技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種電路與形成該電路的方法，其中描述的形成電路的方法包括：于基板上利用半導(dǎo)體材料形成半導(dǎo)體材料層，以及形成層間導(dǎo)體接觸半導(dǎo)體材料層。此半導(dǎo)體材料層可為薄膜層。于位于半導(dǎo)體材料層之上的層間絕緣體之中刻蝕開口，以于半導(dǎo)體材料層上暴露落著區(qū)。由開口所暴露的半導(dǎo)體材料通過于該開口中添加半導(dǎo)體材料來增加厚度。添加半導(dǎo)體材料的工藝可包括毯覆沉積，或僅在落著區(qū)中選擇性成長。反應(yīng)前驅(qū)物，例如金屬硅化物前驅(qū)物，于開口中的落著區(qū)上沉積。促使前驅(qū)物與半導(dǎo)體的反應(yīng)。于開口中形成層間導(dǎo)體。

技術(shù)研發(fā)人員：邱家榮;江昱維;葉騰豪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：旺宏電子股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510315877
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.11
技術(shù)公布日：2017.01.04