本發(fā)明涉及一種新型的包含有金屬納米團(tuán)簇的電致發(fā)光器件,特別是一種發(fā)光二極管，及其器件結(jié)構(gòu),其生產(chǎn)方法及其在照明和顯示技術(shù)及其他場合中的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：:到目前為止薄膜發(fā)光器件已有多種技術(shù)選項,如有機(jī)發(fā)光二極管(OLEDs)(參見TANG等Appl.Phys.Lett.1987,51,p913),量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QDLEDs)(參見Allvisatos等Nature1994，370,p354)，及有機(jī)發(fā)光電池(OLEECs))(參見QibongPei等Science1993，260,p1086)等。各種技術(shù)的不同取決與發(fā)光層的組成，特別是發(fā)光材料。各種技術(shù)有不同的問題，如OLEDs的發(fā)光譜線很寬，缺乏高效穩(wěn)定的藍(lán)色發(fā)光體等；QDLEDs的材料有毒性及穩(wěn)定性不夠；OLEECs的壽命很短，等。人們總是希望，有新的材料或技術(shù)出現(xiàn)，能彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，或通過結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)提供一個更好的顯示技術(shù)。貴金屬的納米粒子顯示由尺寸可調(diào)的光電特性。如金的納米粒子，通過將在基態(tài)和激發(fā)態(tài)傳導(dǎo)電子限制在尺寸比電子更小的平均自由程(≈20納米)，可實現(xiàn)由尺寸可調(diào)的等離子體吸收寬度。通過對自由電子的進(jìn)一步約束，達(dá)到第二臨界尺寸規(guī)模，即電子的費(fèi)米波長(≈0.7納米)時，將導(dǎo)致離散的量子受限的電子能級。事實上，這種尺寸很小的金屬納米粒子，即金屬納米團(tuán)簇(nanocluster)具有發(fā)光性能，而且很高的光致發(fā)光效率，如JieZheng等在Phys.Rev.Lett.Vol93,077402中報道的。到目前為止，這類新的發(fā)光材料在生物標(biāo)識等領(lǐng)域被廣泛的研究，但在電致發(fā)光器件上鮮有研究。JoseI.Gonzalez等在Phys.Rev.Lett.Vol93,147402中報道一種含有金納米團(tuán)簇的電致發(fā)光器件，但此器件不是薄膜發(fā)光器件，而且是由交流電驅(qū)動。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明提供一種新的發(fā)光層包含有金屬納米團(tuán)簇(nanocluster)的薄膜發(fā)光器件，特別是以金屬納米團(tuán)簇為發(fā)光體的發(fā)光二極管，從而擴(kuò)展了可用于顯示器件，照明及其他場合中的技術(shù) 選項。本發(fā)明的第二個目的是提供此薄膜發(fā)光器件的制備方法，特別是基于溶液的制備方法.本發(fā)明的第三個目的是提供此薄膜發(fā)光器件的各種應(yīng)用。附圖簡述圖1是按照本發(fā)明的一種發(fā)光器件結(jié)構(gòu)。圖中101.基板，102.陽極，103.EML，104.陰極。圖2是按照本發(fā)明的一種優(yōu)先的發(fā)光器件結(jié)構(gòu)圖。圖中201.基板，202.陽極，203.EML，204.陰極，205.HIL或HTL或EBL。圖3是按照本發(fā)明的另一種優(yōu)先的發(fā)光器件結(jié)構(gòu)圖。圖中301.基板，302.陽極，303.EML，304.陰極，305.EIL或ETL或HBL。圖4是按照本發(fā)明的一種特別優(yōu)先的發(fā)光器件結(jié)構(gòu)圖。圖中401.基板，402.陽極，403.EML，404.陰極，405.EIL或ETL或HBL，406.HIL或HTL或EBL。其中HIL表示空穴注入層，HTL表示空穴傳輸層，HBL表示空穴阻擋層，EIL表示電子注入層，ETL表示電子傳輸層，EBL表示電子阻擋層，EML表示發(fā)光層。發(fā)明的詳細(xì)描述應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，以下所做的描述和顯示的具體實施是本發(fā)明的實例，并不意味著以任何方式另外限制本發(fā)明的范圍。實際上，出于簡潔的目的，在此可能沒有詳細(xì)描述常規(guī)電子器件、制造方法、半導(dǎo)體器件，以及納米晶體、納米線(NW)、納米棒、納米管和納米帶技術(shù)，相關(guān)的有機(jī)材料，以及系統(tǒng)的其它功能。本發(fā)明提供一種新型的電致發(fā)光器件,包含1)一發(fā)光層(EML),其中至少包含一種金屬納米團(tuán)簇(nanocluster),其特征在于所述的金屬納米團(tuán)簇的核小于4nm；2)布置于發(fā)光層一側(cè)的陽極；3)布置于發(fā)光層另一側(cè)的陰極。在一個優(yōu)先的實施方案中，金屬納米團(tuán)簇具有發(fā)光性能。這里所謂的發(fā)光性能是指此材料吸收一定量某一形式的能量后(如光能，電能，化學(xué)能，機(jī)械能)，以光能的形式重新釋放。在某些實施例中，金屬納米團(tuán)簇的光致發(fā)光量子效率至少為5％，較好的是至少為10％，更好的是 至少為20％，最好的是至少為40％。在某些實施方案中，本發(fā)明的電致發(fā)光器件的發(fā)光波長范圍從UV到近紅外，較好的從350nm到850nm，更好的從380nm到800nm，最好是從380nm到680nm.一般地，金屬納米團(tuán)簇包含有一個金屬原子組成的核和一個在金屬核周圍的帽(Cap)。帽的作用是對核起保護(hù)，穩(wěn)定作用，并能增加納米團(tuán)簇在各種溶劑中的溶解性。帽一般由有機(jī)材料材料組成。在某個優(yōu)先的實施方案中，帽可包含有巰基化合物(Thiols)，如烷基硫醇，十八硫醇等，高聚物，樹枝狀聚合物，DNA寡核苷酸(DNAoligonucleotides),谷胱甘肽(Glutathione),肽(peptides)和蛋白質(zhì)，及其衍生物。更優(yōu)先的，帽可包含有樹枝狀聚合物，選自各種不同代的OH-封端的樹枝狀聚合物聚(酰氨基胺)PAMAM。此類樹枝狀聚合物有市售，如Aldrich公司。按照本發(fā)明的電致發(fā)光器件中，金屬納米團(tuán)簇的核小于4nm。在一個優(yōu)先的實施方案中，金屬納米團(tuán)簇的核小于3nm，更好的是小于2nm，最好的是小于1nm。在某些實施例中，金屬納米團(tuán)簇的核的大小可以所包含的金屬的原子數(shù)來衡量。一般地，金屬原子數(shù)不大于200，較好的不大于150，更好的不大于100，最好是不大于80。在一個優(yōu)先的實施方案中，金屬納米團(tuán)簇的核所包含的金屬的原子數(shù)是所謂的幻數(shù)(magicnumber)，他們是2，8，20，28，50，82，126等。當(dāng)金屬納米團(tuán)簇的核所包含的金屬的原子數(shù)是這些幻數(shù)時,它的穩(wěn)定性較高。金屬納米團(tuán)簇的核可以包含任何金屬元素。在一個優(yōu)先的實施方案中，金屬納米團(tuán)簇的核的金屬元素選自Au，Ag，Pt，Pd，Cu及它們的合金或任何組合。在一個更加優(yōu)先的實施方案中，金屬納米團(tuán)簇的核的金屬元素選自Au，Ag及它們的合金或任何組合。在一個最優(yōu)先的實施方案中，金屬納米團(tuán)簇的核的金屬元素選自Au或Ag。各種金屬納米團(tuán)簇的合成，表征方法，及性能在很多的綜述中有詳細(xì)的介紹，如LiShang等，NanoToday(2011)6,401-418,JieZhang等,Annu.Rev.Phys.Chem.(2007)58,409-31,Marie-ChristineDaniel&DidierAstruc,Chem.Rev.2004,104,293-346，JunYang等, Chem.Soc.Rev.2011,40,1672-1696。特此將上述列出的文獻(xiàn)中的內(nèi)容并入本文作為參考。在某些實施例中，所述的金屬納米團(tuán)簇的核是包含有兩種不同的材料具有至少有一個外殼的核/殼(Core/Shell)結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。具有核/殼結(jié)構(gòu)的金屬納米團(tuán)簇的例子和合成可參照ChristopherJ.Serpell等,Nat.Chem.3(2011),478，S.Mohan等，Appl.Phys.Lett.91(2007),253107，TetsuYonezawa,NanostructureSci.Technol.(2006)251。在一個優(yōu)先的實施方案中，按照本發(fā)明的電致發(fā)光器件中其EML還包含有至少一種的基質(zhì)材料。在本發(fā)明中，Host，主體材料和基質(zhì)材料具有相同的含義，它們可以互換。發(fā)光層中的基質(zhì)材料可以是無定形，多晶，微晶，納米晶體，或它們的任意組合?；|(zhì)材料的能隙要大于或等于所述的金屬納米團(tuán)簇。在一個優(yōu)先的實施方案中，所述的基質(zhì)材料中至少有一種材料與金屬納米團(tuán)簇構(gòu)成所謂的I型的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。一般來說，在發(fā)光層(EML)中，基質(zhì)材料，是占多數(shù)的組份。金屬納米團(tuán)簇在在發(fā)光層中的比例為1-25wt％，較好是2-20wt％，更好是3-15wt％，最好是5-10wt％。在一個實施方案中，發(fā)光層包含有兩種或以上的基質(zhì)材料。當(dāng)發(fā)光層的基質(zhì)包含有兩種基質(zhì)材料時，兩者的重量比例為從1:5到5:1，較好是1:4到4:1，更好是1:3到3:1，最好是1:2到2:1。其中可以是一種無機(jī)材料加另一種無機(jī)材料，也可以是一種無機(jī)材料加另一種有機(jī)材料。優(yōu)先的組合是一種基質(zhì)材料是p型半導(dǎo)體，另一種是n型半導(dǎo)體。在本發(fā)明中，p型半導(dǎo)體材料,空穴傳輸材料及HTM具有相同的含義，它們可以互換。n型半導(dǎo)體材料電子傳輸材料及ETM具有相同的含義，它們可以互換。在某些實施方案中，基質(zhì)材料本身也包含一種發(fā)光材料。優(yōu)先的，有發(fā)光性能的基質(zhì)材料的發(fā)光譜的峰值的波長比作為客體材料的金屬納米團(tuán)簇要短。更優(yōu)先的，有發(fā)光性能的基質(zhì)材料的發(fā)光譜與金屬納米團(tuán)簇的吸收譜至少部分重疊，這種組合的優(yōu)點(diǎn)是，激發(fā)能量可以有效地，如通過所謂的Foerster共振能量轉(zhuǎn)移從基質(zhì)轉(zhuǎn)移到金屬納米團(tuán)簇上。在一個優(yōu)先的實施方案中，有發(fā)光性能的基質(zhì)材料包含一種無機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料，它可選于以下所述的半導(dǎo)體納米發(fā)光晶體。在一個優(yōu)先的實施方案中，基質(zhì)材料是無定形。在另一個優(yōu)先的實施方案中基質(zhì)材料是納米晶體，其適合的材料和制備方法及其它方面如下面所述。在一個優(yōu)先的實施方案中，所述的基質(zhì)包含有無機(jī)材料。原則上所有能隙大于金屬納米團(tuán)簇的無機(jī)材料都可作為基質(zhì)用于本發(fā)明的電致發(fā)光器件中。在一個優(yōu)先的實施方案中，無機(jī)基質(zhì)材料包含至少一種的無機(jī)半導(dǎo)體材料。取決于金屬納米團(tuán)簇的能隙，合適的無機(jī)基質(zhì)半導(dǎo)體材料可以包括任何類型的半導(dǎo)體，包括II-VI族、III-V族、IV-VI族和IV族半導(dǎo)體。合適的半導(dǎo)體材料包括但不限于：Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(包括金剛石)、P、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、Ga2O3、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdZnSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、Cul、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、(Al、Ga、In)2(S、Se、Te)3、Al2CO，以及兩種以上這些半導(dǎo)體的適當(dāng)組合。在一個優(yōu)先的實施方案中所述的無機(jī)基質(zhì)包含有半導(dǎo)體材料選自II-VI族,III-V族,IV-VI族,III-VI族,IV族，它們的合金和/或組合,優(yōu)先的選自ZnO,ZnS,ZnSe,ZnTe,GaN,GaP,Ga2O3,AlN,CdSe,CdS,CdTe,CdZnSe及它們的任何合金和/或組合。在一個優(yōu)先的實施方案中，所述的無機(jī)基質(zhì)包含有一種半導(dǎo)體納米晶體，更優(yōu)先的，包含有一種半導(dǎo)體納米發(fā)光晶體。形成半導(dǎo)體納米晶體的半導(dǎo)體可以包含一個第四族元素，一組II-VI族化合物，一組II-V族化合物，一組III-VI族化合物，一組III-V族化合物，一組IV-VI族化合物，一組I-III-VI族化合物,一組II-IV-VI族化合物,一組II-IV-V族化合物，一個包括上述任何一類的合金，和/或包括上述各化合物的混合物，包括三元，四元的混合物或合金。一個非限制性的例子清單包括氧化鋅，硫化鋅，硒化鋅，碲化鋅，氧化鎘，硫化鎘，硒化鎘，碲化鎘，硫化鎂，硒化鎂，砷化鎵，氮化鎵，磷化鎵，硒化鎵，銻化鎵，氧化汞，硫化汞，硒化汞，碲化汞，砷化銦，氮化銦，磷化銦，銻化銦，砷化鋁，氮化鋁，磷化鋁，銻化鋁，氮化鈦,磷化鈦,砷化鈦,銻化鈦，氧化鉛，硫化鉛，硒化鉛，碲化鉛，鍺，硅，一個包括上述任何化合物的合金，和/或一個包括上述任何化合物的混合物，包括三元，四元混合物或合金。在一個很優(yōu)先的實施例中，半導(dǎo)體納米晶體或發(fā)光晶體包含有II-VI族半導(dǎo)體材料，優(yōu)先選自CdSe,CdS,CdTe,ZnO,ZnSe,ZnS,ZnTe,HgS,HgSe,HgTe,CdZnSe及它們的任何組合。在合適的實施方案中，由于CdSe的合成相對成熟而將此材料用作用于可見光的納米發(fā)光材料。在另一個優(yōu)先的實施例中，半導(dǎo)體納米晶體或發(fā)光晶體包含有III-V族半導(dǎo)體材料，優(yōu)先選自InAs,InP,InN,GaN,InSb,InAsP,InGaAs,GaAs,GaP,GaSb,AlP,AlN,AlAs,AlSb,CdSeTe,ZnCdSe及它們的任何組合。在另一個優(yōu)先的實施例中，半導(dǎo)體納米晶體或發(fā)光晶體包含有IV-VI族半導(dǎo)體材料，優(yōu)先選自PbSe,PbTe,PbS,PbSnTe,Tl2SnTe5及它們的任何組合。半導(dǎo)體納米晶體的形狀和其他納米粒子的例子可以包括球形，棒狀，盤狀，十字形，T形，其他形狀，或它們的混合物。制造半導(dǎo)體納米晶體的方法有多種,一個優(yōu)先的方法是控制生長的溶液相膠體法。有關(guān)此法的詳細(xì)內(nèi)容可參見Alivisatos,A.P,Science1996,271,p933；X.Peng等,J.Am.Chem.Soc.1997,119,p7019；和C.B.Murray等J.Am.Chem.Soc.1993,115,p8706。特此上述列出的文件中的內(nèi)容并入本文作為參考。在這些方法中，將在高溫發(fā)生熱解的有機(jī)金屬前軀體(包含有一M施主和一X施主,如下述)迅速注射入含有表面活性劑(配位溶劑)的熱溶液中。這些前體在高溫分裂并且反應(yīng)成為納米晶核。在此初始離散成核階段之后，通過向生長的晶體加入單體開始生長階段。產(chǎn)物是溶液中自支撐(free-standing)的晶體納米粒子，它們具有包覆其表面的有機(jī)表面活性劑分子。此合成方法包括在數(shù)秒間進(jìn)行的初始離散成核，及之后在高溫下數(shù)分鐘的晶體生長。通過改變參數(shù)，比如溫度、表面活性劑的種類、前軀體的量、和表面活性劑與單體的比率，可以改變反應(yīng)的本性和過程。溫度控制成核過程、前體分解速率和生長速率。有機(jī)表面活性劑分子調(diào)節(jié)溶解性并控制納米晶體形狀。表面活性劑與單體、表面活性劑彼此之間、單體彼此之間的比率以及各個單體的濃度強(qiáng)烈地影響晶粒生長動力學(xué)。通過適當(dāng)?shù)乜刂品磻?yīng)參數(shù)，得到的半導(dǎo)體納米晶體有很窄的分布，即所謂的單分散分布的粒徑。單分散分布的直徑也可以作為晶粒大小的量度。在本發(fā)明中,單分散的晶粒集合中至少60％以上晶粒的顆粒大小在指定范圍內(nèi)。一個較好的單分散的晶體,其直徑的偏差少于15％均方根rms(root-mean-square)，更好是少于10％rms,最好是少于5％rms。術(shù)語"單 分散分布的納米晶體"、"納米點(diǎn)"和"量子點(diǎn)"易于被本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解為表示同樣的結(jié)構(gòu)體，并且在本發(fā)明中可互換地使用。在一個優(yōu)先的實施例中，半導(dǎo)體發(fā)光納米晶體或量子點(diǎn)包括由第一半導(dǎo)體材料組成的核心和第二個半導(dǎo)體材料組成的外殼，其中外殼至少沉積在核心表面的一部分。一種包含有核心和外殼的半導(dǎo)體納米晶體也被稱為“核/殼”半導(dǎo)體納米晶體或量子點(diǎn)。在半導(dǎo)體納米晶體中，光發(fā)射由納米晶體的帶邊狀態(tài)(bandedgeState)產(chǎn)生。來自發(fā)光納米晶體的帶邊發(fā)射與來源于表面電子態(tài)的輻射和非輻射衰變通道競爭。表面缺陷如懸掛鍵提供非輻射復(fù)合中心，從而降低發(fā)光效率。將表面缺陷狀態(tài)鈍化和移除的一個有效方法是在納米晶體的表面上外延生長無機(jī)殼材料(參見X.Peng等，J.Am.Chem.Soc.Vol119,7019-7029(1997))?？梢赃x擇殼材料，使得殼/核構(gòu)成I型半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),這樣可以將電子和空穴,及它們復(fù)合而成的激子局限于核中,從而將非放射復(fù)合的概率降低。通過將含有殼材料的有機(jī)金屬前體加入到含有核納米晶體的反應(yīng)混合物中得到核-殼結(jié)構(gòu)體。在這種情況下，不是在成核事件之后生長，而是核起到晶核的作用，并且從它們的表面上生長殼。反應(yīng)的溫度應(yīng)保持適當(dāng)?shù)牡停杂欣谙蚝吮砻婕尤霘げ牧蠁误w，同時防止殼材料的納米晶體獨(dú)立成核。反應(yīng)混合物中存在表面活性劑以引導(dǎo)殼材料的控制生長并且確保溶解性。當(dāng)在兩種材料之間存在低的晶格失配時，得到均一且外延生長的殼。此外，球形起到將來自大曲率半徑的界面應(yīng)變能最小化的作用，從而防止形成可以劣化納米晶體的光學(xué)性質(zhì)的錯位。例如，半導(dǎo)體納米晶體可以包括一個核心,其一般化學(xué)式為MX，其中M可以是鎘，鋅，鎂，汞，鋁，鎵，銦，鉈或其混合物，X可以是氧，硫，硒，碲，氮，磷，砷，銻，或它們的混合物。適合作為半導(dǎo)體納米晶體的核使用的材料的例子包括但不限于，ZnO,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdO,CdS,CdSe,CdTe,MgS,MgSe,GaAs,GaN,GaP,GaSe,GaSb,HgO,HgS,HgSe,HgTe,InAs,InN,InP,InSb,AlAs,AlN,AlP,AlSb,TIN,TIP,TlAs,TlSb,PbO,PbS,PbSe,PbTe,Ge,Si,一個包括上述任何材料的合金或混合物，包括三元，四元混合物或合金。組成外殼的半導(dǎo)體材料可以是跟核心成分相同或不同。半導(dǎo)體納米晶體的外殼是包在核心表面上的外套,其材料可以包括一組第四族元素，一組II-VI族化合物，一組II-V族化合物，一組III-VI族化合物，一組III-V族化合物，一組IV-VI族化合物，一組I-III-VI族化合 物,一組II-IV-VI族化合物,一組II-IV-V族化合物，一個包括上述任何一類的合金，和/或包括上述各化合物的混合物。例子包括但不限于，ZnO,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdO,CdS,CdSe,CdTe,MgS,MgSe,GaAs,GaN,GaP,GaSe,GaSb,HgO,HgS,HgSe,HgTe,InAs,InN,InP,InSb,AlAs,AlN,AlP,AlSb,TIN,TIP,TlAs,TlSb,PbO,PbS,PbSe,PbTe,Ge,Si,一個包括上述任何化合物的合金和/或混合物。例如，ZnS,ZnSe或CdS外殼可以生長在CdSe或CdTe半導(dǎo)體納米晶體上。例如，在美國專利US6322901公開了一種外殼生長的方法。通過調(diào)整外殼生長過程中反應(yīng)混合物的溫度,及監(jiān)測核心吸收光譜,具有高量子效率和窄粒度分布的“核/殼”半導(dǎo)體納米晶體或量子點(diǎn)可以被制備。外殼可包括一個或更多的層。外殼包括至少一種半導(dǎo)體材料，它跟核心組成相同或不同。優(yōu)選地,外殼的厚度約為1到10個單層膜。一個外殼也可以有一個大于10個單層膜的厚度。在某些實施，可以有超過一個外殼包在一個核心上。在某些實施，外圍的“外殼”材料可以有一個帶隙比核心材料帶隙大，較好的,核/殼具有I型的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，如圖1所示，其中A為殼材料，B為核材料。在某些實施例中，外殼可以選擇，以便有一個原子間距接近“核心”。在其他一些實施方案，外殼和核心材料可以具有相同的晶體結(jié)構(gòu)?！昂?殼“半導(dǎo)體納米晶體或量子點(diǎn)包括，例如但不限于：紅色(如“CdSe/ZnS”)，綠色(如“CdZnSe/CdZnS“)，藍(lán)色(如“CdS/CdZnS“)。半導(dǎo)體納米晶體或量子點(diǎn)的窄粒度分布使得具有窄寬度光譜的光發(fā)射成為可能。量子點(diǎn)的詳細(xì)描述可參見以下文獻(xiàn):Murray等(J.Am.Chem.Soc,1993,115,p8706),ChristopherMurray的論文"SynthesisandCharacterizationofII-VIQuantumDotsandTheirAssemblyinto3-DQuantumDotSuperlattices"麻省理工學(xué)院1995年9月,及美國專利US6322901,特此將其全部內(nèi)容并入本文作為參考。在某些實施例中，可以引入兩個或兩個以上的殼，如CdSe/CdS/ZnS和CdSe/ZnSe/ZnS核/殼/殼結(jié)構(gòu)(J.Phys.Chem.B2004,108,p18826)，通過中間殼(CdS或ZnSe)在硒化鎘核心和硫化鋅外殼之間，可以有效減少納米晶體里面的應(yīng)力，因為有CdS和ZnSe的晶格參數(shù)介于CdSe和ZnS中間，這樣可得到近乎無缺陷的納米晶體。配位溶劑中,有控制生長的過程和成核后半導(dǎo)體納米晶體的退火處理也能導(dǎo)致表面均勻衍生化和均勻的核心結(jié)構(gòu)。隨著粒度分布變窄，溫度可提高以保持穩(wěn)定生長。通過添加更多的M施主或X施主,生長周期可縮短。M施主可以是無機(jī)化合物，有機(jī)金屬化合物，或者金屬元素。M可以是鎘，鋅，鎂，汞，鋁，鎵，銦，鉈。X施主是一個能于M施主發(fā)生反應(yīng)，并形成具有一般式MX的材料的化合物。X施主可以是硫族施主或磷屬元素化合物施主,如磷化氫硫族化合物，雙氧,銨鹽或三硅烷磷化物。適用的X施主包括雙氧(dioxygen)，bis(trimethylsilyl)selenide((TMS)2Se),trialkylphosphineselenides如(tri-n-octylphosphine)selenide(TOPSe)或(tri-n-butylphosphine)selenide(TBPSe),trialkylphosphinetellurides如(tri-n-octylphosphine)telluride(TOPTe)或hexapropylphosphorustriamidetelluride(HPPTTe),bis(trimethylsilyl)telluride((TMS)2Te),bis(trimethylsilyl)sulfide((TMS)2S),一種trialkylphosphinesulfide如(tri-n-octylphosphine)sulfide(TOPS),一種銨鹽(ammoniumsalt)如銨鹵化物(ammoniumhalide)(如NH4Cl),tris(trimethylsilyl)phosphide((TMS)3P),tris(trimethylsilyl)arsenide((TMS)3As),或tris(trimethylsilyl)antimonide((TMS)3Sb).在一個優(yōu)先的實施中M施主和X施主可以包含在同一分子中。一個配位溶劑可以幫助控制半導(dǎo)體納米晶體的生長。配位溶劑是一種具有孤對施主的化合物，舉例來說，有一個孤對電子可與一個不斷增長的半導(dǎo)體納米晶體的表面配位。溶劑的這種配位效應(yīng)可穩(wěn)定半導(dǎo)體納米晶體的生長。配位溶劑的例子包括烷基膦(alkylphosphines),烷基膦氧化物(alkylphosphineoxides),烷基膦酸(alkylphosphonicacids),或alkylphosphinicacids。然而，其他配位溶劑，如吡啶(pyridines)，呋喃(furans)，和胺(amines)也可能適用于制備半導(dǎo)體納米晶體。其他適當(dāng)?shù)呐湮蝗軇┑睦影ㄟ拎?pyridine),三正辛基膦(tri-n-octylphosphine(TOP)),三正辛基氧膦(tri-n-octylphosphineoxide(TOPO))和三(3-羥基丙基)膦(trishydroxylpropylphosphine(tHPP)),三丁基膦(tributylphosphine),tri(dodecyl)phosphine,亞磷酸二丁酯(dibutyl-phosphate),亞磷酸三丁酯(tributylphosphate),亞磷酸三(十八烷基)脂(trioctadecylphosphate),亞磷酸三(十二烷基)脂(trilaurylphosphate),亞磷酸十三烷酯(tris(tridecyl)phosphate),亞磷酸三異癸基脂(triisodecylphosphate),磷酸二異辛酯(bis(2-ethylhexyl)phosphate),tris(tridecyl)phosphate,十六烷基胺(hexadecylamine),9-十八烯胺(oleylamine),十八烷基胺(octadecylamine),二異辛胺(bis(2-ethylhexyl)amine),辛胺(octylamine),二正辛胺(dioctylamine),三辛胺(trioctylamine),十二胺(dodecylamine),雙十二烷胺(didodecylamine),三月桂胺(tridodecylamine),十六烷基胺(hexadecylamine),N-十 八烷基-1-十八胺(dioctadecylamine),trioctadecylamine,苯基磷酸(phenylphosphonicacid),正己基磷酸(hexylphosphonicacid),正十四烷基磷酸(tetradecylphosphonicacid),正辛基磷酸(octylphosphonicacid),磷酸正十八酯(octadecylphosphonicacid),丙烯二磷酸酯(propylenediphosphonicacid),苯基膦酸(phenylphosphonicacid),aminohexylphosphonicacid,二辛醚(dioctylether),二苯醚(diphenylether),肉豆蔻酸甲酯(methylmyristate),辛酸辛酯(octyloctanoate),和辛酸己酯(hexyloctanoate).在某些實施例中，可以使用工業(yè)用TOPO。在成長階段的反應(yīng)過程中的大小分布可通過監(jiān)測粒子吸收或發(fā)射譜線的寬度來估算。對因粒子吸收光譜變化作相應(yīng)的反應(yīng)溫度的修正可允許在整個生長過程中都有一個尖銳的顆粒尺寸分布。在晶體生長過程中反應(yīng)物可以被添加到成核溶液而生長較大的晶粒。例如，對于硒化鎘和碲化鎘，通過在特定的半導(dǎo)體納米晶體的平均直徑時終止生長，并選擇適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體材料組成，半導(dǎo)體納米晶體的發(fā)射光譜可300nm到5μm的范圍內(nèi)連續(xù)調(diào)節(jié)，特別優(yōu)先的是從400nm到800nm。半導(dǎo)體的納米晶粒尺寸分布可以通過不良溶劑來進(jìn)行選擇性沉淀而得到進(jìn)一步細(xì)化，如在美國專利US6322901B1描述的甲醇/丁醇。例如，半導(dǎo)體納米晶體可以分散在含10％丁醇的正己烷溶液中。甲醇可滴加這個攪拌中的溶液，直到乳光仍然存在。通過離心分離上層清液與絮凝產(chǎn)生一個富含大晶粒的沉淀物。此過程可反復(fù)進(jìn)行，直到?jīng)]有進(jìn)一步的光學(xué)吸收光譜銳化可觀察到。尺寸選擇性沉淀可以在各種各樣的溶劑/非溶劑對中進(jìn)行，包括吡啶/正己烷，氯仿/甲醇等。大小選定的半導(dǎo)體納米晶體集合較好有不超過15％rms或更少，更好是10％rms或更少，最好是5％rms或更少。在某些實施例中，較好地，半導(dǎo)體納米晶體有附著在上面的配體。在某些實施例中，配體可以從在生長過程中使用的配位溶劑衍生出來。表面修飾可通過反復(fù)接觸一個含有過剩的競爭性的配位組團(tuán)來形成一個覆蓋層。例如，包裹的半導(dǎo)體納米晶體的分散體可以用配位有機(jī)化合物來處理，如吡啶，產(chǎn)生的晶?？扇菀椎胤稚⒂谶拎?，甲醇，芳烴溶劑，但不再分散于脂肪族溶劑。這種表面交換過程，可以通過任何化合物來進(jìn)行，只要它能配位或結(jié)合到半導(dǎo)體納米晶體的外表面，此類化合物的例子包括膦，硫醇，胺和磷酸鹽。 半導(dǎo)體納米晶體也可以暴露于一短鏈聚合物，此聚合物的一端和半導(dǎo)體納米晶體有一種親和力，另一端有一個基團(tuán)，它與半導(dǎo)體納米晶體所分散的液體介質(zhì)親和。這種親和性提高了懸浮穩(wěn)定性并阻礙了半導(dǎo)體納米晶體絮凝。另外，在某些實施例中，半導(dǎo)體納米晶體也可以使用非配位溶劑來制備。更具體地說，配位配體有化學(xué)式：(Y-)k-n-(X)-(-L)n其中k是2，3，4或5，n為1，2，3，4或5，這樣k-n使得不小于零；XO,O-S,O-Se,O-N,O-P,O-As,S,S＝O,SO2,Se,Se＝O,N,N＝O,P,P＝O,C＝OAs,或As＝O；每個Y和L，是相互獨(dú)立的，可以是H，OH，芳基，雜芳基，或直鏈或支鏈的含有C2-18碳鏈的烴，此烴可選擇地至少含有一個雙鍵，至少有一個三鍵，或至少一個雙鍵和三鍵。其中的烴鏈可以任選被一個或更多的如下基團(tuán)取代:C1-4烷基和C2-4烯基和C2-4炔，C1-4烷氧基，羥基，鹵基，氨基，硝基，氰基，C3-5環(huán)烷基，3-5環(huán)雜烷基(3-5memberedheterocycloalkyl)，芳基，雜芳基，C1-4alkylcarbonyloxy，C1-4alkyloxycarbonyl，C1-4alkylcarbonyl，或甲酰。其中的烴鏈，也可以任選地被如下基團(tuán)打斷:-O-，-S-,-N(Ra)-,-N(Ra)-C(O)-O-,-O-C(O)-N(Ra)-,-N(Ra)-C(O)-N(Rb)-,-O-C(O)-O-,-P(Ra)-,或-P(O)(Ra)-，每個Ra和Rb，是相互獨(dú)立的，可以是氫，烷基，烯基，炔基，烷氧基，羥烷基(hydroxylalkyl)，羥基或鹵烷基。一個芳基是取代或非取代的環(huán)芳香基團(tuán)。例子包括苯，萘，甲苯，蒽基，硝基苯，或鹵代苯基。雜芳基是一個有一個或多個雜原子的芳基，比如呋喃環(huán)，吡啶，吡咯，菲基。一個合適的配位配體可以商業(yè)購買或通過普通有機(jī)合成技術(shù)制備，例如，J.March在AdvancedOrganicChemistry所描述的，而其全部參考文獻(xiàn)在此納入作為參考。美國專利US7160613公開了其他的一些配體，特此將其全部內(nèi)容并入本文作為參考。半導(dǎo)體納米發(fā)光晶體或量子點(diǎn)的發(fā)光光譜可以是窄高斯型的。通過調(diào)整納米晶粒的大小，或納米晶粒組成，或兩者，半導(dǎo)體納米晶體或量子點(diǎn)的發(fā)光光譜可連續(xù)從紫外線，可見光或紅外線光譜的整個波長范圍調(diào)節(jié)。例如，一個含有CdSe的或量子點(diǎn)，可在可見光區(qū)域內(nèi)調(diào)節(jié)，一個包括砷化銦的或量子點(diǎn)可以在紅外線區(qū)域內(nèi)調(diào)節(jié)。一個發(fā)光半導(dǎo)體納米晶體或量子點(diǎn)其窄的粒度分布導(dǎo)致了一個窄的發(fā)光光譜。晶粒的集合可呈現(xiàn)單分散，較好是直徑偏差小于15％rms，更好是少于10％rms，最好是小于5％rms。對于發(fā)可見光的半導(dǎo)體納米晶?；蛄孔狱c(diǎn)， 其發(fā)光光譜在一個窄的范圍內(nèi)，一般來說不大于75nm，較好是不大于60nm，更好是不大于40nm，最較好是不大于30nm半高寬(FWHM)。對于發(fā)紅外光的或量子點(diǎn)，其發(fā)光光譜可以有不大于150nm的半高寬(FWHM)，或不大于100nm的半高寬(FWHM)。發(fā)光光譜隨著量子點(diǎn)粒度分布的寬度的而變窄。半導(dǎo)體納米發(fā)光晶體或量子點(diǎn)可以有比如大于10％，20％，30％，40％，50％，60％的量子發(fā)光效率。在一個優(yōu)先的實施例中，半導(dǎo)體納米發(fā)光晶體或量子點(diǎn)的量子發(fā)光效率大于70％，更好是大于80％，最好是大于90％。量子點(diǎn)窄的半高寬會導(dǎo)致有飽和色彩的發(fā)光。利用單一材料就可在整個可見光范圍內(nèi)實現(xiàn)具有廣泛可調(diào)，飽和色彩的發(fā)光，這是任何有機(jī)生色團(tuán)無法比擬的(參見例如Dabbousi等,J.Phys.Chem.1997,101,p9463)。量子點(diǎn)發(fā)光波長范圍較窄。一個包括一個以上的量子點(diǎn)的圖案可以在一個以上的窄的發(fā)光范圍內(nèi)發(fā)光。人們感知的光的顏色可以通過選擇量子點(diǎn)的大小和材料的適當(dāng)組合來控制。透射電子顯微鏡(TEM)可提供有關(guān)量子點(diǎn)的大小，形狀和晶粒分布的信息。粉末X射線衍射(XRD)圖譜可以提供最完整的有關(guān)晶粒類型和晶粒質(zhì)量的信息。晶粒大小也可通過X射線相干長度，粒子的直徑于峰寬成反比關(guān)系來估算。例如，量子點(diǎn)的直徑可以直接從透射電子顯微鏡測量或利用例如Scherrer公式從X射線衍射數(shù)據(jù)估計。它也可從紫外/可見吸收光譜估計。其他可能對本發(fā)明有用的材料，技術(shù)，方法，應(yīng)用和信息，在以下專利文獻(xiàn)中有所描述，WO2007/117698，WO2007/120877，WO2008/108798，WO2008/105792，WO2008/111947，WO2007/092606，WO2007/117672，WO2008/033388，WO2008/085210，WO2008/13366，WO2008/063652，WO2008/063653，WO2007/143197，WO2008/070028，WO2008/063653，US6207229,US6251303,US6319426,US6426513,US6576291,US6607829,US6861155,US6921496,US7060243,US7125605,US7138098,US7150910,US7470379,US7566476，WO2006134599A1，特此將上述列出的專利文件中的全部內(nèi)容并入本文作為參考。在另一個優(yōu)先的實施方案中，半導(dǎo)體納米晶體是納米棒。納米棒的特性不同于球形納米晶粒。例如，納米棒的發(fā)光沿長棒軸偏振化，而球形晶粒的發(fā)光式非偏振的(參見Woggon等,NanoLett.,2003,3,p509)。納米棒具有優(yōu)異的光學(xué)增益特性，使得它們可能用作激光增益材料(參 見Banin等Adv.Mater.2002,14,p317)。此外，納米棒的發(fā)光可以可逆地在外部電場的控制下打開和關(guān)閉(參見Banin等,NanoLett.2005,5,p1581)。納米棒的這些特性可以在某種情況下優(yōu)先地結(jié)合到本發(fā)明的器件中。制備半導(dǎo)體納米棒的例子有，WO03097904A1，US2008188063A1，US2009053522A1，KR20050121443A，特此將上述列出的專利文件中的全部內(nèi)容并入本文作為參考。除了以上所述的半導(dǎo)體材料以外，作為基質(zhì)材料的另外的優(yōu)先選擇是氧化物半導(dǎo)體及硫系化合物。以下將對合適的氧化物半導(dǎo)體,硫系化合物及無定型無機(jī)材料的例子作更多的描述，進(jìn)一步的細(xì)節(jié)可參見所列的參考文獻(xiàn)，特此列出的參考文獻(xiàn)中的全部內(nèi)容也將并入本文作為參考。n-型(大能隙)氧化物導(dǎo)體的例子有SnO2:Sb,In2O3:Sn(ITO),ZnO:Al(Adv.Mater.2003,15,p1409),ZnO2(Adv.Mater.2005,17,p590),TiO2(Phys.Rev.Lett.2001,87,p266104),ZrO2(J.Non-Cryst.Solids1970,2,p284),ITO(Appl.Phys.Lett.1999,75,p2851)。n-型無定型半導(dǎo)體的例子有,氧化物如a-In2O3(J.Appl.Phys.1999,85,p8445),a-AgSbO3(Jp.J.Appl.Phys.Part2.1995,34,L281),a-2CdO.GeO(Appl.Phys.Lett.1995,67,p2663),a-CdO.PbOx(Appl.Phys.Lett.1996,68,p661),a-InGaO3(ZnO)m(m≤4)如a-InGaZnO4(Eg＝3.0eV)(Phil.Mag.B2001,81,p501,SIDSymposiumDigestofTechnicalPapers2007,38,p1830,Phys.Rev.B2007,75,p035212),a-ZnO.SnO2(ThinSolidFilms2002,411,p152),硫系玻璃,如Ge20Bi10Se70(Appl.Phys.Lett.1979,34,p640),InZnO(Appl.Phys.Lett.2007,90,022106),InGaZnO(Nature2004,432,p488)。p-型氧化物半導(dǎo)體的例子有CuMO2(M＝Al,Ga,In)(Nature1997,389,p939,MRSBulletin2000,25,p28,J.Appl.Phys2001,89,p1790,Appl.Phys.Lett.2001,78,p1583)和SrCuO2(Appl.Phys.Lett.1998,73,p220),鋅鈷氧化物(Zn–Co–O)(byPLD)(J.Appl.Phys.2010,107,103538),ZnM2O4(M＝Co,Rh,Ir),(如ZnCo2O4(J.Appl.Phys.2004,95,p7387),ZnRh2O4(Appl.Phys.Lett.2002,80,p1207,Phys.Rev.B2010,81,075112)，ZnIr2O4(Appl.Phys.Lett.2007,90,021903),NiOx(Phys.Rev.Lett.2002,88,126402),p-SrCu2O2(Appl.Phys.Lett.2000,77,p475)，RuOx，MoOx,VOx(J.Phys.D:Appl.Phys.1996,29,p2750)， WOx((J.Meyer等，Appl.Phys.Lett.2007,91,113506),層狀氧硫系玻璃半導(dǎo)體(layeredoxychalcogenides)LaCuOCh(Ch＝硫族元素)(J.Electroceramics2006,17,p267)。p-型無定型半導(dǎo)體的例子有,氧化物如a-ZnO.Rh2O3(Adv.Mater.2003,15,p1409),ZnO·Rh2O3(Adv.Func.Mater.2005,15,p968)，硫系玻璃,如Ge120BixSe70-xTe10(x＝0–11)(J.Non-Cryst.Solids1980,37,p23)，p-型離子氧化物無定型半導(dǎo)體有，In2O3–ZnO–Ga2O3(J.Non-Cryst.Solids2006,352,p851)。有關(guān)氧化物半導(dǎo)體進(jìn)一步的信息可參見如下綜述，A.N.Banerjee(ProgressinCrystalGrowthandCharacterizationofMaterials2005,50,p52)，Hosono(Semicond.Sc.&Technol.2005,20,S92)，Hosono(Bull.Chem.Soc.Jp2006,79,p1)，Sheng透明p-型氧化物半導(dǎo)體(physicastatussolidi(a)2006,203,p1891)，Hosono透明氧化物半導(dǎo)體(Int.J.Appl.Ceram.Technol.2005,2,p285)，層狀氧硫系玻璃半導(dǎo)體(layeredoxychalcogenides)LaCuOCh(Ch＝硫族元素)(J.Electroceramics2006,17,p267)。在另一個優(yōu)先的實施方案中，發(fā)光層中的基質(zhì)材料包含有有機(jī)基質(zhì)材料。有機(jī)基質(zhì)材料可選于小分子主體材料或高分子材料。合適的小分子主體材料或高分子材料將在下面描述。在某些實施方案中,按照本發(fā)明的發(fā)光器件中,發(fā)光層還包括其他的有機(jī)功能材料。如下所述，按照本發(fā)明的發(fā)光器件優(yōu)先從溶液中制備，有機(jī)材料由于其在有機(jī)溶液中的可溶性極其固有的柔性，可以在某種情況下結(jié)合到發(fā)光層中，以帶來另外的好處，如增強(qiáng)器件的柔性，提高成膜性能等。原則上，所有的用于OLEDs的有機(jī)功能材料，包括有機(jī)空穴傳輸材料(HTM)，有機(jī)電子傳輸材料(ETM)，有機(jī)基質(zhì)材料(Host)，熒光發(fā)光體，磷光發(fā)光體，特別是發(fā)光有機(jī)金屬絡(luò)合物，都可用于此。合適的有機(jī)功能材料將在下面描述。以下列出發(fā)光層組成的例子，但不限于:1.無機(jī)基質(zhì)材料+金屬納米團(tuán)簇；2.半導(dǎo)體納米發(fā)光晶體+金屬納米團(tuán)簇；3.無機(jī)基質(zhì)材料+半導(dǎo)體納米發(fā)光晶體+金屬納米團(tuán)簇；4.小分子Host+金屬納米團(tuán)簇；5.小分子Host+半導(dǎo)體納米發(fā)光晶體+金屬納米團(tuán)簇；6.小分子Host+熒光發(fā)光體+金屬納米團(tuán)簇；7.小分子Host+磷光發(fā)光體+金屬納米團(tuán)簇；8.高分子+金屬納米團(tuán)簇；9.金屬納米團(tuán)簇。本發(fā)明的另一個方面是提供一個是大面積的發(fā)光二極管器件及其制備方法，特別是此發(fā)光器件的制備能包含有從溶液中制備，特別是印刷方法的步驟，也就是說此發(fā)光二極管中，至少有一層是從溶液中制備，特別是通過印刷方法制備的。因為在大規(guī)模生產(chǎn)中，即使只有一層是通過印刷方法制備的，也可以大大降低生產(chǎn)成本。在本發(fā)明的一個優(yōu)先實施方案中，發(fā)光層是從溶液中制備，特別是通過印刷方法制備的。以下將對從溶液中制備一功能膜，特別是發(fā)光層的方法作出一些描述(但不限于)。為了便于從溶液中制備或印刷，發(fā)光層中各個組份，如基質(zhì)及金屬納米團(tuán)簇，必須可以以一定的形式配制在某種溶劑中。所說的配制形式可以是溶液或懸浮液。在一個優(yōu)先的實施例中，發(fā)光層中的各個組份，包含以上所述的基質(zhì)及金屬納米團(tuán)簇可以以溶液或均勻懸浮液的形式存在于一有機(jī)溶劑中。較好的，基質(zhì)材料包含有無機(jī)半導(dǎo)體納米晶粒。在某種意義上，這種溶液或均勻懸浮液也被稱為超細(xì)膠體分散系(dispersionofcolloidalpowder)。納米晶體基質(zhì)可通過各種方法制備，如以上所述的半導(dǎo)體納米晶體的制備方法。在某種情況下，作為基質(zhì)的納米晶體可從市場上買到，如如EvonikDegussa的TiO2P25。在另一個實施例中，質(zhì)材料包含有有機(jī)材料，它可溶于一有機(jī)溶劑中。半導(dǎo)體納米晶體于體材料不同，其表面原子的的數(shù)量是不可忽視的。納米晶體的特性介乎體材料和單原子或單分子之間，其物理，光學(xué)和電學(xué)特性是晶粒大小的函數(shù)。納米晶體的熔點(diǎn)隨晶粒大小的降低而降低(參見Science1992,256,p1425,和Appl.Phys.A1996,62,p33)。這種特性使得通過低溫共燒或共熔納米晶體而得到多晶或非晶薄膜成為可能，如CdSe(參見Science1999,286,p746)，及低溫制備ITO見(J.Sol-GelSci.&Technol.2003,26,p693)(130℃)。在這種意義上我們也將納米晶體成為相應(yīng)薄膜的前體。作為薄膜的前體的基質(zhì)納米晶體的形狀的例子可以包括球形，棒狀，盤狀，十字形，T形，其他形狀，或它們的混合物。在一個優(yōu)先的實施例中，基質(zhì)納米晶體是球形或棒狀?；|(zhì)納米晶體的方法有多種,一個優(yōu)先的方法，特別是對單分散的納米晶體，是如前所述的控制生長的溶液相膠體法。一個ZnO納米棒的制備，及以此為前體旋轉(zhuǎn)涂布成膜，并通過低溫(@270℃)燒結(jié)制備高性能薄膜晶體管的例子可參見(J.Phys.Chem.C2007,111,p18831)。為了提高成膜質(zhì)量及降低共燒溫度，基質(zhì)納米晶體較好是只有較弱的有機(jī)配體在表面(參見Science1999,286,p746)，這樣有機(jī)配體在低溫?zé)Y(jié)時易于揮發(fā)，或沒有有機(jī)配體在表面，如納米氧化鋅(參見J.Phys.Chem.B2005,109,p9505)。因此，制作本用于發(fā)明的器件的一功能膜，特別是發(fā)光層的第一種優(yōu)先的方法包含有以下步驟(以下稱為低溫共燒法):1)將發(fā)光層的各種組份配制在一有機(jī)溶劑中形成一溶液或一均勻懸浮液；2)將此溶液或懸浮液通過打印或其他涂布方法均勻涂布在基板上；3)在溫度T1下烘烤，去除殘余的有機(jī)溶劑，并形成薄膜；此過程可在空氣中，或惰性氣體中，或適度的真空中進(jìn)行步驟2)-3)可在空氣中，或惰性氣體中如手套箱中進(jìn)行。必要時，步驟3)可在適度的真空中進(jìn)行。適當(dāng)?shù)?，T1<＝300℃,較好是<＝250℃，更好是<＝220°，最好是<＝200℃。這是因為在大規(guī)模生產(chǎn)時，溫度越低，成本也越低。特別是，當(dāng)基板是塑料時，較好是T1<＝250℃。有關(guān)溶液或懸浮液的濃度，粘度取決于所使用的打印或涂布技術(shù)，及膜的厚度。用于制備溶液或懸浮液的合適的溶劑，特別是有機(jī)溶劑的例子，包括(但不限于)，水，甲醇，乙醇，2-甲氧基乙醇，二氯甲烷，三氯甲烷，氯苯，鄰二氯苯，四氫呋喃，苯甲醚，嗎啉，甲苯，鄰二甲苯，間二甲苯，對二甲苯，1,4二氧雜環(huán)己烷，丙酮，甲基乙基酮，1,2二氯乙烷，1,1,1-三氯乙烷，1,1,2,2-四氯乙烷，醋酸乙酯，醋酸丁酯，二甲基甲酰胺，二甲基乙酰胺，二甲基亞砜，四氫萘，萘烷，茚和/或它們的混合物。適合的打印或涂布技術(shù)包括(但不限于)噴墨打印，活版印刷，絲網(wǎng)印刷，浸涂，旋轉(zhuǎn)涂布，刮刀涂布，輥筒印花，扭轉(zhuǎn)輥印刷，平版印刷，柔版印刷，輪轉(zhuǎn)印刷，噴涂，刷涂或移印，狹縫型擠壓式涂布等。首選的是凹版印刷，絲網(wǎng)印刷及噴墨印刷。浸涂和旋轉(zhuǎn)涂布將在本發(fā)明的實施例中應(yīng)用。溶液或懸浮液可以另外包括一個或多個組份例如表面活性化合物，潤滑劑，潤濕劑，分散劑， 疏水劑，粘接劑等，用于調(diào)節(jié)粘度，成膜性能，提高附著性等。有關(guān)打印技術(shù)，及其對有關(guān)溶液的相關(guān)要求，如溶劑及濃度，粘度等，的詳細(xì)信息請參見HelmutKipphan主編的《印刷媒體手冊:技術(shù)和生產(chǎn)方法》(HandbookofPrintMedia:TechnologiesandProductionMethods),ISBN3-540-67326-1。在一個一般的實施例中，按照本發(fā)明的發(fā)光器件有圖1所示的結(jié)構(gòu)圖，包含有基板(101)，陽極(102)，發(fā)光層(103)，陰極(104)?；?101)也可以位于陰極(104)的一側(cè)。在一個優(yōu)先的實施例中，按照本發(fā)明的發(fā)光器件有圖2所示的結(jié)構(gòu)圖，包含有基板(201)，陽極(202)，發(fā)光層(203)，陰極(204)，及位于發(fā)光層和陽極之間的HIL或HTL或EBL(205)?；?201)也可以位于陰極(204)的一側(cè)。在另一個優(yōu)先的實施例中，按照本發(fā)明的發(fā)光器件有圖3所示的結(jié)構(gòu)圖，包含有基板(301)，陽極(302)，發(fā)光層(303)，陰極(304)，及位于發(fā)光層和陰極之間的EIL或ETL或HBL(305)?；?301)也可以位于陰極(304)的一側(cè)。在另一個特別優(yōu)先的實施例中，按照本發(fā)明的發(fā)光器件有圖4所示的結(jié)構(gòu)圖，包含有基板(401)，陽極(402)，發(fā)光層(403)，陰極(404)，位于發(fā)光層和陰極之間的EIL或ETL或HBL(405)，及位于發(fā)光層和陽極之間的HIL或HTL或EBL(406)?；?401)也可以位于陰極(404)的一側(cè)。以上所述的器件中，適合的HIL或HTL或EBL層中包含有一p型的無機(jī)或有機(jī)材料。優(yōu)先的無機(jī)p-型半導(dǎo)體材料選自NiOx,Wox,MoOx,RuOx,VOx及它們的任何組合?；跓o機(jī)材料的HIL或HTL或EBL層可通過各種方法制備。在一個的實施例中，利用前驅(qū)體的溶膠凝膠法。如NiOx膜的溶膠凝膠法可參見(ActaChim.Slov.2006,53,p136)，Sol-GelMoO3膜參見(Sensors&ActuatorsB2003,93,p25)。在另一個的實施例中，無機(jī)的材料HIL或HTL或EBL層可通過前述的低溫共燒法制備。在另一個優(yōu)先的實施例中，無機(jī)的材料HIL或HTL或EBL層可通過物理氣相沉積法制得，如通過射頻磁控濺射，如Tokito等報道的(J.Phys.D:Appl.Phys.1996,29,p2750)。其他合適的物理氣相沉積法可參見“物理氣相沉積(PVD)手冊“,DonaldM. Mattox編，ISBN0-8155-1422-0，NoyesPublications。合適的p型的有機(jī)材料可選自前述的HTM或HIM材料，優(yōu)先的選自胺(amine),聯(lián)苯類三芳胺(triarylamine),噻吩(thiophene),并噻吩(fusedthiophene)如二噻吩并噻吩(dithienothiophene)和并噻吩(dibenzothiphene),吡咯(pyrrole),苯胺(aniline),咔唑(carbazole),氮茚并氮芴(indolocarbazole),酞菁(phthlocyanine),卟啉(porphyrine)及它們的衍生物。優(yōu)先地，HIL包含有一導(dǎo)電聚合物，例如聚苯胺，聚噻吩,聚吡咯，特別如PEDOT/PSS。基于有機(jī)材料的HIL或HTL或EBL層可通過各種方法制備。在一個優(yōu)先的實施例中，有機(jī)的HIL或HTL或EBL層是通過溶液制備的，更優(yōu)先的是通過一種前述的印刷的方法。在一個更加優(yōu)先的實施例中，有機(jī)的HIL或HTL或EBL層是通過交聯(lián)(Cross-Linking))固定化的。另外，有機(jī)的HIL或HTL或EBL層也可通過物理氣相沉積法制得，如真空熱蒸發(fā)等。以上所述的器件中，適合的EIL或ETL或HBL層中包含有一n型的無機(jī)或有機(jī)材料。在一個優(yōu)先的實施例中，所述的EIL或ETL或HBL層中包含有一n型無機(jī)半導(dǎo)體材料。優(yōu)選的無機(jī)半導(dǎo)體材料，包括那些有一個帶隙比發(fā)光層發(fā)射能量更大，更優(yōu)選的比在發(fā)光層的基質(zhì)材料的帶隙更大。在一個的實施例中，發(fā)光層中無機(jī)金屬納米團(tuán)簇和作為EIL或ETL或HBL的n型無機(jī)半導(dǎo)體材料的LUMO能級或?qū)芗壍牟畹慕^對值小于0.5eV，較好是小于0.3eV,最好是小于0.2eV。無機(jī)半導(dǎo)體材料的例子包括，但不限于，金屬硫族元素化物，金屬磷族元素化物，或元素半導(dǎo)體，如金屬氧化物，金屬硫化物，金屬硒化物，金屬碲化物，金屬氮化物，金屬磷化物，或金屬砷化物。優(yōu)先的無機(jī)n-型半導(dǎo)體材料選自ZnO,ZnS,ZnSe,TiO2,ZnTe,GaN,GaP,AlN,CdSe,CdS,CdTe,CdZnSe及它們的任何組合?；跓o機(jī)材料的EIL或ETL或HBL層可通過各種方法制備。在一個的實施例中，利用前驅(qū)體的溶膠凝膠法。如ZnO膜的溶膠凝膠法可參見(Nat.Mater.2011,10,p45)，利用前軀體的Sol-GelZnS膜參見(Chem.Mater.2009,21,p604)。在另一個的實施例中，無機(jī)的材料EIL或ETL或HBL層可通過前述的低溫共燒法制備。在另一個優(yōu)先的實施例中，無機(jī)的材料EIL或ETL或HBL層可通過物理氣相沉積法制得，如通過射頻磁控濺射等。在另一個的實施例中，所述的EIL或ETL或HBL層中包含有一n型有機(jī)材料。合適的n型的有機(jī)材料可選自前述的ETM或EIM材料，優(yōu)先的選自三(8-羥基喹啉)鋁(AlQ3),蒽 (Anthracene),菲(Phenanthrene),芴(Fluorene),二芴(Bifluorene),螺二芴(Spiro-bifluorene),對苯乙炔(Phenylene-vinylene),三嗪(triazine),三唑(triazole),咪唑(imidazole)，芘(Pyrene),苝(Perylene),吩嗪(Phenazine),菲羅啉(Phenanthroline),反茚并芴(trans-Indenofluorene),順茚并(cis-Indenonfluorene),二苯并-茚并芴(Dibenzol-indenofluorene),茚并萘(Indenonaphthalene),苯并蒽(benzanthracene)及它們的衍生物。基于有機(jī)材料的EIL或ETL或HBL層可通過各種方法制備。在一個優(yōu)先的實施例中，有機(jī)的EIL或ETL或HBL層是通過溶液制備的，更優(yōu)先的是通過一種前述的印刷的方法。在一個更加優(yōu)先的實施例中，有機(jī)的EIL或ETL或HBL層是通過交聯(lián)(Cross-Linking))固定化的。另外，有機(jī)的EIL或ETL或HBL層也可通過物理氣相沉積法制得，如真空熱蒸發(fā)等。另外可能的按照本發(fā)明的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的例子為，但不限于，陽極/HIL/HTL/EML/陰極，陽極/HIL/HTL/EML/ETL/陰極，陽極/HIL/HTL/EML/ETL/EIL/陰極，陽極/HIL/HTL/EBL/EML/ETL/EIL/陰極，陽極/HIL/HTL/EBL/EML/ETL/陰極，陽極/HIL/HTL/EBL/EML1/EML2/ETL/EIL/陰極，陽極/EML/ETL/EIL/陰極，陽極/HIL/HTL/EBL/EML/HBL/ETL/EIL/陰極等。以上所述的器件中，HIL或HTL或EBL或EML或ETL或EIL的厚度的范圍可以從5-1000nm,較好是10-800nm，更好是10-500nm，最好是10-100nm。以上所述的器件中，基片可以是不透明或透明。一個透明的基板可以用來制造一個透明的發(fā)光元器件。例如可參見，Bulovic等Nature1996,380,p29，和Gu等，Appl.Phys.Lett.1996,68,p2606。基材可以是剛性的或彈性的?；梢允撬芰希饘?，半導(dǎo)體晶片或玻璃。最好是基片有一個平滑的表面。無表面缺陷的基板是特別理想的選擇。在一個優(yōu)先的實施例中，基片可選于聚合物薄膜或塑料，其玻璃化溫度Tg為150℃以上，較好是超過200℃，更好是超過250℃，最好是超過300℃。合適的基板的例子有聚(對苯二甲酸乙二醇酯)(PET)和聚乙二醇(2,6-萘)(PEN)。陽極可包括一金屬或?qū)щ娊饘傺趸?，或?qū)щ娋酆衔铩ｊ枠O可以容易地注入空穴到HIL或HTL或發(fā)光層中。在一個的實施例中，陽極的功函數(shù)和發(fā)光層中金屬納米團(tuán)簇或作為HIL或HTL或EBL的p型半導(dǎo)體材料的HOMO能級或價帶能級的差的絕對值小于0.5eV，較好是小于0.3eV, 最好是小于0.2eV。陽極材料的例子包括但不限于，Al,Cu,Au,Ag,Mg,Fe,Co,Ni,Mn,Pd,Pt，ITO，鋁摻雜氧化鋅(AZO)等。其他合適的陽極材料是已知的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可容易地選擇使用。陽極材料可以使用任何合適的技術(shù)沉積，如一合適的物理氣相沉積法，包括射頻磁控濺射，真空熱蒸發(fā)，電子束(e-beam)等。在某些實施例中，陽極是圖案結(jié)構(gòu)化的。圖案化的ITO導(dǎo)電基板可在市場上買到，并且可以用來制備根據(jù)本發(fā)明的器件。陰極可包括一導(dǎo)電金屬或金屬氧化物。陰極可以容易地注入電子到EIL或ETL或直接到發(fā)光層中。在一個的實施例中，陰極的功函數(shù)和發(fā)光層中金屬納米團(tuán)簇或作為EIL或ETL或HBL的n型半導(dǎo)體材料的LUMO能級或?qū)芗壍牟畹慕^對值小于0.5eV，較好是小于0.3eV,最好是小于0.2eV。原則上，所有可用作OLED的陰極的材料都可能作為本發(fā)明器件的陰極材料。陰極材料的例子包括但不限于，Al,Au,Ag,Ca,Ba,Mg,LiF/Al,MgAg合金,BaF2/Al，Cu,Fe,Co,Ni,Mn,Pd,Pt，ITO等。陰極材料可以使用任何合適的技術(shù)沉積，如一合適的物理氣相沉積法，包括射頻磁控濺射，真空熱蒸發(fā)，電子束(e-beam)等。在一個優(yōu)先的實施例中，陽極或陰極可通過打印的方法制備。在一個的實施例中，可利用含有金屬鹽或金屬絡(luò)合物作為前軀體的用溶膠凝膠法來制備陽極或陰極。WO2008151094公開了含有金屬鹽的油墨的制備及應(yīng)用，WO2010011974公開了一種含有鋁金屬鹽的油墨。特此列出的專利文獻(xiàn)中的全部內(nèi)容也將并入本文作為參考。在另一個的實施例中，陽極或陰極可通過打印含有金屬納米顆粒的油墨來制作。一些金屬納米油墨可從市場上買到，如Xerox公司和AdvancedNanoProductsCo.,Ltd.的納米銀漿。本發(fā)明涉及一種混合物或復(fù)合材料,包含前面所述的金屬納米團(tuán)簇與基質(zhì)材料,其特征在于所述的基質(zhì)材料其能帶帶隙大于所述的金屬納米團(tuán)簇。本發(fā)明還涉及按照本發(fā)明的發(fā)光器件在各種場合的應(yīng)用，包括，但不限于，各種顯示器件，背光源，照明光源等。下面對有機(jī)功能材料作一些較詳細(xì)的描述(但不限于此)。在WO2010135519A1, US20090134784A1和WO2011110277A1中對各種有機(jī)功能材料有詳細(xì)的描述，特此將此2專利文件中的全部內(nèi)容并入本文作為參考。有機(jī)功能材料可以是小分子和高聚物材料。1.HIM/HTM合適的有機(jī)HIM/HTM材料可選包含有如下結(jié)構(gòu)單元的化合物:酞菁,卟啉，胺,芳香胺，聯(lián)苯類三芳胺,噻吩,并噻吩如二噻吩并噻吩和并噻吩,吡咯,苯胺,咔唑,氮茚并氮芴,及它們的衍生物。另位的合適的HIM也包括含有氟烴的聚合物；含有導(dǎo)電摻雜的聚合物；導(dǎo)電聚合物，如PEDOT/PSS；自組裝單體,如含有膦酸和sliane衍生物的化合物；金屬氧化物，如MoOx；金屬絡(luò)合物，和交聯(lián)化合物等?？捎米鱄IM或HTM的環(huán)芳香胺衍生化合物的例子包括(但不限于)如下的一般結(jié)構(gòu)：每個Ar1到Ar9可獨(dú)立選自環(huán)芳香烴化合物，如苯，聯(lián)苯，三苯基，苯并，萘，蒽，phenalene，菲，芴，芘，屈，苝，薁；芳香雜環(huán)化合物，如二苯并噻吩，二苯并呋喃，呋喃，噻吩，苯并呋喃，苯并噻吩，咔唑，吡唑，咪唑，三氮唑，異惡唑，噻唑，惡二唑，oxatriazole，二惡唑，噻二唑，吡啶，噠嗪，嘧啶，吡嗪，三嗪，惡嗪，oxathiazine，oxadiazine，吲哚，苯并咪唑，吲唑，indoxazine，苯并惡唑，benzisoxazole，苯并噻唑，喹啉，異喹啉，鄰二氮(雜)萘，喹唑啉，喹喔啉，萘，酞，蝶啶，氧雜蒽，吖啶，吩嗪，吩噻嗪，吩惡嗪，dibenzoselenophene，benzoselenophene，benzofuropyridine，indolocarbazole，pyridylindole，pyrrolodipyridine，furodipyridine，benzothienopyridine，thienodipyridine，benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine；包含有2至10環(huán)結(jié)構(gòu)的基團(tuán)，它們可以是相同或不同類型的環(huán)芳香烴基團(tuán)或芳香雜環(huán)基團(tuán)，并彼此直接或通過至少一個以下的基團(tuán)連結(jié)在一起,如氧原子，氮原子，硫原子，硅原子，磷原子，硼原子，鏈結(jié)構(gòu)單元和脂肪環(huán)基團(tuán)。其中，每個Ar可以進(jìn)一步被取代，取代基可選為氫，烷基，烷氧基，氨基，烯，炔，芳烷基，雜烷基，芳基和雜芳基。在一個方面，Ar1到Ar9可獨(dú)立選自包含如下組的基團(tuán):n是1到20的整數(shù)；X1到X8是CH或N；Ar1如以上所定義.環(huán)芳香胺衍生化合物的另外的例子可參見US3567450,US4720432,US5061569,US3615404,和US5061569.可用作HTM或HIM的金屬絡(luò)合物的例子包括(但不限于)如下的一般結(jié)構(gòu):M是一金屬,有大于40的原子量；(Y1-Y2)是一兩齒配體,Y1和Y2獨(dú)立地選自C,N,O,P,和S；L是一個輔助配體；m是一整數(shù)，其值從1到此金屬的最大配位數(shù)；m+n是此金屬的最大配位數(shù)。在一個實施例中，(Y1-Y2)是一2-苯基吡啶衍生物.在另一個實施例中,(Y1-Y2)是一卡賓配體.在另一個實施例中,M選于Ir,Pt,Os,和Zn.在另一個方面，金屬絡(luò)合物的HOMO大于-5.5eV(相對于真空能級).在下面的表中列出合適的可作為HIM/HTM化合物的例子:2.EIM/ETM/HBMEIM/ETM材料的例子并不受特別的限制，任何金屬絡(luò)合物或有機(jī)化合物都可能被用作為EIM/ETM,只要它們可以傳輸電子。優(yōu)先的有機(jī)EIM/ETM材料可選自三(8-羥基喹啉)鋁(AlQ3),吩嗪,菲羅啉,蒽,菲,芴,二芴,螺二芴,對苯乙炔,三嗪,三唑,咪唑，芘,苝,反茚并芴,順茚并,二苯并-茚并芴,茚并萘,苯并蒽及它們的衍生物.空穴阻擋層(HBL)通常用來阻擋來自相鄰功能層,特別是發(fā)光層的空穴。對比一個沒有阻擋層的發(fā)光器件,HBL的存在通常會導(dǎo)致發(fā)光效率的提高。空穴阻擋層(HBL)的空穴阻擋材料(HBM)需要有比相鄰功能層,如發(fā)光層更低的HOMO。在一個優(yōu)先的實施方案中,HBM有比相鄰發(fā)光層更大的激發(fā)態(tài)能級,如單重態(tài)或三重態(tài),取決于發(fā)光體.在另一個優(yōu)先的實施方案中,HBM有電子傳輸功能.。通常具有深的HOMO能級的EIM/ETM材料可以做為HBM。另一方面,可用作EIM/ETM/HBM的化合物是至少包含一個以下基團(tuán)的分子:R1可選于如下的基團(tuán):氫，烷基，烷氧基，氨基，烯，炔，芳烷基，雜烷基，芳基和雜芳基，當(dāng)它們是芳基或雜芳基時，它們與上述HTM中的Ar1和Ar2意義相同；Ar1-Ar5與在HTM中所描述的Ar1意義相同；n是一個從0到20的整數(shù)；X1-X8選于CH或N.另一方面,可用作EIM/ETM的金屬絡(luò)合物的例子包括(但不限于)如下的一般結(jié)構(gòu):(O-N)或(N-N)是一兩齒配體,其中金屬與O,N或N,N配位；L是一個輔助配體；m是一整數(shù)，其值從1到此金屬的最大配位數(shù)。在下面的表中列出合適的可作ETM化合物的例子:在另一個優(yōu)先的實施方案中,有機(jī)堿金屬化合物可用作EIM。在本發(fā)明中,有機(jī)堿金屬化合物可以理解挖為如下的化合物，其中至少有一個堿金屬，即鋰，鈉，鉀，銣，銫，并進(jìn)一步包含至少一個有機(jī)配體。合適的有機(jī)堿金屬化合物，包括US7767317B2，EP1941562B1和EP1144543B1中所描述的化合物。優(yōu)先選擇的有機(jī)堿金屬化合物是下列化學(xué)式的化合物:其中R1的含義如上所述，弧線代表兩個或三個原子及鍵接，以便必要時的與金屬M(fèi)形成5元或六元環(huán)，其中原子也可以由一個或多個R1取代，M為堿金屬，選自鋰，鈉，鉀，銣，銫。有機(jī)堿金屬化合物可以有單體的形式，如以上所述的，或有聚集體的形式，例如，兩堿金屬離子與兩個配體,4堿金屬離子和4配體，6堿金屬離子和6配體或在其他的形式。優(yōu)先選擇的有機(jī)堿金屬化合物是下列化學(xué)式的化合物:其中使用的符號有上述定義相同,另外：o，每次出現(xiàn)時可以是相同或不同，是0，1，2，3或4；p，每次出現(xiàn)時可以是相同或不同，是0，1，2或3；在一個優(yōu)先的實施方案中,堿金屬M(fèi)選自鋰，鈉，鉀，更好是鋰或鈉，最好是鋰。在一個優(yōu)先的實施方案中,有機(jī)堿金屬化合物電子注入層中.更好地,電子注入層由有機(jī)堿金屬化合物組成。在另一個優(yōu)先的實施方案中,有機(jī)堿金屬化合物摻雜到其他ETM中形成電子傳輸層或電子注入層中.更好地,是電子傳輸層。在下面的表中列出合適的有機(jī)堿金屬化合物的例子:3.三重態(tài)基質(zhì)材料(TripletHost):三重態(tài)基質(zhì)材料的例子并不受特別的限制，任何金屬絡(luò)合物或有機(jī)化合物都可能被用作為基質(zhì),只要其三重態(tài)能量比發(fā)光體,特別是三重態(tài)發(fā)光體或磷光發(fā)光體更高?？捎米魅貞B(tài)基質(zhì)(Host)的金屬絡(luò)合物的例子包括(但不限于)如下的一般結(jié)構(gòu):M是一金屬；(Y3-Y4)是一兩齒配體,Y3和Y4獨(dú)立地選自C,N,O,P,和S；L是一個輔助配體；m是一整數(shù)，其值從1到此金屬的最大配位數(shù)；m+n是此金屬的最大配位數(shù)。在一個優(yōu)先的實施方案中，可用作三重態(tài)基質(zhì)的金屬絡(luò)合物有如下形式：(O-N)是一兩齒配體,其中金屬與O和N原子配位.在某一個實施方案中,M可選于Ir和Pt.可作為三重態(tài)基質(zhì)的有機(jī)化合物的例子選自包含有環(huán)芳香烴基的化合物,礙如苯，聯(lián)苯，三苯基，苯并，芴；測試；包含有芳香雜環(huán)基的化合物,如二苯并噻吩，二苯并呋喃，dibenzoselenophene，呋喃，噻吩，苯并呋喃,苯并噻吩，benzoselenophene，咔唑，indolocarbazole，pyridylindole，pyrrolodipyridine，吡唑，咪唑，三唑類，惡唑，噻唑，惡二唑，oxatriazole，二惡唑，噻二唑，吡啶，噠嗪，嘧啶，吡嗪，三嗪類，oxazines，oxathiazines，oxadiazines，吲哚，苯并咪唑，吲唑，indoxazine，bisbenzoxazoles，benzisoxazole，苯并噻唑，喹啉，異喹啉，cinnoline，喹唑啉，喹喔啉，萘，酞，蝶啶，氧雜蒽，吖啶，吩嗪，吩噻嗪，phenoxazines，benzofuropyridine，furodipyridine，benzothienopyridine，thienodipyridine，benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine；包含有2至10環(huán)結(jié)構(gòu)的基團(tuán)，它們可以是相同或不同類型的環(huán)芳香烴基團(tuán)或芳香雜環(huán)基團(tuán)，并彼此直接或通過至少一個以下的基團(tuán)連結(jié)在一起,如氧原子，氮原子，硫原子，硅原子，磷原子，硼原子，鏈結(jié)構(gòu)單元和脂肪環(huán)基團(tuán)。其中，每個Ar可以進(jìn)一步被取代，取代基可選為氫，烷基，烷氧基，氨基，烯，炔，芳烷基，雜烷基，芳基和雜芳基。在一個優(yōu)先的實施方案中,三重態(tài)基質(zhì)材料可選于包含至少一個以下基團(tuán)的化合物:R1-R7可相互獨(dú)立地選于如下的基團(tuán):氫，烷基，烷氧基，氨基，烯，炔，芳烷基，雜烷基，芳基和雜芳基，當(dāng)它們是芳基或雜芳基時，它們與上述的Ar1和Ar2意義相同；n是一個從0到20的整數(shù)；X1-X8選于CH或N；X9選于CR1R2或NR1.在下面的表中列出合適的三重態(tài)基質(zhì)材料的例子:4.單重態(tài)基質(zhì)材料(SingletHost):單重態(tài)基質(zhì)材料的例子并不受特別的限制，任何有機(jī)化合物都可能被用作為基質(zhì),只要其單重態(tài)能量比發(fā)光體,特別是單重態(tài)發(fā)光體或熒光發(fā)光體更高。作為單重態(tài)基質(zhì)材料使用的有機(jī)化合物的例子可選自含有環(huán)芳香烴化合物，如苯，聯(lián)苯，三苯基，苯并，萘，蒽，phenalene，菲，芴，芘，屈，苝，薁；芳香雜環(huán)化合物，如二苯并噻吩，二苯并呋喃，dibenzoselenophene，呋喃，噻吩，苯并呋喃，苯并噻吩，benzoselenophene，咔唑，indolocarbazole，pyridylindole，Pyrrolodipyridine，吡唑，咪唑，三氮唑，異惡唑，噻唑，惡二唑，oxatriazole，二惡唑，噻二唑，吡啶，噠嗪，嘧啶，吡嗪，三嗪，惡嗪，oxathiazine，oxadiazine，吲哚，苯并咪唑，吲唑，indoxazine，苯并惡唑，benzisoxazole，苯并噻唑，喹啉，異喹啉，cinnoline，喹唑啉，喹喔啉，萘，酞，蝶啶，氧雜蒽，吖啶，吩嗪，吩噻嗪，吩惡嗪，benzofuropyridine，furodipyridine，benzothienopyridine，thienodipyridine，benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine；包含有2至10環(huán)結(jié)構(gòu)的基團(tuán)，它們可以是相同或不同類型的環(huán)芳香烴基團(tuán)或芳香雜環(huán)基團(tuán)，并彼此直接或通過至少一個以下的基團(tuán)連結(jié)在一起,如氧原子，氮原子，硫原子，硅原子，磷原子，硼原子，鏈結(jié)構(gòu)單元和脂肪環(huán)基團(tuán)。。在一個優(yōu)先的實施方案中,單重態(tài)基質(zhì)材料可選于包含至少一個以下基團(tuán)的化合物:在下面的表中列出合適的單重態(tài)基質(zhì)材料的例子:5.單重態(tài)發(fā)光體(SingletEmitter)單重態(tài)發(fā)光體往往有較長的共軛π電子系統(tǒng)。迄今,已有許多例子，例如在JP2913116B和WO2001021729A1中公開的苯乙烯胺及其衍生物，和在WO2008/006449和WO2007/140847中公開的茚并芴及其衍生物.在一個優(yōu)先的實施方案中,單重態(tài)發(fā)光體可選自一元苯乙烯，二元苯乙烯胺，三元苯乙烯胺，四元苯乙烯胺，苯乙烯膦，苯乙烯醚和芳胺。一個一元苯乙烯胺是指一化合物,它包含一個無取代或取代的苯乙烯基組和至少一個胺，最好是芳香胺。一個二元苯乙烯胺是指一化合物,它包含二個無取代或取代的苯乙烯基組和至少一個胺，最好是芳香胺。一個三元苯乙烯胺是指一化合物,它包含三個無取代或取代的苯乙烯基組和至少一個胺，最好是芳香胺。一個四元苯乙烯胺是指一化合物,它包含四個無取代或取代的苯乙烯基組和至少一個胺，最好是芳香胺。一個優(yōu)選的苯乙烯是二苯乙烯,其可能會進(jìn)一步被取代。相應(yīng)的膦類和醚類的定義與胺類相似。芳基胺或芳香胺是指一種化合物，包含三個直接聯(lián)接氮的無取代或取代的芳香環(huán)或雜環(huán)系統(tǒng)。這些芳香族或雜環(huán)的環(huán)系統(tǒng)中至少有一個優(yōu)先選于稠環(huán)系統(tǒng)，并最好有至少14個芳香環(huán)原子。其中優(yōu)選的例子有芳香蒽胺，芳香蒽二胺，芳香芘胺，芳香芘二胺，芳香屈胺和芳香屈二胺。一個芳香蒽胺是指一化合物，其中一 個二元芳基胺基團(tuán)(diarylamino)直接聯(lián)到蒽上,最好是在9的位置上。一個芳香蒽二胺是指一化合物，其中二個二元芳基胺基團(tuán)(diarylamino)直接聯(lián)到蒽上,最好是在9,10的位置上。芳香芘胺，芳香芘二胺，芳香屈胺和芳香屈二胺的定義類似,其中二元芳基胺基團(tuán)最好聯(lián)到芘的1或1,6位置上.基于乙烯胺及芳胺的單重態(tài)發(fā)光體的例子,也是優(yōu)選的例子,可在下述專利文件中找到:WO2006/000388,WO2006/058737,WO2006/000389,WO2007/065549,WO2007/115610,US7250532B2,DE102005058557A1,CN1583691A,JP08053397A,US6251531B1,US2006/210830A,EP1957606A1和US2008/0113101A1特此上述列出的專利文件中的全部內(nèi)容并入本文作為參考。基于均二苯乙烯(distyrylbenzene)極其衍生物的單重態(tài)發(fā)光體的例子有US5121029.進(jìn)一步的優(yōu)選的單重態(tài)發(fā)光體可選于茚并芴-胺和茚并芴-二胺，如WO2006/122630所公開的，苯并茚并芴-胺和苯并茚并芴-二胺，如WO2008/006449所公開的，二苯并茚并芴-胺和二苯并茚并芴-二胺，如WO2007/140847所公開的。其他可用作單重態(tài)發(fā)光體的材料有多環(huán)芳烴化合物，特別是如下化合物的衍生物:蒽如9,10-二(2-萘并蒽)，萘,四苯，氧雜蒽，菲,芘如2,5,8,11-tetra-t-butylperylene，茚并芘，苯撐如(4,4’-(bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)-1,1’-biphenyl)，periflanthene,十環(huán)烯六苯并苯，芴，螺二芴,芳基芘(如US20060222886)，亞芳香基乙烯(如US5121029，US5130603),環(huán)戊二烯如四苯基環(huán)戊二烯,紅熒烯，香豆素，若丹明，喹吖啶酮，吡喃如4(dicyanoethylene)-6-(4-dimethylaminostyryl-2-methyl)-4H-pyrane(DCM),噻喃,bis(azinyl)imine-boron化合物(US2007/0092753A1),bis(azinyl)methene化合物,carbostyryl化合物,噁嗪酮，苯并惡唑,苯并噻唑,苯并咪唑及diketopyrrolopyrrole。一些單重態(tài)發(fā)光體的材料可在下述專利文件中找到:US20070252517A1,US4769292,US6020078,US2007/0252517A1,US2007/0252517A1。特此將上述列出的專利文件中的全部內(nèi)容并入本文作為參考。在下面的表中列出一些合適的單重態(tài)發(fā)光體的例子:6.三重態(tài)發(fā)光體(TripletEmitter)三重態(tài)發(fā)光體也稱磷光發(fā)光體。在一個優(yōu)先的實施方案中,三重態(tài)發(fā)光體是有通式M(L)n的金屬絡(luò)合物,其中M是一金屬原子，L每次出現(xiàn)時可以是相同或不同，是一有機(jī)配體，它通過一個或多個位置鍵接或配位連接到金屬原子M上,n是一個大于1的整數(shù)，較好選是1，2，3，4，5或6。可選地，這些金屬絡(luò)合物通過一個或多個位置聯(lián)接到一個聚合物上，最好是通過有機(jī)配體。在一個優(yōu)先的實施方案中,金屬原子M選于過渡金屬元素或鑭系元素或錒系元素,優(yōu)先選擇Ir,Pt,Pd,Au,Rh,Ru,Os,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Re,Cu或Ag，特別優(yōu)先選擇Os,Ir,Ru,Rh,Re,Pd,Pt。優(yōu)先地,三重態(tài)發(fā)光體包含有螯合配體，即配體，通過至少兩個結(jié)合點(diǎn)與金屬配位，特別優(yōu)先考慮的是三重態(tài)發(fā)光體包含有兩個或三個相同或不同的雙齒或多齒配體。螯合配體有利于提高金屬絡(luò)合物的穩(wěn)定性。有機(jī)配體的例子可選自苯基吡啶(phenylpyridine)衍生物，7,8-苯并喹啉(7,8-benzoquinoline)衍 生物，2(2-噻吩基)吡啶(2(2-thienyl)pyridine)衍生物，2(1-萘基)吡啶(2(1-naphthyl)pyridine)衍生物，或2苯基喹啉(2phenylquinoline)衍生物。所有這些有機(jī)配體都可能被取代，例如被含氟或三氟甲基取代。輔助配體可優(yōu)先選自乙酸丙酮(acetylacetonate)或苦味酸。在一個優(yōu)先的實施方案中，可用作三重態(tài)發(fā)光體的金屬絡(luò)合物有如下形式：其中M是一金屬,選于過渡金屬元素或鑭系元素或錒系元素；Ar1每次出現(xiàn)時可以是相同或不同,是一個環(huán)狀基團(tuán),其中至少包含有一個施主原子，即有一孤對電子的原子，如氮或磷，通過它環(huán)狀基團(tuán)與金屬配位連接；Ar2每次出現(xiàn)時可以是相同或不同,是一個環(huán)狀基團(tuán),其中至少包含有一個C原子,通過它環(huán)狀基團(tuán)與金屬連接；Ar1和Ar2由共價鍵聯(lián)接在一起,可各自攜帶一個或多個取代基團(tuán)，它們也可再通過取代基團(tuán)聯(lián)接在一起；L每次出現(xiàn)時可以是相同或不同,是一個輔助配體,優(yōu)選于雙齒螯合配體，最好是單陰離子雙齒螯合配體；m是1,2或3,優(yōu)先地是2或3,特別優(yōu)先地是3；n是0,1,或2,優(yōu)先地是0或1,特別優(yōu)先地是0；一些三重態(tài)發(fā)光體的材料極其應(yīng)用的例子可在下述專利文件和文獻(xiàn)中找到:WO200070655,WO200141512,WO200202714,WO200215645,EP1191613,EP1191612,EP1191614,WO2005033244,WO2005019373,US2005/0258742,WO2009146770,WO2010015307,WO2010031485,WO2010054731,WO2010054728,WO2010086089,WO2010099852,WO2010102709,US20070087219A1,US20090061681A1,US20010053462A1,Baldo,Thompsonetal.Nature403,(2000),750-753,US20090061681A1,US20090061681A1,Adachietal.Appl.Phys.Lett.78(2001),1622-1624,J.Kidoetal.Appl.Phys.Lett.65(1994),2124,Kidoetal.Chem.Lett.657,1990,US2007/0252517A1,Johnsonetal.,JACS105,1983,1795,Wrighton,JACS96,1974,998,Maetal.,Synth.Metals94,1998,245,US6824895,US7029766,US6835469,US6830828,US20010053462A1,WO2007095118A1,US2012004407A1,WO2012007088A1,WO2012007087A1,WO2012007086A1,US2008027220A1,WO2011157339A1,CN102282150A,WO2009118087A1。特此將上述列出的專利文件和文獻(xiàn)中的全部內(nèi)容并入本文作為參考。7.高聚物高聚物,即Polymer，包括均聚物(homopolymer),共聚物(copolymer),鑲嵌共聚物(blockcopolymer).另外在本發(fā)明中,高聚物也包括樹狀物(dendrimer).有關(guān)樹狀物的合成及應(yīng)用請參見DendrimersandDendrons,Wiley-VCHVerlagGmbH&Co.KGaA,2002,Ed.GeorgeR.Newkome,CharlesN.Moorefield,FritzVogtle.共軛高聚物(conjugatedpolymer)是一高聚物它的主鏈backbone主要使由C原子的sp2雜化軌道構(gòu)成,著名的例子有聚乙炔polyacetylene和poly(phenylenevinylene)；其主鏈上的C原子的也可以被其他非C原子取代,而且當(dāng)主鏈上的sp2雜化被一些自然的缺陷打斷時,仍然被人為是共軛高聚物.另外在本發(fā)明中共軛高聚物也包括主鏈上包含有芳基胺(arylamine),芳基磷化氫(arylphosphine),及其他雜環(huán)芳烴(heteroarmotics),有機(jī)金屬絡(luò)合物(organometalliccomplexes)等.在一個優(yōu)先的實施例中，適合于本發(fā)明的高聚物是共軛高聚物。一般地，共軛高聚物有如下通式:其中B,A在多次出現(xiàn)時可獨(dú)立選擇相同或不同的結(jié)構(gòu)單元B:具有較大的能隙的π-共軛結(jié)構(gòu)單元,也稱骨干單元(BackboneUnit)，選自單環(huán)或多環(huán)芳基或雜芳基,優(yōu)先選擇的單元形式為苯,聯(lián)二亞苯(Biphenylene),萘,蒽,菲,二氫菲,9,10-二氫菲,芴,二芴,螺二芴,對苯乙炔,反茚并芴,順茚并,二苯并-茚并芴,茚并萘及它們的衍生物.A:具有較小能隙的π-共軛結(jié)構(gòu)單元,也稱功能單元(FunctionalUnit)，按照不同的功能要求，可選自包含有以上所述的空穴注入或傳輸材料(HIM/HTM)，空穴阻擋材料(HBM),電子注入或傳輸材料(EIM/ETM)，電子阻擋材料(EBM),有機(jī)基質(zhì)材料(Host)，單重態(tài)發(fā)光體(熒光發(fā)光體)，重態(tài)發(fā)光體(磷光發(fā)光體)的結(jié)構(gòu)單元。x,y:>0,且x+y＝1；在一個優(yōu)先的實施例中，高聚物HTM材料為均聚物,優(yōu)先的均聚物選自聚噻吩,聚吡咯,聚 苯胺,聚聯(lián)苯類三芳胺,聚乙烯基咔唑及它們的衍生物.在另一個優(yōu)先的實施例中，高聚物HTM材料為化學(xué)式1表示的共軛共聚物，其中A:具有空穴輸運(yùn)能力的功能基,可選自包含有以上所述的空穴注入或傳輸材料(HIM/HTM)的結(jié)構(gòu)單元；在一個優(yōu)先的實施例中，A選自胺,聯(lián)苯類三芳胺,噻吩，并噻吩如二噻吩并噻吩和并噻吩,吡咯,苯胺,咔唑,indenocarbazole,氮茚并氮芴,并五苯,酞菁,卟啉及它們的衍生物.x,y:>0,且x+y＝1；通常y≥0.10,比較好為≥0.15,更好為≥0.20,最好為x＝y(tǒng)＝0.5.在下面列出合適的可作為HTM的共軛高聚物的例子:其中R各自彼此獨(dú)立地是氫，具有1至20個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，或者具有3至20個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)或者是甲硅烷基基團(tuán)，或具有1至20個C原子的取代的酮基基團(tuán)，具有2至20個C原子的烷氧基羰基基團(tuán)，具有7至20個C原子的芳氧基羰基基團(tuán)，氰基基團(tuán)(-CN)，氨基甲?；鶊F(tuán)(-C(＝O)NH2)，鹵甲?；鶊F(tuán)(-C(＝O)-X其中X代表鹵素原子),甲酰基基團(tuán)(-C(＝O)-H)，異氰基基團(tuán)，異氰酸酯基團(tuán)，硫氰酸酯基團(tuán)或異硫氰酸酯基團(tuán)，羥基基團(tuán)，硝基基團(tuán)，CF3基團(tuán)，Cl,Br,F，可交聯(lián)的基團(tuán)或者具有5至40個環(huán)原子的取代或未取代的芳族或雜芳族環(huán)系，或具有5至40個環(huán)原子的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)，或這些體系的組合，其中一個或多個基團(tuán)R可以彼此和/或與所述基團(tuán)R鍵合的環(huán)形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；r是0,1,2,3或4；s是0,1,2,3,4o或5；x,y:>0,且x+y＝1；通常y≥0.10,比較好為≥0.15,更好為≥0.20,最好為x＝y(tǒng)＝0.5。另一類優(yōu)先選擇的有機(jī)ETM材料是具有電子傳輸能力的高聚物,包括共軛高聚物和非共軛高聚物。優(yōu)先選擇的高聚物ETM材料為均聚物,優(yōu)先的均聚物選自聚菲(polyphenanathrene),聚菲羅啉(polyphenanthroline),聚茚并芴(poly-indenolfluorene)),聚螺二芴(polyspiro-bifluorene),聚芴(polyfluorene)及它們的衍生物。優(yōu)先選擇的高聚物ETM材料為化學(xué)式1表示的共軛共聚物，其中A在多次出現(xiàn)時可獨(dú)立選擇相同或不同的形式:A:具有電子輸運(yùn)能力的功能基,優(yōu)先選自三(8-羥基喹啉)鋁(AlQ3),苯,聯(lián)二亞苯,萘,蒽,菲,Dihydrophenanthrene,芴,二芴,螺二芴,對苯乙炔,芘,苝,9,10-Dihydrophenanthrene,吩嗪,菲羅啉,反茚并芴,順茚并,二苯并-茚并芴,茚并萘,苯并蒽及它們的衍生物x,y:>0,且x+y＝1.通常y≥0.10,比較好為≥0.15,更好為≥0.20,最好為x＝y(tǒng)＝0.5.在一個優(yōu)先的實施例中，發(fā)光高聚物是有如下通式的共軛高聚物高聚物有如下通式:B:與化學(xué)式1的定義相同。A1:具有空穴或電子輸運(yùn)能力的功能基,可選自包含有以上所述的空穴注入或傳輸材料(HIM/HTM)，或電子注入或傳輸材料(EIM/ETM)的結(jié)構(gòu)單元。A2:具有發(fā)光功能的基團(tuán),可選自包含有以上所述的單重態(tài)發(fā)光體(熒光發(fā)光體)，重態(tài)發(fā)光體(磷光發(fā)光體)的結(jié)構(gòu)單元。x,y,z:>0,且x+y+z＝1；發(fā)光高聚物的例子在如下的專利申請中公開：WO2007043495,WO2006118345,WO2006114364,WO2006062226,WO2006052457,WO2005104264,WO2005056633,WO2005033174,WO2004113412,WO2004041901，WO2003099901,WO2003051092,WO2003020790,WO2003020790,US2020040076853,US2020040002576,US2007208567,US2005962631,EP201345477,EP2001344788，DE102004020298，特將以上專利文件中的全部內(nèi)容并入本文作為參考。在另一個的實施例中，適合于本發(fā)明的高聚物是非共軛高聚物。這可以是所有功能基團(tuán)都在側(cè)鏈上，而主鏈?zhǔn)欠枪曹椀母呔畚?。一些用作磷光主體或磷光發(fā)光材料的這類非共軛高聚物在US7250226B2，JP2007059939A，JP2007211243A2和JP2007197574A2等專利申請中有公開，一些用作熒光發(fā)光材料的這類非共軛高聚物在JP2005108556,JP2005285661和JP2003338375等專利申請中有公開。另外，非共軛高聚物也可以是一種高聚物，主鏈上共軛的功能單元通過非共軛的鏈接單元鏈接起來，這種高聚物的例子在DE102009023154.4和DE102009023156.0中有公開。特將以上專利文件中的全部內(nèi)容并入本文作為參考。下面將結(jié)合優(yōu)選實施例對本發(fā)明進(jìn)行了說明,但本發(fā)明并不局限于下述實施例,應(yīng)當(dāng)理解,所附權(quán)利要求概括了本發(fā)明的范圍在本發(fā)明構(gòu)思的引導(dǎo)下本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)意識到,對本發(fā)明的各實施例所進(jìn)行的一定的改變,都將被本發(fā)明的權(quán)利要求書的精神和范圍所覆蓋.具體實施方式1.ZnO納米顆粒的制備氧化鋅納米粒子按Weller等在(Angew.Chem.Int.Ed2002,41,1188-1191)報道的通過在甲醇中用氫氧化鉀水解和縮合二水醋酸鋅的方法合成,了其中Zn2+:OH-的比例為1:1.7。此過程類似于以前Henglein等在(J.Phys.Chem.1988,92,482-487)和Meulenkamp在(J.Phys.Chem.1998,102,5566-5572)所報道的方法。由此產(chǎn)生的氧化鋅納米粒子在純甲醇不溶，但通過添加適量的低極性溶劑如二氯甲烷，氯仿，氯苯等，可得到穩(wěn)定的溶液。不需要額外的表面活性劑或配體，氧化鋅納米粒子在這些混合溶劑的溶解度就可達(dá)到75毫克每毫升。由此制備的氧化鋅納米粒子的粒徑大約在5納米，粒徑分布近乎單分散。將此氧化鋅納米粒子以25毫克每毫升的濃度溶于甲醇和氯苯(1:1重量比)的混合溶劑中以備后用。發(fā)光高聚物聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)(Poly(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl)，以下簡稱PFO，Mw30,000～65,000byGPC)，購于西安寶萊特光電科技有限公司，或以文獻(xiàn)中熟知的方法合成。PFO可作為有機(jī)的主體材料。TFB(poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl))diphenylamine)],H.W.SandsCorp)是一種有機(jī)空穴傳輸材料，它也可以文獻(xiàn)中熟知的方法合成，如WO99/54385的專利申請中所公開的。TPBi(1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene,西安寶萊特光電科技有限公司)作為電子傳輸材料。2.熒光金團(tuán)簇的制備十八硫醇封裝的熒光金團(tuán)簇Au8的制備可參照ZhengJ.2005.Fluorescentnoblemetalnanoclusters.PhDthesis.GeorgiaInst.Technol.,Atlanta。具體的制備過程如下:HAuCl4·5H2O(0.5μmol)(Aldrich)和十八烷硫醇o(jì)ctadecanethiol(0.25μmol)(Aldrich)共溶解在2mL的氯仿(90％)和乙醇(10％)的溶劑中。該溶液隨后被等量的NaBH4水溶液還原。被攪拌兩天后，得到一種藍(lán)色溶液。將含有十八硫醇封裝的Au8團(tuán)簇(Au8-1)的氯仿溶液分離 出來，以備后用。樹枝狀聚合物封裝的熒光金團(tuán)簇Au8的制備可參照ZhengJ.2005.Fluorescentnoblemetalnanoclusters.PhDthesis.GeorgiaInst.Technol.,Atlanta，J.P.Wilcoxonetal.,J.Chem.Phys.108,9137(1998)等。具體的制備過程如下:第二代和第四代OH-封端的樹枝狀聚合物聚(酰氨基胺)PAMAM(G2-OH和G4-OH，分別Aldrich公司)可被用來在水和甲醇溶液中穩(wěn)定和溶解金團(tuán)簇。通過溶解0.5μmolG2-OH和1.5μmol的HAuCl4·5H2O(Aldrich)在2毫升甲醇中，金離子在樹枝狀聚合物被隔離，然后在30分鐘內(nèi)將等量的硼氫化鈉(0.005M)緩慢加入到溶液中，使得金離子被還原。還原的金原子在樹枝狀聚合物內(nèi)聚集形成小的納米點(diǎn)(樹枝狀聚合物封裝的納米團(tuán)簇)和大的納米顆粒。將溶液攪拌兩天直至反應(yīng)和聚集過程完成。溶液隨后通過離心純化，除去大的金納米顆粒。離心1小時后得到清澈的金團(tuán)簇Au8的甲醇溶液(Au8-2)。4.LED的制備按照本發(fā)明的不同的LEDs根據(jù)如下的方法制備得到。LED1-5的器件結(jié)構(gòu)列在表一中。表一:LED1-5的器件結(jié)構(gòu)LED1的制備步驟如下:1)ITO導(dǎo)電玻璃基片首次使用各種溶劑(氯仿→丙酮→異丙醇)清洗，然后進(jìn)行紫外臭氧等離子處理2)HIL:MoO3(10nm)是在高真空中(1×10-6毫巴)由熱蒸發(fā)(MoO3粉末，Testbourne99.999％)而成。3)EML:將實施例1中得到氧化鋅納米粒子的溶液和Au8-1混合，使得ZnO和Au8的重量比為94:6，將此混合溶液在氮?dú)馐痔紫涞亩栊詺夥罩行D(zhuǎn)涂布于HIL上，使得EML的厚度大約為40nm，并在150℃的熱板上燒結(jié)10分鐘。4)ETL(TiO240nm):用于ETL旋轉(zhuǎn)涂布的二氧化鈦溶膠凝膠前驅(qū)體(杜邦tyzolBTP)在丁醇中稀釋至5wt％。旋轉(zhuǎn)涂布在大約2000rpm的轉(zhuǎn)速下進(jìn)行30秒，然后在100℃下退火30分鐘。5)陰極:Al(150nm)在高真空(1×10-6毫巴)中熱蒸發(fā)而成6)封裝:器件在氮?dú)馐痔紫渲杏靡环N紫外線硬化樹脂封裝。LED2的制備除了第4步，其余與LED1相同:4)ETL(ZnO40nm):將實施例1中得到的氧化鋅納米粒子的溶液旋轉(zhuǎn)涂布在EML上，調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)速率使得ETL的厚度大約為40nm，然后在100℃下退火30分鐘。LED3的制備第1，2步與LED1相同，其余的如下:3)EML:將實施例1中得到的樹枝狀聚合物封裝的熒光金團(tuán)簇Au8的甲醇溶液(Au8-2)以浸涂或旋轉(zhuǎn)涂布的方法涂布在HIL上使得EML的厚度大約為40nm，并在150℃的熱板上燒結(jié)10分鐘。4)ETL(TPBi40nm):40nm的TPBi在高真空(1×10-6毫巴)中熱蒸發(fā)而成。5)陰極:LiF(1nm)/Al(150nm)在高真空(1×10-6毫巴)中熱蒸發(fā)而成6)封裝:器件在氮?dú)馐痔紫渲杏靡环N紫外線硬化樹脂封裝。LED4的制備第1步與LED1相同，其余為:2)HIL:PEDOT:PSS(CleviosPVPAI4083)在潔凈室在空氣中旋轉(zhuǎn)涂布在ITO導(dǎo)電玻璃基片，得到厚度為80nm。然后在空氣中在120℃下烘烤10分鐘除掉水分。TFB(H.W.SandsCorp.)作為空穴傳輸層，先以5wt％的濃度溶解于甲苯中，將此溶液在氮?dú)馐痔紫渲行D(zhuǎn)涂布在PEDOT:PSS薄膜上，然后在180℃下退火60分鐘。得到TFB的厚度為10-20nm.3)EML:將PFO的氯仿溶液(1％wt)和Au8-1以適當(dāng)?shù)谋壤旌?，使得PFO和Au8的重量比為90:10，將此混合溶液在氮?dú)馐痔紫涞亩栊詺夥罩行D(zhuǎn)涂布于HIL上，使得EML的厚度大約為65nm，并在150℃的熱板上燒結(jié)10分鐘。4)陰極:Ba(2nm)/Al(150nm)在高真空(1×10-6毫巴)中熱蒸發(fā)而成5)封裝:器件在氮?dú)馐痔紫渲杏靡环N紫外線硬化樹脂封裝。LED5的制備除了第1,2步與LED4相同，其第3,4,5,6步與LED3相同。5.LED的測量與性能LED的電流電壓(J-V)特性通過計算機(jī)控制的(Keithley2400sourcemeasurementunit)和(Keithley2000multimeter)來記錄，于此同時，亮度通過使用校準(zhǔn)過的硅光電二極管(Newport2112)測量。電致發(fā)光光譜通過光譜儀(OceanOpticsUSB2000)來測量。LED1-5的基本性能總結(jié)在下面的表中。器件點(diǎn)亮電壓(V)電致發(fā)光峰值波長LED13.91455nmLED23.82451nmLED33.70460nmLED43.61457nmLED53.45461nm當(dāng)前第1頁1 2 3