齊，以形成連續(xù)結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的一實施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括第一散熱結(jié)構(gòu)配置于所述增層結(jié)構(gòu)與所述第二接觸墊之間。所述第一散熱結(jié)構(gòu)與所述垂直式支撐結(jié)構(gòu)電性連接，以形成倒U形結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的一實施例中，所述圖案化線路層具有主圖案以及支撐圖案。所述支撐圖案配置于所述主圖案的周圍，以形成所述水平式支撐結(jié)構(gòu)。所述支撐圖案為網(wǎng)狀圖案。

在本發(fā)明的一實施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括第二散熱結(jié)構(gòu)配置于所述芯片上。

在本發(fā)明的一實施例中，所述第二散熱結(jié)構(gòu)的材料包括銀、鎳、銅、鋁、金、鈀或其組合。

在本發(fā)明的一實施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括絕緣結(jié)構(gòu)配置于所述第一接觸墊上。所述絕緣結(jié)構(gòu)未覆蓋所述芯片的表面。

在本發(fā)明的一實施例中，所述絕緣結(jié)構(gòu)的材料包括環(huán)氧樹脂(Epoxy)、聚酰亞胺(Polyimide)或其組合。

在本發(fā)明的一實施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：多個凸塊以及多個蝕刻停止層。凸塊配置于所述第一接觸墊與所述芯片之間。蝕刻停止層配置于所述第一接觸墊與所述金屬柱之間。

本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其步驟如下。提供載板。所述載板包括第一金屬層、第二金屬層以及蝕刻停止層。所述蝕刻停止層配置于所述第一金屬層以及所述第二金屬層之間。圖案化所述第二金屬層，以形成多個第一接觸墊。形成線路板于所述第一接觸墊的第一表面上。圖案化所述第 一金屬層，以形成多個金屬柱。移除未被所述金屬柱覆蓋的所述蝕刻停止層，暴露所述第一接觸墊的第二表面。所述金屬柱通過所述第一接觸墊以及被所述金屬柱所覆蓋的所述蝕刻停止層電性連接至所述線路板。形成至少一芯片于所述第一接觸墊的所述第二表面上。所述金屬柱圍繞所述芯片。

在本發(fā)明的一實施例中，所述線路板包括增層結(jié)構(gòu)、第二接觸墊以及防焊層。所述第二接觸墊配置于所述增層結(jié)構(gòu)以及所述防焊層之間。所述增層結(jié)構(gòu)包括：多個介電層、多個圖案化線路層以及多個第一導(dǎo)通孔。各圖案化線路層配置于相鄰所述介電層之間。第一導(dǎo)通孔配置于所述介電層中，以電性連接相鄰所述圖案化線路層。

在本發(fā)明的一實施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)的制造方法還包括形成支撐結(jié)構(gòu)于所述線路板中。所述支撐結(jié)構(gòu)包括垂直式支撐結(jié)構(gòu)以及水平式支撐結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的一實施例中，所述垂直式支撐結(jié)構(gòu)具有多個第二導(dǎo)通孔配置于所述介電層中且配置于所述線路板的周圍。所述第二導(dǎo)通孔相互對齊，以形成連續(xù)結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的一實施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)的制造方法還包括形成第一散熱結(jié)構(gòu)于所述增層結(jié)構(gòu)與所述第二接觸墊之間。所述第一散熱結(jié)構(gòu)與所述垂直式支撐結(jié)構(gòu)電性連接，以形成倒U形結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的一實施例中，所述圖案化線路層具有主圖案以及支撐圖案。所述支撐圖案配置于所述主圖案的周圍，以形成所述水平式支撐結(jié)構(gòu)。所述支撐圖案為網(wǎng)狀圖案。

在本發(fā)明的一實施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)的制造方法還包括形成第二散熱結(jié)構(gòu)于所述芯片的第三表面上。

在本發(fā)明的一實施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)的制造方法還包括形成絕緣結(jié)構(gòu)于所述第一接觸墊的所述第二表面上。所述絕緣結(jié)構(gòu)未覆蓋所述芯片的所述第三表面上。

在本發(fā)明的一實施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)的制造方法還包括形成多個凸塊于所述第一接觸墊與所述芯片之間。

基于上述，本發(fā)明利用配置于所述線路板中的支撐結(jié)構(gòu)以及配置于第一接觸墊的第二表面上的絕緣結(jié)構(gòu)，加強封裝結(jié)構(gòu)的強度，以解決封裝結(jié)構(gòu)的翹曲問題，進而提升封裝結(jié)構(gòu)的良率。另外，本發(fā)明又利用第一散熱結(jié)構(gòu)以 及第二散熱結(jié)構(gòu)，其不僅可降低封裝結(jié)構(gòu)的溫度，還可進一步地提升封裝結(jié)構(gòu)的強度。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1D為依照本發(fā)明第一實施例所示出的封裝結(jié)構(gòu)的制造流程的剖面示意圖；

圖2A至圖2D為依照本發(fā)明第二實施例所示出的封裝結(jié)構(gòu)的制造流程的剖面示意圖；

圖3為圖2B的支撐結(jié)構(gòu)230的上視示意圖；

圖4A至圖4D為依照本發(fā)明第三實施例所示出的封裝結(jié)構(gòu)的制造流程的剖面示意圖；

圖5為圖4A的散熱結(jié)構(gòu)330的上視示意圖；

圖6A至圖6E為依照本發(fā)明第四實施例所示出的封裝結(jié)構(gòu)的制造流程的剖面示意圖。

附圖標(biāo)記說明：

10、20、30、40：封裝結(jié)構(gòu)；

100、100a、200、200a、300a、400、400a：載板；

102、202、302、402：第一金屬層；

102a、202a、302a、402a：金屬柱；

104、104a、204、204a、304、304a、404、404a：蝕刻停止層；

106、206、406：第二金屬層；

106a、106b、106c、206a、206b、206c、306a、306b、306c、406a、406b、406c：第一接觸墊；

107、207、307、407：線路板；

108、208、308、408：增層結(jié)構(gòu)；

110、210、210a、210b、310、332、410：介電層；

112、212、312、412：圖案化線路層；

114、214a、214b、314a、314b、414：導(dǎo)通孔；

116、216、316、416：第二接觸墊；

118、218、318、418：防焊層；

120、122、220、222、320、322、420、422：凸塊；

124a、124b、224a、224b、324a、324b、424a、424b：芯片；

212a：主圖案；

212b：支撐圖案；

226、228：側(cè)；

230：支撐結(jié)構(gòu)；

330：第一散熱結(jié)構(gòu)；

330a：網(wǎng)狀圖案；

330b：導(dǎo)通孔圖案；

330c：角落圖案；

334：第二散熱結(jié)構(gòu)；

430：絕緣結(jié)構(gòu)；

S1、S2、S3：表面。

具體實施方式

圖1A至圖1D為依照本發(fā)明第一實施例所示出的封裝結(jié)構(gòu)的制造流程的剖面示意圖。

請參照圖1A，提供載板100。載板100包括第一金屬層102、第二金屬層106以及蝕刻停止層104。蝕刻停止層104配置于第一金屬層102以及第二金屬層106之間。在本實施例中，載板100可例如是銅-鎳-銅(Cu-Ni-Cu)所構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)，或是銅-鋁-銅(Cu-Al-Cu)所構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)。只要蝕刻停止層104的材料與第一金屬層102的材料以及第二金屬層106的材料不同即可，本發(fā)明不以此為限。在其他實施例中，第一金屬層102的材料可例如是銀、鎳、銅、鋁、金、鈀或其組合，其厚度可介于10μm至150μm之間。第二金屬層106的材料可例如是銀、鎳、銅、鋁、金、鈀或其組合，其厚度可介于10μm至80μm之間。蝕刻停止層104的材料可例如是銀、鎳、銅、鋁、金、鈀或其組合，其厚度可介于0.5μm至30μm之間。

接著，請同時參照圖1A與圖1B，圖案化第二金屬層106，以形成多個 第一接觸墊106a、106b，從而形成載板100a。第一接觸墊106a、106b具有相對的第一表面S1與第二表面S2。在本實施例中，第一接觸墊106a可視為未電性連接至后續(xù)形成的導(dǎo)通孔114。而第一接觸墊106b則可視為電性連接至后續(xù)形成的導(dǎo)通孔114。

之后，形成線路板107于第一接觸墊106a、106b的第一表面S1上。線路板107包括增層結(jié)構(gòu)108、第二接觸墊116以及防焊層118。詳細(xì)地說，增層結(jié)構(gòu)108包括：多個介電層110、多個圖案化線路層112以及多個導(dǎo)通孔114。各圖案化線路層112配置于相鄰介電層110之間。形成圖案化線路層112的方法例如是在第一接觸墊106a、106b或是線路層上形成例如是干膜的光刻膠層(未示出)。接著，光刻膠層再通過光刻工藝而圖案化露出部分第一接觸墊106a、106b或是線路層。然后，進行電鍍工藝以及光刻膠層的移除工藝，以形成圖案化線路層112。之后，在圖案化線路層112上形成介電層110。接著，在介電層110中形成導(dǎo)通孔114，其中導(dǎo)通孔114用以電性連接相鄰兩圖案化線路層112。雖然圖1B僅示出5層的介電層110以及5層的圖案化線路層112，但本發(fā)明不以此為限。基本上，本發(fā)明還可利用增層(built up)法來增加圖案化線路層112的層數(shù)，其可依據(jù)設(shè)計需求來進行調(diào)整。介電層110的材料可包括介電材料，介電材料可例如是膠片(prepreg)、ABF(Ajinomoto build-up film)膜或其組合。圖案化線路層112的材料可包括金屬材料，金屬材料可例如是銀、鎳、銅、鋁、金、鈀或其組合。在本實施例中，圖案化線路層112可視為線路板107上的導(dǎo)線，其可依據(jù)所需的線路布局(layout)來設(shè)計。

接著，再于增層結(jié)構(gòu)108上形成第二接觸墊116以及防焊層118。第二接觸墊116的材料以及形成方法與上述圖案化線路層112的材料以及形成方法相似，在此便不再詳述。在本實施例中，防焊層118的材料可例如是介電材料、ABF層或其組合。防焊層118的形成方法可例如是先形成防焊材料層于第二接觸墊116上(未示出)。再圖案化所述防焊材料層，以暴露部分第二接觸墊116的表面。另外，也可形成表面處理層于第二接觸墊116上以及第二接觸墊116與防焊層118之間(未示出)。表面處理層的材料可例如是有機保焊劑(Organic Solderability Preservative，以下簡稱OSP)、電鍍鎳/金(Ni/Au)、電鍍鎳/鈀(Ni/Pd)、電鍍錫(Sn)、電鍍銀(Ag)、化學(xué)金(Au)、 化鎳鈀浸金(Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold，以下簡稱ENEPIG)或其組合。

請參照圖1C，圖案化第一金屬層102，以形成多個金屬柱102a。詳細(xì)地說，金屬柱102a的形成方法可例如是在第一金屬層102上形成圖案化光刻膠層以暴露出部分第一金屬層102的表面(未示出)。接著，以蝕刻停止層104當(dāng)作蝕刻停止層，對第一金屬層102進行蝕刻工藝，以形成金屬柱102a。之后，再移除未被金屬柱102a覆蓋的蝕刻停止層104，暴露第一接觸墊106c的第二表面S2，以形成被金屬柱102a所覆蓋的蝕刻停止層104a。金屬柱102a可通過蝕刻停止層104a以及第一接觸墊106a、106b電性連接至線路板107。在一實施例中，金屬柱102a的高度可依據(jù)后續(xù)形成的芯片124a、124b來調(diào)整，本發(fā)明不限于此。

請參照圖1D，形成芯片124a、124b于第一接觸墊106c的第二表面S2上。金屬柱102a圍繞芯片124a、124b。芯片124a、124b通過凸塊120、第一接觸墊106c電性連接至線路板107。另一方面，線路板107的第二接觸墊116上也形成多個凸塊122。第一實施例的封裝結(jié)構(gòu)10可通過凸塊122電性連接至其他封裝結(jié)構(gòu)，以形成堆疊式封裝結(jié)構(gòu)(POP)。雖然圖1D僅示出兩個芯片124a、124b，但本發(fā)明不限于此。在其他實施例中，芯片的數(shù)目可依需求來進行調(diào)整。

請參照圖1D，第一實施例的封裝結(jié)構(gòu)10包括：多個第一接觸墊106a、106b、106c、線路板107、多個金屬柱102a以及芯片124a、124b。第一接觸墊106a、106b、106c具有相對的第一表面S1與第二表面S2。線路板107配置于第一接觸墊106a、106b、106c的第一表面S1上。金屬柱102a配置于第一接觸墊106a、106b的第二表面S2上。芯片124a、124b配置于第一接觸墊106c的第二表面S2上。金屬柱102a圍繞芯片124a、124b。由于金屬柱102a的材質(zhì)較為堅硬，且金屬柱102a圍繞芯片124a、124b，因此，其可強化第一實施例的封裝結(jié)構(gòu)10的結(jié)構(gòu)強度。如此一來，第一實施例的封裝結(jié)構(gòu)10可解決在芯片接合工藝上的翹曲問題，進而提升封裝結(jié)構(gòu)10的良率。

此外，本實施例的制造方法是先在較厚的載板100上形成線路板107。然后，再對第一金屬層102進行蝕刻工藝，以形成多個金屬柱102a。所以，在制造流程上，本實施例也可避免材質(zhì)較柔軟的線路板107的制造過程中發(fā) 生翹曲問題，進而提升線路板107的良率。

以下的實施例中，相同或相似的元件、構(gòu)件、層以相似的元件符號來表示。舉例來說，載板100與載板200、300、400為相同或相似的構(gòu)件；增層結(jié)構(gòu)108與增層結(jié)構(gòu)208、308、408也為相同或相似的構(gòu)件。在此不再逐一贅述。

圖2A至圖2D為依照本發(fā)明第二實施例所示出的封裝結(jié)構(gòu)的制造流程的剖面示意圖。圖3為圖2B的支撐結(jié)構(gòu)230的上視示意圖。

請同時參照圖2A至圖2C，本發(fā)明的第二實施例的封裝結(jié)構(gòu)20的制造流程與本發(fā)明的第一實施例的封裝結(jié)構(gòu)10的制造流程基本上相似。其中，載板200包括第一金屬層202、第二金屬層206以及蝕刻停止層204。線路板207包括增層結(jié)構(gòu)208、第二接觸墊216以及防焊層218。增層結(jié)構(gòu)208包括介電層210、圖案化線路層212、導(dǎo)通孔214a、214b。圖案化第二金屬層206，以形成多個第一接觸墊206a、206b，從而形成載板200a。上述兩者不同之處在于：第二實施例的線路板207除了具有導(dǎo)通孔214b(類似于第一實施例的導(dǎo)通孔114)之外，還具有多個導(dǎo)通孔214a配置在介電層210中。而且導(dǎo)通孔214a可配置在線路板207的周圍(由圖2B的剖面方向來說，線路板207的周圍可視為靠近線路板207的兩側(cè)226、228)。導(dǎo)通孔214a彼此相互對齊，以形成連續(xù)結(jié)構(gòu)。在本實施例中，配置于線路板207周圍，且具有連續(xù)結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通孔214a可視為一種導(dǎo)電柱，其可用以當(dāng)作垂直式支撐結(jié)構(gòu)。此垂直式支撐結(jié)構(gòu)可強化第二實施例的封裝結(jié)構(gòu)20在垂直方向上的結(jié)構(gòu)強度，以解決封裝結(jié)構(gòu)的翹曲問題，進而提升封裝結(jié)構(gòu)的良率。在本實施例中，導(dǎo)通孔214a可依據(jù)所需的線路布局來設(shè)計。換言之，導(dǎo)通孔214a可與導(dǎo)通孔214b可一起形成，而不需要額外的工藝。

另外，第二實施例的線路板207具有支撐結(jié)構(gòu)230。請同時參照圖2B與圖3，支撐結(jié)構(gòu)230可視為水平式支撐結(jié)構(gòu)，其可利用圖案化線路層212的布局來設(shè)計。詳細(xì)地說，圖案化線路層212配置于介電層210上。介電層210包括介電層210a和介電層210b。圖案化線路層212具有主圖案212a以及支撐圖案212b。支撐圖案212b配置于主圖案212a的周圍，以形成水平式支撐結(jié)構(gòu)230。主圖案212a可視為原本設(shè)計在線路板207上的導(dǎo)線。支撐圖案212b則是配置在主圖案212a的周圍，以強化圖案化線路層212的橫向結(jié)構(gòu)強度。 因此，支撐圖案212b(也即支撐結(jié)構(gòu)230)可解決封裝結(jié)構(gòu)的翹曲問題，進而提升封裝結(jié)構(gòu)的良率。一般而言，每一層的圖案化線路層212都可具有配置在主圖案212a周圍的支撐圖案212b，以形成水平式支撐結(jié)構(gòu)230。因此，本實施例無須經(jīng)過額外的工藝也可提升每一層的圖案化線路層212的橫向結(jié)構(gòu)強度。在一實施例中，支撐圖案212b可例如是網(wǎng)狀圖案。

請參照圖2C與圖2D，其制造步驟與上述圖1C與圖1D相同，且金屬柱202a、蝕刻停止層204a、第一接觸墊206c、凸塊220、222以及芯片224a、224b的材料、厚度與形成方法如上述第一實施例的金屬柱102a、蝕刻停止層104a、凸塊120、122以及芯片124a、124b所述，在此不再贅述。

圖4A至圖4D為依照本發(fā)明第三實施例所示出的封裝結(jié)構(gòu)的制造流程的剖面示意圖。圖5為圖4A的散熱結(jié)構(gòu)330的上視示意圖。

本發(fā)明的第三實施例的封裝結(jié)構(gòu)30的制造流程與本發(fā)明的第二實施例的封裝結(jié)構(gòu)20的制造流程基本上相似。其中，載板300a包括第一金屬層302、多個第一接觸墊306a、306b以及蝕刻停止層304。線路板307包括增層結(jié)構(gòu)308、第二接觸墊316以及防焊層318。增層結(jié)構(gòu)308包括介電層310、圖案化線路層312、導(dǎo)通孔314a、314b。請同時參照圖4A、圖2B以及圖5，圖4A與圖2B不同之處在于：第三實施例的線路板307還具有第一散熱結(jié)構(gòu)330以及介電層332，其配置于增層結(jié)構(gòu)308以及第二接觸墊316之間。如圖4A所示，第一散熱結(jié)構(gòu)330與垂直式支撐結(jié)構(gòu)314a(也即導(dǎo)通孔314a)電性連接，以形成倒U形結(jié)構(gòu)。詳細(xì)地說，第一散熱結(jié)構(gòu)330可視為另一層圖案化線路層312配置在增層結(jié)構(gòu)308以及第二接觸墊316之間。如圖5所示，第一散熱結(jié)構(gòu)330的圖案包括網(wǎng)狀圖案330a、導(dǎo)通孔圖案330b以及角落圖案330c。介電層332配置在第一散熱結(jié)構(gòu)330上。網(wǎng)狀圖案330a不僅可用以增加第三實施例的封裝結(jié)構(gòu)30的散熱效能，還可用以強化第三實施例的封裝結(jié)構(gòu)30的橫向結(jié)構(gòu)強度。導(dǎo)通孔圖案330b是用以電性連接增層結(jié)構(gòu)308以及第二接觸墊316。角落圖案330c可與垂直式支撐結(jié)構(gòu)314a(也即導(dǎo)通孔314a)電性連接，以形成倒U形結(jié)構(gòu)。因此，角落圖案330c不僅可增加第三實施例的封裝結(jié)構(gòu)30的散熱效能，還可進一步提升第三實施例的封裝結(jié)構(gòu)30在垂直方向上的結(jié)構(gòu)強度。在本實施例中，第一散熱結(jié)構(gòu)330的材料可包括金屬材料，金屬材料可例如是銀、鎳、銅、鋁、金、鈀或其組合。而介電層332 的材料可包括介電材料，介電材料可例如是膠片(prepreg)、ABF膜或其組合。

請參照圖4B與圖4C，其制造步驟與上述圖2C與圖2D相同，且金屬柱302a、蝕刻停止層304a、第一接觸墊306c、凸塊320、322以及芯片324a、324b的材料、厚度與形成方法如上述第二實施例的金屬柱202a、蝕刻停止層204a、凸塊220、222以及芯片224a、224b所述，在此不再贅述。

請參照圖4D，形成第二散熱結(jié)構(gòu)334于芯片324a、324b的第三表面S3上。第二散熱結(jié)構(gòu)334可提升第三實施例的封裝結(jié)構(gòu)30的散熱效能，以降低整體封裝結(jié)構(gòu)30的溫度。在本實施例中，第二散熱結(jié)構(gòu)334的材料可例如是銀、鎳、銅、鋁、金、鈀或其組合。

圖6A至圖6E為依照本發(fā)明第四實施例所示出的封裝結(jié)構(gòu)的制造流程的剖面示意圖。

請參照圖6A至圖6D，本發(fā)明的第四實施例的封裝結(jié)構(gòu)40的制造流程與本發(fā)明的第一實施例的封裝結(jié)構(gòu)10的制造流程基本上相似。其中，載板400包括第一金屬層402、第二金屬層406以及蝕刻停止層404。線路板407包括增層結(jié)構(gòu)408、第二接觸墊416以及防焊層418。增層結(jié)構(gòu)408包括介電層410、圖案化線路層412、導(dǎo)通孔414。圖案化第二金屬層406，以形成多個第一接觸墊406a、406b，從而形成載板400a。第四實施例的金屬柱402a、蝕刻停止層404a、第一接觸墊406a、406b、406c、線路板407、凸塊420、422以及芯片424a、424b的材料、厚度與形成方法如上述第一實施例的金屬柱102a、蝕刻停止層104a、第一接觸墊106a、106b、106c、線路板107、凸塊120、122以及芯片124a、124b所述，在此不再贅述。

請參照圖6E，與第一實施例的封裝結(jié)構(gòu)10不同之處在于：第四實施例的封裝結(jié)構(gòu)40具有絕緣結(jié)構(gòu)430配置于第一接觸墊406a、406b、406c的第二表面S2上。絕緣結(jié)構(gòu)430未覆蓋芯片424a、424b的第三表面S3上。在一實施例中，絕緣結(jié)構(gòu)430的材料可例如是環(huán)氧樹脂(Epoxy)、聚酰亞胺((Polyimide)或其組合。絕緣結(jié)構(gòu)430的形成方法可例如是先形成絕緣結(jié)構(gòu)材料層于第一接觸墊406a、406b、406c的第二表面S2上。然后，進行固化(Curing)處理，以形成絕緣結(jié)構(gòu)430。由于絕緣結(jié)構(gòu)430的材質(zhì)較為堅硬，因此，其可強化第四實施例的封裝結(jié)構(gòu)40的結(jié)構(gòu)強度。值得注意的是，絕緣 結(jié)構(gòu)430的厚度小于芯片424a、424b的厚度，且未覆蓋芯片424a、424b的第三表面S3上，其可避免芯片424a、424b之間發(fā)生沖突。在一實施例中，絕緣結(jié)構(gòu)430的厚度可介于10μm至100μm之間。

綜上所述，本發(fā)明利用配置于所述線路板中的支撐結(jié)構(gòu)以及配置于第一接觸墊的第二表面上的絕緣結(jié)構(gòu)，加強封裝結(jié)構(gòu)的強度，以解決封裝結(jié)構(gòu)的翹曲問題，進而提升封裝結(jié)構(gòu)的良率。另外，本發(fā)明又利用第一散熱結(jié)構(gòu)以及第二散熱結(jié)構(gòu)，其不僅可降低封裝結(jié)構(gòu)的溫度，還可進一步地提升封裝結(jié)構(gòu)的強度。

此外，本實施例的制造方法是先在較厚的載板上形成線路板。然后，再對第一金屬層進行蝕刻工藝，以形成多個金屬柱。如此一來，在制造流程上，本實施例也可避免材質(zhì)較柔軟的線路板在制造過程中發(fā)生翹曲問題，進而提升線路板的良率。

最后應(yīng)說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。