1.一種電致發(fā)光器件,包含1)一發(fā)光層(EML),其中至少包含一種金屬納米團(tuán)簇(nanocluster)，其特征在于所述的金屬納米團(tuán)簇的核小于4nm；2)布置于發(fā)光層一側(cè)的陽電極；3)布置于發(fā)光層另一側(cè)的陰電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于：所述的金屬nanocluster的核小于2nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任何一個(gè)所述的電致發(fā)光器件，其特征在于：所述的金屬納米團(tuán)簇包含有金屬元素，選自Au，Ag，Pt，Pd，Cu及它們的任何組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任何一個(gè)所述的電致發(fā)光器,其中發(fā)光層中還包含至少一種的基質(zhì)材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任何一個(gè)所述的電致發(fā)光器件，其特征在于：所述的基質(zhì)包含有無機(jī)材料，優(yōu)先的是無機(jī)半導(dǎo)體材料選自II-VI族,III-V族,IV-VI族,III-VI族,IV族，它們的合金和/或組合,并優(yōu)先選自ZnO,ZnS,ZnSe,ZnTe,GaN,GaP,Ga2O3,AlN,CdSe,CdS,CdTe,CdZnSe及它們的任何合金和/或組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任何一個(gè)所述的電致發(fā)光器件，其特征在于：所述的基質(zhì)包含有有機(jī)半導(dǎo)體材料，優(yōu)先地選自小分子主體材料或共軛高聚物材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任何一個(gè)所述的電致發(fā)光器件，其特征在于：在正電極和發(fā)光層之間還有至少另外一層,它包含有一p-型無機(jī)半導(dǎo)體材料或有機(jī)材料,它的功能是空穴注入層(HIL)或是空穴傳輸層(HTL)或是電子阻擋層(EBL)，或是它們的各種組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光器件，其所述的至少另外一層包含有一無機(jī)p-型半導(dǎo)體材料,它選自NiOx，Wox，MoOx，RuOx，VOx及它們的任何組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任何一個(gè)所述的電致發(fā)光器件，其特征在于：在陰電極及和發(fā)光層之間還有至少另外一層,它包含有一n-型無機(jī)半導(dǎo)體材料或有機(jī)材料,它的功能是電子注入層(EIL)或是電子傳輸層(ETL)或是空穴阻擋層(HBL)，或是它們的各種組合。
10.一種混合物或復(fù)合材料,包含一個(gè)所述的金屬納米團(tuán)簇與無機(jī)基質(zhì)或一種有機(jī)基質(zhì),其特征在于所述的基質(zhì)材料其能帶帶隙大于金屬納米團(tuán)簇。