技術總結
一種帶復合緩沖層的LED外延結構，涉及發(fā)光二極管外延技術領域。本發(fā)明結構從下到上依次包括藍寶石襯底層、緩沖層、u型GaN層、n型GaN層、量子阱發(fā)光層、電子阻擋層和p型GaN層。其結構特點是，所述緩沖層為復合緩沖層。緩沖層包括從下到上依次生長的低溫緩沖層、高溫GaN層以及低溫緩沖插入層或者中溫緩沖插入層。同現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明通過在高溫GaN外延層中插入低溫緩沖層或者中溫緩沖層，來實現(xiàn)降低位錯密度，以提高晶體結構質量。

技術研發(fā)人員：張榮榮;李鵬飛;林政志;曾頎堯;鄭建欽;田宇;徐晶;王朋喬;韋春余
受保護的技術使用者：南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司
文檔號碼：201510330175
技術研發(fā)日：2015.06.16
技術公布日：2017.01.11